ETC XN0431L(XN431L)

複合トランジスタ
XN0431L (XN431L)
シリコンNPN エピタキシャルプレーナ形(Tr1 部)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形(Tr2部)
Unit : mm
2.90+0.20
–0.05
1.9±0.1
0.95 0.95
6
• 1 パッケージに 2 素子内蔵(抵抗内蔵トランジスタ)
• 実装面積とアセンブリコストの半減が可能
■ 基本品種
2
1
0.65±0.15
3
0.30+0.10
–0.05
• UNR221L (UN221L) + UNR211L (UN211L)
0.4±0.2
5
1.50+0.25
–0.05
4
5°
■ 特 長
0.16+0.10
–0.06
2.8+0.2
–0.3
スイッチング用 / デジタル回路用
0.50+0.10
–0.05
記号
定格
単位
コレクタ・ベース間電圧
(E 開放時)
VCBO
50
V
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
VCEO
50
V
IC
100
mA
コレクタ・ベース間電圧
(E 開放時)
VCBO
−50
V
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
VCEO
−50
V
コレクタ電流
IC
−100
mA
全許容損失
PT
300
mW
接合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
コレクタ電流
Tr2
総合
0 to 0.1
項目
Tr1
1.1+0.2
–0.1
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
1 : Collector (Tr1)
2 : Base (Tr2)
3 : Emitter (Tr2)
EIAJ : SC-74
1.1+0.3
–0.1
10°
4 : Collector (Tr2)
5 : Base (Tr1)
6 : Emitter (Tr1)
Mini6-G1 Package
形名表示記号 : FI
内部接続図
4
5
6
Tr2
Tr1
3
2
1
注) 形名の( )内は , 従来品番です
発行年月 : 2003年12月
SJJ00066BJD
1
XN0431L
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
• Tr1部
項目
記号
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
IC = 10 µA, IE = 0
50
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
IC = 2 mA, IB = 0
50
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
0.1
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時)
ICEO
VCE = 50 V, IB = 0
0.5
µA
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時)
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
2.0
mA
hFE
VCE = 10 V, IC = 5 mA
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(sat)
条件
最小
標準
VOH
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 1 kΩ
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = 5 V, VB = 2.5 V, RL = 1 kΩ
単位
V
V
µA

20
IC = 10 mA, IB = 0.3 mA
出力電圧ハイレベル
最大
0.25
V
0.2
V
4.9
V
入力抵抗
R1
−30%
4.7
+30%
kΩ
抵抗比率
R1 / R 2
0.8
1.0
1.2

トランジション周波数
fT
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz
150
MHz
注 ) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
• Tr2部
項目
記号
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
IC = −10 µA, IE = 0
−50
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
IC = −2 mA, IB = 0
−50
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = −50 V, IE = 0
− 0.1
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時)
ICEO
VCE = −50 V, IB = 0
− 0.5
µA
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時)
IEBO
VEB = −6 V, IC = 0
−2.0
mA
hFE
VCE = −10 V, IC = −5 mA
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(sat)
条件
標準
出力電圧ハイレベル
VOH
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ
最大
単位
V
V
µA

20
IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA
− 0.25
V
− 0.2
V
−4.9
V
入力抵抗
R1
−30%
4.7
+30%
kΩ
抵抗比率
R1 / R 2
0.8
1.0
1.2

トランジション周波数
fT
VCB = −10 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz
注 ) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
共通特性図
PT  Ta
500
全許容損失 PT (mW)
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
周囲温度 Ta (°C)
2
最小
SJJ00066BJD
150
MHz
XN0431L
Tr1 部特性図
VCE(sat)  IC
コレクタ電流 IC (mA)
200
160
IB = 1.0 mA
0.8 mA
120
0.6 mA
80
0.4 mA
40
0.2 mA
0
0
2
4
6
8
10
100
IC / IB = 10
200
1
Ta = 75°C
25°C
0.1
0.01
12
1
100
1 000
コレクタ電流 IC (mA)
25°C
120
−25°C
80
0
1
10
100
1 000
コレクタ電流 IC (mA)
VIN  IO
100
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
10
Ta = 75°C
160
40
−25°C
Cob  VCB
5
VCE = 10 V
10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
240
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
240
4
3
2
1
0.1
1
0
1
10
100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
0.01
0.1
1
10
100
出力電流 IO (mA)
SJJ00066BJD
3
XN0431L
Tr2 部特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
−100
コレクタ電流 IC (mA)
−200
−160
IB = −1.0 mA
−120
− 0.8 mA
− 0.6 mA
−80
− 0.4 mA
−40
− 0.2 mA
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
−1
3
2
−10
−100
−1 000
−100
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−1
− 0.1
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
120
80
Ta = 75°C
25°C
−25°C
− 0.01
− 0.1
−1
−10
出力電流 IO (mA)
SJJ00066BJD
0
−1
−10
−100
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
1
−10
160
40
− 0.01
−1
入力電圧 VIN (V)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
−25°C
− 0.1
−10
4
0
−1
4
Ta = 75°C
25°C
VIN  IO
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
VCE = −10 V
200
Cob  VCB
5
IC / IB = 10
−10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
240
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−240
−100
−1 000
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(1)
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「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸
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事
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だきますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
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ドをご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを
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延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます
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(7)
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(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断
り致します。
2003 SEP