ETC TM1630

深圳市天微电子有限公司
地址:深圳市南山区高新技术产业园北区紫光信息港A栋10层
原厂销售总部:手机18682063283 QQ:709072958 E-mail: [email protected]
LED 驱动控制专用电路
TM1630
一、 概述
TM1630 是一种带键盘扫描接口的LED(发光二极管显示器)驱动控制专用电路,内
部集成有MCU 数字接口、数据锁存器、LED 高压驱动、键盘扫描等电路。本产品性能优
良,质量可靠。主要应用于VCR、VCD、DVD 及家庭影院等产品的显示屏驱动。采用DIP18
的封装形式。
二、 特性说明
•
•
•
•
•
•
•
•
采用功率CMOS 工艺
多种显示模式(7 段×5 位 ~ 8段×4 位)
键扫描(7×1bit)
辉度调节电路(占空比8 级可调)
串行接口(CLK,STB,DIO)
振荡方式:内置RC 振荡(450KHz+5%)
内置上电复位电路
封装形式:DIP18
三、 管脚定义:
1
2
3
4
5
6
7
8
9
DIO
GRID1
CLK
GRID2
STB
GND
TM1618A
TM1630
K2
GRID3
VDD
GRID4
SEG2/KS2
SEG14/GRID5
SEG3/KS3
SEG8/KS8
SEG4/KS4
SEG7/KS7
SEG5/KS5
SEG6/KS6
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18
17
16
15
14
13
12
11
10
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LED 驱动控制专用电路
TM1630
四、管脚功能定义:
符号
管脚名称
说明
DIO
数据输入/输出
在时钟上升沿输入/输出串行数据,从低位开始;
STB
片选
在上升或下降沿初始化串行接口,随后等待接收指
令。STB 为低后的第一个字节作为指令,当处理指
令时,当前其它处理被终止。当STB 为高时,CLK 被
忽略
CLK
时钟输入
K2
键扫数据输入
SEG2/KS2~
SEG8/KS8
输出(段)
段输出(也用作键扫描),p管开漏输出
GRID1~ GRID4
输出(位)
位输出,N管开漏输出
SEG14/GRID5
输出(段/位)
VDD
逻辑电源
5V±10%
GND
逻辑地
接系统地
在时钟上升沿输入/输出串行数据
输入该脚的数据在显示周期结束后被
锁存
段/位复用输出
▲ 注意:DIO口输出数据时为N管开漏输出,在读键的时候需要外接1K-10K的上拉电阻。本公司推
荐10K的上拉电阻。DIO在时钟的下降沿控制N管的动作,此时读数时不稳定,可以参考图(6),
在时钟的上升沿读数才时稳定。
VCC
芯片内部 电路
10K
DIO
CT
GND
图(1)
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五、 显示寄存器地址和显示模式:
该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到TM1630的数据,地址从00H-09H共10字节单元,
分别与芯片SGE和GRID管脚所接的LED灯对应,分配如下图:
写LED显示数据的时候,按照从显示地址从低位到高位,从数据字节的低位到高位操作。
1
G
E
S
2
G
E
S
3
G
E
S
4
G
E
S
5
G
E
S
B3
xxHU(高四位)
B4
00HL
02HL
04HL
06HL
08HL
B5
B6
X
X
X
X
xxHL(低四位)
B7
B0
00HU
02HU
04HU
06HU
08HU
B1
B2
4
1
G
E
S
B2
SEG8
B1
SEG7
B0
SEG6
xxHL(低四位)
X
X
X
xxHU(高四位)
B3
B4
01HL
03HL
05HL
07HL
09HL
B5
B6
01HU
03HU
05HU
07HU
09HU
B7
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
图(2)
六、 键扫描和键扫数据寄存器:
键扫描为7×1bit,如下所示:
KS2
KS3
KS4
KS5
K2
KS6
KS7
KS8
图(3)
键扫数据储存地址如下所示,先发读键命令后,开始读取按键数据BYTE1—BYTE4字节,读数据
从低位开始输出,其中B0,B2,B3,B5,B6,B7位为无效位,此时芯片输出为0。芯片K和KS引脚对应的
按键按下时,相对应的字节内的 BIT位为1。
B0
0
0
0
0
B1
K2
0
KS3
KS5
KS7
B2
B3
0
0
0
0
0
0
0
0
B4
K2
KS2
KS4
KS6
KS8
B5
B6
B7
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
BYTE1
BYTE2
BYTE3
BYTE4
图(4)
▲注意:1、TM1630最多可以读4个字节,不允许多读。
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2、读数据字节只能按顺序从BYTE1-BYTE4读取,不可跨字节读。例如:硬件上的K2与KS8
对应按键按下时,此时想要读到此按键数据,必须需要读到第4个字节的第4BIT位,才可读出数据。
七、 指令说明:
指令用来设置显示模式和LED 驱动器的状态。
在STB下降沿后由DIO输入的第一个字节作为一条指令。经过译码,取最高B7、B6两位比特位以
区别不同的指令。
B7
0
0
1
1
B6
0
1
0
1
指令
显示模式设置
数据命令设置
显示控制命令设置
地址命令设置
如果在指令或数据传输时STB被置为高电平,串行通讯被初始化,并且正在传送的指令或数据
无效(之前传送的指令或数据保持有效)。
(1) 显示模式设置:
MSB
LSB
B7
B6
0
0
0
0
B5
B4
B3
B2
无关项,填 0
B1
B0
显示模式
0
0
0
1
4位8段
5位7段
该指令用来设置选择段和位的个数(4~5 位,7~8 段)。当指令执行时,显示被强制关闭。
要送显示控制命令开显示,原先显示的数据内容不会被改变,但当相同模式被设置时,则上述情况
并不发生。
(2) 数据设置:
MSB
LSB
B7
B6
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
B5
B4
B3
无关项,
填0
B2
0
1
0
1
B1
B0
功能
说明
0
1
0
0
数据读写模式
设置
地址增加模式
设置
测试模式设置
(内部使用)
写数据到显示寄存器
读键扫数据
自动地址增加
固定地址
普通模式
测试模式
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(3) 地址命令设设置:
MSB
LSB
B7
B6
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
B5
B4
B3
B2
B1
B0
显示地址
无关项,
填0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
00H
01H
02H
03H
04H
05H
06H
07H
08H
09H
该指令用来设置显示寄存器的地址。如果地址设为0AH 或更高,数据被忽略,直到有效地
址被设定。上电时,地址默认设为00H。
(4)显示控制:
MSB
LSB
B7
B6
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
B5
B4
B3
无关项,
填0
B2
B1
B0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
功能
说明
消光数量设置
显示开关设置
设置脉冲宽度为 1/16
设置脉冲宽度为 2/16
设置脉冲宽度为 4/16
设置脉冲宽度为 10/16
设置脉冲宽度为 11/16
设置脉冲宽度为 12/16
设置脉冲宽度为 13/16
设置脉冲宽度为 14/16
显示关
显示开
八、串行数据传输格式:
读取和接收1个BIT都在时钟的上升沿操作。
数据接收(写数据)
CLK
1
2
3
4
5
6
7
8
DIO
B0
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
STB
图(5)
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数据读取(读数据)
CLK
1
2
``````
8
DIO
B0
B1
``````
B7
B0
B1
B2
B3
STB
送读按键命 令
Twait
读取按键数 据
图(6)
▲注意:读取数据时,从串行时钟CLK 的第8 个上升沿开始设置指令到CLK 下降沿读数据之间需要
一个等待时间Twait(最小1μS)。
九、 显示和键扫:
(1) 显示:
驱动共阴数码管:
如下图所示:
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
1
SEG2
1
SEG3
A DPY
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
SEG4
1
SEG5
GRD1
1
SEG6
SEG7
1
GRD1
SEG8
SEG7
SEG8
1
1
图(7)
图7给出共阴数码管的连接示意图,如果让该数码管显示“0”,那你需要在GRID1为低电平
的时候让SEG2,SEG3,SEG4,SEG5,SEG6,SEG7为高电平,SEG8为低电平,由图(9)我们可以看出
当GRID1为低电平的时候,GRID2-GRID5是为高电平的,
结合图(1),你不难看出只需要在00H地址单元里面写数据3FH就可以了。
SEG14
0
B7
SEG8
0
B6
SEG7
1
B5
SEG6
1
B4
SEG5
1
B3
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SEG4
1
B2
SEG3
1
B1
SEG2
1
B0
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00H
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(2)键盘扫描:
一般情况下我们使用图(11)可以满足按键的设计要求:
S1
SEG4
SEG3
SEG2
SEG8
S0
S2
S3
K2
S4
S5
S6
SEG7
SEG6
SEG5
图(11)
当S1被按下的时候,在第1个字节的B0读到“1”。如果多个按键被按下,将会读到多个“1”
,
当S2,S3被按下的时候,可以在第1个字节的B1,B3读到“1”
。
十、 应用时串行数据的传输:
(1) 地址增加模式
使用地址自动加1模式,设置地址实际上是设置传送的数据流存放的起始地址。起始地址命令
字发送完毕,“STB”不需要置高紧跟着传数据,最多14BYTE,数据传送完毕才将“STB”置高。
CLK
DIO
Command1
Command2
Command3
Data1
Data2
```````
Data n
Command4
STB
Command1: 设置显示模式
Command2: 设置数据命令
Command3: 设置显示地址
Data1~ n: 传输显示数据至Command3地址和后面的地址内(最多14 bytes)
Command4: 显示控制命令
(2) 固定地址模式
使用固定地址模式,设置地址其实际上是设置需要传送的1BYTE数据存放的地址。地址发送完
毕,“STB”不需要置高,紧跟着传1BYTE数据,数据传送完毕才将“STB”置高。然后重新设置第2
个数据需要存放的地址,最多14BYTE数据传送完毕,“STB”置高。
CLK
DIO
Command1
Command2
Command3
Data1
Command4
Data2
```````
Command5
STB
Command1: 设置显示模式
Command2: 设置数据命令
Command3: 设置显示地址1
Data1: 传输显示数据1至Command3地址内
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Command4: 设置显示地址2
Data2: 传输显示数据2至Command4地址内
Command5: 显示控制命令
(3)读按键时序
CLK
DIO
Command1
Data1
Data2
Data3
Data4
STB
Command1: 设置读按键命令
Data1~4: 读取按键数据
(4)程序设计流程图
采用地址自动加1的程序设计流程图:
开始
设置读键数据
命 令 ( 42H)
No
初始化
读 1BTYE内 容
设置显示模
式 ( 01H)
将按键值存放在
MCU的 寄 存 器 中
设置写显存的数据命令,
采 用 地 址 自 动 加 1( 40H)
读 完 4BYTE
吗?
设置起始地
址 ( 0C0H)
Yes
No
传送数据
有按键被按
下吗?
Yes
14BYTE数 据
传送完毕了
?
No
Yes
按键处理程
序
传显示控制命令设置
最 高 亮 度 ( 8FH)
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结束
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采用固定地址的程序设计流程图:
开始
传显示控制命令设置
最 高 亮 度 ( 8FH)
初始化
设置读键数据
命 令 ( 42H)
No
设置显示模
式 ( 01H)
读 1BTYE内
容
设置写显存的数据命令
采 用 固 定 地 址 ( 44H)
将按键值存放在
MCU的 寄 存 器 中
设置地址
( 0C0H)
读 完 4BYTE
吗?
传 送 1BYT
E数 据
Yes
重新设置地
址 ( 0C1H)
有按键被按
下吗?
Yes
传 送 1Byte
数据
按键处理程
序
……传 完 所
有的数据
No
结束
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十一.应用电路:
TM1630驱动共阴数码屏接线电路图(17):
▲注意:1、VDD、GND之间滤波电容在PCB板布线应尽量靠近TM1630芯片放置,加强滤波效果。
2、连接在DIO、CLK、STB通讯口上三个100P电容可以降低对通讯口的干扰。
3、因蓝光数码管的导通压降压约为3V,因此TM1630供电应选用5V。
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十二、 电气参数:
极限参数(Ta = 25℃, Vss = 0 V)
参数
符号
范围
单位
逻辑电源电压
VDD
-0.5 ~+7.0
V
逻辑输入电压
VI1
-0.5 ~ VDD + 0.5
V
LED Seg 驱动输出电流
IO1
-50
mA
LED Grid 驱动输出电流
IO2
+200
mA
功率损耗
PD
400
mW
工作温度
Topt
-40 ~ +80
℃
储存温度
Tstg
-65 ~+150
℃
正常工作范围(Ta = -20 ~ +70℃,Vss = 0 V)
参数
符号
最小
逻辑电源电压
VDD
高电平输入电压
VIH
0.7 VDD
-
低电平输入电压
VIL
0
-
单位
测试条
件
V
-
VDD
V
-
0.3 VDD
V
-
典型
最大
5
电气特性(Ta = -20 ~ +70℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V, Vss = 0 V
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
Ioh1
20
25
40
mA
Vo = vdd-2V
Ioh2
20
30
50
mA
Vo = vdd-3V
GRID引脚低电平输
入电流
IOL1
-80
-140
-
mA
Vo=0.3V
低电平输出电流
Idout
4
-
-
mA
VO = 0.4V,dout
SEG引脚高电平输出
电流
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高电平输出电流容
许量
Itolsg
输出下拉电阻
RL
输入电流
II
-
-
高电平输入电压
VIH
0.7
VDD
-
低电平输入电压
VIL
-
-
滞后电压
VH
-
动态电流损耗
IDDdyn
-
TM1630
%
VO = VDD – 3V,
Seg1~Seg11
KΩ
K1~K3
μA
VI = VDD / VSS
V
CLK,DIN,STB
0.3
VDD
V
CLK,DIN,STB
0.35
-
V
CLK,DIN,STB
-
5
mA
无负载,显示关
-
-
5
10
±1
开关特性(Ta = -20 ~ +70℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V)
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
振荡频率
fosc
-
500
-
KHz
R = 16.5 KΩ
tPLZ
-
-
300
ns
CLK → DOUT
tPZL
-
-
100
ns
CL = 15pF, RL = 10K Ω
TTZH 1
-
-
2
μs
传输延迟时间
Seg1~Seg11
CL =
300p F
上升时间
Grid1~Grid4
Seg12/Grid7~
Seg14/Grid5
TTZH
2
-
-
0.5
μs
下降时间
TTHZ
-
-
120
μs
CL = 300pF,Segn,
Gridn
最大时钟频率
Fmax
1
-
-
MHz
占空比50%
输入电容
CI
-
-
15
pF
-
时序特性(Ta = -20 ~ +70℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V)
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
时钟脉冲宽度
PWCLK
400
-
-
ns
-
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选通脉冲宽度
PWSTB
1
-
-
μs
-
数据建立时间
tSETUP
100
-
-
ns
-
数据保持时间
tHOLD
100
-
-
ns
-
CLK →STB 时间
tCLK
STB
1
-
-
μs
CLK↑→STB↑
等待时间
tWAIT
1
-
-
μs
CLK↑→CLK↓
时序波形图:
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十三、 IC 封装示意图:
 All specs and applications shown above subject to change without prior notice.
(以上电路及规格仅供参考,如本公司进行修正,恕不另行通知。)
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修订历史
版本
发行日期
修订简介
V1.0
2012-01-04
改版发行
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