ETC CNB1302(ON2170)

反射形フォトセンサ
CNB1302 (ON2170)
反射形フォトセンサ
■ 概 要
Unit : mm
Mark for indicating
Anode side
C0.5
CNB1302 は , 高効率の GaAs 赤外発光ダイオード
と高感度のSiフォトトランジスタを一つの樹脂パッ
ケージで一体化した小形 , 薄形の反射形フォトセン
サです。
3
9.0±1.0
2.0±0.2
1
4-0.7
4-0.5
±0.1
2.0±0.2
9.0±1.0
• 超小形 , 薄形 : 2.7 mm × 3.4 mm (高さ 1.5 mm)
• 可視光遮断樹脂の採用
• 応答速度が速い : tr , tf = 20 µs (typ.)
• 制御回路とのインタフェースが容易
0.4
2.7±0.2
■ 特 長
Chip
center
2
0.5
4
1.5±0.2
■ 用 途
• モータそのほか回転体の制御
• ポジション , エッジ検出
• 紙 , フィルムなどの検出
• 磁気テープ類のスタート , エンドマークの検出
0.15
;;
;;
1.8
3.4±0.3
1
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
入力( 発光
逆電圧( 直流値)
ダイオード) 順電流( 直流値)
許容損失
*1
出力( フォト コレクタ電流
記号
定格
単位
VR
3
V
IF
50
mA
PD
75
mW
IC
20
mA
30
V
トランジスタ) コレクタ・エミッタ電圧 VCEO
温度
2
3
4
Pin connection
エミッタ・コレクタ電圧 VECO
5
V
コレクタ損失 *2
PC
50
mW
動作周囲温度
Topr
−25 ∼ +85
°C
保存温度
Tstg
−30 ∼ +100
°C
注 ) *1 : 入力側の電力低減率は
Ta = 25°C 以上で 1.0 mW/°C
2
:
* 出力側の電力低減率は
Ta = 25°C 以上で 0.67 mW/°C
■ 電気的特性 Ta = 25°C
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
入力特性 順電圧( 直流値)
VF
IF = 50 mA
1.3
1.5
V
逆電流( 直流値)
IR
VR = 3 V
0.01
10
µA
Ct
VR = 0 V, f = 1 MHz
200
nA
880
µA
200
nA
端子間容量
出力特性 コレクタ遮断電流
伝達特性 コレクタ電流 *1, 2
漏れ電流
30
IC
VCC = 5 V, IF = 10 mA, RL = 100 Ω, d = 1 mm
ID
VCC = 5 V, IF = 10 mA, RL = 100 Ω
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat)
90
IF = 20 mA, IC = 0.1 mA
0.4
tr *3 , tf *4 VCC = 5 V, IC = 0.1 mA, RL = 100 Ω
応答時間
pF
VCE = 10 V
ICEO
*2 : 出力電流測定方法
Class
Q
R
S
IC (µA)
90 ∼ 220
180 ∼ 440
360 ∼ 880
*3 : 出力電流がピーク値の 10% から 90% に上昇する時間
*4 : 出力電流がピーク値の 90% から 10% に下降する時間
;;
;;
;;
;;
;;
注 ) *1 : IC ランク分類
V
µs
20
Al蒸着面
ガラス板 (t = 1 mm)
IF
VCC
IC
RL
注 ) ( )内は, 従来品番です
1
反射形フォトセンサ
CNB1302
IF , IC  Ta
IF  V F
60
50
Ta = 25°C
IF = 50 mA
1.2
30
20
IC
40
順電圧 VF (V)
40
30
20
10 mA
1 mA
0.8
0.4
10
10
0
20
40
60
80
0
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
−40 −20
2.4
0
順電圧 VF (V)
周囲温度 Ta (°C)
IC  I F
IC  VCE
800
600
VCE = 5 V
Ta = 25°C
RL = 100 Ω
d = 1 mm
出力電流(コレクタ) IC (µA)
400
200
40
60
80
100
∆IC  Ta
160
d = 1 mm
Ta = 25°C
IF = 20 mA
500
600
20
周囲温度 Ta (°C)
400
15 mA
300
10 mA
200
8 mA
6 mA
100
相対出力電流(コレクタ) ∆IC (%)
0
−25
出力電流(コレクタ) IC (µA)
VF  Ta
1.6
50
IF
順電流 IF (mA)
順電流, 出力電流(コレクタ) IF , IC (mA)
60
VCC = 5 V
IF = 10 mA
RL = 100 Ω
120
80
40
4 mA
2 mA
8
16
0
24
順電流 IF (mA)
0
上昇時間, 下降時間 tr , tf (µs)
暗電流 ICEO (µA)
10−1
10−2
10−3
20
40
60
周囲温度 Ta (°C)
2
0
−40 −20
8
0
80
100
40
60
102
RL = 2 kΩ
1 kΩ
10
100 Ω
1
10−1
80
100
∆IC  d
100
VCC = 5 V
Ta = 25°C
: tr
: tf
10−1
10−2
20
周囲温度 Ta (°C)
103
VCE = 10 V
0
6
tr , tf  IC
1
10−4
−40 −20
4
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
ICEO  Ta
10
2
1
出力電流(コレクタ) IC (mA)
10
VCC = 5 V
Ta = 25°C
IF = 10 mA
80
;
;;
0
相対出力電流(コレクタ) ∆IC (%)
0
d
60
40
20
0
0
2
4
6
距離 d (mm)
8
10
安全上のご注意
本製品はガリウムひ素(GaAs)を使用しています。
危険
ガリウムひ素の粉末や蒸気は、
人体に対し危険ですので、
同製品の燃
焼、
破壊、
切断、
粉砕および化学的な分解を行わないでください。
また、
本製品を廃棄する場合には法令にしたがい、
一般産業廃棄物や
家庭用ごみと混ぜないでください。
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」
に該当するものを輸出する時、
ま
たは、
国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
(3)
本資料に記載されている製品は、
標準用途 — 一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
恐れのある用途 — 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
(4)
本資料に掲載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご使用に際しましては、
事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、
ご確認ください。
(5)
設計に際して、
特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲でご使用いただき
ますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につい
ては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
(6)
防湿包装を必要とする製品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(7)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複製することを固くお断り
いたします。
本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項
A. 本資料は、
お客様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。
記載されている販売可能な品種および技術情報等は、
予告なく常に更新しておりますので、
ご検討
にあたっては、
早めに弊社営業部門にお問い合わせの上、最新の情報を入手願います。
B. 本資料は正確を期し、
慎重に制作したものですが、
記載ミス等の可能性があります。
したがって、
弊
社は資料中の記述誤り等から生じる損害には責任を負わないものとさせて頂きます。
C. 本資料は、
お客様ご自身でのご利用を意図しております。
したがって、
弊社の文書による許可なく、
インターネットや他のあらゆる手段によって複製、
販売および第三者に提供するなどの行為を禁止
いたします。
2001 MAR