YANGJIE 1N5237B

1N52 SERIES
稳压（齐纳）二极管 Zener Diodes
■特征 Features
■外形尺寸和印记
●Ptot 500mW
●Vz 2.4V-75V
Outline Dimensions and Mark
DO-35
.165(4.20)
MAX
1.02(26.0)
MIN
■用途 Applications 1.02(26.0)
MIN
.022(0.55)
MAX
.079(2.00)
MAX
●稳定电压用 Stabilizing Voltage
Dimensions in inches and (millimeters)
■极限值（绝对最大额定值） Limiting Values (Absolute Maximum Rating)
参数名称
Item
符号
Symbol
单位
Unit
条件
Conditions
最大值
Max
Ptot
mW
TL=25℃
500
齐纳电流
Zener current
IZ
mA
Ptot /VZ
最大结温
Maximum junction temperature
Tj
℃
175
Tstg
℃
-65 to +175
损耗功率
Power dissipation
存储温度范围
Storage temperature range
■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定）
Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified）
参数名称
Item
符号
Symbol
单位
Unit
条件
Conditions
最大值
Max
典型热阻(1)
Thermal resistance
RθJA
℃/W
结到环境，L=4毫米，TL=常温
junction to ambient air, L=4mm,TL=constant
300
正向电压
Forward voltage
VF
V
IF=200mA
1.1
Document Number 0243
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股份有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com
1N52 SERIES
■电性参数 (TA=25℃ 除非另有规定)
Electrical Characteristics (TA=25℃ unless otherwise noted)
1N5221B...1N5267B
最大动态阻抗
最大动态阻抗
Test current
Maximum dynamic
impedance resistance1)
Maximum dynamic
impedance resistance
at IZT , VZ
IZT
ZZT at IZT
ZZK at IZK=0.25mA
at IZT
IR
VR
V
mA
Ω
Ω
α(%/K)
μA
V
1N5221B
2.4
20
30
1200
- 0.085
100
1
1N5222B
2.5
20
30
1250
- 0.085
100
1
1N5223B
2.7
20
30
1300
- 0.080
75
1
1N5224B
2.8
20
30
1400
- 0.080
75
1
1N5225B
3
20
29
1600
- 0.075
50
1
1N5226B
3.3
20
28
1600
- 0.070
25
1
1N5227B
3.6
20
24
1700
- 0.065
15
1
1N5228B
3.9
20
23
1900
- 0.060
10
1
1N5229B
4.3
20
22
2000
+ 0.055
5
1
1N5230B
4.7
20
19
1900
+ 0.030
5
2
1N5231B
5.1
20
17
1600
+ 0.030
5
2
1N5232B
5.6
20
11
1600
+ 0.038
5
3
1N5233B
6
20
7
1600
+ 0.038
5
3.5
1N5234B
6.2
20
7
1000
+ 0.045
5
4
1N5235B
6.8
20
5
750
+ 0.050
3
5
1N5236B
7.5
20
6
500
+ 0.058
3
6
1N5237B
8.2
20
8
500
+ 0.062
3
6.5
1N5238B
8.7
20
8
600
+ 0.065
3
6.5
1N5239B
9.1
20
10
600
+ 0.068
3
7
1N5240B
10
20
17
600
+ 0.075
3
8
1N5241B
11
20
22
600
+ 0.076
2
8.4
1N5242B
12
20
30
600
+ 0.077
1
9.1
1N5243B
13
9.5
13
600
+ 0.079
0.5
9.9
1N5244B
14
9
15
600
+ 0.082
0.1
10
1N5245B
15
8.5
16
600
+ 0.082
0.1
11
1N5246B
16
7.8
17
600
+ 0.083
0.1
12
1N5247B
17
7.4
19
600
+ 0.084
0.1
13
1N5248B
18
7
21
600
+ 0.085
0.1
14
1N5249B
19
6.6
23
600
+ 0.086
0.1
14
1N5250B
20
6.2
25
600
+ 0.086
0.1
15
1N5251B
22
5.6
29
600
+ 0.087
0.1
17
1N5252B
24
5.2
33
600
+ 0.088
0.1
18
1N5253B
25
5
35
600
+ 0.089
0.1
19
1N5254B
27
4.6
41
600
+ 0.090
0.1
21
1N5255B
28
4.5
44
600
+ 0.091
0.1
21
1N5256B
30
4.2
49
600
+ 0.091
0.1
23
1N5257B
33
3.8
58
700
+ 0.092
0.1
25
1N5258B
36
3.4
70
700
+ 0.093
0.1
27
1N5259B
39
3.2
80
800
+ 0.094
0.1
30
1N5260B
43
3
93
900
+ 0.095
0.1
33
额定齐纳电压
产品型号
Part Number
Nominal Zener
voltage1)
Document Number 0243
Rev. 1.0, 22-Sep-11
测试电流
温度系数
Temperature of
Coefficient
扬州扬杰电子科技股份有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 反向漏电流
Reverse leakage current
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1N52 SERIES
■电性参数 (TA=25℃ 除非另有规定)
Electrical Characteristics (TA=25℃ unless otherwise noted)
1N5221B...1N5267B
最大动态阻抗
最大动态阻抗
Test current
Maximum dynamic
impedance resistance1)
Maximum dynamic
impedance resistance
at IZT , VZ
IZT
ZZT at IZT
ZZK at IZK=0.25mA
at IZT
IR
V
mA
Ω
Ω
α(%/K)
μA
V
1N5261B
47
2.7
105
1000
+0.095
0.1
36
1N5262B
51
2.5
125
1100
+ 0.096
0.1
39
1N5263B
56
2.2
150
1300
+ 0.096
0.1
43
1N5264B
60
2.1
170
1400
+ 0.097
0.1
46
1N5265B
62
2
185
1400
+0.097
0.1
47
1N5266B
68
1.8
230
1600
+ 0.097
0.1
52
1N5267B
75
1.7
270
1700
+ 0.098
0.1
56
额定齐纳电压
产品型号
Part Number
Nominal Zener
voltage1)
测试电流
温度系数
Temperature of
Coefficient
反向漏电流
Reverse leakage current
VR
备注：Notes:
1)
基于直流测试下的热平衡；引线长度=9.5（3/ 8"）；散热器的热阻为 30℃/W
Based on dc-measurement at thermal equilibrium; lead length = 9.5 (3/8 "); thermal resistance of heat sink = 30 ℃/W
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■特性曲线（典型） Characteristics(Typical)
Ptot(mW)
图 1 ：总功率损耗与环境温度关系
FIG1: Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
图 2： 热 阻 与 引 线 长 度 关 系
F IG 2 : T h e rm a l R e s is ta n c e v s . L e a d L e n g th
RthA(K/W)
600
500
500
400
T L = c o n s ta n t
400
300
300
200
200
100
100
0
0
0
40
80
10
5
0
200
160
120
L(m m )
Tamb （℃）
图 3：工作电压在工作条件Tamb=25度下的典型变化
图 4： 工 作 电 压 的 典 型 变 化 与 结 温 的 关 系
FIG4: Typical Ch ang e of W orking Voltage vs.
Junctio n Tem p erature
Vztn
FIG3:Typical Change of Working Voltage under
Operating Conditions at Tamb=25 ℃
1000
Vz(mV)
20
15
Tj=25℃
1.3
V ztn=Vzt/V z(25 ℃ )
1.2
TKvz= 10 ×1 0-4/K
100
-4× 10-4/K
8×10 -4/K
1.1
6×10 -4/K
4 ×10-4/K
2 ×10-4/K
1.0
Iz=5mA
10
0
-4× 10-4/K
-4× 10-4/K
0.9
1
0
5
10
15
20
0.8
25
-60
60
0
120
180
Vz(V)
Tj( ℃ )
图 6： 正 向 电 流 与 正 向 电 压 的 关 系
F IG 6: F orw ard C urrent vs. F orw ard V oltage
IF(mA)
TKvz(10-4/K)
图 5： 温 度 系 数 与 齐 纳 电 压 的 关 系
F IG 5 : T e m perature C o efficien t of V z vs. Z -volta ge
15
240
100
10
10
T j=25 ℃
1.0
5
0.1
0
0.01
-5
0
10
20
30
40
50
V z(V )
Document Number 0243
Rev. 1.0, 22-Sep-11
0.001
0
0.2
0.4
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Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. 0.6
0.8
1.0
V F (V )
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■特性曲线（典型） Characteristics(Typical)
图8：齐纳电流与齐纳电压的关系
FIG8: Z-Current vs. Z-Voltage
Iz(mA)
Iz(mA)
图 7 ：齐纳电流与齐纳电压的关系
FIG7: Z-Current vs. Z-Voltage
100
50
40
80
Ptot=500mW
Tamb=25℃
Ptot=500mW
Tamb=25 ℃
60
30
40
20
20
10
0
4
0
8
12
16
20
0
15
20
25
Vz(V)
30
35
Vz(V)
Rz(Ω)
图 9：不同齐纳阻抗与齐纳电压的关系
FIG9:Differential Z-Resistance vs. Z-Voltage
1000
Iz=1mA
100
5mA
10mA
10
Tj=25℃
1
0
5
10
15
20
25
Vz(V)
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