赤外発光ダイオード LNA2W01L (LN57) GaAs赤外発光ダイオード Unit : mm 各種光制御機器用 Type number : cathode mark (Red) 10.0 min. ■ 特 長 10.0 min. 0.5±0.1 3.2±0.3 • 高出力、 高効率 : PO = 4.5 mW (typ.) • 発光スペクトルがシリコン受光素子に適合 • 単色光に近い赤外光を放射 : λP = 950 nm (typ.) • 指向性が鋭い : θ = 18° (typ.) • 超小形ダブルエンドパッケージ 3.2±0.3 φ1.8 記号 定格 単位 許容損失 PD 75 mW 順電流 (直流値) IF 50 mA パルス順電流 * IFP 1 A 逆電圧 (直流値) VR 3 V 動作周囲温度 Topr −25 ∼ +85 °C 保存温度 Tstg −30 ∼ +100 °C 0.85 ± 0.15 ■ 絶対最大定格 Ta = 25°C 項目 0.4±0.1 R0.9 0.15 1.05±0.1 1.8 (0.7) 2.8±0.2 2.8±0.2 1.8 2.2±0.15 (0.7) 2 45 ° 1 1 : Cathode 2 : Anode 注 ) * : f = 100 Hz, Duty Cycle = 0.1% ■ 電気的特性 • 光学的特性 Ta = 25°C 項目 光出力 記号 PO 条件 IF = 50 mA 最小 標準 3 4.5 最大 単位 mW ピーク発光波長 λP IF = 50 mA 950 nm スペクトル半値幅 ∆λ IF = 50 mA 50 nm 順電圧 (直流値) VF IF = 50 mA 1.25 逆電流 (直流値) IR VR = 3 V 端子間容量 Ct VR = 0 V, f = 1 MHz 35 pF 半値角 θ 光強度 50% の角度 18 ° 1.5 V 10 µA 注 ) ( )内は, 従来品番です 1 赤外発光ダイオード LNA2W01L IF T a IFP Duty Cycle 60 IF VF 80 Ta = 25°C 102 Ta = 25°C 70 40 30 20 60 10 順電流 IF (mA) パルス順電流 IFP (A) 順電流 IF (mA) 50 1 10−1 50 40 30 20 10−2 10 10 0 −25 0 20 40 60 80 10−3 −2 10 100 10−1 周囲温度 Ta (°C) IFP VF 104 0 102 10 0 0.4 tW = 10 µs Duty Cycle = 0.1% Ta = 25°C 0.8 Ta = 25°C tW = 10 µs (1) f = 100 Hz (2) f = 21 kHz (3) f = 42 kHz (4) f = 60 kHz Ta = 25°C 相対発光出力 ∆PO 相対発光出力 ∆PO 102 10 80 60 40 (1) 10 (2) (4) (3) 1 1 10−1 20 0 1 2 3 4 0 5 0 10 20 順電圧 VF (V) 30 40 50 10−1 10 60 順電流 IF (mA) VF Ta 102 ∆PO Ta λP Ta 1 000 IF = 50 mA IF = 50 mA 980 10 mA 1 mA 0.8 ピーク発光波長 λP (nm) 相対発光出力 ∆PO IF = 50 mA 1.2 104 103 パルス順電流 IFP (mA) 103 1.6 順電圧 VF (V) 1.6 ∆PO IFP 103 100 102 1.2 順電圧 VF (V) ∆PO IF 120 103 パルス順電流 IFP (mA) 1 Duty Cycle (%) 102 10 0.4 960 940 920 0 −40 0 40 80 周囲温度 Ta (°C) 2 120 1 −40 0 40 80 周囲温度 Ta (°C) 120 900 −40 0 40 80 周囲温度 Ta (°C) 120 赤外発光ダイオード 発光スペクトル特性 100 IF = 50 mA Ta = 25°C LNA2W01L 指向特性 0° 100 周波数特性 10° 20° 102 Ta = 25°C 80 70 60 60 50 40 40 30 20 20 30° 40° 50° 10 変調出力 相対発光強度 (%) 80 相対発光強度 (%) 90 1 60° 70° 10−1 80° 90° 0 860 900 940 980 1 020 1 060 1 100 波 長 λ (nm) 10−2 1 10 102 103 周波数 f (kHz) 3 安全上のご注意 本製品はガリウムひ素(GaAs)を使用しています。 危険 ガリウムひ素の粉末や蒸気は、 人体に対し危険ですので、 同製品の燃 焼、 破壊、 切断、 粉砕および化学的な分解を行わないでください。 また、 本製品を廃棄する場合には法令にしたがい、 一般産業廃棄物や 家庭用ごみと混ぜないでください。 本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本資料に記載の製品および技術で、 「外国為替及び外国貿易法」 に該当するものを輸出する時、 ま たは、 国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。 (2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、 工業所有 権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。 (3) 本資料に記載されている製品は、 標準用途 — 一般電子機器(事務機器、 通信機器、 計測機器、 家電 製品など)に使用されることを意図しております。 特別な品質、 信頼性が要求され、 その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、 人体に危害を及ぼす 恐れのある用途 — 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、 事前に 弊社営業窓口までご相談願います。 (4) 本資料に掲載しております製品および製品仕様は、 改良などのために予告なく変更する場合があ りますのでご了承ください。 したがって、 最終的な設計、 ご購入、 ご使用に際しましては、 事前に最新 の製品規格書または仕様書をお求め願い、 ご確認ください。 (5) 設計に際して、 特に最大定格、 動作電源電圧範囲、 放熱特性については保証範囲でご使用いただき ますようお願い致します。 保証値を超えてご使用された場合、 その後に発生した機器の欠陥につい ては弊社として責任を負いません。 また、 保証値内のご使用であっても、 弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな いような冗長設計をお願いします。 (6) 防湿包装を必要とする製品につきましては、 個々の仕様書取り交わしの折、 取り決めた条件 (保存 期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。 (7) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、 転載または複製することを固くお断り いたします。 本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項 A. 本資料は、 お客様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。 記載されている販売可能な品種および技術情報等は、 予告なく常に更新しておりますので、 ご検討 にあたっては、 早めに弊社営業部門にお問い合わせの上、最新の情報を入手願います。 B. 本資料は正確を期し、 慎重に制作したものですが、 記載ミス等の可能性があります。 したがって、 弊 社は資料中の記述誤り等から生じる損害には責任を負わないものとさせて頂きます。 C. 本資料は、 お客様ご自身でのご利用を意図しております。 したがって、 弊社の文書による許可なく、 インターネットや他のあらゆる手段によって複製、 販売および第三者に提供するなどの行為を禁止 いたします。 2001 MAR