B40S ... B500S B40S ... B500S “Slim” Profile Surface Mount Si-Bridge-Rectifiers Si-Brückengleichrichter für die Oberflächenmontage mit „schlanker“ Bauhöhe Version 2010-10-18 -0.1 2.7 ±0.4 7.9 5.1 10.2 -0.1 8.3 ~ 1A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 0.25 2.5±0.1 Nominal current Nennstrom 40...500 V Plastic case SO-DIL “SLIM” Kunststoffgehäuse SO-DIL „SLIM“ ±0.4 8.3 x 6.4 x 2.5 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. ~ 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Type Typ + Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 1.3 Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) B40S 40 80 B80S 80 160 B125S 125 250 B250S 250 600 B380S 380 800 B500S 500 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 9A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 45/50 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj TS 10.1 A2s -50...+150°C -50...+150°C Per Diode – Pro Diode Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 B40S ... B500S Characteristics Kennwerte 1.0 A 1) 0.8 A 1) Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Rt Type Typ 3) ~ _ ~ + CL 4) < 40 K/W 1) RthA Recomm. protective resistance Admiss. load capacitor at Rt Empf. Schutzwiderstand Zul. Ladekondensator mit Rt Rt [Ω] 3) CL [µF] 4) B40S 1.7 2900 0.005 B80S 3.5 1400 0.005 B125S 5.5 900 0.005 B250S 13.3 350 0.005 B380S 17.7 280 0.005 B500S 22.2 220 0.005 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-2 0.4 Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. 1 2 3 4 2 40a-(1a-1.1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. Board with 13 x 13 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 13 x 13 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Per Diode – Pro Diode Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only! Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf! http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG