ETC UG42W6414GSG

UG42W641(4)6GSG
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16M Bytes (2M x 64 bits)
EDO MODE
DRAM MODULE
EDO Mode Unbuffered SODIMM
based on 8 pcs 1M x 16 DRAM with LVTTL, 1K & 4K Refresh
GENERAL DESCRIPTION
PIN ASSIGNMENT (Front View)
144-Pin SODIMM
FEATURES
Single 3.3V ± 10% power supply
Hyper Page Mode (EDO) operation
10\10/12\8 Addressing (Row\Column)
1024/4096 refresh cycles every 16/64 ms
CAS-before-RAS Refresh capability
LVTTL compatible inputs and output
Serial PD with EEPROM
PCB:Height (1,050mil),double sided component
PIN
SYMBOL
PIN
SYMBOL
PIN
1
VSS
2
VSS
73
3
DQ0
4
DQ32
5
DQ1
6
DQ33
77
NC
78
NC
7
DQ2
8
DQ34
79
NC
80
NC
9
DQ3
10
DQ35
81
VCC
82
VCC
11
VCC
12
VCC
83
DQ16
84
DQ48
13
DQ4
14
DQ36
85
DQ17
86
DQ49
15
DQ5
16
DQ37
87
DQ18
88
DQ50
17
DQ6
18
DQ38
89
DQ19
90
DQ51
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
19
DQ7
20
DQ39
91
VSS
92
VSS
21
VSS
22
VSS
93
DQ20
94
DQ52
•
•
•
•
•
23
/CAS0
24
/CAS4
95
DQ21
96
DQ53
25
/CAS1
26
/CAS5
97
DQ22
98
DQ54
27
VCC
28
VCC
99
DQ23
100
DQ55
29
A0
VCC
U
N
IG
EN
•
•
•
•
•
•
•
•
Pr
el
im
in
ar
y
The UG42W641(4)6GSG is a 2Mbits x 64 EDO
DRAM module. The UG42W641(4)6GSG is assembled
using 8 pcs of 1M x 16 1K/4K refresh DRAMs mounted
on 144 pin unbuffered printed circuit board.
-0.5 to + 4.6V
0 to + 70°C
-55°C to + 125°C
50mA
8W
PART IDENTIFICATION
PART NO.
REF. CYCLE
UG42W6416GSG
UG42W6446GSG
1K
4K
PLATING
Gold
Gold
REVISION HISTORY
Jun 18 , 2002
Rev - A
Product brief released.
/OE
PIN
SYMBOL
74
C
O
N
FI
D
EN
TI
AL
Voltage Relative to GND
Operating Temperature
Storage Temperature
Short circuit Output Current
Power Dissipation
SYMBOL
75
VSS
76
NC
VSS
30
A3
101
VCC
102
31
A1
32
A4
103
A6
104
A7
33
A2
34
A5
105
A8
106
NC
35
VSS
36
VSS
107
VSS
108
VSS
37
DQ8
38
DQ40
109
A9
110
NC/A12
39
DQ9
40
DQ41
111
A10
112
A11
41
DQ10
42
DQ42
113
VCC
114
VCC
43
DQ11
44
DQ43
115
/CAS2
116
/CAS6
45
VCC
46
VCC
117
/CAS3
118
/CAS7
47
DQ12
48
DQ44
119
VSS
120
VSS
49
DQ13
50
DQ45
121
DQ24
122
DQ56
51
DQ14
52
DQ46
123
DQ25
124
DQ57
53
DQ15
54
DQ47
125
DQ26
126
DQ58
55
VSS
56
VSS
127
DQ27
128
DQ59
57
NC
58
NC
129
VCC
130
VCC
59
NC
60
NC
131
DQ28
132
DQ60
DQ61
61
NC
62
NC
133
DQ29
134
63
VCC
64
VCC
135
DQ30
136
DQ62
65
NC
66
NC
137
DQ31
138
DQ63
67
/WE
68
NC
139
VSS
140
VSS
69
/RAS0
70
NC
141
SDA
142
SCL
71
/RAS1
72
NC
143
VCC
144
VCC
NOTE: Pin symbols in parentheses are not used on these modules but may be
used for other modules in this product family. They are for reference only.
Re-Tek- 325
[email protected]
http://www.unigen.com,
1
45388 Warm Springs Blvd. Fremont, CA. 94539
TEL: (510) 668-2088
FAX: (510)661-2788
Customer Comment Line: 1-800-826-0808
UG42W641(4)6GSG
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Functional Block Diagram
RAS0
RAS1
WE
OE
*A0-A11(A9)
DQ0~15
DQ32~47
LCAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UCAS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
UCAS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16~31
CAS2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U5
U1
UCAS
CAS3
CAS5
UCAS
A0
A1
A2
SDA
Vss
VCC
LCAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UCAS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
U3
UCAS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
SCL
DQ48~63
LCAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
LCAS
Serial PD
U6
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
CAS6
Vss
2.66
U7
UCAS
CAS7
2-R 0.078 Min
2.50
0.24
0.790
0.16 ± 0.039
To all DRAMs
*A10 & A11 are used for 4K ref. only.
U
N
IG
EN
Physical Dimension
LCAS
0.150 Max
0.157 Min
UCAS
U2
Pr
el
im
in
ar
y
CAS1
CAS4
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
C
O
N
FI
D
EN
TI
AL
U4
U0
LCAS
LCAS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
0.125 Min
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
1.05
LCAS
CAS0
0.04 ± 0.0039
0.13
0.91
2-f 0.07
1.29
0.18
Z
Y
0.16 ± 0.0039
(4.00 ± 0.10)
0.15
0.10 Min
0.083
0.10
0.024 ± 0.001
0.01 Max
0.06 ± 0.0039
0.03 TYP
Detail Z
Detail Y
Tolerances : ± 0.005 unless otherwise specified
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2
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