ETC XP05534

複合トランジスタ
XP05534
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
2.1±0.1
0.425 1.25±0.1 0.425
2.0±0.1
0.65 0.65
■ 特 長
1
6
2
5
3
4
0.9±0.1
0 to 0.1
• 2SC2404 × 2素子
0.7±0.1
■ 使用素子基本形名
0.12 +0.05
–0.02
0.2
• トランジション周波数 fT が高い
• 1 パッケージに 2 素子内蔵(独立タイプ)
• 実装面積とアセンブリコストの半減が可能
■ 絶対最大定格 Ta=25°C
項目
記号
定格
コレクタ・ベース電圧
VCBO
30
単位
V
1 : Emitter (Tr1)
2 : Base (Tr1)
3 : Base (Tr2)
EIAJ : SC-88
素子の
コレクタ・エミッタ電圧
VCEO
20
V
定格
エミッタ・ベース電圧
VEBO
3
V
コレクタ電流
IC
15
mA
全損失
PT
150
mW
Tj
150
°C
Tstg
−55 ∼ +150
°C
総合
0.2±0.05
Unit: mm
高周波増幅用
接合部温度
保存温度
0.2±0.1
4 : Collector (Tr2)
5 : Emitter (Tr2)
6 : Collector (Tr1)
S Mini Type Package (6-pin)
形名表示記号 : IS
内部接続図
Tr1
1
2
6
5
3
Tr2
4
■ 電気的特性 Ta=25±3°C
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
コレクタ・ベース電圧
VCBO
IC=10µA, IE=0
30
V
エミッタ・ベース電圧
VEBO
IE=10µA, IC=0
3
V
40
直流電流増幅率
hFE
VCB=6V, −IE=1mA
ベース・エミッタ電圧
VBE
VCB=6V, −IE=1mA
帰還容量
Cre
VCB=6V, −IE=1mA, f=10.7MHz
トランジション周波数
fT
VCB=6V, −IE=1mA, f=100MHz
雑音指数
NF
VCB=6V, −IE=1mA, f=100MHz
3.3
dB
電力利得
PG
VCB=6V, −IE=1mA, f=100MHz
24
dB
720
0.8
450
650
mV
1
pF
MHz
1
複合トランジスタ
XP05534
PT  Ta
IC  IB
IC  VCE
250
12
12
VCE=6V
Ta=25°C
Ta=25°C
コレクタ電流 IC (mA)
100
80µA
8
60µA
6
40µA
4
50
20µA
2
20
40
60
80 100 120 140 160
周囲温度
4
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) (V)
−25°C
20
15
10
5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.3
0.3
1
3
10
30
0
0.1
100
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ帰還容量 Cre (pF)
200
−30
エミッタ電流 IE (mA)
2
60
−25°C
0.3
−100
10
30
100
Cob  VCB
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.1
3
1.2
IC=1mA
f=10.7MHz
Ta=25°C
2.0
1
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ出力容量 Cob (pF)
トランジション周波数 fT (MHz)
400
−10
120
Ta=75°C
25°C
0.1
25°C
−25°C
Cre  VCE
600
−3
Ta=75°C
180
1
VCB=6V
Ta=25°C
−1
VCE=6V
240
3
2.4
800
160
300
fT  IE
1000
120
hFE  IC
10
0.01
0.1
1200
80
360
30
ベース・エミッタ電圧 VBE (V)
0
−0.1 −0.3
40
ベース電流 IB (µA)
IC/IB=10
0.03
0
0
16
VCE(sat)  IC
VCE=6V
Ta=75°C
12
100
25°C
25
8
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
IC  VBE
30
4
0
0
Ta (°C)
6
2
0
0
8
直流電流増幅率 hFE
全損失 PT (mW)
150
10
コレクタ電流 IC (mA)
10
200
0
IB=100µA
IE=0
f=1MHz
Ta=25°C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.3
1
3
10
30
100
コレクタ・エミッタ電圧 VCE (V)
0
5
10
15
20
25
30
コレクタ・ベース電圧 VCB (V)
複合トランジスタ
XP05534
PG  IE
VCE=10V
25
6V
20
15
8
6
VCE=6V, 10V
4
yie=gie+jbie
VCE=10V
18
入力サセプタンス bie (mS)
10
雑音指数 NF (dB)
電力利得 PG (dB)
30
20
f=100MHz
Rg=50k
Ta=25°C
10
2
5
150
−4mA
−7mA
16
100
−2mA
14
100
12
58
−1mA
11
IE=−0.5mA
12
f=100MHz
Rg=50Ω
Ta=25°C
35
bie  gie
NF  IE
40
10
8
58
25
4
25
2
f=10.7MHz
−3
−10
−30
−100
エミッタ電流 IE (mA)
−1
順方向伝達サセプタンス bfe (mS)
逆方向伝達サセプタンス bre (mS)
yre=gre+jbre
VCE=10V
−1
−4mA
−1mA
58
IE=−7mA
−4
100
−5
−0.3
−0.2
0
3
−0.4mA
−1mA
−20
150
−40
−0.1
0
−2mA
150 −4mA 100
58
100
−80
逆方向伝達コンダクタンス gre (mS)
1.0
12
15
150
−2mA
−4mA
0.8
100
−7mA
0.6
58
0.4
25
0.2
yfe=gfe+jbfe
VCE=10V
−120
9
boe  goe
1.2
100
−60 f=150MHz
IE=−7mA
6
入力コンダクタンス gie (mS)
−100
−0.4
0
−100
10.7
58
f=150MHz
−6
−0.5
−30
bfe  gfe
0
10.7
25
−3
−10
エミッタ電流 IE (mA)
bre  gre
0
−2
−3
IE=− 0.5mA
−1mA
−1
0
−0.1 −0.3
出力サセプタンス boe (mS)
0
−0.1 −0.3
yoe=goe+jboe
VCE=10V
f=10.7MHz
0
0
20
40
60
80
100
順方向伝達コンダクタンス gfe (mS)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
出力コンダクタンス goe (mS)
3
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」
に該当するものを輸出する時、
ま
たは、
国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
工業所有
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。
(3)
本資料に記載されている製品は、
標準用途 — 一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、
人体に危害を及ぼす
—
恐れのある用途
特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)に
ご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
(4)
本資料に掲載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご使用に際しましては、
事前に最新
の製品規格書または仕様書をお求め願い、
ご確認ください。
(5)
設計に際して、
特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が各種法令に抵触しな
いような冗長設計をお願いします。
(6)
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個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
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転載または複製することを堅くお断り
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2001 MAR