深圳市钲铭科电子有限公司 Linkage LKVIPER 22A 特点 85Vac~265Vac 宽电压输入 待机功耗小于 120mW@220Vac 集成高压启动电路 集成高压功率开关 60KHz 固定开关频率 9V~30V 宽 VDD 工作电压范围 电流模式 PWM 控制方式 内置过温、过流、过压、欠压 概述 LKVIPER 22A 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片，集成 高压启动电路和高压功率管，为低成本开关电源系统提供高性价比的解 决方案。 芯片 VDD 的工作电压范围宽，很方便的应用于充电器领域。芯片提 供了过温、过流、过压、欠压等保护功能，保证了系统的可靠性。 管脚图 等保护功能 LKVIPER 22A 兼容 VIPer22 管脚 DIP8 （不需要修改电路走线及变压 器） 输出功率表 封装形式：DIP8 输入电压 85Vac~265Vac 180Vac~265Vac 输出功率 12W 20W 注：输出功率 10W 以上，建议根据实际方案增加散热措施： 应用领域 小功率充电器 小功率适配器 待机电源 DVD、DVB 以及其他便携式设备 增加独立散热片； 其他散热措施。 典型示意电路图 电源 业务电话：400-033-6518 www.linkage66.com -1- [email protected] 深圳市钲铭科电子有限公司 Linkage 内部方框图 DRAI N VDD LVDD VREF S Q -- R1 + 8V/14.5V R3 R2 S2 S1 R1 + Q -- 0.23V 230ohm VDD 1K ohm FB GND 管脚示意图 GND 1 GND 2 FB VDD 8 DRAIN LKVIPER 7 22A 6 3 DRAIN 4 DRAIN 5 DRAIN DIP8 管脚说明 名称 管脚序号 管脚说明 GND 1,2 FB 3 反馈输入端口 VDD 4 芯片电源端，工作电压范围可达 9V——30V DRAIN ,5,6,7,8 业务电话：400-033-6518 芯片地，同时也是内置高压 MOS 管 SOURCE 端口 内置高压 MOS 管的 DRAIN，同时芯片启动时，也做芯片的启动 www.linkage66.com -2- [email protected] 深圳市钲铭科电子有限公司 Linkage 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 VDS(max) 芯片 DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V VDS(ST) 芯片启动时，DRAIN 脚最高耐压 -0.3~400 V VDD 芯片电源电压 -0.3～30 V Ivdd 嵌位电流 10 mA IFB 最大反馈电流 3 mA VESD ESD 电压 TJ TSTG >4000 V 结温 -40～150 ℃ 存储温度 -55～150 ℃ 热阻参数 符号 说明 RthJA 热阻(1) 注（1）：芯片要焊接在有 200mm2 铜箔散热的 LKVIPER 22A 单位 45 ℃/W PCB 板，铜箔厚度 35um，铜箔连接到所有的 GND 脚。 电气工作参数 (除非特殊说明，下列条件均为 TA=25℃，VDD=18V) 符号 说明 范围 条件 单位 最小 典型 最大 730 - - V BVDS 漏源击穿电压 VFB=2V; ID=1mA IDSS DRAIN 端关断态漏电流 VFB=2V; VDS=500V - - 0.1 mA RDS(on) 源漏端导通电阻 ID=0.2A - 12 - Ohm VDDON VDD 开启电压 13 14.5 16 V VDDOFF VDD 关闭电压 7 8 9 V VDDHYS VDD 迟滞阈值电压 - 6.5 - V VDDOVP VDD 过压保护阈值 - 32 - V IDD1 VDD 工作电流 IFB=2.0mA - 0.4 - mA IDD2 VDD 工作电流 IFB=0.5mA;ID=50mA - 1.0 - mA IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V; VDD=5V - -220 - uA FOSC 芯片振荡频率 - 60 - KHz GID IFB/IDRAIN 增益 - 560 - ILIMIT 峰值电流阈值 - 700 - mA IFBSD FB 关断电流 - 0.9 - mA RFB FB 输入电阻 - 1.23 - Kohm tLEB 前置消隐时间 - 300 - ns tON(min) 最小导通时间 - 700 - ns tOVT 过温保护温度 - 150 - ℃ tHYS 过温迟滞阈值温度 - 30 - ℃ 业务电话：400-033-6518 VFB=0V ID=0mA www.linkage66.com -3- [email protected] 深圳市钲铭科电子有限公司 Linkage 功能表述 电路图说明 上图中 D1-D4、C2 组成全波整流，D6、R1、C3 组成 RCD 吸收回路，消除变压器 T2 漏感产生的尖峰电压， 避免击穿 LKVIPER 22A 内部的高压 MOS 管。 输出部分 U3、U2、R5、R6、R3、R4、C8 组成采样反馈电路，R5、R6 决定系统的输出电压，输出电压 VOUT 等于： VOUT = R5 + R6 × 2.5V R6 R3、R4 限制 U2 光耦 PC817B 的电流，避免影响反馈回路。C8 的加入使得系统反馈更加稳定，避免振荡。 VDD 电压部分 LKVIPER 22A 芯片工作电压范围宽，达到 9V——30V，此特性可以很方便的应用在某些特殊的领域，比如电 池充电器等。 当开关电源启动后，C2 电容上的电压会通过 T2 原边线圈、芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 VDD 电容 C4 充电。当 C4 电容电压达到 16V，内部高压启动 MOS 管关闭，同时 PWM 开启，系统开始工作。 当 C4 电容电压下降到 9V 以下，关闭 PWM 信号，同时芯片将会产生复位信号，使系统重新启动。这就是 欠压保护。 业务电话：400-033-6518 www.linkage66.com -4- [email protected] Linkage 深圳市钲铭科电子有限公司 FB 部分 通过高压 MOS 的电流 ID 分成两个部分，其中一部分为 IS，这部分电流为芯片采样电流。IS 与 ID 成比例关系： ID = G ID • I S 通过上图可知： ( I S + I FB ) • R 2 = 0.23V ，由此可以得到：- IS = 0.23V -I R 2 FB 以上公式合并，可得到： ID = G ID • ( 0.23V - IFB ) R2 业务电话：400-033-6518 www.linkage66.com -5- [email protected] 深圳市钲铭科电子有限公司 Linkage 如果将 FB 脚对地短接，此时 IFB 的电流等于： IFB = - 0.23V R1 再将上式合并，最终得到 IDLIM： IDLIM = G ID • 0.23V • ( 1 1 + ) R1 R 2 然而在实际应用中，FB 脚是上拉的方式接入到 VDD，不可能对地短路。当系统启动或者短路时，此时 FB 脚的电压比较接近于 0V，通过内部高压 MOS 管漏极电流则为最大值 IDLIM。 IFB = - 0.23V R1 GID = ΔID ΔIFB 从上图可以看出，IFB 电流大，ID 的电流就小；IFB 电流小，ID 的电流就大。当 IFB 的电流大于 IFBSD 时， 芯片会关闭 PWM，此时的 ID 的值大约为 85mA，同时芯片会自动进入突发模式。这对于系统工作在空载或者轻 载至关重要。 过压保护 当芯片 VDD 的电压超过 VDDOVP 时，会触发内部复位信号，导致系统重新启动。 业务电话：400-033-6518 www.linkage66.com -6- [email protected] 深圳市钲铭科电子有限公司 Linkage 12V/0.8A 反激电源应用方案 原理图： F1 D1 CX1 D2 D4 D3 RT1 LT1 T1 C2 D7 C3 R1 12V/0.8A L1 C6 C7 C1 D5 LT2 CY1 D6 C4 R4 R3 R5 R6 R7 C5 R2 C8 U2 U3 R8 BOM 清单： CX1 X 电容 C8 104 R1 100K/1W R8 C1 10uF/400V D1、D2 IN4007 R2 9.1K U1 C2 15uF/400V D3、D4 IN4007 R3 100Ω U2 光耦 C3 102/1KV D5、D6 FR107 R4 270 U3 TL431 C4 103 D7 SR3100 R5 1K F1 1A/250V C5 10uF/50V LT UU9.8 R6 47K Y1 222/250V C6、C7 470uF/35V L1 3uH R7 33K RT1 5D-9 5.1K LKVIPER 22A 变压器参数： 业务电话：400-033-6518 www.linkage66.com -7- [email protected] Linkage 深圳市钲铭科电子有限公司 封装形式 DIP8 业务电话：400-033-6518 www.linkage66.com -8- [email protected]