面実装デバイス 単体型 Rectifier Diode Surface Mounting Device Single Diode ■外観図 OUTLINE DE5VE40 Unit : mm Weight : 0.326g（typ.） Package：E-pack 400V 5A ①④ 特長 ③ 2.65 6.6 • SMD • 静電気耐性に優れている • 小型大電流容量 ② N.C. ④ 品名略号 Type No. 5VE4 ロット記号（例） Date code Feature • SMD • High ESD Capability • High Io Rating・Small-PKG 79 01 管理番号（例） Control No. 9.5 ② ① ③ 外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下 さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS 4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH 5FSNJOBM$POOFDUJPOu ■定格表 RATINGS 項 目 Item 品 名 Type No. DE5VE40 単位 Unit 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 電流二乗時間積 Current Squared Time Tstg −55∼150 ℃ Tj 150 ℃ 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current 静電気耐性 Electrostatic Discharge Capability 熱抵抗 Thermal Resistance *1：IEC-61000-4-2規定に準拠 It is based on IEC-61000-4-2. 206 記号 条 件 Symbol Conditions （J534） VRM 50Hz 正弦波，抵抗負荷，Tc=130℃ 50Hz sine wave, Resistance load, Tc=130℃ 50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃ I2t 1ms≦t＜10ms，Tc = 25℃ VF IF = 5A, IO IFSM IR VESD θjc パルス測定 Pulse measurement VR = 400V, パルス測定 Pulse measurement *1 C = 150pF, R = 150Ω, 極性±，気中放電 Polarity±, Aerial discharge 接合部・ケース間 Junction to Case 400 V 5 A 80 A 32 A2s MAX 1 V MAX 10 μA TYP 30 kV 4 ℃/W MAX SMD DE5VE40 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS 80 8 7 60 6 5 40 4 3 20 2 1 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 8 7 6 5 4 3 2 1 400 0 ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。 ＊ )[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT ＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 Typical は統計的な実力を表しています。 ＊ 4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO 5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ （J534） 207