FE3A ... FE3G FE3A ... FE3G Superfast Switching Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2010-03-30 Nominal current Nennstrom 7.5±0.1 Type 62.5 ±0.5 Ø 4.5+0.1 -0.3 3A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...400 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ DO-201 Weight approx. Gewicht ca. 1g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Ø 1.2±0.05 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF at/bei IF = 3 A FE3A 50 50 < 0.95 FE3B 100 100 < 0.95 FE3D 200 200 < 0.95 FE3F 300 300 < 0.95 FE3G 400 400 < 1.25 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 3A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 30 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 125/135 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 78 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 FE3A ... FE3G Characteristics Kennwerte Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C IR < 5 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 50 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 25 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthT < 8 K/W 120 VR = VRRM 102 [%] FE3G FE3A...F [A] 100 10 80 Tj = 125°C 1 60 40 Tj = 25°C 10 -1 20 IF IFAV 0 10 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 1 2 125a-(3a-0.95/1.25v) -2 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG