ETC XP01111(XP1111)

複合トランジスタ
XP01111 (XP1111)
シリコン PNP エピタキシャルプレーナ形
(0.425)
Unit: mm
スイッチング用 / デジタル回路用
0.20±0.05
5
●
0.2±0.1
1 パッケージに 2 素子内蔵。(抵抗内蔵トランジスタ)
実装面積とアセンブリコストの半減が可能。
5°
●
4
特 長
1.25±0.10
2.1±0.1
■
0.12+0.05
–0.02
1
3
2
(0.65) (0.65)
1.3±0.1
2.0±0.1
■ 使用素子基本形名
■ 絶対最大定格
0.9±0.1
(Ta=25˚C)
項目
記号
定格
単位
コレクタ･ベース電圧
素子の
コレクタ･エミッタ電圧
定格
コレクタ電流
VCBO
–50
V
VCEO
–50
V
IC
–100
mA
全損失
PT
150
mW
接合部温度
Tj
150
˚C
Tstg
–55 ~ +150
˚C
総合
0.9+0.2
–0.1
UNR1111 (UN1111) × 2 素子
0 to 0.1
●
10°
保存温度
1 : Base (Tr1)
2 : Emitter
3 : Base (Tr2)
4 : Collector (Tr2)
5 : Collector (Tr1)
SMini5-G1 Package
形名表示記号：9S
内部接続図
1
Tr1
5
2
3
■ 電気的特性
4
(Ta=25˚C)
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
コレクタ･ベース電圧
VCBO
IC = –10µA, IE = 0
–50
V
コレクタ･エミッタ電圧
VCEO
IC = –2mA, IB = 0
–50
V
ICBO
VCB = –50V, IE = 0
– 0.1
µA
ICEO
VCE = –50V, IB = 0
– 0.5
µA
エミッタしゃ断電流
IEBO
VEB = –6V, IC = 0
– 0.5
mA
直流電流増幅率
hFE
VCE = –10V, IC = –5mA
35
直流電流増幅率比
hFE (小 / 大 )*1
VCE = –10V, IC = –5mA
0.5
コレクタ･エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
IC = –10mA, IB = – 0.3mA
– 0.25
V
出力電圧ハイレベル
VOH
VCC = –5V, VB = – 0.5V, RL = 1kΩ
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = –5V, VB = –2.5V, RL = 1kΩ
トランジション周波数
fT
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz
入力抵抗
R1
抵抗比率
R1/R2
コレクタしゃ断電流
*1
Tr2
0.99
–4.9
V
– 0.2
80
V
MHz
–30%
10
+30%
0.8
1.0
1.2
kΩ
2 素子間比
注) ( )内は , 従来品番です
1
Composite Transistors
XP01111
PT — Ta
Total power dissipation PT (mW)
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
Ambient temperature Ta (˚C)
IC — VCE
VCE(sat) — IC
IB=–1.0mA
Collector current IC (mA)
–140
Ta=25˚C
–0.9mA
–120
–0.8mA
–0.7mA
–100
–0.6mA
–0.5mA
–80
–0.4mA
–60
–0.3mA
–40
–0.2mA
–20
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) (V)
–100
IC/IB=10
–30
–10
–3
–1
–0.3
–25˚C
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
–10
–10000
–30
–25˚C
80
40
0
–1
–100
–3
4
3
2
–10
–30
–100 –300 –1000
Collector current IC (mA)
VIN — IO
–100
VO=–5V
Ta=25˚C
–3000
–30
–1000
–10
Input voltage VIN (V)
Output current IO (µA)
Collector output capacitance Cob (pF)
–3
25˚C
120
IO — VIN
f=1MHz
IE=0
Ta=25˚C
–300
–100
–30
–10
VO=–0.2V
Ta=25˚C
–3
–1
–0.3
–0.1
1
–0.03
–3
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
Collector to base voltage
2
–1
Ta=75˚C
VCE=–10V
Collector current IC (mA)
Cob — VCB
5
Ta=75˚C
25˚C
–0.1
Collector to emitter voltage VCE (V)
6
hFE — IC
160
Forward current transfer ratio hFE
–160
–30
–100
VCB (V)
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
Input voltage VIN (V)
–1.4
–0.01
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
Output current IO (mA)
–100
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」
に該当するものを輸出する時、
ま
たは、
国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
(3)
本資料に記載されている製品は、
標準用途 — 一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
—
恐れのある用途
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
(4)
本資料に掲載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご使用に際しましては、
事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、
ご確認ください。
(5)
設計に際して、
特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
(6)
防湿包装を必要とする製品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(7)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複製することを堅くお断り
いたします。
本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項
A. 本資料は、
お客様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。
記載されている販売可能な品種および技術情報等は、
予告なく常に更新しておりますので、
ご検討
にあたっては、
早めに弊社営業部門にお問い合わせの上、最新の情報を入手願います。
B. 本資料は正確を期し、
慎重に制作したものですが、
記載ミス等の可能性があります。
したがって、
弊
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C. 本資料は、
お客様ご自身でのご利用を意図しております。
したがって、
弊社の文書による許可なく、
インターネットや他のあらゆる手段によって複製、
販売および第三者に提供するなどの行為を禁止
いたします。
2001 MAR