DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA DTA114ECA / DTA114EKA / DTA114ESA トランジスタ デジタルトランジスタ (抵抗内蔵トランジスタ) DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA / DTA114ECA / DTA114EKA / DTA114ESA !特長 1) バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでイン バータ回路が構成できる。 （等価回路図参照） 2) バイアス用の抵抗は、薄膜抵抗により構成し、完全にアイソレーション しているため、入力を正にバイアスできる。また、寄生効果がほとんど 生じないという利点がある。 3) ON/OFF 条件の設定だけで動作するため、機器の設計が容易に行える。 !内部等価回路図 OUT R1 IN R2 GND(+) OUT IN GND(+) !構造 PNP デジタルトランジスタ（抵抗内蔵トランジスタ） !外形寸法図（Units : mm） 外形寸法図 1.0±0.1 (1) (2) (1) IN (2) GND (3) OUT 0.15Max. (3) +0.1 0.3 −0.05 標印略記号 : 14 0.7±0.1 +0.1 0.2−0.05 0.55±0.1 0~0.1 0.15±0.05 ROHM : EMT3 (1) GND (2) IN (3) OUT 0.1Min. 0.22 0.5 0.13 0~0.1 0.5 0.5 0.8±0.1 (3) +0.1 0.2−0.05 1.6±0.2 (2) (1) ROHM : VMT3 1.6±0.2 0.2 0.8 1.2 0.32 DTA114EE 1.2 0.8 0.2 0.4 0.4 DTA114EM 標印略記号 : 14 DTA114ECA 2.0±0.2 0.2 (3) 0.95 0.95 0.95 0.45 2.1±0.1 (1) (2) 1.3 0~0.1 0~0.1 (1) GND (2) IN (3) OUT 0.15 0.4 ROHM : SST3 標印略記号 : 14 各端子とも同寸法 0.2Min. 0.15±0.05 0.1Min. (3) 0.3+0.1 −0 各端子とも同寸法 ROHM : UMT3 EIAJ : SC-70 1.9 0.7±0.1 (2) 1.25±0.1 (1) 2.9 0.9±0.1 1.3±0.1 0.65 0.65 2.4 DTA114EUA (1) GND (2) IN (3) OUT 標印略記号 : 14 2±0.2 3±0.2 0.8±0.1 (2) 0~0.1 2.8±0.2 1.6+0.2 −0.1 (1) 4±0.2 DTA114ESA 1.1+0.2 −0.1 1.9±0.2 3Min. 2.9±0.2 0.95 0.95 (15Min.) DTA114EKA 0.15 0.45+ −0.05 ROHM : SMT3 EIAJ : SC-59 0.4 +0.1 −0.05 各端子とも同寸法 標印略記号 : 14 +0.1 0.15 −0.06 0.3Min. (3) (1) GND (2) IN (3) OUT 5 ROHM : SPT EIAJ : SC-72 0.4 2.5 + −0.1 (1) (2) (3) 0.5 0.15 0.45 + −0.05 (1) GND (2) OUT (3) IN DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA DTA114ECA / DTA114EKA / DTA114ESA トランジスタ !絶対最大定格（Ta=25°C） 絶対最大定格 Parameter Limits(DTA114E Symbol M E ) UA Unit CA KA SA 電源電圧 VCC −50 V 入力電圧 VIN −40~+10 V IO −50 IC(Max.) −100 出力電流 mA 許容損失 Pd 接合部温度 Tj 150 °C Tstg −55~+150 °C 保存温度範囲 150 200 300 mW !電気的特性（Ta=25°C） 電気的特性 Parameter Symbol Min. Typ. Max. VI(off) − − −0.5 VI(on) −3 − − 出力電圧 VO(on) − − −0.3 V 入力電流 II − − −0.88 mA VI=−5V 出力電流 IO(off) − − −0.5 µA VCC=−50V, VI=0V 直流電流増幅率 GI 30 − − − VO=−5V, IO=−5mA 入力抵抗 R1 7 10 13 kΩ 抵抗比率 R2/R1 0.8 1 1.2 − fT − 250 − MHz 入力電圧 利得帯域幅積 Unit Conditions VCC=−5V, IO=−100µA V VO=−0.3V, IO=−10mA IO/II=−10mA/−0.5mA − − VCE=−10V, IE=5mA, f=100MHz ∗ 構成トランジスタの特性です。 !包装仕様 パッケージ 包装名 Type VMT3 EMT3 UMT3 SST3 SMT3 SPT テーピング テーピング テーピング テーピング テーピング テーピング 記号 T2L TL T106 T116 T146 TP 個本発注単位 (個) 8000 3000 3000 3000 3000 5000 − − − − − − − − − − − − − − DTA114EM DTA114EE − DTA114EUA − − DTA114ECA − − − DTA114EKA − − − − DTA114ESA − − − − − − ∗ DTA114EM / DTA114EE / DTA114EUA DTA114ECA / DTA114EKA / DTA114ESA トランジスタ !電気的特性曲線 OUTPUT CURRENT : Io (A) INPUT VOLTAGE : VI(on) (V) −20 −10 −5 −2 Ta=−40°C 25°C 100°C −1 −500m −200m −100m −100µ −200µ −500µ −1m −2m −5m −10m −20m −50m −100m OUTPUT CURRENT : IO (A) Fig.1 入力電圧−出力電流 (ON特性) −1 OUTPUT VOLTAGE : VO(on) (V) −500m −200m −10m −5m VO=−0.3V −50 lO/lI=20 Ta=100°C 25°C −40°C −100m −50m −20m −10m −5m −2m −1m −100µ −200µ −500µ −1m −2m −5m −10m −20m −50m −100m OUTPUT CURRENT : IO (A) Fig.4 出力電圧−出力電流特性 −2m −1m −500µ −200µ −100µ −50µ −20µ −10µ −5µ −2µ −1µ 0 1k VCC=−5V Ta=100°C 25°C −40°C 500 DC CURRENT GAIN : GI −100 200 VO=−5V Ta=100°C 25°C −40°C 100 50 20 10 5 2 −0.5 −1.0 −1.5 −2.0 −2.5 INPUT VOLTAGE : VI(off) (V) Fig.2 出力電流−入力電圧 (OFF特性) −3.0 1 −100µ −200µ −500µ −1m −2m −5m −10m −20m −50m−100m OUTPUT CURRENT : IO (A) Fig.3 直流電流増幅率 −出力電流特性