SM5400 ... SM5408 SM5400 ... SM5408 Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2015-01-23 Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 0.5 _ 0.4 Type Typ 0.5 _ 0.4 0.1 2.5 +_ 0.2 5.0±0.3 3A Dimensions - Maße [mm] 50...1000 V Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF DO-213AB Weight approx. – Gewicht ca. 0.12 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SM5400 50 50 SM5401 100 100 SM5402 200 200 SM5404 400 400 SM5406 600 600 SM5407 800 800 SM5408 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 3A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 30 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 100/110 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 50 A2s Tj -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 TS Mounted on P.C. board with 60 mm2 copper pads at each terminals Montage auf Leiterplatte mit 60 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SM5400 ... SM5408 Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 3 A VF < 1.2 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 33 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 8 K/W 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 10-2 0 0 TA 100 50 150 [°C] 100a-(3a-1.2v) 0.4 Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 2 10 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 2 Mounted on P.C. board with 60 mm2 copper pads at each terminals Montage auf Leiterplatte mit 60 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG