ETC TM1641

深圳市天微电子有限公司
地址:深圳市南山区高新技术产业园北区紫光信息港A栋10层
原厂销售总部:手机18682063283 QQ:709072958 E-mail: [email protected]
L
ED恒流驱动专用电路
T
M1
6
41
一、概述
TM
1
64
1是一种带键盘扫描接口的恒流LE
(发光二极管显示器)
D
驱动控制专用电路,
内部集成有MC
U数字接口、数据锁存器、LE
D高压驱动、键盘扫描等电路。本产品性能
优良,质量可靠。主要应用于段码LED
产品的恒流显示屏驱动。采用SO
P3
2
的封装形式。
二、特性说明
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
采用功率C
MO
S工艺
多种显示模式(1
1段×7位 ~ 1
4段×4位)
SEG 恒流驱动最大电压值:VDD-1V
通道差最大+/-3%
芯片间最大+/-6%
键扫描(1
0×3)
辉度调节电路(软件8级恒流可调)
串行接口(C
L
K,ST
B
,D
IN
,DO
UT
)
5%
)
振荡方式:内置R
C振荡(4
50
K
Hz
+
内置上电复位电路
封装形式:S
O
P3
2
三、管脚定义:
S
O
P3
2
NC
1
32 GND
DOUT
2
31 GRID1
30 GRID2
DIN
3
SCLK
4
TM1641
29 GND
STB
5
(TOP VIEW)
K1
6
28 GRID3
27 GRID4
K2
7
26 GND
K3
8
25 VDD
VDD
9
24 SEG14/GRID5
SEG1/KS1
10
23 SEG13/GRID6
SEG2/KS2
11
22 SEG12/GRID7
SEG3/KS3
12
21 SEG11
NC
13
20
SEG4/KS4
14
19 SEG9/KS9
SEG5/KS5
15
18 SEG8/KS8
SEG6/KS6
16
17 SEG7/KS7
SEG10/KS10
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L
ED恒流驱动专用电路
T
M1
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四、管脚功能定义:
符号
管脚名称
管脚号
D
OU
T
数据输出
2
D
IN
数据输入
3
C
LK
时钟输入
4
说明
在时钟下降沿输出串行数据,从低位开
始。N
管开漏输出。如果D
IN
和D
OU
T使用
同一类电平,可以和D
IN
短接作D
IN
/
DO
U
T
复用。
在时钟上升沿输入串行数据,从低位开
始。如果D
IN
和D
O
U
T
使用同一类电平,可
以和D
OU
T短接作D
IN
/D
OU
T
复用。
在上升沿读取串行数据,下降沿输出数
据
在上升或下降沿初始化串行接口,随后
等待接收指令。S
TB为低后的第一个字
节作为指令,当处理指令时,当前其它
处理被终止。当S
TB为高时,C
LK被忽
略
S
TB
片选输入
5
NC
N
C
1、1
3
内部未连线
K
1
~K3
键扫数据输
入
6~8
输入该脚的数据在显示周期结束后被
锁存
S
GE
1
/K
S1
~
SE
G
8/
KS
8
输出(段)
1
0~12
1
4~18
段恒流输出(也用作键扫描),
p管开漏
输出
S
EG
9
~S
EG
11
输出(段)
19
-2
1
段恒流输出,P管开漏输出
G
R
ID
1~ G
RI
D4
输出(位)
2
7~32
位输出,N
管开漏输出
S
EG
12
/
DR
ID
7~
SE
G
14
/G
R
ID
5
输出(段/位)
2
2~24
段/
位复用输出,
只能选段或位输出
V
DD
逻辑电源
9、2
5
5V
±1
0%
G
ND
逻辑地
2
6
、2
9
、3
2 接系统地
▲ 注意:DOUT口输出数据时为N管开漏输出,在读键的时候需要外接1K-10K的上拉电阻,如图(1)
所示。本公司推荐1
0
K
的上拉电阻。D
OU
T
在时钟的下降沿控制N
管的动作,此时读数不稳定,可
以参考图(6
),在时钟的上升沿时读数才稳定。
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VCC
芯片内部电路
10K
DOUT
CT
GND
图(1
)
五、显示寄存器:
外部器件通过串行接口将数据传送到TM
1
6
4
1的显示寄存器,地址从00
H0
DH
共1
4
字节单元,分别
与芯片SE
G和G
R
ID
管脚所接的LE
D灯对应,分配如图(2
)所示。写LED显示数据的时候,按照显示地
址从低位到高位,从数据字节的低位到高位操作。
B0 B
1 B
2 B
3 B
4 B5 B6 B7 B0
0
0H
L
00
H
U
0
2H
L
02
H
U
0
4H
L
04
H
U
0
6H
L
06
H
U
0
8H
L
08
H
U
0
AH
L
0A
H
U
0
CH
L
0C
H
U
B1 B2
01
H
L
03
H
L
05
H
L
07
H
L
09
H
L
0B
H
L
0D
H
L
SE
G
14
xx
HL
(低四位)
SE
G
13
SE
G
12
SE
G
11
x
x
HU
(高四位)
SE
G
10
S
EG
9
S
EG
8
S
EG
7
S
EG
6
S
EG
5
S
EG
4
S
EG
3
S
EG
2
S
EG
1
x
x
HL
(低四位)
X
X
xx
H
U(高四位)
B
3
B
4
B5 B6 B
7
01
H
U
03
H
U
05
H
U
07
H
U
09
H
U
0B
H
U
0D
H
U
G
RI
D1
G
RI
D2
G
RI
D3
G
RI
D4
G
RI
D5
G
RI
D6
G
RI
D7
图(2
)
六、键扫描和键扫数据寄存器:
键扫矩阵为1
0×3b
it
,如图(
3
)
所示:
KS1
KS2
KS3
KS4
KS5
KS6
KS7
KS8
KS9
KS10
K1
K2
K3
图(3
)
键扫数据储存地址如图(4)所示。发读键命令后,开始依次读取按键数据BYTE1—BYTE5字节,
读数据从低位开始,其中B6和B7位为无效位,此时芯片输出为0。芯片K和KS引脚对应的按键按下
时,相对应的字节内的BIT为1。
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图(4)
K
1
B1
K2
K
S
1
K
S
3
K
S
5
K
S
7
K
S
9
B
2
K3
B
3
K
1
B
4
K
2
KS
2
KS
4
KS
6
KS
8
K
S
10
B5
K3
B
6
B
7
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
B
Y
TE
1
B
Y
TE
2
B
Y
TE
3
B
Y
TE
4
B
Y
TE
5
▲注意:1、T
M
1
6
41
最多可以读5
个字节,不允许多读。
2、读数据字节只能按顺序从B
YT
E
1
BY
TE
5
读取,不可跨字节读。例如:硬件上的K
2
与KS
10
对应按键按下时,此时想要读到此按键数据,必须需要读到第5
个字节的第4B
I
T位,才可读出数据;
当K
1与KS
10
,K
2与K
S1
0
,K3
与K
S1
0
三个按键同时按下时,此时B
Y
TE
5所读数据的B
3
,B
4
,B5
位均为1
(B
YT
E
5=#
3
8
H)。
3、组合键只能是同一个K
S,不同的K引脚才能做组合键;同一个K与不同的KS引脚不可以
做成组合键使用。
七、指令说明:
指令用来设置显示模式和L
ED驱动器的状态。
在ST
B下降沿后由D
IN
输入的第一个字节作为一条指令。经过译码,以最高两个比特位B
7
、B6
区
别不同的指令。
B
7
B
6
指令
0
0
1
1
0
1
0
1
显示模式设置命令
数据读写设置命令
显示控制命令
地址设置命令
如果在指令或数据传输时S
TB
被置为高电平,串行通讯被初始化,并且正在传送的指令或数据
无效(之前传送的指令或数据保持有效)。
(1) 显示模式设置命令:
M
SB
LS
B
B7
B6
0
0
0
0
0
0
0
0
B5
B4
B
3
无关项,填 0
B
2
B
1
B
0
显示模式
0
0
1
1
0
1
0
1
4位 1
4段
5位 1
3段
6位 1
2段
7位 1
1段
该指令用来设置选择段和位的个数(4~7位,1
1~1
4段)。该指令执行时,显示被强制关闭,
需要送显示控制命令才能开显示,原来显示的数据内容不会被改变。但当相同模式被设置时,则上
述情况并不发生。上电时,默认设置模式为 7位 1
1段。
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(2)数据读写设置命令:
M
S
B
B
7
LS
B
B6
B5
B4
B
3
B
2
B
1
B0
功能
0
1
0
0
数据读写模式
设置
0
1
1
0
0
1 无关项,
0
地址增加模式
填0
设置
0
1
1
0
1
0
测试模式设置
(内部使用)
1
0
1
该指令用来设置数据写和读,B
1
和B0
位不允许设置0
1
或1
1
。
说明
写数据到显示寄存器
读键扫数据
地址自动增加
固定地址
普通模式
测试模式
(3)地址设置命令:
MS
B
B7
L
S
B
B6
B
5
B
4
B
3
B
2
B1
B0
1
1
0
0
0
0
1
1
0
0
0
1
1
1
0
0
1
0
1
1
0
0
1
1
1
1
0
1
0
0
1
1
0
1
0
1
无关项,
1
1
0
1
1
0
填0
1
1
0
1
1
1
1
1
1
0
0
0
1
1
1
0
0
1
1
1
1
0
1
0
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
0
0
1
1
1
1
0
1
该指令用来设置显示寄存器的地址。
如果地址设为0
E
H或更高,数据被忽略,直到有效地址被设定。
上电时,地址默认设为0
0H
。
显示地址
00
H
01
H
02
H
03
H
04
H
05
H
06
H
07
H
08
H
09
H
0A
H
0B
H
0C
H
0D
H
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T
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(4) 显示控制命令:
M
S
B
LS
B
B
7
B6
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
B5
B4
B
3
无关项,
填0
B
2
B
1
B0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
功能
说明
设置恒流比为 1
/1
6
设置恒流比为 2
/1
6
设置恒流比为 4
/1
6
设置恒流比为 10
/
16
设置恒流比为 11
/
16
设置恒流比为 12
/
16
设置恒流比为 13
/
16
设置恒流比为 14
/
16
显示关
显示开
显示辉度设置
显示开关设置
八、串行数据传输格式:
读取和接收1
个BI
T
都在时钟的上升沿操作。
数据接收(写数据)
CLK
1
2
3
4
5
6
7
8
DIN
B0
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
STB
图(5
)
数据读取(读数据)
CLK
1
2
``````
8
DIN
B0
B1
``````
B7
DOUT
B0
B1
B2
B3
STB
送读按键命令
Twait
读取按键数据
图(6
)
▲注意:读取数据时,从串行时钟C
L
K的第8个上升沿开始设置指令到C
LK下降沿读数据之间需要
一个等待时间T
wa
it
(
最小1μS)
。
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ED恒流驱动专用电路
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九、显示和按键:
(1
) 显示:
1
、驱动共阴数码管:
SEG1
1
SEG2
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
1
SEG3
1
SEG4
GRID1
1
SEG5
1
SEG6
1
SEG7
A DPY
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
[LEDgn]
G
GRID1
1
图(7
)
图7
给出共阴数码管的连接示意图,如果让该数码管显示“0”
,那你需要在G
RI
D1
为低电平
的时候让SE
G
1
,S
EG
2
,SE
G3
,S
EG
4
,SE
G
5
,S
EG
6
为高电平,S
E
G7
为低电平,
查看图(2)显示地址表格,只需在0
0H
地址单元里面写数据3
F
H就可以让数码管显示“0”
。
S
EG
8
0
B
7
SE
G
7
0
B6
S
E
G6
1
B
5
S
EG
5
1
B
4
SE
G
4
1
B3
S
E
G3
1
B
2
S
EG
2
1
B
1
SE
G
1
1
B0
0
0
H
2
、驱动共阳数码管:
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
1
1
1
1
1
1
SEG1
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
A DPY
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
SEG1
1
图(8
)
图8
给出共阳数码管的连接示意图,如果让该数码管显示“0”
,那你需要在G
RI
D1
,G
RI
D2
,
G
RI
D3
,G
RI
D
4
,G
RI
D
5
,G
RI
D
6
为低电平的时候让S
E
G1
为高电平,在GR
I
D7
为低电平的时候让S
E
G
1为
低电平。要向地址单元00
H,02
H,04
H,0
6
H,0
8
H
,0
AH
里面分别写数据0
1H
,其余的地址单元全部
写数据00
H。
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L
ED恒流驱动专用电路
S
EG
8
0
0
0
0
0
0
0
B
7
SE
G
7
0
0
0
0
0
0
0
B6
S
E
G6
0
0
0
0
0
0
0
B
5
S
EG
5
0
0
0
0
0
0
0
B
4
SE
G
4
0
0
0
0
0
0
0
B3
S
E
G3
0
0
0
0
0
0
0
B
2
T
M1
6
41
S
EG
2
0
0
0
0
0
0
0
B
1
SE
G
1
1
1
1
1
1
1
0
B0
0
0
H
0
2
H
0
4
H
0
6
H
0
8
H
0
A
H
0
C
H
▲注意:S
E
G1
-1
1
为P管开漏输出,G
RI
D
17
为N
管开漏输出,在使用时候,SE
G1
11
只能接L
E
D
的阳极,
G
RI
D只能接L
E
D
的阴极,不可反接。
(2
)按键:
键扫描由TM
1
64
1自动完成,不受用户控制,用户只需要按照时序读键值。完成一次键扫需
要2
个显示周期,一个显示周期大概需要T
=
8×5
0
0
u
s
,在8
M
S先后按下了2
个不同的按键,2
次读到的
键值都是先按下的那个按键的键值。
按照图(9)用示波器观察S
E
G1
/K
S1
和S
E
G
2
/K
S2
的输出键扫波形,见图(1
0
)。
VCC
接示波器探头1
接示波器探头2
1K
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
NC
DOUT
DIN
SCLK
STB
K1
K2
K3
VDD
SEG1/KS1
SEG2/KS2
SEG3/KS3
NC
SEG4/KS4
SEG5/KS5
SEG6/KS6
GND
GRID1
GRID2
GND
GRID3
TM1641
GRID4
GND
VDD
SEG14/GRID5
SEG13/GRID6
SEG12/GRID7
SGE11
SEG10/KS10
SEG9/KS9
SEG8/KS8
SEG7/KS7
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
GND
VCC
1K
GND
图(9)
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L
ED恒流驱动专用电路
T
M1
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I
C在键盘扫描时候S
E
G
n
/K
Sn
的波形:
SEG1/KS1
SEG2/KS2
SEG3/KS3
SEGN/KSN
Tdisp=500us
图(1
0)
Td
is
p
和IC
工作的振荡频率有关, 5
00
u
s仅供参考,以实际测量为准。
一般情况下使用图(1
1)
,可以满足按键设计的要求。
K1
S1
S3
K2
S2
S4
K3
S6
S5
SGE1/KS1 SGE1/KS2 SGE1/KS3
图(1
1
)
当S
1被按下的时候,在第1个字节的B
0读到“1”
。如果多个按键被按下,将会读到多个“1
”
,
当S
2,S3
被按下的时候,可以在第1个字节的B1
,B
3
读到“1”
。
▲注意:复合键使用注意事项:
S
EG
1
/K
S
1
SE
G1
0
/
K
S1
0是显示和按键扫描复用的。以图(12
)为例子,显示需要D1
亮,D
2灭,
需要让SE
G1
为“1
”,S
E
G2
为“0
”状态,如果S1
,S
2
同时被按下,相当于S
E
G
1,S
EG
2
被短路,这时
D
1,D
2
都被点亮。
SGE1/KS1
S1
SGE2/KS2
D1
1
1
S2
D2
K1
GRID1
图(1
2)
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-9-
L
ED恒流驱动专用电路
T
M1
6
41
解决方案:
1
、在硬件上,可以将需要同时按下的键设置在不同的K
线上面如图(1
3)所示,
SGE1/KS1
1
1
S1
D1
D2
S2
GRID1
GRID2
K1
K2
图(1
3)
2
、在S
EG
1—S
E
GN上面串联电阻如图(14
)所示,电阻的阻值应选在51
0
欧姆,太大会造成
按键的失效,太小可能不能解决显示干扰的问题。
SGE1/KS1
510
S1
510
S2
D1
1
1
SGE2/KS2
D2
K1
GRID1
图(1
4)
3
、或者串联二极管如图(15
)所示。
SGE1/KS1
S1
SGE2/KS2
D1
1
1
S2
D2
K1
GRID1
图(1
5)
十、应用时串行数据的传输:
(1)地址自动加一模式
使用地址自动加1模式,设置地址实际上是设置传送的数据流存放的起始地址。起始地址命令
字发送完毕,“S
TB
”不需要置高紧跟着传数据,最多1
4
BY
TE
,数据传送完毕才将“ST
B”置高。
CLK
DIN
Command1
Command2
Command3
Data1
Data2
```````
Data n
Command4
STB
C
om
ma
nd
1
:显示模式设置命令
C
om
ma
nd
2
:数据读写设置命令
C
om
ma
nd
3
:显示地址设置命令
D
at
a1
~n
:显示数据,以Co
m
ma
nd
3
指定的地址为起始地址(
最多1
4by
t
es
)
C
om
ma
nd
4
:显示控制命令
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T
M1
6
41
(2) 固定地址模式
使用固定地址模式,设置地址其实际上是设置需要传送的1
BY
TE
数据存放的地址。地址发送完
毕,“S
T
B”不需要置高,紧跟着传1
BY
TE
数据,数据传送完毕才将“ST
B
”置高。然后重新设置第2
个数据需要存放的地址,最多1
4B
YT
E
数据传送完毕,“S
TB
”置高。
CLK
DIN
Command1
Command2
Command3
Data1
Command4
Data2
```````
Command5
STB
C
om
ma
nd
1
:显示模式设置命令
C
om
ma
nd
2
:数据读写设置命令
C
om
ma
nd
3
:显示地址设置命令,设置显示地址1
D
at
a1
: 显示数据1
,存入Co
mm
a
nd
3指定的地址单元
C
om
ma
nd
4
:显示地址设置命令,设置显示地址2
D
at
a2
: 显示数据2
,存入Co
mm
a
nd
4指定的地址单元
C
om
ma
nd
5
:显示控制命令
(3)读按键时序
CLK
DIN
Command1
DOUT
Data1
Data2
Data3
Data4
Data5
STB
C
om
ma
nd
1
:读按键命令
D
at
a1
~5
:读取的按键数据
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T
M1
6
41
(4)程序设计
采用地址自动加一模式的程序流程图:
开始
初始化
设置显示模式
发送写显存的数据命令
设置起始地址
连续传送多个字节数据
(最多 14 个字节)
发送显示控制命令
发送读按键命令
读按键数据并存储到 MCU
寄存器(最多 5 个字节)
有键按下?
按键处理程序
结束
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T
M1
6
41
采用固定地址的程序设计流程图:
开始
初始化
设置显示模式
发送写显存的数据命令
设置显存地址
传送 1Byte 数据
送完数据?
发送显示控制命令
发送读按键命令
读按键数据并存储到 MCU
寄存器(最多 5 个字节)
有键按下?
按键处理程序
结束
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T
M1
6
41
十一、恒流控制电路:
T
M
16
4
1支持恒流驱动应用,以便能在高端的显示驱动中加以应用。
1. 通道间的最大电流误差小于±3℅,而芯片间的最大电流误差小于±6℅。
2. 恒流线性区域工作时,必须保证 SEG 管脚与 GND 压差小于 4V 条件下。
3. 另外,当负载端电压(VDS)变化时,其输出电流的稳定性不受影响,如下图所示:
S
E
G
恒流值随V
D
S
变化曲线
5
.
0
0
4.
80
4.
60
4.
40
4.
20
4.
00
3.
80
3.
60
3.
40
3.
20
3.
00
2.
80
2.
60
2.
40
2.
20
2.
00
1.
80
1.
60
1.
40
1.
20
0
.
0
0
S
E
G
1
S
E
G
2
S
E
G
3
S
E
G
4
S
E
G
5
S
E
G
6
S
E
G
7
S
E
G
8
S
E
G
9
S
E
G
1
0
S
E
G
1
1
电流(
mA
)
1
0
.
0
0
1
5
.
0
0
2
0
.
0
0
2
5
.
0
0
3
0
.
0
0
3
5
.
0
0
电压(
V
)
图(16)
封装散热功率(P
D
)
封装的最大散热功率是由公式:
来决定的
当11个通道完全打开时,实际功耗为:
PD(act)=IDD*VDD+IOUT*Duty*VDS*11
实际功耗必须小于最大功耗,即PD(act)<PD(max),为了保持PD(act)<PD(max),输出的最
大电流与恒流比的关系为:
其中 Tj 为 IC 的工作温度,Ta 为环境温度,VDS 为稳流输出端口电压,Duty 为恒流比
14/16,Rth(j-a)为封装的热阻。
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T
M1
6
41
十二、应用电路:
T
M1
6
41
驱动共阴数码屏接线电路图(1
7):
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
DPY
A
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
GRID1
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
DPY
A
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
DPY
A
a
B
f
b
C
g
D
e
c
E
d
F
G [LEDgn]
GRID2
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
DPY
A
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
GRID5
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
DPY
A
a
B
f
b
C
g
D
e
c
E
d
F
G [LEDgn]
GRID3
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
DPY
A
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
GRID6
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
DPY
A
a
B
f
b
C
g
D
e
c
E
d
F
G [LEDgn]
GRID4
GRID7
VCC
MCU接口
VCC
1
2
3
4
5
6
GND
100P
100P
100P
100P
GND
DOUT
DIN
CLK
STB
SEG1
SEG2
SEG3
10K
10K
10K
10K
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
VCC 9
SEG1 10
SEG2 11
SEG3 12
13
SEG4 14
SEG5 15
SEG6 16
SEG4
NC
DOUT
DIN
SCLK
STB
K1
K2
K3
VDD
SEG1/KS1
SEG2/KS2
SEG3/KS3
NC
SEG4/KS4
SEG5/KS5
SEG6/KS6
GND
GRID1
GRID2
GND
GRID3
TM1641
GRID4
GND
VDD
SEG14/GRID5
SEG13/GRID6
SEG12/GRID7
SGE11
SEG10/KS10
SEG9/KS9
SEG8/KS8
SEG7/KS7
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
GRID1
GRID2
GND
GRID3
GRID4
GND
VCC
GRID5
GRID6
GRID7
GND
100uF
GND
SEG11
SEG10
SEG9
SEG8
SEG7
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
如果DIN和DOUT使用同一类电平,
则2、3脚可以短接作DIN/DOUT复用。
SEG9
SEG10
图(1
7)
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- 15 -
L
ED恒流驱动专用电路
T
M1
6
41
T
M1
64
1
驱动共阳数码屏接线电路图(18
):
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
DPY
A
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
DPY
A
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
SEG1
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
A DPY
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
SEG5
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
A DPY
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
A DPY
a
B
b
C f
g
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
SEG2
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
SEG6
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
SEG9
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
DPY
A
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
DPY
A
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
DPY
A
a
B
b
C f
g
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
SEG3
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
SEG7
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
SEG10
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
DPY
A
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
DPY
A
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
DPY
A
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
[LEDgn]
G
SEG4
SEG8
SEG11
VCC
MCU接口
VCC
1
2
3
4
5
6
GND
100P
100P
100P
100P
GND
DOUT
DIN
CLK
STB
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
10K
10K
10K
10K
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
VCC 9
SEG1 10
SEG2 11
SEG3 12
13
SEG4 14
SEG5 15
SEG6 16
NC
DOUT
DIN
SCLK
STB
K1
K2
K3
VDD
SEG1/KS1
SEG2/KS2
SEG3/KS3
NC
SEG4/KS4
SEG5/KS5
SEG6/KS6
GND
GRID1
GRID2
GND
GRID3
TM1641
GRID4
GND
VDD
SEG14/GRID5
SEG13/GRID6
SEG12/GRID7
SGE11
SEG10/KS10
SEG9/KS9
SEG8/KS8
SEG7/KS7
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
GRID1
GRID2
GND
GRID3
GRID4
GND
VCC
GRID5
GRID6
GRID7
GND
100uF
GND
SEG11
SEG10
SEG9
SEG8
SEG7
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
如果DIN和DOUT使用同一类电平,
则2、3脚可以短接后作I/O使用。
SEG9
SEG10
图(1
8)
▲注意:1
、V
DD
、G
ND
之间滤波电容在P
CB
板布线应尽量靠近T
M1
64
1
芯片放置,加强滤波效果。
2
、连接在DI
N、DO
UT
、C
LK
、S
T
B
通讯口上四个10
0
P电容可以降低对通讯口的干扰。
3
、因蓝光数码管的导通压降压约为3V
,因此T
M1
64
1
供电应选用5
V
。
4
、为使芯片进入恒流线性工作区域,请确保S
EG
通道与G
N
D压降小于4V
。
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T
M1
6
41
十三、电气参数:
极限参数(Ta=25℃,Vs
s=0V)
参数
符号
范围
单位
逻辑电源电压
V
DD
0.
5~+
7
.0
V
逻辑输入电压
V
I1
-0
.5~ V
DD+0.
5
V
LE
DS
EG驱动输出电流
I
O1
-4
0
m
A
LE
DGR
I
D驱动输出电流
I
O2
+
20
0
m
A
功率损耗
P
D
40
0
m
W
工作温度
To
p
t
-4
0~ +8
0
℃
储存温度
Ts
t
g
-6
5~+
15
0
℃
正常工作范围(Ta=-20~ +7
0℃,V
ss=0V)
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
逻辑电源电压
VD
D
4
5
7
V
-
高电平输入电压
VI
H
0.
7V
DD
-
V
D
D
V
-
低电平输入电压
VI
L
0
-
0
.
3VD
D
V
-
电气特性(Ta=-20~ +7
0℃,VD
D= 4
.5~ 5
.5V
, V
ss=0V
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
I
oh
1
2
8
35
4
0
mA
Se
g
1~
Se
g1
1
,
V
o=v
dd
-2
V
恒流比14
/1
6
I
oh
2
2
8
35
4
0
mA
Se
g
1~
Se
g1
1
,
V
o=v
dd
-3
V
恒流比14
/1
6
低电平输入电流
I
OL
1
8
0
1
4
0
-
mA
G
ri
d1
~
Gr
id
6
V
o=
0
.4
V
低电平输出电流
Id
ou
t
4
-
-
mA
VO=0.
4
V,d
o
ut
高电平输出恒流电
流
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L
ED恒流驱动专用电路
高电平输出电流容
许量
I
t
ol
sg
输出下拉电阻
RL
输入电流
II
-
-
高电平输入电压
V
IH
0.
7
VD
D
-
低电平输入电压
V
IL
-
-
滞后电压
VH
-
动态电流损耗
I
D
Dd
yn
-
T
M1
6
41
%
VO=VD
D– 3V
,
S
eg
1~Se
g1
1
KΩ
K1
~
K3
μA
V
I=V
DD/VS
S
V
C
L
K,D
I
N,S
TB
0.
3
VD
D
V
C
L
K,D
I
N,S
TB
0
.3
5
-
V
C
L
K,D
I
N,S
TB
-
5
mA
无负载,显示关
-
-
5
10
±1
开关特性(Ta=-20~ +7
0℃,VD
D= 4
.5~ 5
.5V
)
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
振荡频率
f
o
sc
-
50
0
-
K
Hz
R=1
6.
5K
Ω
t
P
LZ
-
-
30
0
n
s
C
LK→ D
OU
T
t
P
ZL
-
-
10
0
n
s
CL=15
pF
,R
L=1
0KΩ
TT
ZH1
-
-
2
μs
S
EG
1
~SE
G
11
传输延迟时间
CL=
3
00
pF
上升时间
G
ri
d1
~G
ri
d
4
SE
G1
2
/G
ri
d
7
~
S
EG
1
4/
Gr
i
d5
T
T
ZH
2
-
-
0.
5
μs
下降时间
T
T
HZ
-
-
12
0
μs
C
L=3
00
pF
,S
eg
n
, G
ri
d
n
最大时钟频率
F
m
ax
1
-
-
M
Hz
占空比5
0%
输入电容
CI
-
-
15
p
F
-
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- 18 -
L
ED恒流驱动专用电路
T
M1
6
41
时序特性(Ta = -20 ~ +70℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V)
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
时钟脉冲宽度
PW
C
LK
40
0
-
-
ns
-
选通脉冲宽度
PW
S
TB
1
-
-
μs
-
数据建立时间
tS
ET
UP
10
0
-
-
ns
-
数据保持时间
tH
O
LD
10
0
-
-
ns
-
C
LK→ST
B时间
t
CL
K
S
T
B
1
-
-
μs
C
LK
↑→S
T
B
↑
等待时间
tW
A
IT
1
-
-
μs
C
LK
↑→C
L
K
↓
时序波形图:
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L
ED恒流驱动专用电路
T
M1
6
41
十四、IC封装示意图:
A
l
ls
p
ec
san
dap
p
l
ic
a
t
io
n
ss
h
o
wna
bo
v
es
u
b
je
c
tt
och
a
n
g
ew
i
t
ho
u
tp
r
i
orn
ot
i
c
e.
(
以上电路及规格仅供参考,
如本公司进行修正,恕不另行通知。)
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