GB5101 單節锂电池內部保护 IC 应用 特性 低耗电流 工作模式: 3uA typ. @ VCC = 3.9V 休眠模式: 0.1uA max. @VCC = 2.0V 过充电检测电压 (V ) 本 IC 适合于对 1 节锂离子/锂聚合物可再充 电电池的过充电、过放电和过电流进行保护 可使用在锂聚合物电池以保护高精密度的电话 和任何其它小配件 CU 4.25~4.3V, accuracy: ±50mV 过充电释放电压 (V CR) 4.05~4.1V, accuracy: ±50mV 过放电检测电压 (V 描述 系列 IC,内置高精度电压检测电路和延迟 电路,是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的保 护 IC。本 IC 适合于对 1 节锂离子/锂聚合物可再充 电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。 DL) GB5101 2.4V, accuracy: ±100mV 过放电释放电压 (V DR) 3.0V, accuracy: ±100mV 放电过流检测电压 (V IOV) 0.15V, accuracy: ±30mV 负载短路检测电压 (V SHORT) 1.0V 为过电流保护设置阻抗> 500KΩ 延迟时间由内部电路设置 订购和标识信息 订购和标识信息 SOT-26 1 Code 1 8 9 A B G H I J Year 2008 2009 2010 2011 2016 2017 2018 2019 Code 2 Month 1 Jan. 2 Feb. 3 Mar. 4 Apr. 9 Sep. A Oct. B Nov. C Dec. ● ● ● Grenergy OPTO Inc. reserves the right to make changes to improve reliability or manufacture ability without notice, and advise customers to obtain the latest version of relevant information to verify before placing orders. 2011.01 Ver.C .Copyright Grenergy OPTO, Inc. www.grenergy-ic.com 1 GB5101 电压版本 封装 过充电检测电压 过充电释放电压 过放电检测电压 过放电释放电压 放电过流检测电压 VCU (V) VCR (V) VDL (V) VDR (V) VIOV (mV) ± 4.275±0.05 4.250±0.05 4.300 0.05 A B ± 4.075±0.05 4.050±0.05 ±0.1 2.4±0.1 2.4±0.1 4.100 0.05 ±0.1 3.0±0.1 3.0±0.1 2.4 3.0 ±30 150±30 150±30 150 芯片脚位图 顶视图 芯片脚位描述 脚位 符号 1 OD 2 CS 3 OC 4 TD 5 VCC 6 VSS 过放电检测输出端, CMOS 输出 CS 和 VSS 之间电压检测端 过充电检测输出, CMOS 输出 延迟时间测量之测试端 电源供电输出端 地 描述 极限工作范围 和VSS之间输入电压 ---------------------------------------------------------------OC输出端子电压 -----------------------------------------------------------------------------------OD输出端子电压 ----------------------------------------------------------------------------------CS输入端子电压 -------------------------------------------------------------------------------------工作温度范围 -----------------------------------------------------------------------------------储存温度范围 -------------------------------------------------------------------------------------VCC 2011.01 Ver.C .Copyright Grenergy OPTO, Inc. www.grenergy-ic.com VSS-0.3 ~ VSS+10V VCC-28~ VCC+0.3V VSS-0.3 ~ VCC+0.3V VCC-28~ VCC+0.3V O -40 ~ 85 C O -40 ~ 125 C 2 GB5101 内部结构框图 2011.01 Ver.C .Copyright Grenergy OPTO, Inc. www.grenergy-ic.com 3 GB5101 电气参数 ℃ (TA = 25 ) 耗电流 工作电流 休眠电流 检测电压 过充电检测电压 参数 条件 符号 VCC = 3.9V IOPE VCC = 2.0V IPDN VCU 过充电释放电压 VCR 过放电检测电压 VDL 过放电释放电压 VDR 放电过流检测电压 负载短路检测电压 充电器检测电压 过充电检测延迟时间 过放电检测延迟时间 放电过流检测延迟时间 负载短路检测延迟时间 控制端子输出电压 OD 端子输出高电压 VIOV 最小 VCU -0.050 VCR -0.050 VDL -0.100 VDR -0.100 VIOV -0.030 典型 最大 单位 3.0 6.0 µA 0.1 µA VCU VCR VDL VDR VIOV VCU +0.050 VCR +0.050 VDL +0.100 VDR +0.100 VIOV +0.030 V V V V V VSHORT 0.7 1.0 1.7 V VCHA -0.3 -0.1 -0.05 V TCU 80 200 mS TDL 40 100 mS TIOV 10 20 mS TSHORT 10 50 µS 延迟时间 OC 端子输出低电压 VCC = 3.5V, Io = -5uA OD 端子输出高电压 端子输出低电压 3.0 3.4 V VCC = 4.5V, CS = 0V, Io OD VOCH VOCL 0.1 0.5 V = 5uA VCC = 3.5V, Io = -5uA VCC = 2.0V, Io = 5uA 2011.01 Ver.C .Copyright Grenergy OPTO, Inc. www.grenergy-ic.com VODH VODL 3.0 3.4 0.1 V 0.5 V 4 GB5101 时序图 2011.01 Ver.C .Copyright Grenergy OPTO, Inc. www.grenergy-ic.com 5 GB5101 时序图( 时序图(续) Abnormal Charge Current Detection VCU VCR Battery Voltage VDR VDL VCC OD PIN VSS VCC OC PIN VSS VCC CS PIN VSS VCHA charger Load Delay Time TDL 2011.01 Ver.C .Copyright Grenergy OPTO, Inc. www.grenergy-ic.com TCU 6 GB5101 工作说明 工作状态 此 IC 持续侦测连接在 VCC 和 VSS 之间的电池 电压,以及 CS 与 VSS 之间的电压差,来控制充 电和放电。当电池电压的范围从过放电检测电压 (V ) 到过充电检测电压 (V ) 之间,并且 CS 脚位电压没 有比 (V ) 更多时,使充电控制用 FET 和放电控制 用 FET 同时导通。这个状态称为“正常工作状态”,此 状态下,充电和放电都可以自由进行。电阻 (R ) 介 于 CS 和 VCC 之间, 并且电阻 (R ) 在 CS 脚位和 VSS 脚位之间在正常状态下电阻 (R ) 和电阻 (R ) 没有连接。说明:初次连接电芯时,会有不能 放电的可能性,此时,短接 CS 端子和 VSS 端子, 或者连接充电器,就能恢复到正常工作状态。 过充电状态 正常工作状态下的电池,在充电过程中,一旦电池电 压超过过充电检测电压 (V ) 并且这种状态持续的 时间超过过充电检测延迟时间 (T ) 以上时, GB5101 IC 会关闭充电控制用的 FET 停止充电。这 个状态称为 “过充电状态”。电阻 (R ) 介于 CS 和 VCC 之间,并且电阻 (R ) 在 CS 脚位和 VSS 脚 位之间,在过充电状态下电阻 (R ) 和电阻 (R ) 没有连接。 过充电状态的释放,有以下两种方法: (1) 在这案例中 CS 脚位电压高于或均等于充电检测 电压 (V ),和低于过放电流检测电压 (V ), GB5101 系列释放过充电状态,当电池电压在过 充电释放电压之下下跌 (V )。 (2) 在这案例中 CS 脚位电压高于或均等于过放电流 检测电压 (V ),GB5101 释放过充电状态,当电 池电压在过充电检测电压 (V ) 之下下跌。当在 过充电检测以后通过连接负载开始放电,CS 脚位 电压比 VSS 脚位电压还高是由于寄生二极管的电 压。这是因为放电的电流流经在充电的控制 FET 寄生二极管,如果这 CS 脚位电压高于或均等对过 放电流检测电压 (V ), GB5101 当电池电压比 过充电检测电压 (V ) 低或均等对为释放过充电 状态。 DL CU IOV VMD VMS VMD VMS CU CU VMD VMS VMD CHA VMS IOV CR IOV CU IOV CU 2011.01 Ver.C .Copyright Grenergy OPTO, Inc. www.grenergy-ic.com 过放电状态 正常工作状态下的电池,在放电过程中,一旦电池电 压超过过放电检测电压 (V ) 并且这种状态持续的 时间超过过放电检测延迟时间 (T ) 以上时, GB5101 IC 会关闭充电控制用的 FET 停止放电。这 个状态称为 “过放电状态”,在过放电状态下, 当关 闭放电控制用 FET 后,CS 由 IC 内部电阻上拉到 VCC,使 IC 耗电流减小到休眠时的耗电流值,这个 状态称为 “休眠状态”。电阻 (R ) 在 CS 脚位和 VSS 脚位之间在休眠状态和过放电状态没有连接。当 要释放休眠状态时,连接上充电器,并且在 CS 脚位 和 VSS 脚位之间的电压差为 1.0V (typ.) 或更低。当 一个电池在过放电状态连接到充电器,并且在 CS 脚 位电压低于充电检测电压条件下 (V ),GB5101 释 放过放电状态和轮释放的 FET 在,当电池电压到达过 放电检测电压 (V ) 或更高。当一个电池在过放电状 态连接到充电器,并且在 CS 脚位电压低于充电检测 电压条件下 (V ),GB5101 释放过放电状态,当电 池电压到达过放电释放电压 (V ) 或更高。 过放电流状态 (放电过流检测功能和负载短路检测 功能) 当电池在正常状态时,并且 CS 脚位的电压是相等的 或更加高于放电过电流检测电压,因为放电电流指定 值和状态高于持续放电过放电流检测延迟时间,放电 控制 FET 被关闭,并且停止放电。这个状态称为 “过 放电流状态”。在过放电流状态,CS 脚位和 VSS 脚 位是短路,在 IC 里由电阻在 CS 脚位和 VSS 脚位 (R )之间。然而 CS 脚位的电压在 VCC 电位由于 装载,只要装载连接,当负载是分离的,CS 脚位回 到 VSS 电位,这 IC 电路检查的状态,当阻抗在 Bat+ 和 Bat-之间增加并且与使能自动恢复时,并且电压在 CS 脚位返回到放电当前侦查电压的阻抗是相等的 (V ) 或降下,过放电流状态被恢复到正常状态,即 使连接的阻抗小于自动恢复水平,GB5101 将从放电 当前侦查状态恢复到正常状态,当 CS 脚位电压变成 放电当前侦查电压 (V ) 或比充电时的电压还要 低。 DL DL VMS CHA DL CHA DR VMS IOV IOV 7 GB5101 在过放电流检测电压状态电阻 (R ) 在 CS 和 VCC 之间没有连接。 异常充电电流检测 在正常状态下充电的电池期间,如果 CS 脚位电压成 为更低比充电检测电压 (V ) 和这状态比过充电检 测延迟时间 (T ) 长,GB5105 关闭充电控制 FET 电电流检测在电池在过放电状态流动,并且电池电压 在过充电检测延迟时间 (T ) 以后过放电检测电压 成为更加高于,GB5105 关闭充电控制FET停止充 电,状态不规则的充电电流侦查被更低的电位差充电 器侦查电压(V )发现在VM和VSS之间。 VMD CHA CU CU CHA 2011.01 Ver.C .Copyright Grenergy OPTO, Inc. www.grenergy-ic.com 8 GB5101 典型应用电路 符号 器件名称 M1 N-channel MOSFET 用途 放电控制 Constant for External Components C1 充电控制 电阻 静电保护以防止内部 电路破坏 电容 对 power 滤波 R2 电阻 M2 R1 N-channel MOSFET 充电器反接保护 最小 典型. 最大 __ __ __ __ __ __ 47Ω 100Ω 1KΩ 0.022uF 0.1uF 1.0uF 300Ω 1KΩ 4KΩ 2011.01 Ver.C .Copyright Grenergy OPTO, Inc. www.grenergy-ic.com 说明 闸控电压 ≤ 过放侦测电压 Vgs 耐压 ≥ 放电电压 闸控电压 ≤ 过放侦测电压 Vgs 电压 ≥ 电放电压 该电阻应是尽可能的小以避免 VCC 电 流降下造成过充电压的准确性 在 VCC 和 VSS 之间可使用 0.022uF 电容器或更高 当充电器反接时,请尽量选择较大的阻 值来保护大电流 9 GB5101 封装信息 SOT-26 SYMBOL MILLIMETERS MIN. MAX. A MIN. MAX. 1.45 0.057 A1 0.00 0.15 0.000 0.006 A2 0.90 1.30 0.035 0.051 b 0.30 0.50 0.012 0.020 c 0.08 0.22 0.003 0.009 D 2.70 3.10 0.106 0.122 E 2.60 3.00 0.102 0.118 E1 1.40 1.80 0.055 0.071 e 0.95 BSC 0.037 BSC e1 1.90 BSC 0.075 BSC L θ Note : INCHES 0.30 o 0 0.60 8 o 0.012 o 0 0.024 8 o 1. Followed from JEDEC TO-178 AB. 2. Dimension D and E1 do not include mold flash, protrusions or gate burrs. Mold flash, protrusions or gate burrs shall not exceed 10 mil per side. 2011.01 Ver.C .Copyright Grenergy OPTO, Inc. www.grenergy-ic.com 10 GB5101 封装信息 SOT-26 Application A H 178.0 2.00 ± 50 MIN. P0 P1 SOT-26 4.0 ±0.10 4.0 ±0.10 T1 C d 8.4+2.00 13.0+0.50 -0.00 -0.20 P2 2.0 ±0.05 D0 D 1.5 MIN. D1 20.2 MIN. 8.0 T W E1 ±0.30 1.75±0.10 A0 1.5+0.10 0.6+0.00 1.0 M----IN. 3.20 -0.00 -0.40 B0 F 3.5 ±0.05 K0 ±0.20 3.10±0.20 1.50±0.20 (mm) Application SOT -26 Carrier Width Cover Tape Width Devices Per Reel 8 5.3 3000 2011.01 Ver.C .Copyright Grenergy OPTO, Inc. www.grenergy-ic.com 11 GB5101 封装信息 SOT-26 Direction of feed Grenergy OPTO, Inc. reserves the right to make corrections, modifications, enhancements, improvements, and other changes to its products and services at any time and to discontinue any product or service without notice. Customers should obtain the latest relevant information before placing orders and should verify that such information is current and complete. 2011.01 Ver.C .Copyright Grenergy OPTO, Inc. www.grenergy-ic.com 12