SII S-8261

Rev.4.4_00
S-8261系列
1节电池用电池保护IC
S-8261系列内置高精度电压检测电路和延迟电路，是用于锂离子/锂聚合
物可充电电池的保护IC。
本IC最适合于对1节锂离子/锂聚合物可充电电池组的过充电、过放电和
过电流的保护。
■ 特点
(1) 内置高精度电压检测电路
· 过充电检测电压
3.9 V ~ 4.4 V(进阶单位为5 mV)
·
·
·
·
·
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
·
·
(8)
·
·
(9)
(10)
(11)
精度±25 mV(25 °C)、
±30 mV(−5°C ∼ +55 °C)
*1
精度±25 mV
过充电滞后电压
0.1 V ~ 0.4 V
过充电滞后电压可以在0.1 V∼0.4 V的范围内，以50 mV为进阶单位进行选择
过放电检测电压
2.0 V ~ 3.0 V(进阶单位为10 mV)
精度±50 mV
*2
过放电滞后电压
0.0 V ~ 0.7 V
精度±50 mV
过放电滞后电压可以在0.0 V ~ 0.7 V的范围内，以100 mV为进阶单位进行选择
过电流1检测电压
0.05 V ~ 0.3 V(进阶单位为10 mV)
精度±15 mV
过电流2检测电压
0.5 V(固定)
精度±100 mV
连接充电器的端子采用高耐压器件 (VM 端子、CO 端子：绝对最大额定值 = 28 V)
各种延迟时间只需由内置电路来实现(过充电：tCU、过放电：tDL、过电流 1：tIOV1、过电流 2：tIOV2)
(不需外接电容)
精度±20%
内置三段过电流检测电路(过电流 1、过电流 2、负载短路)
可以选择向 0 V 电池充电功能的<可能> / <禁止>
可以选择休眠功能的<有> / <无>
可充电器检测功能、异常充电电流检测功能
根据检测VM端子的负电压(典型值−0.7 V) 而解除过放电滞后(充电器检测功能)。
当DO端子电压处于高电位(High)，VM端子电压低于充电器检测电压(典型值−0.7 V) 时，CO端子的输出将被设置于
低电位(Low)(异常充电电流检测功能)。
低消耗电流
工作状态时
典型值3.5 µA 最大值7.0 µA
休眠状态时
最大值0.1 µA
宽工作温度范围
−40 ~ +85 °C
小型封装
SOT-23-6
无铅产品
*1. 过充电解除电压 = 过充电检测电压−过充电滞后电压(但是，当过充电解除电压<3.8 V时不能选择)
*2. 过放电解除电压 = 过放电检测电压＋过放电滞后电压(但是，过放电解除电压>3.4 V时不能选择)
■ 用途
·锂离子可充电电池组
·锂聚合物可充电电池组
■ 封装
封装名
SOT-23-6
封装图面
图面号码
卷带图面
带卷图面
MP006-A
MP006-A
MP006-A
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1
1节电池用电池保护IC
S-8261系列
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■ 框图
DP
控制输出电路
向 0 V 电池充电可能
或充电禁止电路
DO
分频器
控制逻辑
振荡器
控制逻辑
VDD
＋
充电器
检测电路
CO
－
过充电检测
比较器
＋
－
过电流 1 检测比较器
RVMD
过放电检测
比较器
＋
VM
－
RVMS
＋
过电流 2 检测比较器
－
＋
－
负载短路检测比较器
VSS
备注
图中的二极管全部为寄生二极管。
图1
2
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1节电池用电池保护IC
S-8261系列
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■ 产品型号的构成
1. 产品名
S-8261A
xx
MD
-
xxx
T2
G
卷带规格中的IC置向*1
T2 : SOT-23-6
产品简称*2
封装简称
MD : SOT-23-6
序列号
按AA~ZZ顺序设定
*1.
*2.
请参阅卷带图。
请参阅产品名目录。
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1节电池用电池保护IC
S-8261系列
Rev.4.4_00
2. 产品名目录
表1
产品名／项目
过充电
检测电压
VCU
过充电
滞后电压
VHC
过放电
检测电压
VDL
过放电
滞后电压
VHD
过电流1
检测电压
VIOV1
S-8261AAGMD-G2GT2G
S-8261AAHMD-G2HT2G
S-8261AAJMD-G2JT2G
S-8261AALMD-G2LT2G
S-8261AAMMD-G2MT2G
S-8261AANMD-G2NT2G
S-8261AAOMD-G2OT2G
S-8261AAPMD-G2PT2G
S-8261AARMD-G2RT2G
S-8261AASMD-G2ST2G
S-8261AATMD-G2TT2G
S-8261AAUMD-G2UT2G
4.280 V
4.280 V
4.325 V
4.300 V
4.300 V
4.275 V
4.280 V
4.325 V
4.280 V
4.280 V
4.300 V
4.275 V
0.20 V
0.20 V
0.25 V
0.10 V
0.10 V
0.10 V
0.20 V
0.25 V
0.20 V
0.20 V
0.10 V
0.10 V
2.30 V
2.30 V
2.50 V
2.30 V
2.30 V
2.30 V
2.30 V
2.50 V
2.30 V
2.30 V
2.30 V
2.30 V
0V
0V
0.4 V
0V
0V
0.1 V
0V
0.4 V
0V
0V
0V
0.1 V
0.16 V
0.08 V
0.15 V
0.08 V
0.20 V
0.10 V
0.13 V
0.10 V
0.10 V
0.15 V
0.08 V
0.10 V
S-8261AAXMD-G2XT2G
4.350 V
0.10 V
2.30 V
0.1 V
S-8261AAZMD-G2ZT2G
4.280 V
0.25 V
2.50 V
0.4 V
S-8261ABAMD-G3AT2G
4.350 V
0.20 V
2.50 V
0V
S-8261ABBMD-G3BT2G
4.275 V
0.20 V
2.30 V
0V
S-8261ABCMD-G3CT2G
4.300 V
0.20 V
2.30 V
0V
S-8261ABIMD-G3IT2G
4.275 V
0.20 V
2.30 V
0V
S-8261ABJMD-G3JT2G
4.280 V
0.20 V
3.00 V
0V
S-8261ABKMD-G3KT2G
4.100 V
0.25 V
2.50 V
0.4 V
S-8261ABLMD-G3LT2G
4.275 V
0.20 V
2.30 V
0V
S-8261ABMMD-G3MT2G
4.280 V
0.20 V
2.80 V
0V
S-8261ABNMD-G3NT2G
4.300 V
0.20 V
2.30 V
0V
S-8261ABPMD-G3PT2G
4.200 V
0.10 V
2.80 V
0.1 V
S-8261ABRMD-G3RT2G
4.275 V
0.20 V
2.50 V
0.4 V
S-8261ABSMD-G3ST2G
4.280 V
0.10 V
2.50 V
0.5 V
S-8261ABTMD-G3TT2G
4.280 V
0.20 V
3.00 V
0.4 V
S-8261ABYMD-G3YT2G
4.275 V
0.10 V
2.30 V
0.1 V
S-8261ABZMD-G3ZT2G
4.325 V
0.25 V
2.50 V
0.4 V
S-8261ACAMD-G4AT2G
4.280 V
0.20 V
2.30 V
0V
S-8261ACBMD-G4BT2G
4.250 V
0.20 V
2.60 V
0.3 V
S-8261ACDMD-G4DT2G
4.350 V
0.25 V
2.30 V
0.7 V
S-8261ACEMD-G4ET2G
3.900 V
0.10 V
2.00 V
0.3 V
S-8261ACFMD-G4FT2G
4.280 V
0.20 V
2.30 V
0V
S-8261ACHMD-G4HT2G
4.465 V
0.30 V
2.10 V
0V
S-8261ACIMD-G4IT2G
4.250 V
0.20 V
2.40 V
0.5 V
S-8261ACMMD-G4MT2G
4.325 V
0.20 V
3.00 V
0.4 V
*1. 延迟时间的组合项目中的（1）～（9），请参阅表2。
备注 需要上述检测电压值以外的产品时，请向本公司营业部咨询。
0.10 V
0.10 V
0.20 V
0.13 V
0.13 V
0.20 V
0.08 V
0.15 V
0.05 V
0.10 V
0.06 V
0.15 V
0.15 V
0.18 V
0.08 V
0.10 V
0.15 V
0.13 V
0.12 V
0.25 V
0.10 V
0.10 V
0.15 V
0.10 V
0.06 V
4
精工电子有限公司
向0 V电池的
充电功能
延迟时间
*1
的组合
休眠
功能
可能
可能
禁止
禁止
禁止
可能
禁止
禁止
可能
禁止
可能
可能
可能
禁止
可能
可能
可能
禁止
可能
禁止
禁止
可能
可能
禁止
禁止
禁止
可能
可能
禁止
禁止
禁止
可能
可能
可能
可能
可能
禁止
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(2)
(3)
(4)
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
有
无
有
有
有
有
无
有
(4)
(1)
(4)
(1)
(1)
(5)
(1)
(1)
(5)
(1)
(1)
(1)
(1)
(1)
(5)
(6)
(6)
(6)
(1)
(7)
(1)
(8)
(9)
(1)
(1)
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表2
延迟时间的
组合
过充电检测
延迟时间
tCU
过放电检测
延迟时间
tDL
（1）
1.2 s
144 ms
9 ms
2.24 ms
320 µs
（2）
1.2 s
144 ms
4.5 ms
2.24 ms
320 µs
（3）
4.6 s
36 ms
18 ms
9 ms
320 µs
（4）
4.6 s
144 ms
9 ms
2.24 ms
320 µs
（5）
1.2 s
36 ms
9 ms
2.24 ms
320 µs
（6）
1.2 s
144 ms
9 ms
1.12 ms
320 µs
（7）
1.2 s
290 ms
18 ms
2.24 ms
320 µs
（8）
1.2 s
144 ms
18 ms
2.24 ms
320 µs
（9）
0.3 s
36 ms
9 ms
1.12 ms
320 µs
备注
过电流1检测延
迟时间
tIOV1
过电流2检测延
迟时间
tIOV2
负载短路检测延
迟时间
tSHORT
可更改在下述范围内的延迟时间，请向本公司营业部咨询。
表3
延迟时间
过充电检测延迟时间
tCU
0.15 s
选择范围
1.2 s
4.6 s
从左项中选择
过放电检测延迟时间
tDL
36 ms
144 ms
290 ms
从左项中选择
过电流1检测延迟时间
tIOV1
4.5 ms
9 ms
18 ms
从左项中选择
过电流2检测延迟时间
tIOV2
1.12 ms
2.24 ms
负载短路检测延迟时间
tSHORT
―
320 µs
―
600 µs
从左项中选择
备注
记号
备注
从左项中选择
粗线框内表示为标准产品的延迟时间。
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■ 引脚排列图
SOT-23-6
Top view
6 5 4
1
2
表4
引脚号
1
2
3
4
5
6
符号
DO
VM
CO
DP
VDD
VSS
描述
放电控制用FET门极连接端子(CMOS输出)
VM ∼ VSS间的电压检测端子(过电流检测端子)
充电控制用FET门极连接端子(CMOS输出)
延迟时间测定用测试端子
正电源输入端子
负电源输入端子
3
图2
6
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■ 绝对最大额定值
表5
项 目
记号
规 格
VSS−0.3 ∼ VSS+12
VDD−28 ∼ VDD+0.3
VVM−0.3 ∼ VDD+0.3
VSS−0.3 ∼ VDD+0.3
250 (基板未安装时)
*1
650
−40 ∼ +85
−55 ∼ +125
VDD-VSS间输入电压
VM输入端子电压
CO输出端子电压
DO输出端子电压
VDS
VVM
VCO
VDO
VDD
VM
CO
DO
容许功耗
PD
―
工作环境温度
保存温度
Topr
Tstg
―
―
*1.
注意
基板安装时
[安装基板]
(1) 基板尺寸：
(2) 名称：
(除特殊注明以外:Ta = 25 °C)
单位
适用端子
V
V
V
V
mW
mW
°C
°C
114.3 mm×76.2 mm×t1.6 mm
JEDEC STANDARD51-7
绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值。万一超过此额定值，有可能造成产品劣化等物理性
损伤。
(2) 基板未安装时
700
600
600
500
容许功耗 (PD) [mW]
容许功耗 (PD) [mW]
(1) 基板安装时
500
400
300
200
400
300
200
100
100
0
0
100
50
环境温度 (Ta) [°C]
0
150
0
图3
100
50
环境温度 (Ta) [°C]
150
封装容许功耗
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■ 电气特性
1.
检测延迟时间以外(25 °C)
表6
项目
记号
条件
最小值
典型值
(除特殊注明以外：Ta = 25 °C)
测定 测定
最大值 单位
条件 电路
检测电压
过充电检测电压
VCU=3.9 ~ 4.4 V,
进阶单位为5 mV
过充电滞后电压
VHC=0.1 ~ 0.4 V,
进阶单位为50 mV
过放电检测电压
VDL=2.0 ~ 3.0 V,
进阶单位为10 mV
过放电滞后电压
VHD=0.0 ~ 0.7 V,
进阶单位为100 mV
过电流1检测电压
VIOV1=0.05 ~ 0.3 V,
进阶单位为10 mV
过电流2检测电压
负载短路检测电压
充电器检测电压
输入电压・工作电压
VDD−VSS间工作电压
VDD−VM间工作电压
消耗电流 (备有休眠功能)
通常工作时消耗电流
休眠时消耗电流
消耗电流 (无休眠功能)
通常工作时消耗电流
过放电时消耗电流
输出电阻
―
VCU
Ta = −5 °C ~ 55 °C*1
VCU
−0.025
VCU
−0.030
VCU
VCU
+0.025
VCU
+0.030
V
1
1
V
1
1
VHC
―
VHC
−0.025
VHC
VHC
+0.025
V
1
1
VDL
―
VDL
−0.050
VDL
VDL
+0.050
V
2
2
VHD
―
VHD
−0.050
VHD
VHD
+0.050
V
2
2
VIOV1
―
VIOV1
−0.015
VIOV1
VIOV1
+0.015
V
3
2
VIOV2
VSHORT
VCHA
―
―
―
0.4
0.9
−1.0
0.5
1.2
−0.7
0.6
1.5
−0.4
V
V
V
3
3
4
2
2
2
VDSOP1
VDSOP2
内部电路工作电压
内部电路工作电压
1.5
1.5
―
―
8
28
V
V
―
―
―
―
IOPE
IPDN
VDD = 3.5 V, VVM = 0 V
VDD = VVM = 1.5 V
1.0
―
3.5
―
7.0
0.1
µA
µA
5
5
2
2
IOPE
IOPED
VDD = 3.5 V, VVM = 0 V
VDD = VVM = 1.5 V
1.0
1.0
3.5
3.0
7.0
5.5
µA
µA
5
5
2
2
2.5
5
10
kΩ
7
4
2.5
5
10
kΩ
7
4
2.5
5
10
kΩ
8
4
2.5
5
10
kΩ
8
4
100
10
300
20
900
40
kΩ
kΩ
6
6
3
3
1.2
―
―
―
―
0.5
V
V
11
12
2
2
CO端子电阻“H”
RCOH
CO端子电阻“L”
RCOL
DO端子电阻“H”
RDOH
DO端子电阻“L”
RDOL
VCO = 3.0 V, VDD = 3.5 V,
VVM = 0 V
VCO = 0.5 V, VDD = 4.5 V,
VVM = 0 V
VDO = 3.0 V, VDD = 3.5 V,
VVM = 0 V
VDO = 0.5 V,
VDD = VVM = 1.8 V
VM内部电阻
VM−VDD间内部电阻
RVMD
VDD = 1.8 V, VVM = 0 V
VM−VSS间内部电阻
RVMS
VDD = 3.5 V, VVM = 1.0 V
向0 V电池的充电功能
开始向0 V电池充电充电器电压 V0CHA
向0 V电池充电功能‹可能›
禁止向0 V电池充电电池电压
向0 V电池充电功能‹禁止›
V0INH
*1. 以上温度范围系设计保证值，非高低温的实测筛选。
8
VCU
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2.
检测延迟时间以外(−40 ∼ +85 °C*1)
表7
(除特殊注明以外：Ta = −40 ∼ +85 °C*1)
项目
条件
最小值
典型值
最大值
单位
测定
条件
测定
电路
VCU
―
VCU
−0.055
VCU
VCU
+0.040
V
1
1
VHC
―
VHC
−0.025
VHC
VHC
+0.025
V
1
1
VDL
―
VDL
−0.080
VDL
VDL
+0.080
V
2
2
VHD
―
VHD
−0.050
VHD
VHD
+0.050
V
2
2
VIOV1
―
VIOV1
−0.021
VIOV1
VIOV1
+0.021
V
3
2
VIOV2
VSHORT
VCHA
―
―
―
0.37
0.7
−1.2
0.5
1.2
−0.7
0.63
1.7
−0.2
V
V
V
3
3
4
2
2
2
记号
检测电压
过充电检测电压
VCU=3.9 ~ 4.4 V,
进阶单位为5 mV
过充电滞后电压
VHC=0.1 ~ 0.4 V,
进阶单位为50 mV
过放电检测电压
VDL=2.0 ~ 3.0 V,
进阶单位为10 mV
过放电滞后电压
VHD=0.0 ~ 0.7 V,
进阶单位为100 mV
过电流1检测电压
VIOV1=0.05 ~ 0.3 V,
进阶单位为10 mV
过电流2检测电压
负载短路检测电压
充电器检测电压
输入电压・工作电压
VDD−VSS间工作电压
VDD−VM间工作电压
消耗电流 (备有休眠功能)
通常工作时消耗电流
休眠时消耗电流
消耗电流 (无休眠功能)
通常工作时消耗电流
过放电时消耗电流
输出电阻
VDSOP1
VDSOP2
内部电路工作电压
内部电路工作电压
1.5
1.5
―
―
8
28
V
V
―
―
―
―
IOPE
IPDN
VDD = 3.5 V, VVM = 0 V
VDD = VVM =1.5 V
0.7
―
3.5
―
8.0
0.1
µA
µA
5
5
2
2
IOPE
IOPED
VDD =3.5 V, VVM =0 V
VDD = VVM = 1.5 V
0.7
0.7
3.5
3.0
8.0
6.0
µA
µA
5
5
2
2
1.2
5
15
kΩ
7
4
1.2
5
15
kΩ
7
4
1.2
5
15
kΩ
8
4
1.2
5
15
kΩ
8
4
78
7.2
300
20
1310
44
kΩ
kΩ
6
6
3
3
1.7
―
―
―
―
0.3
V
V
11
12
2
2
CO端子电阻“H”
RCOH
CO端子电阻“L”
RCOL
DO端子电阻“H”
RDOH
DO端子电阻“L”
RDOL
VCO = 3.0 V, VDD = 3.5 V,
VVM = 0 V
VCO = 0.5 V, VDD = 4.5 V,
VVM = 0 V
VDO = 3.0 V, VDD = 3.5 V,
VVM = 0 V
VDO = 0.5 V,
VDD = VVM = 1.8 V
VM内部电阻
VM−VDD间内部电阻
RVMD
VDD = 1.8 V, VVM = 0 V
VM−VSS间内部电阻
RVMS
VDD = 3.5 V, VVM = 1.0 V
向0 V电池的充电功能
开始向0 V电池充电充电器电压 V0CHA
向0 V电池充电功能‹可能›
禁止向0 V电池充电电池电压
向0 V电池充电功能‹禁止›
V0INH
*1. 以上温度范围系设计保证值，非高低温的实测筛选。
精工电子有限公司
9
1节电池用电池保护IC
S-8261系列
3.
Rev.4.4_00
检测延迟时间
(1)
S-8261AAG, S-8261AAH, S-8261AAJ, S-8261AAL, S-8261AAM, S-8261AAN, S-8261AAO, S-8261AAP,
S-8261AAR, S-8261AAZ, S-8261ABB, S-8261ABC, S-8261ABJ, S-8261ABK, S-8261ABM, S-8261ABN,
S-8261ABP, S-8261ABR, S-8261ABS, S-8261ACB, S-8261ACE, S-8261ACI, S-8261ACM
表8
项目
记号
条件
延迟时间 (Ta = 25 °C)
过充电检测延迟时间
―
tCU
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
延迟时间 (Ta = −40 ∼ +85 °C)*1
tCU
―
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
*1. 以上温度范围系设计保证值，非高低温的实测筛选。
(2)
最小值
典型值
0.96
115
7.2
1.8
220
1.2
144
9
2.24
320
1.4
173
11
2.7
380
0.7
80
5
1.2
150
1.2
144
9
2.24
320
2.0
245
15
3.8
540
最小值
典型值
0.96
115
3.6
1.8
220
1.2
144
4.5
2.24
320
1.4
173
5.4
2.7
380
0.7
80
2.5
1.2
150
1.2
144
4.5
2.24
320
2.0
245
7.7
3.8
540
测定
条件
测定
电路
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
测定
条件
测定
电路
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
最大值 单位
S-8261AAS
表9
项目
记号
条件
延迟时间 (Ta = 25 °C)
过充电检测延迟时间
―
tCU
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
延迟时间 (Ta = −40 ∼ +85 °C)*1
tCU
―
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
*1. 以上温度范围系设计保证值，非高低温的实测筛选。
10
精工电子有限公司
最大值 单位
1节电池用电池保护IC
S-8261系列
Rev.4.4_00
(3)
S-8261AAT
表10
项目
测定
条件
测定
电路
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
条件
最小值
典型值
―
―
―
―
―
3.7
29
14
7.2
220
4.6
36
18
9
320
5.5
43
22
11
380
延迟时间 (Ta = −40 ∼ +85 °C)*1
tCU
―
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
*1. 以上温度范围系设计保证值，非高低温的实测筛选。
2.5
20
10
5
150
4.6
36
18
9
320
7.8
61
31
15
540
条件
最小值
典型值
―
―
―
―
―
3.7
115
7.2
1.8
220
4.6
144
9
2.24
320
5.5
173
11
2.7
380
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
延迟时间 (Ta = −40 ∼ +85 °C)*1
tCU
―
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
*1. 以上温度范围系设计保证值，非高低温的实测筛选。
2.5
80
5
1.2
150
4.6
144
9
2.24
320
7.8
245
15
3.8
540
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
延迟时间 (Ta = 25 °C)
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
过电流1检测延迟时间
过电流2检测延迟时间
负载短路检测延迟时间
(4)
记号
tCU
tDL
tIOV1
tIOV2
tSHORT
最大值 单位
S-8261AAU, S-8261AAX, S-8261ABA
表11
项目
延迟时间 (Ta = 25 °C)
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
过电流1检测延迟时间
过电流2检测延迟时间
负载短路检测延迟时间
记号
tCU
tDL
tIOV1
tIOV2
tSHORT
精工电子有限公司
最大值 单位 条件
测定
电路
11
1节电池用电池保护IC
S-8261系列
(5)
Rev.4.4_00
S-8261ABI, S-8261ABL, S-8261ABT
表12
项目
条件
最小值
典型值
―
―
―
―
―
0.96
29
7.2
1.8
220
1.2
36
9
2.24
320
1.4
43
11
2.7
380
延迟时间 (Ta = −40 ∼ +85 °C)*1
tCU
―
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
*1. 以上温度范围系设计保证值，非高低温的实测筛选。
0.7
20
5
1.2
150
1.2
36
9
2.24
320
2.0
61
15
3.8
540
最小值
典型值
0.96
115
7.2
0.89
220
1.2
144
9
1.12
320
1.4
173
11
1.35
380
0.7
80
5
0.61
150
1.2
144
9
1.12
320
2.0
245
15
1.91
540
延迟时间 (Ta = 25 °C)
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
过电流1检测延迟时间
过电流2检测延迟时间
负载短路检测延迟时间
(6)
记号
tCU
tDL
tIOV1
tIOV2
tSHORT
测定
条件
测定
电路
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
测定
条件
测定
电路
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
最大值 单位
S-8261ABY, S-8261ABZ, S-8261ACA
表13
项目
记号
条件
延迟时间 (Ta = 25 °C)
过充电检测延迟时间
―
tCU
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
*1
延迟时间 (Ta = −40 ∼ +85 °C)
tCU
―
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
*1. 以上温度范围系设计保证值，非高低温的实测筛选。
12
精工电子有限公司
最大值 单位
1节电池用电池保护IC
S-8261系列
Rev.4.4_00
(7)
S-8261ACD
表14
项目
记号
条件
延迟时间 (Ta = 25 °C)
过充电检测延迟时间
―
tCU
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
延迟时间 (Ta = −40 ∼ +85 °C)*1
tCU
―
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
*1. 以上温度范围系设计保证值，非高低温的实测筛选。
(8)
最小值
典型值
0.96
232
14
1.8
220
1.2
290
18
2.24
320
1.4
348
22
2.7
380
0.7
160
10
1.2
150
1.2
290
18
2.24
320
2.0
493
31
3.8
540
最小值
典型值
0.96
115
1.2
144
1.4
173
14
1.8
220
18
2.24
320
22
2.7
380
0.7
80
1.2
144
2.0
245
10
1.2
150
18
2.24
320
31
3.8
540
测定
条件
测定
电路
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
测定
条件
测定
电路
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
最大值 单位
S-8261ACF
表15
项目
记号
条件
延迟时间 (Ta = 25 °C)
过充电检测延迟时间
―
tCU
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
延迟时间 (Ta = −40 ∼ +85 °C)*1
tCU
―
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
*1. 以上温度范围系设计保证值，非高低温的实测筛选。
精工电子有限公司
最大值 单位
13
1节电池用电池保护IC
S-8261系列
(9)
Rev.4.4_00
S-8261ACH
表16
项目
记号
条件
延迟时间 (Ta = 25 °C)
过充电检测延迟时间
―
tCU
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
延迟时间 (Ta = −40 ∼ +85 °C)*1
tCU
―
过充电检测延迟时间
过放电检测延迟时间
―
tDL
过电流1检测延迟时间
―
tIOV1
过电流2检测延迟时间
―
tIOV2
负载短路检测延迟时间
―
tSHORT
*1. 以上温度范围系设计保证值，非高低温的实测筛选。
14
精工电子有限公司
最小值
典型值
0.24
29
7.2
0.89
220
0.3
36
9
1.12
320
0.36
43
11
1.35
380
0.17
20
5
0.61
150
0.3
36
9
1.12
320
0.51
61
15
1.91
540
测定
条件
测定
电路
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
s
ms
ms
ms
µs
9
9
10
10
10
5
5
5
5
5
最大值 单位
1节电池用电池保护IC
S-8261系列
Rev.4.4_00
■ 测定电路
注意
在未经特别说明的情况下，CO和DO端子的输出电压VCO、VDO的“H”、“L”的判定是以Nch FET的阈值电压(1.0
V)为基准。此时的CO端子请以VVM为基准，DO端子请以VSS为基准来判定。
(1) 测定条件1、测定电路1
(过充电检测电压、过放电滞后电压)
在V1 = 3.5 V设定后的状态下，将V1逐渐提升至VCO = “H”→“L”时的VDD－VSS间电压即为过充电检测电压(VCU)。
然后，将V1逐渐降至VCO = “L”→“H”时的VDD－VSS间电压与过充电检测电压(VCU) 之间的差异即为过充电滞后电
压(VHC)。
(2) 测定条件2、测定电路2
(过放电检测电压、过放电滞后电压)
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V1逐渐降至VDO = “H”→“L”时的VDD－VSS间电压即为过放电检测电
压(VDL)。然后，将V1逐渐提升至VDO = “L”→“H”时的VDD－VSS间电压与过放电检测电压(VDL) 之间的差异即为过
放电滞后电压(VHD)。
(3) 测定条件3、测定电路2
(过电流1检测电压、过电流2检测电压、负载短路检测电压)
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V2在瞬间(10 µs以内)提升至VDO = “H”→“L”之间的延迟时间在过电流1
延迟时间的最小值和最大值的之间的范围内时，VM－VSS间电压即为过电流1检测电压(VIOV1)。
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V2在瞬间(10 µs以内)提升至VDO = “H”→“L”之间的延迟时间在过电流2
延迟时间的最小值和最大值之间的范围内时，VM－VSS间电压即为过电流2检测电压(VIOV2)。
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V2在瞬间(10 µs以内)提升至VDO = “H”→“L”之间的延迟时间在负载短
路延迟时间的最小值和最大值之间的范围内时，VM－VSS间电压即为负载短路检测电压(VSHORT)。
(4) 测定条件4、测定电路2
(充电器检测电压 (= 异常充电电流检测电压) )
在V1 = 1.8 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V1逐渐提升，设定V1 = VDL+(VHD / 2) ，之后将V2从0 V逐渐降至VDO
= “L”→“H”时， VM－VSS间电压即为充电器检测电压(VCHA)。
充电器检测电压的测定仅限于过放电滞后VHD≠0的产品。
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V2逐渐降至VCO = “H”→“L”时，VM－VSS间电压即为异常充电电流检
测电压。异常充电电流检测电压和充电器检测电压(VCHA) 为相同值。
(5) 测定条件5、测定电路2
(通常工作时消耗电流、休眠时消耗电流、过放电时消耗电流)
<备有休眠功能的产品>
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态(通常状态)下，流经VDD端子的电流IDD即为通常工作时消耗电流(IOPE)。
在V1 = V2 = 1.5 V设定后的状态(过放电状态)下，流经VDD端子的电流IDD即为休眠时消耗电流(IPDN)。
<无休眠功能的产品>
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态(通常状态)下，流经VDD端子的电流IDD即为通常工作时消耗电流(IOPE)。
在V1 = V2 = 1.5 V设定后的状态(过放电状态)下，流经VDD端子的电流IDD即为过放电时消耗电流(IOPED)。
精工电子有限公司
15
1节电池用电池保护IC
S-8261系列
Rev.4.4_00
(6) 测定条件6、测定电路3
(VM－VDD间内部电阻、VM－VSS间内部电阻)
在V1 = 1.8 V、V2 = 0 V设定后的状态下，VM－VDD间电阻即为VM－VDD间内部电阻(RVMD)。
在V1 = 3.5 V、V2 = 1.0 V设定后的状态下，VM－VSS间电阻即为VM－VSS间内部电阻(RVMS)。
(7) 测定条件7、测定电路4
(CO端子“H”电阻、CO端子“L”电阻)
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V、V3 = 3.0 V设定后的状态下，CO端子电阻即为CO端子H电阻(RCOH)。
在V1 = 4.5 V、V2 = 0 V、V3 = 0.5 V设定后的状态下，CO端子电阻即为CO端子L电阻(RCOL)。
(8) 测定条件8、测定电路4
(DO端子电阻“H”、DO端子电阻“L”)
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V、V4 = 3.0 V设定后的状态下，DO端子电阻即为DO端子H电阻(RDOH)。
在V1 = 1.8 V、V2 = 0 V、V4 = 0.5 V设定后的状态下，DO端子电阻即为DO端子L电阻(RDOL)。
(9) 测定条件9、测定电路5
(过充电检测延迟时间、过放电检测延迟时间)
在V2 = 0 V设定后的状态下，将V1从过充电检测电压(VCU)−0.2 V在瞬间(10 µs以内)升至过充电检测电压(VCU)+0.2
V，VCO在“H”→“L”的时间即为过充电检测延迟时间(tCU)。
在V2 = 0 V设定后的状态下，将V1从过放电检测电压(VDL)+0.2 V在瞬间(10 µs以内)降至过放电检测电压(VDL)－0.2
V，VDO在“H”→“L”的时间即为过放电检测延迟时间(tDL)。
(10) 测定条件10、测定电路5
(过电流1检测延迟时间、过电流2检测延迟时间、负载短路检测延迟时间、异常充电电流检测延迟时间)
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V2从0 V瞬间(10 µs以内)升至0.35 V，VDO成为“L”的时间即为过电
流1检测延迟时间(tIOV1)。
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V2从0 V瞬间(10 µs以内)升至0.7 V，VDO成为“L”的时间即为过电
流2检测延迟时间(tIOV2)。
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V2从0 V瞬间(10 µs以内)升至1.6 V，VDO成为“L”的时间即为负载
短路检测延迟时间(tSHORT)。
在V1 = 3.5 V、V2 = 0 V设定后的状态下，将V2从0 V瞬间(10 µs以内)降至−1.1 V，直至VCO由“H”→“L”的时间即
为异常充电电流检测延迟时间。异常充电电流检测延迟时间和过充电检测延迟时间的值为相同值。
(11) 测定条件11、测定电路2 (向0 V电池充电功能<可能>的产品)
(开始向0 V电池充电的充电器电压)
在V1 = V2 = 0 V设定后的状态，将V2逐渐降至VCO = “H”(VVM+0.1 V以上)时的VDD－VM间电压即为开始向0 V
电池充电的充电器电压(V0CHA)。
(12) 测定条件12、测定电路2 (向0 V电池充电功能<禁止>的产品)
(禁止向0 V电池充电的电池电压)
在V1 = 0 V、V2 = −4 V设定后的状态下，将V1逐渐升至VCO = “H”(VVM+0.1 V以上)时的VDD－VSS间电压即为
禁止向0 V电池充电的电池电压(V0INH)。
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1节电池用电池保护IC
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R1 =
470 Ω
VDD
IDD
A
DP
V1
V1
S-8261系列
VSS
S-8261系列
VM
DO
CO
V VDO
DP
VSS
VM
DO
VDD
V VDO
V VCO
V VCO
V2
COM
COM
测定电路1
IDD
A
CO
VDD
V1
测定电路2
DP
VDD
V1
S-8261系列
VSS
VM
DO
CO
DP
S-8261系列
VSS
VM
DO
A IVM
V2
COM
CO
A IDO
A ICO
V4
V3
V2
COM
测定电路3
VDD
V1
测定电路4
DP
S-8261系列
VSS
VM
DO
CO
示波器
示波器
V2
COM
测定电路5
图4
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■ 工作说明
备注
请参阅“■ 电池保护IC的连接例”。
1. 通常状态
本IC的作用是通过监视连接在VDD－VSS间的电池的电压及VM－VSS间的电压差而控制充电和放电。电池电压在过
放电检测电压(VDL) 以上且在过充电检测电压(VCU) 以下，VM端子的电压在充电器检测电压(VCHA)以上且在过电流1检
测电压(VIOV1) 以下的情况下，充电控制用FET和放电控制用FET的两方均打开。这时可以进行自由的充电和放电。这
种状态叫做通常状态。
注意 初次连接电池时，会有不能放电的状态。这时，短路VM端子和VSS端子，或连接充电器就能恢复到通常状
态。
2. 过电流状态
(过电流1、过电流2、负载短路检测)
在通常状态的电池放电状态下，由于放电电流在额定值以上，VM端子的电压在过电流检测电压以上且这个状态持续
在过电流检测延迟时间以上的场合，关闭放电控制用FET停止放电。这个状态叫做过电流状态。
在过电流状态中在IC内根据VM－VSS间内部电阻(RVMS) 使VM－VSS端子间短路。但是，在接有负载的情况下，VM
端子的电压因负载而定，并成为VDD电位。切断负载后VM端子复位至VSS电位。
本IC在EB+端子和EB−端子间(参阅图10的连接例)的阻抗达到自动恢复可能阻抗以上时，当本IC检测VM端子电位为过
电流1检测电压(VIOV1) 以下时即恢复到通常状态。
注意 根据电池电压、过电流1检测电压的设定值的改变，自动恢复可能的阻抗是不同的。
3. 过充电状态
通常状态的电池的电压在充电中超过过充电检测电压(VCU)，保持在过充电检测延迟时间(tCU) 以上时，关闭充电控制
用FET，停止充电。这个状态就叫做过充电状态。
过充电状态的解除，分为以下2种方法((1)、(2))。
(1)
(2)
电池电压降至过充电检测电压(VCU)－过充电滞后电压(VHC) 以下时，打开充电控制用FET恢复到通常状态。
加载负载开始放电时，打开充电控制用FET恢复至通常状态。加载负载放电开始后随即放电电流通过充电用FET
的内部寄生二极管流动。此时VM端子从VSS端子开始的只有内部寄生二极管的Vf电压上升。
VM端子的电压在过电流1检测电压以上时，且电池电压低于过充电检测电压(VCU) 以下的情况下，解除过充电状
态。
注意1. 对于被充得超过过充电检测电压(VCU) 的电池，即使连接过重负载，电池电压也不能降至过充电检测电压
(VCU)以下时，当电池电压低于过充电检测电压(VCU) 以下之前，过电流1、过电流2和负载短路的检测是不
能发挥作用的。但实际的电池内部阻抗有数十 mΩ，当连接产生类似过电流那样的重负载时，由于电池电
压迅速降低所以过电流1、过电流2和负载短路的检测是可能的。
2. 在检测过充电后连接着充电器时，即使电池电压低于过充电解除电压(VCL) 也不解除过充电状态。在断开充
电器，VM端子电压高于充电器检测电压(VCHA) 时，才可解除过充电状态。
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4. 过放电状态
<备有休眠功能时>
通常状态的电池电压如果在放电中处于过放电检测电压(VDL) 之下，并且保持这个状态在过放电检测延迟时间(tDL) 以
上时，将关闭放电控制用FET，停止放电。这个状态叫作过放电状态。当关闭放电控制用FET后，VM端子由于IC内
部的VM－VDD内部电阻(RVMD) 而被上拉。当VM－VDD间电压差在典型值1.3 V以下时，本IC消耗电流将减少至休眠
时的消耗电流(IPDN) 。这个状态叫作休眠状态。
休眠状态的解除是在连接着充电器，并且VM－VDD间电压差为典型值1.3 V以上时进行的。从这个状态电池电压进
一步增大到过放电检测电压(VDL) 以上时，就打开FET从过放电状态回到通常状态。
<无休眠功能时>
通常状态的电池电压如果在放电中处于过放电检测电压(VDL) 之下，并且保持这个状态在过放电检测延迟时间(tDL) 以
上时，将关闭放电控制用FET，停止放电。这个状态叫作过放电状态。当关闭放电控制用FET后，VM端子由于IC内
部的VM－VDD内部电阻(RVMD) 而被上拉。当电池电压进一步增大到过放电检测电压(VDL) 以上时，就打开FET从过
放电状态回到通常状态。
5. 关于充电器的检测
在把过放电状态的电池和充电器连接时，如果VM端子电压低于充电器检测电压(VCHA) ，由于充电器检测功能过放电
滞后被解除，所以电池电压在过放电检测电压(VDL) 以上时即可解除过放电状态，打开放电控制用FET。这个动作叫
作充电器检测。
当过放电状态的电池和充电器连接时，如果VM端子电压不低于充电器检测电压(VCHA) ，那么，如通常一样，当电池
电压达到过放电解除电压(VDL)＋过放电滞后电压(VHD) 以上才可解除过放电状态。
6. 关于异常充电电流的检测
通常状态的电池在充电中如果VM端子电压低于充电器检测电压(VCHA) ，并且这个状态持续在过充电检测延迟时间
(tCU)以上就关闭充电控制用FET停止充电。这个动作叫作异常充电电流检测。
DO端子电压“H”，且VM端子电压低于充电器检测电压(VCHA) 时，异常充电电流检测功能开始动作。因此，在过放电
状态的电池中有异常的充电电流时，电池电压达到过放电检测电压以上，由于DO端子电压为“H”，过充电检测延迟时
间(tCU) 后关闭充电控制用FET停止充电。
异常充电电流的检测状态，当VM－VSS间的电压差小于充电器检测电压(VCHA) 时被解除。
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7. 关于延迟电路
各种检测延迟时间是将约3.5 kHz的时钟利用计数器分频而产生的。
备注 1.
过电流 2 检测延迟时间(tIOV2)、负载短路检测延迟时间(tSHORT)的计时是从检测出过电流 1 检测电压 (VIOV1)时
开始的。 因此，从检测出过电流 1 检测电压(VIOV1)起到超过过电流 2 检测延迟时间(tIOV2)、负载短路延迟时间
(tSHORT)之后，当检测出过电流 2 检测电压(VIOV2)、负载短路检测电压(VSHORT)时，在检出时刻起分别在
tIOV2、tSHORT 之内立即关闭放电控制用 FET。
VDD
DO 端子
tD
VSS
过电流 2 检测延迟时间（tIOV2）
0 ≤ tD ≤ tIOV2
Time
VDD
VIOV2
VM 端子
VIOV1
VSS
Time
图5
2. <备有休眠功能时>
检测出过电流之后，如果不切断负载并且持续到过放电检测延迟时间(tDL)以上的情况下，当电池电压降低到过
放电检测电压(VDL)以下时，就会转变为休眠状态。另外，由于过电流导致电池电压降低到过放电检测电压(VDL)
以下时，在过电流的检出而关闭放电控制用 FET 之后，如果电池电压恢复缓慢，过放电检测延迟时间(tDL)之
后的电池电压仍处于过放电检测电压(VDL)以下时，将会转变为休眠状态。
<无休眠功能时>
检测出过电流之后，如果不切断负载并且持续到过放电检测延迟时间(tDL)以上的情况下，当电池电压降低到过
放电检测电压(VDL)以下时，将会转变为过放电状态。另外，由于过电流导致电池电压降低到过放电检测电压
(VDL)以下时，在检测出过电流而关闭放电控制用FET之后，如果电池电压恢复缓慢，在过放电检测延迟时间
(tDL)之后的电池电压仍处于过放电检测电压(VDL)以下时，将会转变为过放电状态。
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8. 关于 DP 端子
DP端子是测定延迟时间的测试端子。
通常使用时，将DP端子设定为开路。
务请注意，如果将DP端子连接1000 pF以上的电容、1 MΩ以下的电阻时，将有可能造成延迟时间或各检测电压的误
差。
9. 关于向0 V电池充电功能<可能>
对被连接的电池因自身放电，电压变为0 V时进行充电的功能。具有0 V电池充电开始充电器电压(V0CHA)以上的电压的
充电器连接到EB+端子和EB−端子间后，充电控制用FET的门极电压将被固定在VDD端子电压。借助于充电器电压，
当充电控制用FET的门极和源极间电压达到翻转电压以上时，充电控制用FET将导通，开始充电。这时放电控制用
FET截止，充电电流通过放电控制用FET的内部寄生二极管流动。电池电压在过放电检测电压(VDL)＋过放电滞后电压
(VHD)以上时回到通常状态。
注意 有被完全放电后不推荐再度充电的锂离子电池。这是由锂离子电池的特性决定的，所以当决定向0V电池充电
功能<可能>、<禁止>时，请向电池厂商确认详细情况。
备注
对异常充电电流检测功能来说，0 V电池充电功能更具优先权。从而，向0 V电池充电功能<可能>的产品在电
池电压较低时会强制充电，务请注意这时不能检测异常充电电流。
10. 关于向0 V电池充电功能<禁止>
连接内部短路的电池(0 V电池)时，禁止充电的功能。电池电压在禁止向0 V电池充电的电池电压(V0INH)以下时，充电
控制用FET的门极被固定在EB−端子电压，禁止充电。当电池电压在禁止向0 V电池充电的电池电压(V0INH)以上时，可
以充电。
注意 有被完全放电后不推荐再度充电的锂离子电池。这是由锂离子电池的特性决定的，所以当决定向0 V电池充电
功能<可能>、<禁止>时，请向电池厂商确认详细情况。
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■ 时序图
(1) 过充电检测、过放电检测
电 池电 压
VCU
V C U −V H C
V D L +V H D
VDL
VDD
D
O
端
子
V SS
C
O
端
子
VDD
V
M
端
子
VDD
V SS
V IO V1
V SS
VCHA
充电器连接
负载连接
过 放 电 检 测 延 迟 时 间 (t D L )
过 充 电 检 测 延 迟 时 间 (t C U )
状态
c
c．通常状态
注）
d
d．过充电状态
e．过放电状态
c
e
c
f． 过 电 流 状 态
充电器指示定电流充电。
图6
(2) 过电流检测
电池电压
VCU
V C U −V H C
V D L +V H D
VDL
D VDD
O
端
子
V SS
C VDD
O
端
子 V SS
VDD
V V SH O R T
M
端 V IO V2
子 V IO V1
V SS
充电器连接
负载连接
过 电 流 1 检 测 延 迟 时 间 (t IO V1 )
过 电 流 2 检 测 延 迟 时 间 (t IO V2 )
负 载 短 路 检 测 延 迟 时 间 (t SHO R T )
状态
①
注）
c．通常状态
④
d．过充电状态
①
④
e．过放电状态
①
f．过电流状态
充电器指示定电流充电。
图7
22
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④
①
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(3) 充电器检测
电池电压
VCU
VCU−V HC
V DL+ V HD
VDL
V DD
D
O
端
子
V SS
V DD
C
O
端
子
V SS
V DD
V
M
端
子
V SS
V CHA
充电器连接
负载连接
V M 端 子 电 压 < V C HA 的 情 况 下 ，
过 放 电 检 测 延 迟 时 间 (t D L )
由 过 放 电 检 测 电 压 (V D L )解 除 过 放 电
状态
①
注）
c．通常状态
①
③
d．过充电状态
e．过放电状态
f．过电流状态
充电器指示定电流充电。
图8
(4) 异常充电电流检测
电池电压
D
O
端
子
V CU
V CU−V HC
V DL+ V HD
V DL
V DD
V SS
C
O
端
子
V
M
端
子
V DD
V SS
V DD
V SS
V CHA
充电器连接
负载连接
异 常 充 电 电 流 检 测 延 迟 时 间 （ ＝ 过 充 电 检 测 延 迟 时 间 (t C U ) ）
过 放 电 检 测 延 迟 时 间 (t D L )
状态
①
注）
c．通常状态
d．过充电状态
③
e．过放电状态
①
②
①
f．过电流状态
充电器指示定电流充电。
图9
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■ 电池保护IC的连接例
R1 : 470 Ω
电池
EB＋
VDD
DP
C1 :
0.1 µF
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VSS
DO
CO
FET1
VM
FET2
R2 : 2 kΩ
EB－
图10
表17
记号
FET1
FET2
部件
Nch
MOS FET
Nch
MOS FET
目的
典型值
外接元器件参数
最小值
最大值
备注
*1
放电控制
－
－
－
充电控制
－
－
－
R1
电阻
ESD对策
电源变动对策
470 Ω
300 Ω
1 kΩ
C1
电容
电源变动对策
0.1 µF
0.022 µF
1.0 µF
R2
电阻
充电器逆连接
对策
2 kΩ
300 Ω
4 kΩ
阈值电压≤过放电检测电压
*2
门极和源极间耐压≥充电器电压
*1
阈值电压≤过放电检测电压
*2
门极和源极间耐压≥充电器电压
为了避免因消耗电流引起的过充电检测精度的
*3
降低，请尽可能进取最小的数值。
请务必在VDD－VSS间加载0.022 µF以上的电
*4
容。
为控制充电器逆连接时的流经电流，请尽可能
*5
进取最大的数值。
*1. 使用的FET的阈值电压低的场合，有可能产生充电电流不能切断的情况。
使用的FET的阈值电压在过放电检测电压以上的场合，有可能产生过放电检测前停止放电的情况。
*2. 门极和源极间耐压在充电器电压以下的场合，FET有被破坏的可能。
*3. 在R1处加载大的电阻的场合，由于充电器逆连接电流从充电器流向IC，VDD－VSS间电压有超过最大额定值的情况。在
R1处为保护ESD请加载300 Ω以上的电阻。
*4. 如在C1处加载少于0.022 µF的电容，在负载短路检测时DO有可能发生振荡。所以一定要在C1处加载0.022 µF以上的电
容。
*5. 在R2上加载大于4 kΩ的电阻的场合，具有高电压的充电器被连接时有可能导致不能切断充电电流的情况。
注意1. 上述参数有可能不经预告而作更改。
2. 请勿在DP端子上连接。
3. 对上述连接例以外的电路未作动作确认, 且上述电池保护IC的连接例以及参数并不作为保证电路工作的依据。请在
实际的应用电路上进行充分的实测后再设定参数。
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■ 注意事项
• 请注意输入输出电压、负载电流的使用条件，使IC内的功耗不超过封装的容许功耗。
• 本IC虽内置防静电保护电路，但请不要对IC施加超过保护电路性能的过大静电。
• 使用本公司的IC生产产品时，如在其产品中对该IC的使用方法或产品的规格，或因与所进口国对包括本IC产品在内的制
品发生专利纠纷时，本公司概不承担相应责任。
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■ 各种特性数据 (典型数据)
1. 检测／解除电压的温度特性
过充电解除电压－温度特性
4.44
4.02
4.42
4.00
4.40
3.98
VCL [V]
VCU [V]
过充电检测电压－温度特性
4.38
4.36
4.34
−50
3.94
−25
0
25
50
Ta [°C]
75
3.04
3.44
3.02
3.42
3.00
2.98
2.96
2.94
−50
−25
0
25
50
Ta [°C]
75
100
−25
0
25
50
Ta [°C]
75
100
75
100
过电流2检测电压－温度特性
0.65
0.40
0.60
VIOV2 [V]
0.35
0.30
0.25
0.55
0.50
0.45
−25
0
25
50
Ta [°C]
75
100
75
100
0.40
−50
负载短路检测电压－温度特性
1.5
1.4
VSHORT [V]
75
3.38
3.34
−50
100
0.20
1.3
1.2
1.1
26
25
50
Ta [°C]
3.40
0.45
1.0
−50
0
3.36
过电流1检测电压－温度特性
0.15
−50
−25
过放电解除电压－温度特性
VDU [V]
VDL [V]
3.92
−50
100
过放电检测电压－温度特性
VIOV1 [V]
3.96
−25
0
25
50
Ta [°C]
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−25
0
25
Ta [°C]
50
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2. 消耗电流的温度特性
休眠时消耗电流－温度特性
5
0.10
4
0.08
IPDN [µA]
IOPE [µA]
通常工作时消耗电流－温度特性
3
2
1
0
−50
0.06
0.04
0.02
−25
0
25
50
Ta [°C]
75
0
−50
100
−25
0
25
50
Ta [°C]
75
100
3. 消耗电流的电源电压特性(Ta = 25 °C)
消耗电流－电源电压特性
6
5
IOPE [µA]
4
3
2
1
0
0
2
4
6
VDD [V]
8
10
12
4. 检测／解除延迟时间的温度特性
过充电解除延迟时间－温度特性
过充电检测延迟时间－温度特性
60
1.50
50
tCL [ms]
tCU [s]
1.25
1.00
0.75
0.50
−50
40
30
20
−25
0
25
50
Ta [°C]
75
100
10
−50
−25
0
25
50
Ta [°C]
75
100
过放电检测延迟时间－温度特性
200
tDL [ms]
180
160
140
120
100
−50
−25
0
25
50
Ta [°C]
75
100
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过电流2检测延迟时间－温度特性
15
3.4
13
3.0
tIOV2 [ms]
tIOV1 [ms]
过电流1检测延迟时间－温度特性
11
9
2.2
1.8
7
5
−50
2.6
−25
0
25
50
Ta [°C]
75
100
75
100
1.4
−50
−25
0
25
50
Ta [°C]
75
100
4
4.5
负载短路检测电压－温度特性
0.40
tSHORT [ms]
0.36
0.32
0.28
0.24
0.20
0.16
−50
−25
0
25
50
Ta [°C]
5. 延迟时间的电源电压特性(Ta = 25 °C)
过电流2检测延迟时间－电源电压特性
15
3.4
13
3.0
tIOV2 [ms]
tIOV1 [V]
过电流1检测延迟时间－电源电压特性
11
9
7
5
2
2.6
2.2
1.8
2.5
3
3.5
VDD [V]
4
4.5
1.4
2
负载短路检测延迟时间－电源电压特性
t SHORT [ms]
0.32
0.28
0.24
0.2
0.16
2.5
28
3
3.5
VDD [V]
4
4.5
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2.5
3
3.5
VDD [V]
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6. CO端子／DO端子的输出电流特性(Ta = 25 °C)
VDD = 3.5 V, VM = VSS = 0 V
CO端子吸收电流特性
−0.5
0.5
−0.4
0.4
ICO [mA]
ICO [mA]
CO端子源电流特性
−0.3
−0.2
0.3
0.2
0.1
−0.1
0
0
1
2
3
0
0
4
1
2
3
VCO [V]
VCO [V]
VDD = 3.5 V, VM = VSS = 0 V
DO端子吸收电流特性
−0.5
0.5
−0.4
0.4
IDO [mA]
IDO [mA]
DO端子源电流特性
−0.3
−0.2
−0.1
0
0
VDD = 4.5 V, VM = VSS = 0 V
4
5
VDD = 1.8 V, VM = VSS = 0 V
0.3
0.2
0.1
1
2
3
4
0
0
VDO [V]
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0.5
1
VDO [V]
1.5
2
29
2.9±0.2
1.9±0.2
6
0.95
5
1
4
2
3
+0.1
0.15 -0.05
0.95
0.35±0.15
No. MP006-A-P-SD-1.1
TITLE
SOT236-A-PKG Dimensions
No.
MP006-A-P-SD-1.1
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2)
+0.1
ø1.5 -0
2.0±0.05
+0.2
ø1.0 -0
0.25±0.1
4.0±0.1
1.4±0.2
3.2±0.2
3 2 1
4 5 6
Feed direction
No. MP006-A-C-SD-3.1
TITLE
SOT236-A-Carrier Tape
No.
MP006-A-C-SD-3.1
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
12.5max.
9.0±0.3
Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2
(60°)
(60°)
No. MP006-A-R-SD-2.1
SOT236-A-Reel
TITLE
MP006-A-R-SD-2.1
No.
SCALE
UNIT
QTY
mm
Seiko Instruments Inc.
3,000
•
•
•
•
•
•
本资料内容，随产品的改进，可能会有未经预告之更改。
本资料所记载设计图等因第三者的工业所有权而引发之诸问题，本公司不承担其责任。另外，应用电路示例为产品之代表
性应用说明，非保证批量生产之设计。
本资料所记载产品，如属国外汇兑及外国贸易法中规定的限制货物（或劳务）时，基于该法律，需得到日本国政府之出口
许可。
本资料内容未经本公司许可，严禁以其他目的加以转载或复制等。
本资料所记载之产品，未经本公司书面许可，不得作为健康器械、医疗器械、防灾器械、瓦斯关联器械、车辆器械、航空
器械及车载器械等对人体产生影响的器械或装置部件使用。
尽管本公司一向致力于提高质量与可靠性，但是半导体产品有可能按照某种概率发生故障或错误工作。为防止因故障或
错误动作而产生人身事故、火灾事故、社会性损害等，请充分留心冗余设计、火势蔓延对策设计、防止错误动作设计等
安全设计。
12.5max.
9.0±0.3
Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2
(60°)
(60°)
No. MP006-A-R-SD-2.1
SOT236-A-Reel
TITLE
MP006-A-R-SD-2.1
No.
SCALE
UNIT
QTY
mm
Seiko Instruments Inc.
3,000
R(0.075)
6
5
4
1
2
3
(0.125)
0.14±0.05
0.2±0.08
0.2±0.08
1.8±0.15
0.5±0.1
0.8±0.05
0.5±0.1
The heatsink of back side has different electric
potential depending on the product.
Confirm specifications of each product.
Do not use it as the function of electrode.
No. BD006-A-P-SD-3.0
TITLE
SNB6B-A-PKG Dimensions
No.
BD006-A-P-SD-3.0
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
ø1.5±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
ø1.1±0.1
0.25±0.05
1.1±0.1
4.0±0.1
2.2±0.1
3 2 1
4 5 6
Feed direction
No. BD006-A-C-SD-2.1
TITLE
SNB6B-A-Carrier Tape
BD006-A-C-SD-2.1
No.
SCALE
UNIT
mm
Seiko Instruments Inc.
12.5max.
9.0±0.3
Enlarged drawing in the central part
ø13±0.2
No. BD006-A-R-SD-1.1
TITLE
SNB6B-A-Reel
No.
BD006-A-R-SD-1.1
SCALE
UNIT
QTY.
mm
Seiko Instruments Inc.
3,000
•
•
•
•
•
•
本资料内容，随产品的改进，可能会有未经预告之更改。
本资料所记载设计图等因第三者的工业所有权而引发之诸问题，本公司不承担其责任。另外，应用电路示例为产品之代表
性应用说明，非保证批量生产之设计。
本资料所记载产品，如属国外汇兑及外国贸易法中规定的限制货物（或劳务）时，基于该法律，需得到日本国政府之出口
许可。
本资料内容未经本公司许可，严禁以其他目的加以转载或复制等。
本资料所记载之产品，未经本公司书面许可，不得作为健康器械、医疗器械、防灾器械、瓦斯关联器械、车辆器械、航空
器械及车载器械等对人体产生影响的器械或装置部件使用。
尽管本公司一向致力于提高质量与可靠性，但是半导体产品有可能按照某种概率发生故障或错误工作。为防止因故障或
错误动作而产生人身事故、火灾事故、社会性损害等，请充分留心冗余设计、火势蔓延对策设计、防止错误动作设计等
安全设计。