複合トランジスタ XN05531 (XN5531) シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形 Unit : mm 2.90+0.20 –0.05 1.9±0.1 (0.95) (0.95) 6 • 1 パッケージに 2 素子内蔵 • 実装面積とアセンブリコストの半減が可能 2 1 (0.65) 3 0.30+0.10 –0.05 0.50+0.10 –0.05 ■ 基本品種 0.4±0.2 1.50+0.25 –0.05 5 2.8+0.2 –0.3 4 ■ 特 長 0.16+0.10 –0.06 5˚ 高周波・発振・混合用 1.1+0.2 –0.1 項目 記号 定格 単位 コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO 15 V コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) VCEO 10 V エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) VEBO 3 V コレクタ電流 IC 50 mA 全許容損失 PT 200 mW 接合温度 Tj 150 °C 保存温度 Tstg −55 ∼ +150 °C 0 to 0.1 ■ 絶対最大定格 Ta = 25°C 1.1+0.3 –0.1 10˚ • 2SC3130 × 2 1 : Collector (Tr1) 2 : Emitter (Tr2) 3 : Collector (Tr2) EIAJ : SC-74 4 : Base (Tr2) 5 : Base (Tr1) 6 : Emitter (Tr1) Mini6-G1 Package 形名表示記号 : 5M 内部接続図 4 5 Tr2 3 ■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C 2 項目 記号 VCEO IC = 2 mA, IB = 0 10 エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) VEBO IE = 10 µA, IC = 0 3 コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO VCB = 10 V, IE = 0 コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時) ICEO VCE = 10 V, IB = 0 直流電流増幅率 hFE VCE = 4 V, IC = 5 mA 75 200 VCE = 4 V, IC = 5 mA 0.50 0.99 hFE2 : VCE = 4 V, IC = 100 µA 0.75 hFE(Small/ Large) 最小 Tr1 コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) 直流電流増幅率比 条件 6 標準 1 最大 単位 V V 1 µA 10 µA 400 *1 ∆hFE *2 1.60 hFE1 : VCE = 4 V, IC = 5 mA コレクタ・エミッタ間飽和電圧 トランジション周波数 VCE(sat) fT IC = 20 mA, IB = 4 mA VCB = 4 V, IE = −5 mA, f = 200 MHz 1.4 1.9 0.5 V 2.5 GHz コレクタ出力容量(入力開放時) Cob VCB = 4 V, IE = 0, f = 1 MHz 0.9 1.1 pF 帰還容量( ベース接地) Crb VCB = 4 V, IE = 0, f = 1 MHz 0.25 0.35 pF VCB = 4 V, IE = −5 mA, f = 30 MHz 11.8 13.5 ps コレクタ・ベース間時定数 rbb' • CC 注 ) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。 2. *1 : 2 素子間比 *2 : ∆hFE = hFE2 / hFE1 発行年月 : 2004年2月 SJJ00090BJD 注 ) 形名の( )内は，従来品番です 1 XN05531 PT Ta IC VCE IC VBE 80 240 60 Ta = 25°C 160 120 80 60 IB = 500 µA 400 µA 40 300 µA 200 µA 20 100 µA 40 0 0 40 80 120 160 0 VCE(sat) IC 6 10 1 Ta = 75°C 25°C −25°C 1 10 25°C 180 −25°C 120 60 100 0 0.1 1 IE = 0 f = 1 MHz Ta = 25°C 1.2 0.8 0.4 10 10 コレクタ電流 IC (mA) Cob VCB 100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) SJJ00090BJD 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 fT I E Ta = 75°C 240 1.6 1 0 ベース・エミッタ間電圧 VBE (V) 4 300 0.01 0.1 0 12 VCE = 4 V 10 0.1 20 hFE IC コレクタ電流 IC (mA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 8 360 IC / IB = 10 直流電流増幅率 hFE コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) 4 −25°C 30 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 周囲温度 Ta (°C) 100 2 Ta = 75°C 40 10 トランジション周波数 fT (GHz) 0 2 コレクタ電流 IC (mA) 50 コレクタ電流 IC (mA) 全許容損失 PT (mW) 200 0 VCE = 4 V 25°C 100 VCB = 4 V Ta = 25°C 3 2 1 0 − 0.1 −1 −10 エミッタ電流 IE (mA) −100 本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本資料に記載の製品および技術情報のうちで、 「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸 出する時、または、 国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。 (2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、 弊社も しくは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあ りません。 (3) 上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、 当社はそ の責を負うものではありません。 (4) 本資料に記載されている製品は、標準用途 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家 電製品など)に使用されることを意図しております。 特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ す恐れのある用途 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など ) にご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、 事 前に弊社営業窓口までご相談願います。 (5) 本資料に記載しております製品および製品仕様は、 改良などのために予告なく変更する場合が ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、 事前に 最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。 (6) 設計に際して、特に最大定格、 動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた だきますようお願い致します。 保証値を超えてご使用された場合、 その後に発生した機器の欠陥に ついては弊社として責任を負いません。 また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー ドをご考慮の上、 弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを 生じさせない冗長設計、 延焼対策設計、 誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます ようお願い致します。 (7) 防湿包装を必要とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保 存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。 (8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断 り致します。 2003 SEP