LNK SM7330B

SM7330B 高功率因数 LED 恒流驱动芯片 v1.6
SM7330B
特点
概述

85Vac~265Vac 宽电压输入范围

支持无输入电解电容方案
驱动控制芯片。芯片工作在临界导通模式,在全电压 85Vac~265Vac 输

恒流精度±5%
入电压范围内,恒流精度可达到±5%,PF 值大于 0.9。

功率因数 PF>0.9

效率可达到 90%以上
电流。外围器件少,方案成本低,具有输出开、短路保护特性。可通

支持非隔离的低成本 BUCK 驱动
过 EFT、雷击浪涌等可靠性测试。
方案
管脚图

电感电流临界导通模式

内置自恢复的输出开、短路保护
SM7330B 是一款高精度、高效率、高功率因数的降压型 LED 恒流
SM7330B 主要适用于高亮的 BUCK LED 驱动器,可实现恒定的输出
功能

封装形式:SOT23-6
SOT23-6
典型示意电路图
应用领域

T5、T8 日光灯

吸顶灯、球泡灯、平板灯等

DC/DC 或 AC/DC 的 LED 驱动器
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SM7330B 高功率因数 LED 恒流驱动芯片 v1.6
内部方框图
SOT23-6 封装批号说明
管脚说明
名称
管脚序号
管脚说明
VDD
1
芯片电源
GND
2
芯片地
GATE
3
MOSFET 栅极控制端
CS
4
LED 灯串电流采样输入端
FB
5
反馈端口
COMP
6
误差放大器补偿端口
订购信息
订购型号
封装形式
SM7330B
SOT23-6
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包装方式
管装
编带
/
3000 只/盘
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卷盘尺寸
7寸
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SM7330B 高功率因数 LED 恒流驱动芯片 v1.6
极限参数
极限参数(TA= 25℃)
符号
说明
范围
单位
GATE
驱动外接的 MOS 管
-0.3~20
V
VFB
FB 输入电压
-0.3~7
V
VCS
CS 输入电压
-0.3~7
V
VCOMP
误差放大器补偿端口
-0.3~7
V
VDD
芯片电源
-0.3~27
V
TJ
允许的工作温度范围
-40 to 125
℃
TSTG
存储温度
-55 to 150
℃
VESD
ESD 耐压
2
kV
电气工作参数
(除非特殊说明,下列条件均为 TA=25℃,VDD=15V)
符号
说明
范围
条件
单位
最小
典型
最大
IDD_OPER
VDD 静态工作电流
VDD=18V
-
0.5
1.0
mA
UVLOH
VDD 开启电压
-
-
14.8
-
V
UVLOL
VDD 欠压保护阈值
-
-
7.9
-
V
VEA_REF
跨导放大器输入基准电压
-
-
260
-
mV
VCS_PK
CS 峰值保护电压
-
-
1.25
-
V
VFB_OVP
FB 过压保护点
-
-
1.25
-
V
TLEB
消隐时间
-
-
500
-
nS
TOFFmax
最大关闭时间
VDD=18V CS=0V FB=0V
-
135
-
uS
TR
GATE 输出上升时间
VDD=18V CL = 1nF
-
100
-
nS
TF
GATE 输出下降时间
VDD=18V CL = 1nF
-
55
-
nS
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SM7330B 高功率因数 LED 恒流驱动芯片 v1.6
功能表述
SM7330B 是一款高精度、高效率、高功率因数的降压型 LED 恒流驱动控制芯片。芯片工作在临界导通模式,
在全电压 85Vac~265Vac 输入电压范围内,恒流精度可达到±5%,PF 值大于 0.9。
SM7330B 主要适用于高亮的 BUCK LED 驱动器,可实现恒定的输出电流。外围器件少,方案成本低,具有
输出开、短路保护特性。可通过 EFT、雷击浪涌等可靠性测试。

启动
系统上电后,正弦半波电压通过启动电阻给 VDD 引脚的电容充电,当 VDD 电压上升到启动阈值电压后,芯片内
部控制电路开始工作,并开始输出脉冲信号, COMP 端口电压也从 0V 开始逐渐上升,系统刚开始以最小导通时间
的方式工作在大约 6kHz 的开关频率, 且导通时间逐渐增大,从而实现输出 LED 电流的软启动,有效防止输出电流
过冲。当输出电压建立后,VDD 电压由输出电压通过二极管供电。

恒流精度控制
芯片采样电感电流,利用内部误差放大器形成闭环反馈网络,从而得到高恒流精度和高负载调整率。
CS 电压和基准电压通过跨导放大器进行误差放大,并通过外部 COMP 电容积分。COMP 端电压控制外部功
率管导通时间,调整输出电流。
LED 输出电流的计算方法:
I OUT 
VEA _ REF
RCS
其中, VEA _ REF 是内部基准电压; RCS 是电流采样电阻的值。

开关环路控制
SM7330B 通过导通控制模块控制功率 MOSFET 的关断,
通过 FB 电压过零检测模块来控制 MOSFET 的开启; 在
功率 MOSFET 开启和关断的瞬间,电流检测电阻 CS 上就不可避免的产生或高或低的尖峰毛刺。为了避免这些尖
峰信号使控制器误动作,芯片在开启瞬间内置了前沿消隐时间,在这段前沿消隐的时间内,GATE 输出驱动也
就不会被关断,同样芯片在关断瞬间也设置了屏蔽时间,在这段屏蔽时间内,GATE 输出驱动也就不会被开启。

FB 反馈控制
FB 反馈控制用来检测输出过压保护(OVP) ,内部设定基准为V FB_OVP ,FB 上下分压电阻比例按以下式子设置:
V
RFBL
 FB _ OVP
RFBL  RFBH
VOVP
其中,
RFBL 是反馈网络的下分压电阻
RFBH 是反馈网络的上分压电阻
VOVP 是输出电压过压保护设定点

栅极驱动
GATE 管脚连接到外部 MOSFET 的栅极,来实现对 MOSFET 的开关控制。GATE 的驱动能力太弱,MOSFET
的开关损耗会增加;反之,GATE 的驱动能力太强,则会带来 EMI 问题。
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SM7330B 高功率因数 LED 恒流驱动芯片 v1.6
典型应用方案
SM7330B 80V/240mA 系统(全电压 90VAC-265VAC)
原理图
6
D
D
5
4
D
D
3

BOM 单
位号
参数
位号
参数
F1
1A /250V 保险
E1
100uF/100V
RV1
7D471
R1
510K/1206
CX1
100nF/275Vac
510K/1206
Q1
4N60
R2
R3-A,R3-B
D1
ES2J
R4
1M/1206
D2
D3,D4,D5,D6
RS1M
R5
14K/0805
R6
15K/1206
C1
M7
100nF/400V CBB 电容
R7
75K/1206
C2
10uF/50V
R8
51K/0805
C3
100nF/16V
L1
EPC13(5+5) 0.8mH
C4
100nF/16V
U1
SM7330B
2R/1206
电感参数
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SM7330B 高功率因数 LED 恒流驱动芯片 v1.6
封装形式
SOT23-6
Symbol
Dimensions of millimeters
Dimensions of inches
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
A
/
1.45
/
0.0571
A1
0.00
0.15
0.0000
0.0059
A2
0.90
1.30
0.0354
0.0512
b
0.30
0.50
0.0118
0.0197
C
0.09
0.20
0.0035
0.0078
D
2.80
3.05
0.1102
0.1200
E
2.60
3.00
0.1023
0.1181
E1
1.50
1.75
0.0590
0.0689
e
0.95(BSC)
0.0374(BSC)
e1
1.80
2.00
0.0708
0.0787
L
0.30
0.60
0.0118
0.0236
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