BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 一、概述 BL75R02 是一款远距离读写的射频识别芯片，可制作成电子标签或非接触卡，主要适 用于大中型物流、商品防盗防伪、工业控制、门禁系统、军事跟踪、路桥收费、畜牧养殖、 图书文档管理、特种设备和金融票据等领域。该芯片支持 ISO15693 射频接口，配合适当的 天线其有效作用距离可达 1.5m（门柱型线圈），具备防冲突功能，读写器能同时快速处理多 个芯片，支持 PHILIPS 公司、TI 公司 ISO15693 标准读卡机芯片。 片内 512 位 E2PROM，共分为 16 页（block） ，每页 4 字节 32 位.。其中 64 位为唯一序 列号，48 位用作特殊功能位（电子商品防盗功能 EAS、休眠功能 QUIET、应用类型识别 AFI 等），32 位用于页锁定，其余为用户使用区。 二、产品特点 1 射频接口 (支持 ISO15693 射频接口) • • • • • • • • • • • 2 能量和数据以无线方式传输 工作频率： 13.56MHz 读写距离： 1.5m（门柱型线圈） 读卡机到芯片的数据传输率：26.5Kbit/s（快速模式）或 1.66 Kbit/s（标准模式） 芯片到读卡机的数据传输率：26.5Kbit/s 帧校验方式： 16 位 CRC 校验 具备防冲突功能 电子商品防盗功能（EAS） 支持应用类型识别（AFI） 特有快速读写模式 写距离等于读距离 EEPROM • 512 位，共分 16 块，每块 4 字节即 32 位 • 数据保持时间大于 10 年 • 读写次数达大于 10 万次 3 安全性 • 每个芯片具有不可改写的唯一序列号（UID）供识别和加密 • 各数据块可单独锁定，数据一旦被锁定无法再被修改 • 芯片可通过自杀指令自行毁灭（根据客户要求） http://www.belling.com.cn -1Total 5 Pages 8/16/2006 BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 三、功能描述 BL75R02 原理图 1 2 存储器结构 BL75R02 的存储器结构如下表所示。512 位 EEPROM 共分为 16 块，每块 4 字节 32 位。 块是最小的读写单位。每个字节的第 0 位和第 7 位分别为 LSB 和 MSB。 Byte0 Byte1 Byte2 Byte3 Block 0 UID 0 UID 1 UID 2 UID 3 Block 1 UID 4 UID 5 UID 6 UID 7 芯片唯一序 列号 Block 2 F0 FF FF FF 写保护 Block 3 X X X X Block 4 Family code Application ID X X 特殊功能位 用户数据 …… Block15 X X X X 表中列出了出厂时芯片的 EEPROM 中所存储的数据。其中，X 表示数据待定。 2.1 芯片唯一序列号（UID） ） 芯片唯一序列号（ 芯片唯一序列号在芯片制造过程中写入，并永不能被改写。UID 的计数方式为从 LSB1 到 MSB64，与字节中的位计数方式相反。UID 的格式如下表所示。 MSB 64 LSB 57 56 49 “E0” UID 7 48 41 40 1 注册号 UID 6 http://www.belling.com.cn UID 5 “01” UID 4 UID 3 -2Total 5 Pages UID 2 芯片制造商序列号 UID 1 UID 0 8/16/2006 BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 2.2 EAS 功能 EEPROM Block 3 的 Byte 0 的 bit0 和 bit1 用于 EAS 功能的设置，其格式如下表所示。 Block -3，Byte 0 MSB X LSB X X X X X X X QUIET EAS 当 bit1,0=1|1 时，EAS 功能被激活，标签（指利用该芯片制作的标签或非接触卡，下同） 在此状态下，对读写器的 EAS 指令作出响应，否则标签不会对读写器的 EAS 指令作出响应。 2.3 QUIET 功能 EEPROM Block 3 的 Byte 0 的 bit3 和 bit2 用于 QUIET 功能的设置，其格式如上表。 当 bit3,2=1|1 时，Quiet 功能被激活，标签在此状态下，不响应除 Reset Quiet Bit 和 EAS 以外的任何命令。 2.4 应用类型识别（AFI） ） 应用类型识别（ EEPROM Block 4 的 Byte 0（Family Code）和 Byte 1(Application ID)分别用作分类和 应用类型识别。当读写器发送的指令中包含 AFI 信息且不为全零时，标签会分别核对自己 的 Family Code 和 Application ID 是否和命令指定的 AFI 相同，如果相同则执行，否则不进 行任何操作。 2.5 写保护设置 EEPROM 的 Block 2 用作各 block 的写保护，该块中的 32 位数据分别对应 16 个 block （每个 block 用两位写保护位） ，映射关系如下表所示。 Block -2 Byte 0 Byte 1 MSB 对应数据 块号 3 LSB 2 1 0 MSB 7 Byte 2 11 LSB 10 6 5 4 Byte 3 MSB 对应数据 块号 LSB 9 8 MSB 15 LSB 14 13 12 写保护位被置为 0|0 后，将无法再置为 1|1，即数据 block 一旦被设置为只读，将永久性 被写禁止，写保护位不允许被置为 1|0 或 0|1。 3 指令概述 3.1 防冲突/选择（ ） 防冲突 选择（Anti-collision/Select） 选择（ 射频作用区域内所有 unselected 的标签根据指令参数分应用类别在各自的 timeslot 中返 回它的 64 位序列号，未发生冲突的标签可由本 timeslot 的 quit 命令 selected，并且 timeslot 被固定。 http://www.belling.com.cn -38/16/2006 Total 5 Pages BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 这里 selected 表示一种状态，芯片在收到 Anti-collision/Select 以及其后的 quit 命令后进 入 selected 状态。命令结束后的响应过程被划分为若干个时间段，规定标签只能在其中一个 时间段内响应命令，这个时间段称为该标签的 timeslot。标签具体在哪个时间段内响应由相 关命令参数以及 UID 决定。 3.2 选择读（Selected Read） ） 选择读（ 指定所有 selected 的标签在它们各自的 timeslot 中返回指定 block（一个或多个）的数据。 3.3 非选择读（Unselected Read） ） 非选择读（ 所有 unselected 的标签将重新生成自己的 timeslot，根据指令参数分应用类别返回指定 block（一个或多个）中的数据。 3.4 页写（Write） ） 页写（ selected 的标签在各自的 timeslot 返回 64 位序列号，并由该 timeslot 的 quit 指令确认后 执行写操作，将缓冲区的数据写入指定 block。 3.5 终止（Halt） ） 终止（ selected 的标签在自己的 timeslot 返回 64 位序列号，并由该 timeslot 的 quit 指令确认后 进入 Halt 模式，不再响应任何指令直到下次上电复位。 3.6 唤醒（Reset 唤醒（ QUIET bit） ） 在对应的 QUIET 特殊功能位被置位的情况下，标签不响应除 EAS 和 Reset Quiet bit 外 的任何命令，处于休眠状态，直到特殊功能位被重新复位。quiet 特殊功能位只能由本命令 复位。 3.7 电子商品防盗（EAS） ） 电子商品防盗（ 在对应的 EAS 特殊功能位被置位的情况下，标签根据指令参数分应用类别返回 256 位特征 数据。 四、电参数 4.1 极限参数： 符号 Tstg Tj VESD ImaxLA-LB 参数 范围 单位 存储温度范围 -55--- +140 °C 结温 -55 ----+140 °C ±2 kVpeak ±80 mApeak ESD 电压 测试条件 -STD-883D 最大输入峰值电流 http://www.belling.com.cn -4Total 5 Pages 8/16/2006 BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 4.2 工作参数： 符号 最大值 单位 Tamb 工作环境温度 参数 测试条件 最小值 -25 典型值 +70 °C Tjop 工作结温 -25 +85 °C ILA-LB 输入电流 40 mArms VLA-LBrd READ/EAS 的最小输入电压 标准模式 ±2.4 ±2.7 Vpeak VLA-LBwr WRITE 的最小输入电压 标准模式 ±2.6 ±2.9 Vpeak 快速模式 ±2.9 ±3.2 Vpeak 13.560 13.567 MHZ VLA-LBfm fop READ/EAS/WRITE 的 最 小 输入电压 工作频率 13.553 4.3 电参数： 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 30.4 32 33.6 pF Cres 输入电容 VLA-LB=2Vrms Pmin 最小输入功率 VLA-LB=2Vrms m 输入信号的调制深度 m=(Vmax-Vmin)/ (Vmax+Vmin) µW 160 9 10 30 % tpsm 调制脉冲宽度 标准模式 m ≥ 10% 3.50 5.00 9.44 µS tpfm 调制脉冲宽度 快速模式 m ≥ 10% 15.00 17.00 18.88 µS Tamb≤ 55 °C 10 Years 100 000 Cycles tret nwrite EEPROM 数据保持时 间 EEPROM 擦写次数 http://www.belling.com.cn -5Total 5 Pages 8/16/2006