抵抗内蔵トランジスタ UNR1121/1122/1123/1124/112X/112Y (UN1121/1122/1123/1124/112X/112Y) シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形 Unit : mm デジタル回路用 (1.0) 1.0±0.1 ■ 品種別抵抗値 (0.85) (R1) 2.2 kΩ 4.7 kΩ 10 kΩ 2.2 kΩ 0.27 kΩ 3.1 kΩ (R2) 2.2 kΩ 4.7 kΩ 10 kΩ 10 kΩ 5 kΩ 4.6 kΩ 0.45±0.05 0.55±0.1 3 1 2 (2.5) 1.25±0.05 (UN1121) (UN1122) (UN1123) (UN1124) (UN112X) (UN112Y) 4.5±0.1 R 0.7 4.1±0.2 R 0.9 • 機器の小形化 , 部品点数の削減によりコストダウン可能 • M 型パッケージで自動挿入 , 手挿入が容易 , P 板に自立固定 が可能 UNR1121 UNR1122 UNR1123 UNR1124 UNR112X UNR112Y (1.0) (1.5) 2.4±0.2 3.5±0.1 2.0±0.2 (0.4) 6.9±0.1 (1.5) ■ 特 長 • • • • • • 2.5±0.1 1 : Base 2 : Collector 3 : Emitter M-A1 Package (2.5) ■ 絶対最大定格 Ta = 25°C 項目 記号 定格 単位 コレクタ・ベース電圧 VCBO −50 V コレクタ・エミッタ電圧 VCEO −50 V コレクタ電流 IC −500 mA 全許容損失 PT 600 mW Tj 150 °C Tstg −55 ∼ +150 °C 接合部温度 保存温度 内部接続図 R1 C B R2 E ■ 電気的特性 Ta = 25°C 項目 記号 コレクタ遮断電流 ICBO 条件 最小 VCB = −50 V, IE = 0 ICEO VCE = −50 V, IB = 0 IEBO VEB = −6 V, IC = 0 増幅率 µA −5 µA mA −2 −1 UNR1123/1124 直流電流 UNR1121 −1 −1 遮断電流 UNR1122/112X/112Y コレクタ・ベース電圧 単位 − 0.5 UNR112X エミッタ UNR1121 最大 − 0.1 UNR112X コレクタ遮断電流 標準 VCBO hFE IC = −10 µA, IE = 0 VCE = −10 V, IC = −100 mA −50 V 40 UNR1122/112Y 50 UNR1123/1124 60 UNR112X 20 注) 形名の( )内は , 従来品番です 1 抵抗内蔵トランジスタ UNR1121/1122/1123/1124/112X/112Y ■ 電気的特性(つづき) T a = 25°C 項目 記号 最大 単位 IC = −100 mA, IB = −5 mA − 0.25 V UNR112X IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA − 0.25 UNR112Y IC = −50 mA, IB = −5 mA − 0.15 コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) 出力電圧 "H" レベル VOH VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 500 Ω 出力電圧 "L" レベル VOL VCC = −5 V, VB = −3.5 V, RL = 500 Ω トランジション周波数 fT VCB = −10 V, IE = 50 mA, f = 200 MHz 入力抵抗 UNR1121/1124 R1 V − 0.2 200 −30% 2.2 10 UNR112X 0.27 UNR112Y 3.1 R1/R2 0.8 1.0 UNR1124 0.22 UNR112X 0.054 UNR112Y 0.67 PT T a 600 全損失 PT (mW) −4.9 4.7 800 400 200 0 標準 UNR1123 共通特性図 0 最小 UNR1122 抵抗比率 40 80 120 周囲温度 Ta (°C) 2 条件 160 V MHz +30% 1.2 kΩ 抵抗内蔵トランジスタ UNR1121/1122/1123/1124/112X/112Y UNR1121 特性図 IC VCE VCE(sat) IC コレクタ電流 IC (mA) −200 IB = −1.0 mA −160 −120 − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA −80 − 0.4 mA 0 − 0.1 mA −2 −4 −6 −8 −10 300 −3 −1 Ta = 75°C 25°C −10 −12 − 0.01 −1 25°C −3 −10 −25°C −30 0 −1 −100 −300 −1 000 −3 −10 IO VIN 8 6 4 −100 −300 −1 000 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −100 −3 000 −30 −1 000 −10 入力電圧 VIN (V) f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C −10 000 −30 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量 Cob (pF) 200 −25°C Cob VCB 10 Ta = 75°C 100 − 0.03 コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V) 12 VCE = −10 V −30 − 0.1 − 0.2 mA 0 IC / IB = 10 − 0.3 − 0.3 mA −40 hFE IC 400 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C −100 コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 −300 −100 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −3 −1 − 0.3 −30 −10 − 0.1 −3 − 0.03 2 0 − 0.1 − 0.3 −1 −3 −10 −30 −1 − 0.4 −100 − 0.6 コレクタ・ベース電圧 VCB (V) − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 − 0.3 −1 −3 −10 −30 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) UNR1122 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −100 −250 コレクタ電流 IC (mA) IB = −1.0 mA − 0.9 mA −200 − 0.8 mA − 0.7 mA −150 − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA − 0.3 mA −100 − 0.2 mA −50 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V) hFE IC 160 IC / IB = 10 Ta = 75°C VCE = −10 V −30 −10 120 −3 −1 Ta = 75°C − 0.3 25°C − 0.1 25°C 80 −25°C 40 −25°C − 0.03 − 0.01 −1 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V) −300 −3 −10 −30 −100 −300 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) 0 −1 −3 −10 −30 −100 −300 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) 3 抵抗内蔵トランジスタ UNR1121/1122/1123/1124/112X/112Y Cob VCB f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 16 12 8 −1 −3 −10 −30 −100 −30 −1 000 −10 4 0 − 0.1 − 0.3 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −3 000 出力電流 IO (µA) 20 コレクタ出力容量 Cob (pF) IO VIN −10 000 −300 −100 −30 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −3 −1 − 0.3 −10 − 0.1 −3 − 0.03 −1 − 0.4 −100 入力電圧 VIN (V) 24 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 − 0.3 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース電圧 VCB (V) −1 −3 −10 −30 −100 出力電流 IO (mA) UNR1123 特性図 IC VCE VCE(sat) IC コレクタ電流 IC (mA) −200 IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA −160 −120 − 0.6 mA − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA −40 − 0.2 mA − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 IC / IB = 10 25°C 150 −10 −3 −1 Ta = 75°C − 0.3 25°C − 0.1 − 0.03 − 0.01 −1 50 −3 −10 −30 0 −1 −100 −300 −1 000 −3 IO VIN −10 000 12 8 −30 −100 −300 −1 000 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −100 −3 000 −30 −1 000 −10 入力電圧 VIN (V) 16 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量 Cob (pF) 20 −25°C 100 −25°C Cob VCB f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C Ta = 75°C VCE = −10 V −30 コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V) 24 hFE IC 200 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C −100 コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 −300 −100 −30 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −3 −1 − 0.3 −10 − 0.1 −3 − 0.03 4 0 − 0.1 − 0.3 −1 −3 −10 −30 −100 コレクタ・ベース電圧 VCB (V) 4 −1 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 入力電圧 VIN (V) −1.4 − 0.01 − 0.1 − 0.3 −1 −3 −10 出力電流 IO (mA) −30 −100 抵抗内蔵トランジスタ UNR1121/1122/1123/1124/112X/112Y UNR1124 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −250 コレクタ電流 IC (mA) IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA −200 −150 − 0.5 mA − 0.4 mA −100 − 0.3 mA − 0.2 mA −50 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 IC / IB = 10 350 −10 300 −3 −1 Ta = 75°C − 0.3 25°C − 0.1 − 0.03 − 0.01 −1 Ta = 75°C 200 25°C 150 −25°C 50 −25°C −3 −10 −30 0 −1 −100 −300 −1 000 −3 IO VIN −10 000 16 12 8 −30 −100 −300 −1 000 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −100 −3 000 −30 −1 000 −10 入力電圧 VIN (V) f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量 Cob (pF) 250 100 Cob VCB 20 VCE = −10 V −30 コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V) 24 hFE IC 400 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C −100 コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V) −300 −300 −100 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −3 −1 − 0.3 −30 −10 − 0.1 −3 − 0.03 4 0 − 0.1 − 0.3 −1 −3 −10 −30 −1 − 0.4 −100 − 0.6 コレクタ・ベース電圧 VCB (V) − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 − 0.3 −1 −3 −10 −30 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) UNR112X 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −100 コレクタ電流 IC (mA) −200 IB = −1.6 mA −160 −1.4 mA −1.2 mA −120 −1.0 mA − 0.8 mA −80 − 0.6 mA − 0.4 mA −40 − 0.2 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V) hFE IC 240 IC / IB = 10 −30 −3 −1 − 0.3 Ta = 75°C 25°C − 0.1 – 25°C 160 Ta = 75°C 120 25°C 80 −25°C 40 − 0.03 − 0.01 −1 VCE = −10 V 200 −10 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 −3 −10 −30 −100 −300 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) 0 −1 −3 −10 −30 −100 −300 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) 5 抵抗内蔵トランジスタ UNR1121/1122/1123/1124/112X/112Y Cob VCB 24 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 20 コレクタ出力容量 Cob (pF) VIN IO −100 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −30 入力電圧 VIN (V) −10 16 12 8 −3 −1 − 0.3 − 0.1 4 − 0.03 0 −1 −3 −10 −30 −100 − 0.01 − 0.1 − 0.3 コレクタ・ベース電圧 VCB (V) −1 −3 −10 −30 −100 出力電流 IO (mA) UNR112Y 特性図 IC VCE VCE(sat) IC コレクタ電流 IC (mA) −200 IB = −1.2 mA −160 −1.0 mA − 0.8 mA −120 − 0.6 mA −80 − 0.4 mA −40 − 0.2 mA 0 −2 0 −4 −6 −8 −10 −12 IC / IB = 10 −30 −3 −1 − 0.3 Ta = 75°C 25°C − 0.1 −3 −100 −300 −1 000 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C VO = − 0.2 V Ta = 25°C −30 −10 16 12 −3 −1 − 0.3 8 − 0.1 4 − 0.03 0 −1 −3 −10 −30 −100 コレクタ・ベース電圧 VCB (V) 6 − 0.01 − 0.1 − 0.3 −1 −3 −10 出力電流 IO (mA) 25°C 120 −25°C 80 −30 0 −1 −3 −10 −30 −100 −300 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) VIN IO −100 入力電圧 VIN (V) コレクタ出力容量 Cob (pF) −30 コレクタ電流 IC (mA) Cob VCB 20 −10 Ta = 75°C 160 40 −25°C − 0.03 − 0.01 −1 VCE = −10 V 200 −10 コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V) 24 hFE IC 240 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C −100 コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 −100 本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本資料に記載の製品および技術で、 「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、 ま たは、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。 (2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、 弊社もし くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあり ません。 (3) 上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、 当社はその責を負うものでは ありません。 (4) 本資料に記載されている製品は、 標準用途 — 一般電子機器(事務機器、 通信機器、 計測機器、 家電 製品など)に使用されることを意図しております。 特別な品質、 信頼性が要求され、 その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、 人体に危害を及ぼす 恐れのある用途 — 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、 事前に 弊社営業窓口までご相談願います。 (5) 本資料に記載しております製品および製品仕様は、 改良などのために予告なく変更する場合があ りますのでご了承ください。 したがって、 最終的な設計、 ご購入、 ご使用に際しましては、 事前に最新 の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。 (6) 設計に際して、 特に最大定格、 動作電源電圧範囲、 放熱特性については保証範囲内でご使用いただ きますようお願い致します。 保証値を超えてご使用された場合、 その後に発生した機器の欠陥につ いては弊社として責任を負いません。 また、 保証値内のご使用であっても、 半導体製品について通常予測される故障発生率、 故障モード をご考慮の上、 弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、 火災事故、 社会的な損害などを生じ させない冗長設計、 延焼対策設計、 誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう お願い致します。 (7) 防湿包装を必要とする製品につきましては、 個々の仕様書取り交わしの折、 取り決めた条件 (保存 期間、 開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。 (8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、 転載または複製することを堅くお断り いたします。 2002 JUL