DIOTEC KBPC2500I_07

KBPC2500I ... KBPC2510I
KBPC2500I ... KBPC2510I
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2006-08-11
7.3
±0.2
28.6
~
+
Type
Ø 5.2
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
35...700 V
28.6 x 28.6 x 7.3 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
=
2.0
±0.5
17
5
25 A
Plastic case – Plastikgehäuse
~
=
5
Nominal current
Nennstrom
5
Ø 1.2
Dimensions - Maße [mm]
17 g
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
KBPC2500I
35
50
KBPC2501I
70
100
KBPC2502I
140
200
KBPC2504I
280
400
KBPC2506I
420
600
KBPC2508I
560
800
KBPC2510I
700
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
60 A 2)
Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
270 A
Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
300 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tj
TS
375 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
Valid per diode – Gültig pro Diode
Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
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Characteristics
Kennwerte
Max. current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm²
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 12.5 A
VF
< 1.2 V 2)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 25 µA
1
25 A
20 A
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
VISO
> 2500 V
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
< 2.0 K/W
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
10-32 UNF
M5
120
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
102
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
0
10-2
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
270a-(12a-1.2v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
2
Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
Valid per diode – Gültig pro Diode
2
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© Diotec Semiconductor AG