1N5391 ... 1N5399 1N5391 ... 1N5399 Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2009-04-16 Nominal current Nennstrom 6.3±0.1 Type 62.5±0.5 Ø 3±0.05 Ø 0.8±0.05 Dimensions - Maße [mm] 1.5 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse DO-15 DO-204AC Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1N5391 50 100 1N5392 100 200 1N5393 200 300 1N5394 300 400 1N5395 400 500 1N5396 500 600 1N5397 600 800 1N5398 800 1000 1N5399 1000 1200 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C TA = 100°C IFAV 1.5 A 1) 0.9 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 50/55 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 12.5 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 )Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N5391 ... 1N5399 Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1.5 A VF < 1.3 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IR IR < 10 µA < 50 µA RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft 2 120 10 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10 -1 20 IF IFAV 50a-(2a-1.3v) 10 -2 0 0 TA 100 50 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 102 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG