R 低频放大管壳额定的双极型晶体管 CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5032 FOR LOW FREQUENCY 3DD5032 主要参数 封装 Package MAIN CHARACTERISTICS TO-3P(H)IS BVCBO Ic Vce(sat) tf 1500 V 8 A 3 V(max) 1 μs(max) 用途 APPLICATIONS z 彩色电视机行输出电路 z Horizontal deflection output for color TV. B C E FEATURES 产品特性 z 3DD5032 是 NPN 双极型 z 3DD5032 is high breakdown 等效电路 EQUIVALENT CIRCUIT 高反压大功率晶体管，制 voltage of NPN bipolar transistor. 造中采用的主要工艺技 The main process of manufacture: 术有：高压台面工艺技 high voltage mesa type process, 术、三重扩散技术等,采 triple diffused process etc, adoption of fully plastic packge. 用塑料全包封结构。 RBE=50Ω(Typ.) 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 印 Order codes Marking Halogen Free 3DD5032-O-A-N-D D5032 否 3DD5032-Y-O-A-B-D D5032 否 印记说明 记 无卤素 封 装 包 装 器件重量 Package Packaging Device Weight NO TO-3P(H)IS 泡沫 Foam 5.50 g(typ) NO TO-3P(H)IS-Y 泡沫 Foam 5.50 g(typ) MARKING 商标 Trademark 型号 Part No. 年月 Year month 举例 For example “8”－2008，“10”10 月 october 版本：200911G 1/7 3DD5032 R 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 符 号 Symbol 数 值 Value 单 位 Unit 集电极—基极直流电压 Collector−Base Voltage BVCBO 1500 V 集电极—发射极直流电压 Collector−Emitter Voltage BVCEO 600 V 发射极—基极直流电压 Emitter−Base Voltage BVEBO 6 V IC ICP 8 16 最大基极直流电流 Base Current IB 4 A 最大集电极耗散功率 Collector Power Dissipation PC 50 W 最高结温 Max. Junction Temperature Tj 150 储存温度 Storage temperature range TSTG 项 目 Parameter 最大集电极电流 Collector Current 直流 DC 脉冲 Pulse -55~+150 A ℃ ℃ 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃) 项 目 测试条件 Tests conditions Parameter V(BR)CBO IC=1mA,IE=0 V(BR)EBO IE=400mA,IC=0 ICBO VCB=1500V, IE=0 IEBO VEB=4V, IC=0 HFE 最小值 最大值 Min Max 单位 Unit 1500 V 6 V 1 mA 40 150 mA VCE = 5 V, IC = 1 A 10 30 VCE = 5 V, IC = 5 A 5 VCE(sat) IC=4.5A, IB=0.9A 3 V VBE(sat) IC=4.5A, IB=0.9A 1.5 V IF=5A 2 V 1 µs ts IC=4.5A,2IB1=-IB2=1.8A fH=15.75kHz 9 µs ft VCE=10V, IC=0.1A -VF tf 版本：200911G 1.7 MHz 2/7 3DD5032 R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVES IC – VCE HFE – IC TC=100℃ COMMON EMITTERTC=25℃ HFE IC（A） TC=25℃ IC（A） VCE（V） VCE（sat）- IC VCE - IB VCE（V） EMITTER TC=25℃ VCE(sat)（V） COMMON COMMON EMITTERTC=25℃ IB（A） 版本：200911G IC（A） 3/7 3DD5032 R SOA IC（A） IC（A） IC - VBE COMMON EMITTERTC=25℃ VCE（V） VBE（V） PC-TC PC(W) INFINITE HEAT SINK Tc(℃) 开关时间测试电路 SWITCHING TIME TEST CIRCUIT PRE OUTPUT COMPARE INTEGRAL DISPLAY BOARD A POWER PULSE RB1 RB2 -VB POWER MEMORY CIRCUIT K RL VC POWER A：INPUT 版本：200911G 4/7 R 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-3P(H)IS 版本：200911G 3DD5032 单位 Unit ：mm 5/7 R 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-3P(H)IS-Y 版本：200911G 3DD5032 单位 Unit ：mm 6/7 3DD5032 R 注意事项 NOTE 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货 时请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公 司本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 联系方式 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. CONTACT JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 吉林华微电子股份有限公司 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话： 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 传真: 86-432-64671533 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel：86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 Fax: 86-432-64671533 附录（Appendix）：修订记录（Revision History） 日期 Date 旧版本 Last Rev. 新版本 New Rev. 修订内容 Description of Changes 2009-5-12 2009-11-3 904E 905F 905F 911G 中英文合并，订货信息，印记说明等 修改电话号码 版本：200911G 7/7