Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused Hyper-Bright, Wide-Angle LED LS 3386, LA 3386, LO 3386 LY 3386 Besondere Merkmale ● ● ● ● ● ● eingefärbtes, diffuses Gehäuse zur Einkopplung in Lichtleiter als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 Features ● ● ● ● ● ● colored, diffused package optical coupling into light pipes for use as optical indicator solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 1998-09-18 LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386 Lichtstärke Luminous Intensity IF = 20 mA IV (mcd) Bestellnummer Ordering Code Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package LS 3386-LP LS 3386-M LS 3386-N LS 3386-P LS 3386-MQ super-red red diffused 10 16 25 40 16 ... ... ... … … 80 32 50 80 125 Q62703-Q3579 Q62703-Q3581 Q62703-Q3582 Q62703-Q3709 Q62703-Q3580 LA 3386-MQ LA 3386-N LA 3386-P LA 3386-Q LA 3386-NR amber orange diffused 16 25 40 63 25 … … … … … 125 50 80 125 200 Q62703-Q3886 Q62703-Q3887 Q62703-Q3888 Q62703-Q3889 Q62703-Q3890 LO 3386-MQ LO 3386-N LO 3386-P LO 3386-Q LO 3386-NR orange orange diffused 16 25 40 63 25 … … … … … 125 50 80 125 200 Q62703-Q3891 Q62703-Q3892 Q62703-Q3893 Q62703-Q3894 Q62703-Q3895 LY 3386-MQ LY 3386-N LY 3386-P LY 3386-Q LY 3386-NR yellow yellow diffused 16 25 40 63 25 … … … … … 125 50 80 125 200 Q62703-Q3896 Q62703-Q3897 Q62703-Q3898 Q62703-Q3899 Q62703-Q3900 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 1998-09-18 LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values LS, LO, LA Einheit Unit LY Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 30 20 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 1 0.2 A Sperrspanung1) Reverse voltage1) VR Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Rth JA 1) 1) 3 80 V 55 500 mW K/W Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. Semiconductor Group 3 1998-09-18 LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LA LO LY Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 645 622 610 591 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 632 615 605 587 nm Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 16 16 16 15 nm 2ϕ 100 100 100 100 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA (typ.) VF (max.) VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) TCλ 0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 20 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 20 mA TCλ 0.14 0.13 0.13 nm/K (typ.) Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) Semiconductor Group 0.13 (typ.) 4 – 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K 1998-09-18 LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL00235 100 Ι rel % 80 Vλ 60 yellow orange amber super-red 40 20 0 400 450 500 550 600 650 nm λ 700 Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40 30 20 10 0 φ 50 OHL01681 1.0 0.8 0.6 60 0.4 70 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 Semiconductor Group 0.6 0.4 0 20 5 40 60 80 100 120 1998-09-18 LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) OHL00232 10 2 mA ΙF 5 OHL00248 35 Ι F mA 30 25 10 1 yellow 20 5 15 10 0 10 5 5 10 -1 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 0 3.0 V 3.4 VF Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25˚C 20 40 60 80 C 100 ΤA Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 20 mA OHL00233 10 1 0 OHL00238 Ι V 2.0 ΙV Ι V (20 mA) Ι V (25 C) 1.6 10 0 orange yellow amber super-red 5 1.2 10 -1 5 0.8 superred yellow orange/amber 10 -2 0.4 5 10 -3 -1 10 orange yellow amber super-red 5 10 0 Semiconductor Group 5 10 1 0 -20 mA 10 2 ΙF 6 0 20 40 60 C TA 100 1998-09-18 LS 3386, LA 3386, LO 3386, LY 3386 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LS, LA, LO Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LY Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C OHL00322 10 1 A ΙF 5 tp tp D= T ΙF ΙF 5 T 0.5 10 -1 0.2 5 0.5 ΙF T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 10 -1 tp tp D= T 5 D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 10 0 OHL00316 10 0 A 5 10 -2 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 4.8 4.4 2.7 2.1 0.7 0.4 0.8 0.4 1.1 0.9 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Area not flat 1.8 1.2 3.7 3.5 6.1 5.7 29.0 27.0 Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: 3.4 3.1 0.6 0.4 Chip position Collector/ Cathode Semiconductor Group 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp ø2.9 ø2.7 10 -2 GEX06710 Kürzerer Lötspieß Short solder lead 7 1998-09-18