TX-2B/RX-2B 士兰半导体 五功能遥控玩具车发射/接收电路 TX-2B/RX-2B 是一对专为遥控玩具车设计的专用发射 和接收大规模集成电路，它采用CMOS工艺制造。 TX-2B/RX-2B 有五个功能控制键来控制玩具车的运动 DIP-14 TX-2B （即前进、后退、左转、右转、加速）。 主要特点： ★工作电压范围宽（Vcc=1.5 ~5.0V） ★ CMOS结构保证了极低的功耗 ★ TX-2B有自动关机功能 ★ 外围元件少 产品规格分类 产品名称 封装形式 TX-2B DIP-14-300-2.54 RX-2B DIP-16-300-2.54 RX-2B DIP-16 内部框图 发射电路TX-2B的内部框图 杭州士兰微电子股份有限公司 1 版本号：1.1 2004.04.20 TX-2B/RX-2B 士兰半导体 内部框图 接收电路RX-2B的内部框图 管脚排列 VO2 1 16 VI2 TEST 2 13 FOSC GND 2 15 VO1 GND 3 12 OSCI SI 3 14 VI1 11 OSCO OSCI 4 BACKWARD 4 RX-2B 14 LEFT TX-2B RIGHT 1 13 VDD FORWARD 5 10 PC OSCO 5 12 TURBO TURBO 6 9 VDD RIGHT 6 11 FORWARD SC 8 SO 7 LEFT 7 10 BACKWARD ROB 8 9 杭州士兰微电子股份有限公司 2 LDB 版本号：1.1 2004.04.20 TX-2B/RX-2B 士兰半导体 极限参数 参 数 电源电压 符 号 参数范围 单位 V VDD 0.3~ 5.0 VIN，VOUT GND-0.3V~VDD+0.3V V 工作温度 Topr -10 ~ +65 °C 贮存温度 Tstg -25 ~ +125 °C 输入/输出电压 电气参数 1．发射电路TX-2B(除非特殊说明，Tamb=25°C,VDD=4.0V,Fosc=128kHz) 参 数 符 号 工作电压 VDD 工作电流 测试条件 最小 典型 最大 单位 1.5 4.0 5.0 V IDD 2.0 mA 待机电流 ISTB 10 µA 直流放大驱动电流 Idriver 5 mA 交流放大驱动电流 Idriver 5 mA 交流放大频率范围 Faudio 0.5 1.0 kHz 2．接收电路RX-2B (除非特殊说明，Tamb=25°C,VDD=4.0V,Fosc=128kHz) 参 数 符 号 工作电压 VDD 工作电流 IDD 放大器驱动电流 放大器陷电流 有效解码频率范围 测试条件 最小 典型 最大 单位 1.5 4.0 5.0 V 3.0 mA Idriver 1 mA Isink 1 mA Ftorerance -20 +20 % 管脚描述 1. 发射电路TX-2B 管脚号 符号 功能说明 1 RIGHT 此端接地时，选择右转功能。 2 TEST 此端用于测试模式。 (见下页) 杭州士兰微电子股份有限公司 3 版本号：1.1 2004.04.20 TX-2B/RX-2B 士兰半导体 (接上页) 管脚号 符号 功能说明 电源负端。 3 GND 4 BACKWARD 此端接地时，选择后退功能。 5 FORWARD 此端接地时，选择前进功能。 6 TURBO 此端接地时，选择加速功能。 7 SC 带载波的编码信号输出端。 8 SO 不带载波的编码信号输出端。 9 VDD 电源正端。 10 PC 电源控制输出端。 11 OSCO 振荡器输出端。 12 OSCI 振荡器输入端。 13 FOSC 此端用于测试模式。 14 LEFT 此端接地时，选择左转功能。 2. 接收电路RX-2B 管脚号 符号 功能说明 1 VO2 用于信号放大的反相器2输出端。 2 GND 电源正端。 3 SI 4 OSCI 振荡器输入端。 5 OSCO 振荡器输出端。 6 RIGHT 右转输出端。 7 LEFT 左转输出端。 8 ROB 此端接地时，右转功能被禁止。 9 LDB 此端接地时，左转功能被禁止。 10 BACKWARD 后退输出端。 11 FORWARD 前进输出端。 12 TURBO 加速输出端。 13 VDD 电源正端。 14 VI1 用于信号放大的反相器1输入端。 15 VO1 用于信号放大的反相器1输出端。 16 VI2 用于信号放大的反相器2输入端。 编码信号输入端。 杭州士兰微电子股份有限公司 4 版本号：1.1 2004.04.20 TX-2B/RX-2B 士兰半导体 功能描述 1 、编码规则 （1） 位格式 1KHz W1 1KHz 50% 占占占 W2 500Hz 75% 占占占 （2） 数据格式 W2 W2 W2 W2 (n) X W1 W2 W2 W2 W2 W2 1 2 3 4 1 2 3 4 W1 W1 W1 W1 引导码 W2 W2 W2 (n) X W1 W2 W2 W2 W2 W2 W2 W2 W2 第n个W1 W1 n x W1 1 个字 功能码 功能码个数（nxW1） 功能键 解码结果 结束码 4 10 前进 前进 16 前进，加速 前进 22 加速 加速 28 加速，前进，左转 前进，左转 34 加速，前进，右转 前进，右转 40 后退 后退 46 后退，右转 后退，右转 52 后退，左转 后退，左转 58 左转 左转 64 右转 右转 杭州士兰微电子股份有限公司 5 版本号：1.1 2004.04.20 TX-2B/RX-2B 士兰半导体 2. 编码/解码定时 任一功能键 编码输出 第一字 第二字 第三字 1 2 3 编码结束 4 5 6 7 8 解码输出 9ms 9ms 接受信号 n x W1 8ms 1ms 8ms 解码输出 T T=17ms+(nxW1)x1ms 测试电路图(TX-2B,RX-2B振荡频率为128kHz，振荡电阻分别为160KΩ、250KΩ) 速 加 14 13 12 11 10 9 8 16 15 14 13 12 前进 退 后 11 10 9 6 7 8 F μ TX-2B 100 VCC=3V fosc=128kHz 1 转左 2 转右 3 4 RX-2B 5 退后 6 7 进 前 速 加 1 2 3 4 5 fosc=128kHz 杭州士兰微电子股份有限公司 6 转 右 版本号：1.1 转 左 2004.04.20 TX-2B/RX-2B 士兰半导体 典型应用图例 发射部分 Rosc=500k 14 13 12 11 VCC Ω 10 9 8 4 5 6 7 退后 进前 速加 射频 电路 SI TX-2B 1 转 左 2 3 转 右 接收部分 μ 16 15 14 13 12 11 10 9 6 7 8 100 F RX-2B 4.3V VCC 射频 电路 关 开 源 电 1 2 3 4 5 Ω 500k 杭州士兰微电子股份有限公司 7 版本号：1.1 2004.04.20 TX-2B/RX-2B 士兰半导体 推荐应用图例 右转 左转 1 14 2 13 VDD=9V LED 390 φ C4 203P R2 F 4.7 820 C1 102P μ Ω 4P Ω Ω Ω 15 3 14 4 13 RX-2B 5 12 右转 6 11 左转 7 10 8 9 R1 C945 Q2 1k Ω Q5 1k 151P 203P Q4 R2 M C945 3.9M 2 100 47 Ω 390 222P μ 100 F /16V Q3 1k 330 501P 3.3k μ VDD2 103P 16 VDD1 1N4148 470 F /16V /16V 203P Rosc =250k 3.0V Ω 220μF 3.9M 1 VDD1=12V VDD1=9V Ω Ω Q1: C9018,C1815,C380,C382 Q2,Q3,Q4: 5610,C8550,B772 Q5,Q6: C8050,5609,D882 Q7,Q8: B564,C8550,B772 Q9,Q10: D471,C8050,D882 时, R=330Ω 时, R=220Ω φ 7T 0.3mm ( ) x 5mm(Core) 3.3k Q2 C945 104P Ω 180k Ω L2 C3 18P Q1 104P 3.3k L1 1.1 F μ 天线 Ω 100 8 Ω 3.0V 7 μ F 9 203P 6 C2 47P Ω L3 7T 0.3mm ( ) x 5mm(Core) Q1 C945 68P 加速 μ L4 6.8 H 10 68P 5 μ L2 2.2 H 151P 33K 前进 11 μ L1 2.2 H 47P XTAL 27MHz 103P TX-2B 4 Ω Ω 220k 12 Rosc=160k 3 后退 Ω 203P 1.5k 473P C945 Q6 Ω 和 变化. R1,R2,R3,R4=80~150 VDD1 VDD2 加速 Ω,随 后退 R3 1k Ω Q7 Q8 M C945 Q9 Ω 1k 473P Q10 杭州士兰微电子股份有限公司 8 R4 C945 版本号：1.1 2004.04.20 TX-2B/RX-2B 士兰半导体 红外应用图例 发射部分 100 DC:3V F μ Ω 1~4.7 fosc=114kHz 14 13 12 11 10 9 8 5 6 7 进 前 速 加 TX-2B 1 转左 2 3 4 退 后 转右 管 极 二 外 红 C8050 接收部分 16 DC:5V 15 14 μ 13 12 11 10 9 100K VDD 输出 100 F RX-2B 1 2 3 4 Ω 5 6 7 8 1815 红外 接收电路 fosc=114KHz 杭州士兰微电子股份有限公司 9 版本号：1.1 2004.04.20 TX-2B/RX-2B 士兰半导体 封装外形图 单位：毫米 DIP-14-300-2.54 6.35 ± ± 0.25 7.62(300) 0.25 0.05 2.54 1.52 ±0.3 15 degree 3.00MIN 0.5MIN 4.36MAX 19.55 ±0.08 0.46 2.40MAX 单位：毫米 DIP-16-300-2.54 6.35 ± ±0.3 1.52 15 degree 3.00MIN 0.5MIN 4.36MAX 19.55 ± 0.25 7.62(300) 0.25 0.05 2.54 ±0.3 0.99 ±0.08 1.27MAX 0.46 杭州士兰微电子股份有限公司 10 版本号：1.1 2004.04.20 TX-2B/RX-2B 士兰半导体 附： 修改记录： 日 期 版本号 描 2002.03.11 1.0 原版 2002.03.21 1.1 修改了“2. 编码/解码定时” 述 杭州士兰微电子股份有限公司 11 页码 6 版本号：1.1 2004.04.20