複合トランジスタ XN04316 (XN4316) シリコン NPN エピタキシャルプレーナ形 (Tr1 部) シリコン PNP エピタキシャルプレーナ形 (Tr2 部) Unit: mm 2.90+0.20 –0.05 1.9±0.1 (0.95) (0.95) 3 2 1 0.30+0.10 –0.05 0.50+0.10 –0.05 ■ 使用素子基本形名 1.1+0.2 –0.1 10° UNR1216 (UN1216) + UNR1116 (UN1116) ■ 絶対最大定格 0 to 0.1 ● (Ta=25˚C) 項目 Tr1 記号 定格 単位 コレクタ・ベース電圧 VCBO 50 V コレクタ・エミッタ電圧 VCEO 50 V IC 100 mA コレクタ・ベース電圧 VCBO –50 V コレクタ・エミッタ電圧 VCEO –50 V コレクタ電流 IC –100 mA 全損失 PT 300 mW コレクタ電流 Tr2 総合 接合部温度 保存温度 2.8+0.2 –0.3 1.50+0.25 –0.05 1 パッケージに 2 素子内蔵。(抵抗内蔵トランジスタ) 実装面積とアセンブリコストの半減が可能。 6 5° ● 5 1.1+0.3 –0.1 ● 4 (0.65) ■ 特 長 0.16+0.10 –0.06 0.4±0.2 スイッチング用 / デジタル回路用 1 : Collector (Tr1) 2 : Base (Tr2) 3 : Emitter (Tr2) 形名表示記号:7U 内部接続図 6 Tj 150 ˚C Tstg –55 ~ +150 ˚C 4 : Collector (Tr2) 5 : Base (Tr1) 6 : Emitter (Tr1) Mini6-G1 Package Tr1 5 4 1 2 Tr2 3 注) ( )内は , 従来品番です 1 複合トランジスタ ■ 電気的特性 ● XN04316 (Ta=25˚C) Tr1 部 項目 記号 最小 VCBO IC = 10µA, IE = 0 50 コレクタ・エミッタ電圧 VCEO IC = 2mA, IB = 0 50 ICBO VCB = 50V, IE = 0 コレクタしゃ断電流 標準 最大 単位 V V 0.1 µA ICEO VCE = 50V, IB = 0 0.5 µA エミッタしゃ断電流 IEBO VEB = 6V, IC = 0 0.01 mA 直流電流増幅率 hFE VCE = 10V, IC = 5mA コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) IC = 10mA, IB = 0.3mA 出力電圧ハイレベル VOH VCC = 5V, VB = 0.5V, RL = 1kΩ 出力電圧ローレベル VOL VCC = 5V, VB = 2.5V, RL = 1kΩ トランジション周波数 fT VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz 入力抵抗 R1 ● 160 460 0.25 V 0.2 V 4.9 V 150 MHz –30% 4.7 +30% kΩ 最小 標準 最大 単位 Tr2 部 項目 記号 条件 コレクタ・ベース電圧 VCBO IC = –10µA, IE = 0 –50 コレクタ・エミッタ電圧 VCEO IC = –2mA, IB = 0 –50 ICBO VCB = –50V, IE = 0 コレクタしゃ断電流 2 条件 コレクタ・ベース電圧 V V – 0.1 µA ICEO VCE = –50V, IB = 0 – 0.5 µA エミッタしゃ断電流 IEBO VEB = –6V, IC = 0 – 0.01 mA 直流電流増幅率 hFE VCE = –10V, IC = –5mA コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) IC = –10mA, IB = – 0.3mA 出力電圧ハイレベル VOH VCC = –5V, VB = – 0.5V, RL = 1kΩ 出力電圧ローレベル VOL VCC = –5V, VB = –2.5V, RL = 1kΩ トランジション周波数 fT VCB = –10V, IE = 1mA, f = 200MHz 入力抵抗 R1 160 460 – 0.25 –4.9 V – 0.2 80 –30% V 4.7 V MHz +30% kΩ Composite Transistors XN04316 Common characteristics chart PT — Ta Total power dissipation PT (mW) 500 400 300 200 100 0 0 40 80 120 160 Ambient temperature Ta (˚C) Characteristics charts of Tr1 IC — VCE VCE(sat) — IC 100 Collector current IC (mA) IB=1.0mA 0.9mA 0.8mA 0.7mA 0.6mA 120 100 0.5mA 0.4mA 80 0.3mA 60 0.2mA 40 20 0.1mA 0 2 4 6 8 10 12 IC/IB=10 30 10 3 1 0.3 Ta=75˚C 25˚C 0.1 0.03 0.01 0.1 0 25˚C 250 –25˚C 200 150 100 50 0 0.3 1 3 10 30 100 1 3 4 3 2 30 100 300 1000 VIN — IO 100 VO=5V Ta=25˚C 3000 30 1000 10 Input voltage VIN (V) f=1MHz IE=0 Ta=25˚C 10 Collector current IC (mA) IO — VIN 10000 Output current IO (µA) Collector output capacitance Cob (pF) Ta=75˚C 300 –25˚C Cob — VCB 5 VCE=10V 350 Collector current IC (mA) Collector to emitter voltage VCE (V) 6 hFE — IC 400 Forward current transfer ratio hFE Ta=25˚C 140 Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) (V) 160 300 100 30 10 VO=0.2V Ta=25˚C 3 1 0.3 0.1 1 0.03 3 0 0.1 0.3 1 3 10 Collector to base voltage 30 100 VCB (V) 1 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 Input voltage VIN (V) 1.4 0.01 0.1 0.3 1 3 10 30 100 Output current IO (mA) 3 Composite Transistors XN04316 Characteristics charts of Tr2 IC — VCE VCE(sat) — IC –100 Collector current IC (mA) –140 Ta=25˚C –0.9mA –0.8mA –120 –0.7mA –0.6mA –100 –0.5mA –80 –0.4mA –60 –0.3mA –40 –0.2mA –20 –0.1mA 0 0 –2 –4 –6 –8 –10 –12 IC/IB=10 –30 –10 –3 –1 –0.3 Ta=75˚C 25˚C –0.1 –0.03 –25˚C –0.01 –0.1 –0.3 Collector to emitter voltage VCE (V) –10 –10000 –30 Ta=75˚C 200 25˚C –25˚C 100 0 –1 –100 –3 3 2 –10 –30 –100 –300 –1000 Collector current IC (mA) VIN — IO –100 VO=–5V Ta=25˚C –3000 –30 –1000 –10 Input voltage VIN (V) Output current IO (µA) Collector output capacitance Cob (pF) 4 –300 –100 –30 –10 VO=–0.2V Ta=25˚C –3 –1 –0.3 –0.1 1 –3 0 –0.1 –0.3 –1 –3 –10 –30 –100 Collector to base voltage VCB (V) 4 –3 300 IO — VIN f=1MHz IE=0 Ta=25˚C 5 –1 VCE=–10V Collector current IC (mA) Cob — VCB 6 hFE — IC 400 Forward current transfer ratio hFE IB=–1.0mA Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) (V) –160 –1 –0.4 –0.03 –0.6 –0.8 –1.0 –1.2 Input voltage VIN (V) –1.4 –0.01 –0.1 –0.3 –1 –3 –10 –30 Output current IO (mA) –100 本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本資料に記載の製品および技術で、 「外国為替及び外国貿易法」 に該当するものを輸出する時、 ま たは、 国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。 (2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、 工業所有 権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。 (3) 本資料に記載されている製品は、 標準用途 — 一般電子機器(事務機器、 通信機器、 計測機器、 家電 製品など)に使用されることを意図しております。 特別な品質、 信頼性が要求され、 その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、 人体に危害を及ぼす — 恐れのある用途 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、 事前に 弊社営業窓口までご相談願います。 (4) 本資料に掲載しております製品および製品仕様は、 改良などのために予告なく変更する場合があ りますのでご了承ください。 したがって、 最終的な設計、 ご購入、 ご使用に際しましては、 事前に最新 の製品規格書または仕様書をお求め願い、 ご確認ください。 (5) 設計に際して、 特に最大定格、 動作電源電圧範囲、 放熱特性については保証範囲内でご使用いただ きますようお願い致します。 保証値を超えてご使用された場合、 その後に発生した機器の欠陥につ いては弊社として責任を負いません。 また、 保証値内のご使用であっても、 弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな いような冗長設計をお願いします。 (6) 防湿包装を必要とする製品につきましては、 個々の仕様書取り交わしの折、 取り決めた条件 (保存 期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。 (7) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、 転載または複製することを堅くお断り いたします。 本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項 A. 本資料は、 お客様のご用途に応じた適切な松下半導体製品を購入いただくためのご紹介資料です。 記載されている販売可能な品種および技術情報等は、 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