BL75R12 512 位EEPROM 非接触存储卡

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BL75R12 产品技术规范
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BL75R12
512 位 EEPROM 非接触存储卡
一、 概述
BL75R12 非接触存储卡芯片由射频通讯接口、安全控制单元和 512 位 EEPROM
组成,读写距离 10cm。主要适用于各种单程票和公共交通售检票系统等领域。
该芯片支持 ISO/IEC 14443 Type A 射频接口,支持 PHILIPS 标准读卡机芯片。
二、 产品特点
1、
、RF 接口(ISO/IEC
14443 Type A)
)
接口(
芯片无需电池,数据和电源能量的提供通过无线传输。
操作距离:最大达到 10 厘米(取决于天线)。
操作频率:13.56MHz。
数据传输速率:106kbit/s。
高数据完整性:16 位 CRC 校验,奇偶校验,位编码,位计数。
典型交易时间:小于 35ms 。
2、
、EEPROM
EEPROM 存储容量为 512 位,分成 16 个扇区,每个扇区分 32 位。
每个存储块的访问条件可由用户自己定义。
数据保持时间:最少 10 年。
擦写次数:最少 10 万个周期。
可每页 OTP 锁定。
三、 芯片封装
根据客户需要可提供芯片模块或卡封装模式。
四、 功能描述
1、
、BL75R12 原理图
BL75R12 芯片是非接触式 IC 卡芯片,芯片由射频通讯接口、数字逻辑控制模块(包括
安全控制单元)
、和 512 位的 EEPROM 存储器组成。能量和数据通过与 BL75R12 芯片直接连
接的线圈组成的天线来传输,不需要任何外接部件。其原理如图 1。
1
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整流
数字部分
稳压
要求应答
调制/解调器
控制和算
术单元
防冲突
上电复位
应用选择
时钟
图1
BL75R12 芯片的模块图
2、交易流程图
、交易流程图
2
EEPROM接口
射频接口
EEPROM
存储器
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3、通讯原理
、通讯原理
BL75R12 芯片通过天线和 RWD(读写设备)
进行交互,由 RWD 发送命令,通过 BL75R12
内部的数字逻辑控制模块,根据要访问相应扇区的访问控制条件来决定命令的可操作性,并
发送相应的信息或数据。
3.
.1
IDLE 命令
智能卡在上电后,直接进入 IDLE 状态,只有从读卡机收到 REQA 或 WUPA 命令后智
能卡才会离开 IDLE 状态。收到其它命令智能卡一直保持 IDLE 状态,
3.
.2 READY1
在 READY1 状态中,读出卡的序列号的第一部分(3 bytes)。如果在读卡设备的操作范
围内由几张卡,可以通过防冲突和选择命令来区别,并选中一张卡做为下一步操作的对象。
被选中的卡进入 READY2 状态,读出剩余的 UID 的第二部分(4bytes)完成整个防冲突过
程,然后智能卡进入交易状态。
3.
.3 READY2
读卡机读出剩余的 UID 的第二部分(4bytes),然后通过一个 SELECT 命令进入交易准
备状态。另一个可供选择的方式是在 READY2 状态下用一个 READ 命令进入交易准备状态。
3.
.4 HALT
交易状态下,一个 HALT 命令可以打断交易过程让智能卡回到中断状态,HALT 状态只
有在智能卡收到 WUPA 命令时才会响应回到 READY1 状态。其他命令时,智能卡没有任何
响应。
4、数据完整性
、数据完整性
在读卡设备和智能卡的无线通讯中,采用了如下的机制来保证数据传输的可靠性:
信息块的 16 位 CRC
每个字节带一个奇偶校验位
位计数检查
位编码,分辨“1”,“0”和空
信道监测
5、
、 存储器结构
64*8 bit 的 EEPROM 存储器由 16 个数据页组成,每个数据页包含 4 Bytes。
在擦状态,EEPROM 单元读出逻辑“0”;在写状态,读出逻辑“1”。
3
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5.
.1 制造商块
7 byte 的 UID 串行数据和 2 byte 的校验字节占据了 memory 的前 9 个 bytes。由于安全
和系统需要,当 IC 制造商在生产过程中编程以后,这个块是写保护的。
UID 的格式如下表所示。
5.
.2 LOCK 字节
在 page2 的 2byte 和 3byte 是只读现场可编程锁存位,
在每一个 page 中的 3byte 到 15byte
都可以被分别锁存,锁存以后就成为只读字节。
4
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5.
.3 OTP 字节
第 3 页是 OTP 字节。同 LOCK BIT 一样,它的内容也可改写,但只能从 0 改写为 1,
不能从 1 改写为 0。
6 性能参数
6.
.1 极限参数
SYMBOL
Tstg
Tj
ImaxLA-LB
PARAMETER
TEST CONDITIONS
RATING
UNIT
Storage Temperature Range
-55 to +140
°C
Junction Temperature
-55 to +140
°C
±30
Maximum Input peak Current
5
mApeak
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6.
.2 工作参数
SYMBOL
PARAMETER
MIN
Tamb
Operating Ambient Temperature
Tjop
Operating Junction Temperature
ILA-LB
Input Current
VLA-LBrd
VLA-LBwr
fop
TYP
MAX
UNIT
-25
+70
°C
-25
+85
°C
15
mArms
±7
±7
Vpeak
±7
±7
Vpeak
13.560
13.567
MHZ
Minimum Supply Voltage for
READ
Minimum Supply Voltage for
WRITE
Operating Frequency
13.553
6-3 电性能参数
SYMBOL
Cres
Pmin
TEST
PARAMETER
CONDITIONS
Input Capacitance between
LA-LB
Minimum Operating
Supply
Power
VLA-LB=2Vrms
MIN
TYP
MAX
UNIT
16.1
17
17.9
pF
VLA-LB=2Vrms
µW
200
Modulator ON Retention
ILA-LB=10mA
50
tret
EEPROM Data Retention
Tamb≤ 55 °C
10
Years
nwrite
EEPROM Write Endurance
100 000
Cycles
6
115
250
Ω
Rmod