ETC XN0B301|XN1B301

複合トランジスタ
XN0C301 (XN1C301)
シリコン PNPエピタキシャルプレーナ形(Tr1 部)
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形(Tr2部)
Unit : mm
2.90+0.20
–0.05
1.9±0.1
(0.95) (0.95)
5
• 1 パッケージに 2 素子内蔵
(Tr1 ベースと Tr2 エミッタを接続)
• 実装面積とアセンブリコストの半減が可能
2
1
(0.65)
0.30+0.10
–0.05
■ 使用素子基本形名
項目
Tr1
Tr2
総合
1.1+0.2
–0.1
0 to 0.1
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
記号
定格
VCBO
−60
V
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
−50
V
エミッタ・ベース電圧
VEBO
−7
V
コレクタ電流
IC
−100
mA
尖頭コレクタ電流
ICP
−200
mA
コレクタ・ベース電圧
VCBO
60
V
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
50
V
エミッタ・ベース電圧
VEBO
7
V
コレクタ電流
IC
100
mA
尖頭コレクタ電流
ICP
200
mA
全損失
PT
300
mW
接合部温度
保存温度
単位
Tj
150
°C
Tstg
−55 ~ +150
°C
1.1+0.3
–0.1
10˚
• 2SB709A (2SB0709A) + 2SD601A (2SD0601A)
コレクタ・ベース電圧
2.8+0.2
–0.3
4
1.50+0.25
–0.05
3
5˚
■ 特 長
0.16+0.10
–0.06
0.4±0.2
一般増幅用
1 : Collector (Tr1)
2 : Collector (Tr2)
3 : Base (Tr2)
EIAJ : SC-74A
4 : Base (Tr1)
Emitter (Tr2)
5 : Emitter (Tr1)
Mini5-G1 Package
形名表示記号 : 4R
内部接続図
5
Tr1
1
4
3
Tr2
2
■ 電気的特性 Ta = 25°C
• Tr1 部
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
コレクタ・ベース電圧
VCBO
IC = −10 µA, IE = 0
−60
V
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
IC = −2 mA, IB = 0
−50
V
エミッタ・ベース電圧
VEBO
IE = −10 µA, IC = 0
−7
コレクタ遮断電流
ICBO
VCB = −20 V, IE = 0
ICEO
VCE = −10 V, IB = 0
hFE
VCE = −10 V, IC = −2 mA
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
トランジション周波数
コレクタ出力容量
VCE(sat)
fT
Cob
V
160
IC = −100 mA, IB = −10 mA
− 0.1
µA
−100
µA
460
− 0.3
− 0.5
V
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
80
MHz
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz
2.7
pF
注) 形名の( )内は , 従来品番です
1
複合トランジスタ
XN0C301
■ 電気的特性(つづき) T a = 25°C
• Tr2 部
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
コレクタ・ベース電圧
VCBO
IC = 10 µA, IE = 0
60
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
IC = 2 mA, IB = 0
50
V
エミッタ・ベース電圧
VEBO
IE = 10 µA, IC = 0
7
V
コレクタ遮断電流
ICBO
VCB = 20 V, IE = 0
0.1
µA
ICEO
VCE = 10 V, IB = 0
100
µA
hFE
VCE = 10 V, IC = 2 mA
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
トランジション周波数
VCE(sat)
fT
コレクタ出力容量
Cob
V
160
460
IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.1
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz
150
MHz
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
3.5
pF
0.3
V
共通特性図
PT  T a
500
全損失 PT (mW)
400
300
200
100
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
周囲温度 Ta (°C)
Tr1 部特性図
IC  VCE
Ta = 25°C
−30
−150 µA
−20
−100 µA
−10
0
−50 µA
0
−2 −4 −6 −8 −10 −12 −14 −16 −18
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
2
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
−200 µA
VCE = – 5 V
Ta = 25°C
−350
−50
−250 µA
−40
IB  VBE
−400
VCE = −5 V
Ta = 25°C
IB = −300 µA
−50
IC  I B
−60
−300
ベース電流 IB (µA)
−60
−40
−250
−30
−200
−150
−20
−100
−10
0
−50
0
−100
−200
−300
ベース電流 IB (µA)
−400
0
0
−0.4
−0.8
−1.2
−1.6
ベース・エミッタ電圧 VBE (V)
複合トランジスタ
XN0C301
IC  VBE
Ta = 75°C
−25°C
−160
−120
−80
−40
0
IC / IB = 10
−3
500
25°C
−0.3
−25°C
−0.1
−0.03
−0.4
0
−0.8
−1.2
−1.6
−2.0
25°C
300
−25°C
200
100
−0.001
−1
−3
−10
−30
0
−1
−100 −300 −1 000
−3
−10
Cob  VCB
8
VCB = −10 V
Ta = 25°C
100
80
60
40
NF  IE
VCB = −5 V
f = 1 kHz
Rg = 2 kΩ
Ta = 25°C
5
6
雑音指数 NF (dB)
120
−100 −300 −1 000
6
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
7
−30
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ出力容量 Cob (pF)
5
4
3
4
3
2
2
1
20
1
1
0.3
3
10
30
0
−1
100
エミッタ電流 IE (mA)
18
−10
−20 −30 −50
0
0.01 0.03
−100
h Parameter  IE
VCB = −5 V
Rg = 50 kΩ
Ta = 25°C
300 V = −5 V
CE
200 f = 270 Hz
Ta = 25°C
100
16
0.1
0.3
1
3
10
エミッタ電流 IE (mA)
コレクタ・ベース電圧 VCB (V)
NF  IE
20
−2 −3 −5
h Parameter  VCE
300
IE = 2 mA
f = 270 Hz
Ta = 25°C
200
hfe
hfe
100
14
50
f = 100 Hz
定数 h
12
10
1 kHz
8
50
hoe (µS)
30
定数 h
トランジション周波数 fT (MHz)
Ta = 75°C
−0.003
0
0.1
雑音指数 NF (dB)
400
−0.01
f T  IE
140
VCE = −10 V
Ta = 75°C
−1
ベース・エミッタ電圧 VBE (V)
160
hFE  IC
600
直流電流増幅率 hFE
VCE = −5 V
25°C
−200
コレクタ電流 IC (mA)
VCE(sat)  IC
−10
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V)
−240
20
10
30
20
hoe (µS)
10
10 kHz
6
5
5
hie (kΩ)
4
3
3
2
2
2
0
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
3
5
エミッタ電流 IE (mA)
10
1
0.1
hre (×
0.2 0.3 0.5
10−4)
1
2
3
5
エミッタ電流 IE (mA)
10
hre (× 10−4)
hie (kΩ)
1
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
3
5
10
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
3
複合トランジスタ
XN0C301
Tr2 部特性図
IC  VCE
60
IC  I B
VCE = 10 V
Ta = 25°C
1 000
100 µA
30
80 µA
60 µA
20
40 µA
4
6
8
120
80
0
10
0
200
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
160
25°C
−25°C
80
40
0
0.4
0.8
400
1.2
1.6
3
1
0.3
25°C
0.1
0.3
1
3
10
30
100
VCE = 10 V
GV = 80 dB
160
Rg = 100 kΩ
120
80
22 kΩ
4.7 kΩ
40
−10
−30
エミッタ電流 IE (mA)
−100
1.0
600
VCE = 10 V
Ta = 75°C
400
25°C
300
−25°C
200
100
−25°C
240
雑音電圧 NV (mV)
60
0.8
Ta = 75°C
0.03
Ta = 25°C
120
0.6
500
NV  IC
180
0.4
hFE  IC
コレクタ電流 IC (mA)
240
−3
0.2
ベース・エミッタ電圧 VBE (V)
200 Function = FLAT
−1
0
10
0.01
0.1
2.0
VCB = 10 V
Ta = 25°C
0
−0.1 −0.3
0
1 000
30
f T  IE
トランジション周波数 fT (MHz)
800
IC / IB = 10
ベース・エミッタ電圧 VBE (V)
300
600
100
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V)
コレクタ電流 IC (mA)
200
0
400
VCE(sat)  IC
VCE = 10 V
Ta = 75°C
600
ベース電流 IB (µA)
IC  VBE
240
120
800
200
直流電流増幅率 hFE
2
160
40
20 µA
0
ベース電流 IB (µA)
120 µA
40
10
4
VCE = 10 V
Ta = 25°C
200
140 µA
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
50
0
IB  VBE
1 200
240
Ta = 25°C
IB = 160 µA
0
10
20 30 50
100
200 300 500 1 000
コレクタ電流 IC (µA)
0
0.1
0.3
1
3
10
30
コレクタ電流 IC (mA)
100
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」
に該当するものを輸出する時、
ま
たは、
国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
(3)
本資料に記載されている製品は、
標準用途 — 一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
—
恐れのある用途
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
(4)
本資料に記載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご使用に際しましては、
事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、
ご確認ください。
(5)
設計に際して、
特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
(6)
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個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(7)
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転載または複製することを堅くお断り
いたします。
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お客様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。
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弊
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お客様ご自身でのご利用を意図しております。
したがって、
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いたします。
2001 MAR