面実装デバイス 単体型 Rectifier Diode Surface Mounting Device Single Diode ■外観図 OUTLINE D4F60 Unit : mm Weight : 0.16g （typ.） Package：2F 600V 4A 特長 ① • 小型 SMD • 耐湿性に優れ高信頼性 • 高 IFSM 品名略号 Type No. Feature • Small SMD • High-Reliability • Large IFSM 4FV 60 7D カソードマーク Cathode mark 4 ＋① ② − ② ロット記号（例） 級表示（例） Date code Class 7.6 2.8 外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下 さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS 4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH 5FSNJOBM$POOFDUJPOu ■定格表 RATINGS 項 目 Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 品 名 Type No. 記号 条 件 Symbol Conditions D4F60 単位 Unit Tstg −55∼150 ℃ Tj 150 ℃ VRM 600 V 4 Tl = 68℃ 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 電流二乗時間積 Current Squared Time 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current 1.85 200 A It 1ms≦t＜10ms，Tj = 25℃ 150 A2s VF IF = 4A, IFSM 2 IR θjl 熱抵抗 Thermal Resistance 204 （J534） 50Hz 正弦波，抵抗負荷 50Hz sine wave, Resistance load アルミナ基板実装 On alumina substrate プリント基板実装 Ta = 25℃ On glass-epoxy substrate 50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値， Tj = 25℃ 50Hz sine wave , Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃ IO θja Ta = 25℃ パルス測定 Pulse measurement VR = VRM, パルス測定 Pulse measurement 接合部・リード間 Junction to Lead アルミナ基板実装 On alumina substrate 接合部・周囲間 Junction to Ambient プリント基板実装 On glass-epoxy substrate A 1.3 MAX 0.95 MAX 10 MAX 23 MAX 80 MAX 115 V μA ℃/W Small SMD D4F60 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS 1cycle ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。 ＊ )[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT ＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 Typical は統計的な実力を表しています。 ＊ 4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO 5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ （J534） 205 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Shindengen: D4F60-5063