ETC XN04316(XN4316)

複合トランジスタ
XN04316 (XN4316)
シリコン NPN エピタキシャルプレーナ形 (Tr1 部)
シリコン PNP エピタキシャルプレーナ形 (Tr2 部)
Unit: mm
2.90+0.20
–0.05
1.9±0.1
(0.95) (0.95)
3
2
1
0.30+0.10
–0.05
0.50+0.10
–0.05
■ 使用素子基本形名
1.1+0.2
–0.1
10°
UNR1216 (UN1216) + UNR1116 (UN1116)
■ 絶対最大定格
0 to 0.1
●
(Ta=25˚C)
項目
Tr1
記号
定格
単位
コレクタ・ベース電圧
VCBO
50
V
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
50
V
IC
100
mA
コレクタ・ベース電圧
VCBO
–50
V
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
–50
V
コレクタ電流
IC
–100
mA
全損失
PT
300
mW
コレクタ電流
Tr2
総合
接合部温度
保存温度
2.8+0.2
–0.3
1.50+0.25
–0.05
1 パッケージに 2 素子内蔵。(抵抗内蔵トランジスタ)
実装面積とアセンブリコストの半減が可能。
6
5°
●
5
1.1+0.3
–0.1
●
4
(0.65)
■ 特 長
0.16+0.10
–0.06
0.4±0.2
スイッチング用 / デジタル回路用
1 : Collector (Tr1)
2 : Base (Tr2)
3 : Emitter (Tr2)
形名表示記号:7U
内部接続図
6
Tj
150
˚C
Tstg
–55 ~ +150
˚C
4 : Collector (Tr2)
5 : Base (Tr1)
6 : Emitter (Tr1)
Mini6-G1 Package
Tr1
5
4
1
2
Tr2
3
注) ( )内は , 従来品番です
1
複合トランジスタ
■ 電気的特性
●
XN04316
(Ta=25˚C)
Tr1 部
項目
記号
最小
VCBO
IC = 10µA, IE = 0
50
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
IC = 2mA, IB = 0
50
ICBO
VCB = 50V, IE = 0
コレクタしゃ断電流
標準
最大
単位
V
V
0.1
µA
ICEO
VCE = 50V, IB = 0
0.5
µA
エミッタしゃ断電流
IEBO
VEB = 6V, IC = 0
0.01
mA
直流電流増幅率
hFE
VCE = 10V, IC = 5mA
コレクタ・エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
IC = 10mA, IB = 0.3mA
出力電圧ハイレベル
VOH
VCC = 5V, VB = 0.5V, RL = 1kΩ
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = 5V, VB = 2.5V, RL = 1kΩ
トランジション周波数
fT
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz
入力抵抗
R1
●
160
460
0.25
V
0.2
V
4.9
V
150
MHz
–30%
4.7
+30%
kΩ
最小
標準
最大
単位
Tr2 部
項目
記号
条件
コレクタ・ベース電圧
VCBO
IC = –10µA, IE = 0
–50
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
IC = –2mA, IB = 0
–50
ICBO
VCB = –50V, IE = 0
コレクタしゃ断電流
2
条件
コレクタ・ベース電圧
V
V
– 0.1
µA
ICEO
VCE = –50V, IB = 0
– 0.5
µA
エミッタしゃ断電流
IEBO
VEB = –6V, IC = 0
– 0.01
mA
直流電流増幅率
hFE
VCE = –10V, IC = –5mA
コレクタ・エミッタ飽和電圧
VCE(sat)
IC = –10mA, IB = – 0.3mA
出力電圧ハイレベル
VOH
VCC = –5V, VB = – 0.5V, RL = 1kΩ
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = –5V, VB = –2.5V, RL = 1kΩ
トランジション周波数
fT
VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz
入力抵抗
R1
160
460
– 0.25
–4.9
V
– 0.2
80
–30%
V
4.7
V
MHz
+30%
kΩ
Composite Transistors
XN04316
Common characteristics chart
PT — Ta
Total power dissipation PT (mW)
500
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
Ambient temperature Ta (˚C)
Characteristics charts of Tr1
IC — VCE
VCE(sat) — IC
100
Collector current IC (mA)
IB=1.0mA
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
120
100
0.5mA
0.4mA
80
0.3mA
60
0.2mA
40
20
0.1mA
0
2
4
6
8
10
12
IC/IB=10
30
10
3
1
0.3
Ta=75˚C
25˚C
0.1
0.03
0.01
0.1
0
25˚C
250
–25˚C
200
150
100
50
0
0.3
1
3
10
30
100
1
3
4
3
2
30
100
300
1000
VIN — IO
100
VO=5V
Ta=25˚C
3000
30
1000
10
Input voltage VIN (V)
f=1MHz
IE=0
Ta=25˚C
10
Collector current IC (mA)
IO — VIN
10000
Output current IO (µA)
Collector output capacitance Cob (pF)
Ta=75˚C
300
–25˚C
Cob — VCB
5
VCE=10V
350
Collector current IC (mA)
Collector to emitter voltage VCE (V)
6
hFE — IC
400
Forward current transfer ratio hFE
Ta=25˚C
140
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) (V)
160
300
100
30
10
VO=0.2V
Ta=25˚C
3
1
0.3
0.1
1
0.03
3
0
0.1
0.3
1
3
10
Collector to base voltage
30
100
VCB (V)
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Input voltage VIN (V)
1.4
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Output current IO (mA)
3
Composite Transistors
XN04316
Characteristics charts of Tr2
IC — VCE
VCE(sat) — IC
–100
Collector current IC (mA)
–140
Ta=25˚C
–0.9mA
–0.8mA
–120
–0.7mA
–0.6mA
–100
–0.5mA
–80
–0.4mA
–60
–0.3mA
–40
–0.2mA
–20
–0.1mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
IC/IB=10
–30
–10
–3
–1
–0.3
Ta=75˚C
25˚C
–0.1
–0.03
–25˚C
–0.01
–0.1 –0.3
Collector to emitter voltage VCE (V)
–10
–10000
–30
Ta=75˚C
200
25˚C
–25˚C
100
0
–1
–100
–3
3
2
–10
–30
–100 –300 –1000
Collector current IC (mA)
VIN — IO
–100
VO=–5V
Ta=25˚C
–3000
–30
–1000
–10
Input voltage VIN (V)
Output current IO (µA)
Collector output capacitance Cob (pF)
4
–300
–100
–30
–10
VO=–0.2V
Ta=25˚C
–3
–1
–0.3
–0.1
1
–3
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
Collector to base voltage VCB (V)
4
–3
300
IO — VIN
f=1MHz
IE=0
Ta=25˚C
5
–1
VCE=–10V
Collector current IC (mA)
Cob — VCB
6
hFE — IC
400
Forward current transfer ratio hFE
IB=–1.0mA
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) (V)
–160
–1
–0.4
–0.03
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
Input voltage VIN (V)
–1.4
–0.01
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
Output current IO (mA)
–100
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」
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たは、
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(2)
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工業所有
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(3)
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通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
—
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ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
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弊社営業窓口までご相談願います。
(4)
本資料に掲載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
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したがって、
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ご使用に際しましては、
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(5)
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特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
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2001 MAR