ETC SM7523

深圳市钲铭科电子有限公司
SM7523 恒流原边控制功率开关v1.6
GOSTON ELECTRONICS CO.,LTD
SM7523
特点

拓扑结构支持:反激及低成本
BUCK-Boost

采用 730V 单芯片集成工艺

宽电压 85Vac~265Vac 输入电压范
围内恒流精度小于±5%

全电压范围内兼容 1~3W

明微专利的无需辅助绕组的原边
概述
SM7523 是应用于离线式小功率 AC/DC 开关电源的高性能的原边反
馈控制功率开关芯片,在全电压输入范围内实现高精度恒流输出,精
度小于±5%,无需环路补偿,并可使系统节省光耦,TL431 以及变压器
辅助绕组等元件,降低成本。
芯片内部集成了逐周期峰值电流限制,FB 过压保护,输出开/短路保护
和开机软启动等保护功能,以提高系统的可靠性。
管脚图
反馈控制技术可使系统节省光
耦、431 等元件

无需环路补偿

内置前沿消隐电路(LEB)

逐周期峰值电流比较

输出开/短路保护

内置开机软启动

内置 FB 过压保护及短路保护等
SOP8
输出功率表
输入电压
85Vac~265Vac
180Vac~265Vac
输出功率
1~3W
3~5W
功能
GND
GND
5
应用领域
7 DRAIN
典型应用
6
封装形式:SOP8
8 DRAIN

AC
DC
SM7523
1
2
3
4
FB
NC
VCC
LED 照明驱动
CS

吸收
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管脚示意图
SOP8
管脚说明
名称
管脚序号
管脚说明
CS
1
原边峰值电流检测端口
FB
2
输出电压反馈端口
NC
3
悬空脚
VDD
4
芯片内部供电电压端口
GND
5,6
芯片地
DRAIN
7.8
功率开关管漏端输入
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极限参数
极限参数(TA= 25℃)
符号
说明
范围
单位
VDD
芯片工作电压
-0.3~6
V
VFB
FB 输入电压
~
V
VCS
CS 输入电压
-0.3~7.0
V
TA
工作温度
-20~125
℃
Tstg
存储温度
-40~150
℃
VESD
人体放电模式
4
KV
Rθja
热阻
65
℃/W
VDS
VDS 耐压
-0.3~730
V
电气工作参数
(除非特殊说明,下列条件均为 TA=25℃,VDD=6V)
符号
范围
说明
最小
ICC
静态电流
Vcc
典型
单位
最大
-250
uA
内部供电电压
6
V
Vcs
电流检测阈值
620
mV
TLEB
前沿消隐时间
450
ns
VFBMIN
FB 最小阈值
300
mV
VFBMAX
FB 过压阈值
4
V
TDEM_MIN
最小消磁时间
5
us
DMAX
最大占空比
42
%
RDSON
导通电阻
30
Ohm
BVD_SS
抗击穿电压
730
V
Vcc_uvlo
Vcc 欠压保护阈值
4
V
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功能表述

SM7523 芯片是应用于离线式小功率 AC/DC 开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片,全电压输入范
围内,恒流输出精度小于±5%。SM7523 芯片通过原边采样的方式来控制系统的输出,内部集成高压工艺,节省
光耦和 TL431 等元件。芯片内部集成了逐周期峰值电流限制,FB 过压保护,输出开/短路保护和开机软启动等
保护功能,以提高系统的可靠性。

启动和控制
SM7523 芯片内部集成高压功率开关,通过高压启动,省掉传统电路的外部启动电阻, 以及辅助绕组的供
电电路,极大的降低了系统成本。
工作原理
SM7523 芯片要实现原边高精度的恒流控制,反激电源应用系统必须工作在不连续模式(DCM)下。芯片通过
检测原边辅助绕组的反激电压,来控制输出电流电压。输出电流仅由变压器的匝比及峰值电流控制:
Io  2 / 7  N  I P
(1)
注:Io 为输出电流;N 为变压器匝比;

工作频率
SM7523 芯片开关频率由负载大小来控制,不需要外接频率设置元件(最大开关频率要小于 65K)
。在不连
续模式的反激电源中,最大输出功率为:
1
Po = × L P × FSW × IP2
2
(3)
其中 LP 为原边绕组电感量,IP 为原边绕组峰值电流。由公式 3 可知,原边绕组电感量的改变会导致最大输
出功率和恒流模式下输出的恒流电流的变化。为了补偿原边电感量变化,芯片内部环路将开关频率锁定,锁定
的开关频率可表示为:
FSW 
4
7  TDEMAG
(4)
因为消磁时间 TDEMAG 和电感量成反比, 通过频率锁定,LP 和 FSW 的乘积保持不变。所以最大输出功率和恒
流模式下的恒流电流不会随原边电感量变化。SM7523 芯片能最大补偿电感量±10%的变化。

电流检测和 LEB
SM7523 芯片通过 CS 端检测外置检测电阻上的电压控制功率开关管的动作,从而实现对变压器原边电流控
制,提供逐周期峰值电流限制。开关电流通过外接的检测电阻输入芯片 CS 脚。
为了消除高压功率管在开启瞬间产生的尖峰造成的干扰,内置前沿消隐电路,避免芯片在功率管开启瞬间
产生误动作,这样就可以省去外围 RC 滤波电路,节约系统成本。

保护控制
SM7523 芯片完善的各种保护功能提高了电源系统的可靠性,包括:逐周期峰值电流限制,输出短路保护,
FB 过压保护,软启动控制等。
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PCB layout 注意事项
铺铜

IC 的 5、6 脚需要铺铜散热,即顶层与底层均需要铺铜,以降低芯片的温度及提高系统的性能。

DRAIN 脚布线时到变压器的环路距离尽量短,环路面积要小,不能采用大面积铺铜。

FB 脚布线时,一定要远离高压环路,间距≥1mm 以免受到干扰。
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典型应用方案

SM7523 12V/300mA LED 高端照明应用方案
原理图:
D6
T1
DC+
5 GND
6 GND
E3
C2
R2
R4
R5 C3
DC-
C1
4
Y1
R3
VCC
D3 D4
FB
CS
1
ACin
SM7523
U1
3
E1 E 2
NC
F1
7 DRAIN
R6
2
D1 D2
8 DRAIN
L1
D5
EMI元件,认证所需
吸收电路
(在变压器漏感控制在
±5%以内可省掉吸收)
R1
EMI元件,认证所需
BOM 表:
位号
参数
位号
参数
D1、D2、D3、D4、D5 RS1M
E3
10uF/35V
D6
SS110
C1
1uF/16V
R1
2.4Ω/1206
C2
NC
R2
43K
C3
102/1KV
R3
R4、R6
1M/1206
U1
SM7523
20K/1206
F1
0.5A/250V
R5
120K/1206
T1
EE13
E1
2.2uf/400V
L1
1mH/1W
E2
4.7uf/400V
Y1
102/250V
变压器参数:
8
1
5
4
1
N2
2
1
NC
用三层绝
缘线绕制
N3
NC
N1
底视图
NC
进线
变压器绕制方法
制作说明:
1 . 骨 架 E E 13 (4+ 4)卧 式 P C 40 磁 芯
2 . 电 感 量 L p(2
1 )= 2 .6 m H , 漏 感 为 L p 的 5 % 以 下
3 . 初 级 对 次 级 打 3 0 0 0 V A C 漏 电 流 < 2 m A /6 0 s
N 3(N C
N 2 (2
N 1 (1
N C ) Φ 0 .2 5 * 1 * 2 6 T
4 . 初 级 对 磁 芯 打 1 5 0 0 V A C 漏 电 流 < 2 m A /6 0 s
1 ) Φ 0 .1 9 * 1 * 1 2 4 T
5 . 次 级 对 磁 性 打 1 5 0 0 V A C 漏 电 流 < 2 m A /6 0 s
N C ) Φ 0 .1 9 * 1 绕 满 一 层
6 . D C 5 00V 绕 组 与 磁 芯 之 间 1m in大 于 1 00m Ω
7 . D C 5 00V 绕 组 与 绕 组 之 间 1m in大 于 1 00m Ω
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 SM7523 60V/60mA BUCK-Boost 电源方案
原理图:
F1
DC -
GND
GND
5
7 DRAIN
8 DRAIN
C3
R2
L1
U1
6
D1
DB1
AC
SM7523
C1
R1
3
4
NC
VCC
2
FB
CS
1
C4
R4
R3
C2
DC +
BOM 表:
位号
参数
位号
参数
DB1
MB6S
C2
1uf
D1
ES1J
C3
15PF
R1
2.4Ω/1206
C4
R2
75K
F1
10uF/1206
10R 线绕电阻
R3
2M/1206
L1
2.4mh/饱和电流>300mA
R4
120K
U1
SM7523
C1
4.7uf/400V
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
SM7523 传导图片
L 线:
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N 线:
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封装形式
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