SD103A ... SD103C SD103A ... SD103C Si-Schottky-Barrier Diodes Si-Schottky-Barrier Dioden Version 2005-06-21 Nominal current Nennstrom 3.9 62.5 Ø 1.9 0.2 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 20...40 V Glass case Glasgehäuse DO-35 (SOD-27) Weight approx. Gewicht ca. 0.13 g Equivalent SMD-version Äquvalente SMD-Ausführung Ø 0.52 LL103C...LL103A Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings (TA =25°C) Type Typ Grenzwerte (TA =25°C) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] IF = 20 mA IF = 200 mA SD103C 20 < 0.37 < 0.6 SD103B 30 < 0.37 < 0.6 SD103A 40 < 0.37 < 0.6 Power dissipation Verlustleistung TA = 25°C Ptot 400 mW1) Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle IFSM 15 A Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+125°C -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 SD103A ... SD103C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Leakage current Sperrstrom SD103C SD103B SD103A Max. junction capacitance Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time Sperrverzug VR = 10 V VR = 20 V VR = 30 V IF = 200 mA through/über IR = 200 mA to IR = 20 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft IR < 5 µA Ctot typ. 50 pF trr typ. 10 ns RthA < 250 K/W 1) 10 120 [%] [A] 100 1 80 60 -1 10 40 -2 10 20 IF IFAV 0 10-3 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 2 Tj = 25°C 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG