注文コード No. N 7 3 5 3 A 15C02CH No. N 7 3 5 3 A 91003 半導体ニューズ No. N7353 とさしかえてください。 15C02CH NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ 低周波一般増幅用 用途 ・低周波電力増幅、高速度スイッチング、小型モータのドライブ。 特長 ・電流容量が大きい。 ・コレクタ・エミッタ飽和電圧(抵抗)が低い:RCE (sat) typ=300mΩ [IC=1A, IB=50mA]。 ・超小型パッケージのためセットの小型化、薄型化が可能である。 ・Ron が小さい。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ コレクタ・ベース電圧 VCBO コレクタ・エミッタ電圧 エミッタ・ベース電圧 VCEO VEBO コレクタ電流 コレクタ電流(パルス) IC ICP コレクタ損失 接合部温度 PC Tj 保存周囲温度 Tstg セラミック基板(600mm2 × 0.8mm)装着時 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ コレクタしゃ断電流 ICBO VCB=12V, IE=0 エミッタしゃ断電流 直流電流増幅率 20 unit V 15 5 V V 1 2 A A 700 150 − 55 ∼+ 150 ℃ min max 100 unit nA 100 800 nA typ VEB=4V, IC=0 VCE=2V, IC=50mA 利得帯域幅積 出力容量 IEBO hFE fT Cob VCE=2V, IC=50mA VCB=10V, f=1MHz 440 4 コレクタ・エミッタ飽和電圧 ベース・エミッタ飽和電圧 VCE(sat) VBE(sat) IC=400mA, IB=20mA IC=400mA, IB=20mA 140 0.9 コレクタ・ベース降伏電圧 コレクタ・エミッタ降伏電圧 V(BR)CBO IC=10µA, IE=0 V(BR)CEO IC=1mA, RBE=∞ V(BR)EBO IE=10µA, IC=0 エミッタ・ベース降伏電圧 mW ℃ 300 MHz pF 280 1.2 mV V 20 15 V V 5 V 次ページへ続く。 単体品名表示:CD 2.9 0.6 3 2 1 2.8 0.6 1.6 0.05 1.9 0.2 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 0.15 0.4 0.7 0.9 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途(生命維持装置、航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 0.2 外形図 2150A (unit : mm) 1 : Base 2 : Emitter 3 : Collector SANYO : CPH3 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 91003 TS IM 一部変 / 13003 TS IM ◎佐藤 TA-100126 No.7353-1/3 15C02CH 前ページより続く。 min ターンオン時間 蓄積時間 ton tstg tf 下降時間 typ max unit 指定回路において 〃 30 165 ns ns 〃 25 ns スイッチングタイム測定回路図 IB1 PW=20µs D.C.≦1% OUTPUT IB2 INPUT RB VR RL 50Ω + 470µF + 220µF VBE= --5V VCC=5V IC=20IB1= --20IB2=400mA IC -- VCE 700 VCE=2V 5.0mA 1000 3.0mA 600 2.0mA 1.5mA 500 400 1.0mA 300 0.6mA 200 800 600 5°C 25°C --25°C A 400 Ta=7 800 m .0 10 30.0 コレクタ電流, IC -- mA 900 IC -- VBE 1200 A 7.0m コレクタ電流, IC -- mA 20. 0m A mA 1000 200 0.3mA 100 IB=0 100 200 300 400 500 600 700 800 コレクタ・エミッタ 電圧, VCE -- mV 0 Ta=75°C 25°C 5 --25°C 3 2 100 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 コレクタ電流, IC -- mA 2 3 0.2 5 7 1000 IT05039 0.4 0.6 0.8 1.0 ベース・エミッタ電圧, VBE -- V IT05037 VCE=2V 7 0 1000 hFE -- IC 1000 直流電流増幅率, hFE 900 コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV 0 0 1.2 IT05038 VCE(sat) -- IC 1000 IC / IB=20 7 5 3 2 100 °C 75 °C -25 7 5 = Ta 3 2 °C 25 10 7 5 3 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 コレクタ電流, IC -- mA 2 3 5 7 1000 IT05042 No.7353-2/3 VCE(sat) -- IC 1000 ベース・エミッタ飽和電圧, VBE(sat) -- V コレクタ・エミッタ飽和電圧, VCE(sat) -- mV 15C02CH IC / IB=50 7 5 3 2 100 7 C 5° =7 5 Ta C 5° --2 3 2 25 °C 10 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 5 7 1000 IT05043 コレクタ電流, IC -- mA 2 1.0 Ta= --25°C 7 75°C 25°C 5 3 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 5 7 1000 IT05044 f T -- IC 1000 f=1MHz VCE=2V 7 利得帯域幅積, f T -- MHz 7 出力容量, Cob -- pF IC / IB=20 コレクタ電流, IC -- mA Cob -- VCB 10 VBE(sat) -- IC 3 5 3 2 5 3 2 100 1.0 1.0 2 5 3 7 2 10 コレクタ・ベース電圧, VCB -- V 7 オン抵抗, Ron -- Ω 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 5 7 1000 IT05040 PC -- Ta 800 1kΩ OUT IN 5 700 1kΩ 3 IB 2 1.0 7 5 3 2 0.1 0.1 3 コレクタ電流, IC -- mA Ron -- IB f=1MHz 2 IT05041 コレクタ損失, PC -- mW 10 7 1.0 3 セ ラ ミ 600 ッ ク 基 板( 500 60 0m 400 m2 × 0. 8m 300 m )装 着 200 時 100 0 2 3 5 7 1.0 2 ベース電流, IB -- mA 3 5 7 10 IT06664 0 20 40 60 80 100 120 140 周囲温度, Ta -- °C 160 IT05047 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7353-3/3