JSMC 3DD5044

R
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5044 FOR LOW FREQUENCY
3DD5044
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
TO-3P(LH)
BVCBO
IC
VCE(sat)
tf
1700
V
22
A
3
V(max)
0.3
μs(max)
用途
APPLICATIONS
z 数字、高清彩色电视机
行输出电路
z Horizontal deflection
产品特性
FEATURES
output for HDTV
1
2 3
z 3DD5044 是 NPN 双极型 z 3DD5044 is high breakdown
等效电路 EQUIVALENT CIRCUIT
voltage of NPN bipolar transistor.
高反压大功率晶体管,制
造中采用的主要工艺技 The main process of manufacture:
术有:高压台面工艺技 high voltage mesa type process,
术、三重扩散技术等,采 triple diffused process etc.,
adoption of half plastic packge.
用塑料半包封结构。环保
RoHS product.
(RoHS)产品。
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
印
Order codes
Marking
Halogen Free
3DD5044-O-AL-N-D
D5044
否
印记说明
记
无卤素
NO
封
装
包
装
器件重量
Package
Packaging
Device
Weight
TO-3P(LH)
泡沫 Foam
9.50 g(typ)
MARKING
商标 Trademark
型号 Part No.
年月 Year month
举例 For example
“8”-2008,“10”10 月 october
版本:200911E
1/6
3DD5044
R
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
符 号
Symbol
数 值
Value
单 位
Unit
集电极—基极直流电压
Collector−Base Voltage
BVCBO
1700
V
集电极—发射极直流电压
Collector−Emitter Voltage
BVCEO
750
V
发射极—基极直流电压
Emitter−Base Voltage
BVEBO
6
V
IC
ICP
22
44
最大基极直流电流
Base Current
IB
11
A
最大集电极耗散功率
Collector Power Dissipation
PC
200
W
最高结温
Max. Junction Temperature
Tj
150
储存温度
Storage Temperature Range
TSTG
项
目
Parameter
最大集电极电流
Collector Current
直流 DC
脉冲 Pulse
-55~+150
A
℃
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃)
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
最大值
Min
Max
单位
Unit
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
750
V
V(BR)CBO
IC=1mA,IE=0
1700
V
V(BR)EBO
IE=1mA,IC=0
6
V
ICBO
VCB=1500V, IE=0
1
mA
IEBO
VEB=6V, IC=0
10
µA
HFE
VCE = 5 V, IC = 2 A
20
VCE = 5 V, IC = 11 A
5
60
VCE(sat)
IC=11A, IB=2.75A
3
V
VBE(sat)
IC=11A, IB=2.75A
1.3
V
0.3
µs
ts
IC=10A,2IB1=-IB2=5A
fH=15.75kHz
3.5
µs
ft
VCE=10V, IC=0.1A
tf
版本:200911E
2
MHz
2/6
3DD5044
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVES
HFE – IC
HFE
IC(A)
IC – VCE
COMMON EMITTER
VCE=5V
IC(A)
VCE(V)
COMMON EMITTER VCE=5V
VCE(sat)- IC
VCE - IB
COMMON
EMITTER
TC=25℃
IB(A)
版本:200911E
VCE(sat)(V)
VCE(V)
COMMON
EMITTER
TC=25℃
IC(A)
3/6
3DD5044
R
SOA
COMMON
TC=25℃
IC(A)
IC(A)
IC - VBE
EMITTER
VCE=5V
DC
CURVES
DERATED
WITH
MUST
BE
LINEARLY
INCREASE
IN
TEMPERATURE
VBE(V)
VCE(V)
PC(W)
PC-TC
INFINITE HEAT SINK
Tc(℃)
版本:200911E
4/6
R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-3P(LH)
版本:200911E
3DD5044
单位 Unit :mm
5/6
3DD5044
R
注意事项
NOTE
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理,无论哪种方式,订货
时请与公司核实。
2.购买时请认清公司商标,如有疑问请与公
司本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
额定值,否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
1.
Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
specification sheet and is subject to
change without prior notice.
联系方式
CONTACT
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JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
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网址:www.hwdz.com.cn
市场营销部
地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
邮编:132013
电话: 86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
传真: 86-432-64671533
MARKET DEPARTMENT
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
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86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
Fax: 86-432-64671533
附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期 Date
旧版本 Last Rev.
新版本 New Rev.
修订内容 Description of Changes
2009-10-10
901C
910D
增加订货信息,印记说明等
Add order message,marking,etc.
2009-11-3
910D
911E
修改电话号码
版本:200911E
6/6