KBPC3500I ... KBPC3510I KBPC3500I ... KBPC3510I Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2006-08-11 7.3 ±0.2 28.6 ~ + Type Ø 5.2 ~ = 5 5 2.0 ±0.5 17 = 5 Ø 1.2 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 35 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 35...700 V Plastik case – Plastikgehäuse 28.6 x 28.6 x 7.3 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 17 g Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) KBPC3500I 35 50 KBPC3501I 70 100 KBPC3502I 140 200 KBPC3504I 280 400 KBPC3506I 420 600 KBPC3508I 560 800 KBPC3510I 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 2) Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 375 A Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 400 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj TS 660 A2s -50...+150°C -50...+150°C Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 KBPC3500I ... KBPC3510I Characteristics Kennwerte Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 17.5 A VF < 1.1 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 25 µA 1 35 A 28 A Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 1.5 K/W Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 120 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm 3 10 [%] [A] 100 2 10 80 Tj = 125°C Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 375a-(17.5a-1.1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird Valid per diode – Gültig pro Diode 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG