深圳市天微电子有限公司 地址：深圳市南山区高新技术产业园北区紫光信息港A栋10层 原厂销售总部：手机18682063283 QQ：709072958 E-mail: [email protected] 三通道半桥栅极驱动器 TM2132 特性描述 TM2132 是一个高压、高速的 MOSFET、IGBT 驱动器。它有三个半桥式栅极驱动，高压侧的 VS 引脚采用浮动电压设计，可以适应浮动电压高达 200V 的半桥电路，上下桥互补设计，允许 高端采用 N 沟道的 MOSFET、IGBT；TM2132 的逻辑保护功能，可以防止上下桥直通，提高整个电 路的可靠性。 功能特点 VS 引脚允许浮动的电压高达+200V，适用于自举升压操作 栅极驱动器的电压范围宽（10V-17V） VCC 具备欠压锁定功能，在欠压时关断输出 输入兼容 3.3V、5V CMOS 逻辑电平 所有输入引脚都有 CMOS 施密特触发器，提高抗噪声能力 高端输出相位与(A,B,C)HIN 同相 低端输出相位与(A,B,C)LIN 反相 内置逻辑保护 内置死区时间 拉电流能力为 130mA 灌电流能力为 270mA 封装形式：SSOP20 管脚信息 AVS VCC AHIN ALIN BHIN BLIN CLIN CHIN COM CVS 1 20 2 19 3 18 4 17 5 16 TOP VIEW 6 15 7 14 8 13 9 12 10 11 AHO AVB ALO BVB BHO BVS BLO CLO CVB CHO 1 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 三通道半桥栅极驱动器 TM2132 管脚功能 端口 功能描述 I/O 名称 管脚 AVS 1 - 高端驱动器 A 的浮动电源的参考点 VCC 2 - 低端栅极驱动器的电源电压，以 COM 脚为参考，为低压侧提供电源 AHIN 3 I 高端栅极 A 驱动器的逻辑输入 A ALIN 4 I 低端栅极 A 驱动器的逻辑输入 A BHIN 5 I 高端栅极 B 驱动器的逻辑输入 B BLIN 6 I 低端栅极 B 驱动器的逻辑输入 B CLIN 7 I 低端栅极 C 驱动器的逻辑输入 C CHIN 8 I 高端栅极 C 驱动器的逻辑输入 C COM 9 - 地 CVS 10 - 高端驱动器 C 的浮动电源的参考点 CHO 11 o 高端驱动器 C 的高端驱动输出，CHO 和 CHIN 同相 CVB 12 - CLO 13 o 低端驱动器 C 的低端驱动输出，CLO 和 CLIN 反相 BLO 14 o 低端驱动器 B 的低端驱动输出，BLO 和 BLIN 反相 BVS 15 - 高端驱动器 B 的浮动电源的参考点 BHO 16 o 高端驱动器 B 的高端驱动输出，BHO 和 BHIN 同相 BVB 17 - ALO 18 o AVB 19 - AHO 20 o 高端驱动器 C 的浮动电源：以 CVS 为参考，为输出的高端提供电源， 自举升压电容连接在 CVB 和 CVS 之间 高端驱动器 B 的浮动电源：以 BVS 为参考，为输出的高端提供电源， 自举升压电容连接在 BVB 和 BVS 之间 低端驱动器 A 的低端驱动输出，ALO 和 ALIN 反相 高端驱动器 A 的浮动电源：以 AVS 为参考，为输出的高端提供电源， 自举升压电容连接在 AVB 和 AVS 之间 高端驱动器 A 的高端驱动输出，AHO 和 AHIN 同相 在干燥季节或者干燥使用环境内，容易产生大量静电，静电放电可能会损坏集成电路，天微电子建议 采取一切适当的集成电路预防处理措施，如果不正当的操作和焊接，可能会造成 ESD 损坏或者性能下 降，芯片无法正常工作。 2 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 三通道半桥栅极驱动器 TM2132 内部方框图 A VB 噪 声消 除器 R S Q 驱动 器 脉 冲发 生器 N I H A AH A HO A VS N I H B V CC V CC AL 延时 N I H C 驱动 器 施密 特 触 发 输入 A LO C OM A相驱动 欠压 保护 N I L A 直通 保护 V CC N I L B BH 控制 逻辑 N I L C B相驱动 B VB B HO B VS B LO C相驱动 C VB C HO C VS C LO BL V CC CH CL 3 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 三通道半桥栅极驱动器 TM2132 典型应用图 VP Q1-1 EC2 CBB104 EC2X2 C1 CBB104 C1 +15V C1 Q1-2 U1 U2 2 19 3 4 VCC AVB AHIN ALIN AHO AVS Micom 17 5 6 BVB BHIN BLIN TM2132 ALO BHO BVS BLO 0 CVB CHIN CLIN COM R1 1 R2 18 R1 16 R1 15 R2 14 R1 0 VP CBB104 Q2-1 M Q2-2 CHO 12 8 7 9 20 CVS CLO 11 R1 10 R2 13 R1 CBB104 VP EC2 Q3-1 +5V R4 Q3-2 R3 R5 R5 R5 C4 EC1 C3 sample 0 4 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 三通道半桥栅极驱动器 TM2132 电气特性 绝对最大额定值范围（1）（2） 符号 描述 最小值 最大值 VB (A,B,C)VB高端浮动电压 -0.3 200 VS (A,B,C)VS高端浮动电源参考电压 (A,B,C)VB - 22 (A,B,C)VB + 0.3 (A,B,C)VHO 高端浮动输出电压 (A,B,C)VS - 0.3 (A,B,C)VB + 0.3 VCC 低压侧电源和固定逻辑源电压 -0.3 17 (A,B,C)VLO 低端输出电压 -0.3 VCC + 0.3 VIN 逻辑输入电压((A,B,C)HIN和(A,B,C)LIN ) -0.3 VCC + 0.3 dVs/dt VS引脚所能允许的电压变化率 — 50 PD 最大允许的封装功率损耗TA<25 SSOP-20 — 0.625 ℃） - — - SSOP-20 — 200 - — - RthJA 单位 V V/ns W ℃/W 结到环境的热 TJ 结温 — 150 TS 储存温度 -40 150 TL 引脚温度 (焊接, 10 s) — 260 ℃ （1）以上表中这些等级，芯片在长时间使用条件下，可能造成器件永久性伤害，降低器件的可靠性。我 们不建议在其它任何条件下，芯片超过这些极限参数工作。 （2）所有电压值均相对于系统地测试。 推荐工作条件范围 推荐的操作条件表定义了真实器件的工作条件。指定推荐的工作条件，以确保器件的最佳性能达到数据表 中的规格。建议不超过推荐的工作条件，或将绝对最大额定值设计为工作条件。 符号 描述 最小值 最大值 (A,B,C)VB 高端浮动电压 (A,B,C)VS + 10 (A,B,C)VS + 17 (A,B,C)VS 高端浮动电源偏置电压 -5 180 (A,B,C)VHO 高端浮动输出电压 (A,B,C)VS (A,B,C)VB VCC 低压侧电源和固定逻辑源电压 10 17 (A,B,C)VLO 低端输出电压 0 VCC VIN 逻辑输入电压((A,B,C)HIN和((A,B,C)LIN ) 0 VCC TA 环境温度 -40 125 单位 V ℃ 5 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 三通道半桥栅极驱动器 TM2132 动态参数 器件的输入信号和电源偏置电压等参数都是在 VCC=15V 和环境温度 TA=25°C 下测试的.测试条件 VCC=VBS(A,B,C)=15V,CL=1000PF,VS(A,B,C)=COM 符号 描述 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 ton 导通传输延迟 — 500 600 (A,B,C)VS = 0V toff 关断传输延迟 — 150 240 (A,B,C)VS = 200V tr 导通上升时间 — 100 150 tf 关断下降时间 — 40 80 DT 死区时间 200 350 500 MT 延迟匹配 — — 60 ns 静态参数 器件的输入信号和电源偏置电压等参数都是在 VCC=15V 和环境温度 TA=25°C 下测试的.测试条件 VBIAS(VCC,VBS(A,B,C))=15V, CL=1000PF,VS(A,B,C)=COM 符号 描述 最小值 典型值 最大值 单位 VIH 逻辑1输入电压 3 — — VIL 逻辑0输入电压 — — 0.3 VOH 高电平输出电压 — — 100 VOL 低电平输出电压 — — 100 ILK 偏置电源漏电流 — — 50 IQBS 每个通道的VBS静态电流 — 42 55 VIN = 0V or 5V IQCC VCC静态电流 — 370 450 VIN = 0V or 5V V 逻辑1输入偏置电流 — 3 VCC = 10V to 17V VCC = 10V to 17V mV VIN=0V,IO = 0A VIN=5V,IO = 0A (A,B,C)VB = (A,B,C)VS = 200V µA IIN+ 测试条件 (A,B,C)HIN = 5V, 10 (A,B,C)LIN = 0V (A,B,C)HIN=0V, IIN- 逻辑0输入偏置电流 VCCUV+ VCC欠压保护正阈值 8 9 9.8 VCCUV- VCC欠压保护负阈值 7.4 8.2 9 130 210 — IO+ IO- — — 2 (A,B,C)LIN = 5V 输出为高电平时的短路脉冲电 流 输出为低电平时的短路脉冲电 流 V VO = 0V, VIN = VIH mA 270 340 — PW ≤ 10 µs VO = 15V, VIN = VIL PW ≤ 10 µs 6 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 三通道半桥栅极驱动器 TM2132 (A,B,C)LIN 50% 50% ton tf toff tr 90% 90% 10% (A,B,C)LO 10% 时序图 (A,B,C)HIN (A,B,C)LIN 50% 50% 50% (A,B,C)HIN 90% (A,B,C)HO (A,B,C)LO DT 90% 10% ton 50% tr 90% DT toff 90% 10% (A,B,C)HO tf 10% 10% 开关时间波形 700 700 600 600 500 Max. 500 400 开 启 延 迟 时 间 (n s) 开启延迟时间(ns) 死区波形 Typ. 300 200 Max. Typ. 400 300 200 100 100 0 0 -40 -25 0 25 50 75 温度(℃) 100 125 10 11 12 13 14 电压(V) 开启延迟时间 vs 温度 15 16 17 开启延迟时间 vs Vbs 电压 7 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 三通道半桥栅极驱动器 700 500 开 启延 迟时 间(n s) 关 断 延 迟 时 间 (ns) Max. 600 500 Typ. 400 300 200 100 0 0 2 4 6 8 10 12 输入电压(V) 14 400 300 Max. 200 Typ. 100 0 -40 -25 0 16 17 600 600 关 断 延 迟 时 间 (ns) 关 断 延 迟 时 间 (ns) 700 500 400 Max. 200 100 500 400 Max. 300 Typ. 200 100 Typ. 0 10 11 12 13 14 电压(V) 15 16 17 0 700 700 600 600 500 500 400 300 Max. 0 25 50 75 6 8 10 12 输入电压(V) 14 16 17 300 200 Max. 0 Typ. -40 -25 4 400 100 100 0 2 关断延迟时间 vs 输入电压 上 升 时 间 (ns) 上升时间(ns) 关断延迟时间 vsVbs 电压 200 50 75 100 125 关断延迟时间 vs 温度 700 300 25 温度(℃) 开启延迟时间 vs 输入电压 0 TM2132 100 125 10 Typ. 11 12 13 14 电压(V) 15 16 17 温度(℃) 上升时间 vs 温度 上升时间 vs 供电电压 8 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 350 350 300 300 250 下 降 时 间 (ns) 下 降 时 间 ( n s) 三通道半桥栅极驱动器 200 150 100 Max. 250 200 150 Max. 100 Typ. 50 50 Typ. 0 -40 -25 0 0 25 50 75 温度（℃） 10 11 12 100 125 下降时间 vs 温度 600 死区时间(ns) 死 区 时 间 ( n s ) 500 Max. Typ. Min. 200 500 Max. 400 Typ. Min. 300 200 100 100 0 -40 -25 0 0 25 50 -40 -25 75 100 125 0 温度（℃） 7 6 5 4 3 Min. 1 0 -40 -25 0 25 50 25 50 75 电压(V) 100 125 死区时间 vs 电压 逻辑 1逻辑 0输入 电压 (高电 平)(V) 逻辑 1逻辑 0输入 电压 (高电 平)(V) 死区时间 vs 温度 2 16 17 15 700 600 300 13 14 电压(V) 下降时间 vs 电压 700 400 TM2132 75 100 125 7 6 5 4 3 2 Min. 1 0 10 温度（℃） 逻辑 1 逻辑 0 的输入电压（高电平） vs 温度 11 12 13 14 电压（ V ） 15 16 17 逻辑 1 逻辑 0 的输入电压（高电平） vs 电压 9 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 逻辑 1逻辑 0输入 电压 (低电 平)(V) 逻辑1逻辑0输入电压(低电平)(V) 三通道半桥栅极驱动器 5.6 4.8 4 3.2 2.4 Min. 1.6 0.8 -40 -25 0 25 50 75 温度（℃） 4.8 4 3.2 2.4 1.6 Min. 0.8 100 125 逻辑 1 逻辑 0 的输入电压（低电平） vs 温度 0.7 0.7 0.6 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 Max. 0.1 0 25 50 75 温度（℃） Typ. 0.0 10 11 100 125 12 13 14 电压(V) 15 16 17 高电平输出电压 vs 电压 0.6 0.5 0.5 低 电平 输出 电压 (V ) 低电平输出电压(V) 16 17 0.2 Max. 0.6 0.4 0.3 0.2 0.4 0.3 0.2 Max. Max. 0.1 Typ. Typ. 0.0 10 11 25 50 75 温度（℃） 15 0.3 0.7 0 13 14 电压(V) 0.4 0.7 0.0 -40 -25 12 0.5 高电平输出电压 vs 温度 0.1 11 0.1 Typ. 0.0 -40 -25 10 逻辑 1 逻辑 0 的输入电压（低电平） vs 电压 高 电 平 输 出 电 压 (V) 高电平输出电压(V) 5.6 0 0 TM2132 100 125 低电平输出电压 vs 温度 12 13 14 电压(V ) 15 16 17 低电平输出电压 vs 电压 10 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 700 700 600 600 偏 置 源 漏 电 流 (uA) 偏置源漏电流(uA) 三通道半桥栅极驱动器 500 400 300 200 100 TM2132 500 400 300 200 100 Max. 0 -40 -25 0 0 25 50 0 75 100 125 50 150 100 浮电压(V) 200 温度(℃) 偏置电源漏电流 vs 浮电压 210 210 180 180 150 150 VBS供 电 电 流 (uA) VBS供电电流(uA) 偏置电源漏电流 vs 温度 120 90 60 120 Max. 30 Typ. 0 -40 -25 0 90 60 Max. 30 0 25 50 75 100 125 温度(℃) Typ. 10 11 VBS 供电电流 vs 温度 13 14 电压(V) 15 16 17 VBS 供电电流 vs 电压 700 700 600 600 500 VCC供 电 电 流 (uA) VCC供电电流 (uA) 12 400 300 Max. 200 100 Typ. 0 -40 -25 500 400 300 200 100 0 25 50 0 75 100 125 温度(℃) VCC 供电电流 vs 温度 10 Max. Typ. 11 12 13 14 电压(V) 15 16 17 VCC 供电电流 vs 电压 11 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 35 35 30 30 逻 辑 1输 入 电 流 (uA) 逻辑1输入电流(uA) 三通道半桥栅极驱动器 25 20 15 Max. 10 5 Typ. 0 -40 -25 25 20 15 10 Max. 5 Typ. 0 0 25 50 75 TM2132 10 100 125 11 12 13 14 电压(V) 15 16 17 温度(℃) 逻辑 1 输入电流 vs 温度 逻辑 1 输入电流 vs VCC 电压 7 7 6 Max. 5 逻 辑 0输 入 电 流 (uA) 逻辑0输入电流(uA) 6 4 3 2 1 Max. 5 4 3 2 1 0 -40 -25 0 25 50 75 0 100 125 10 11 12 温度(℃) 逻辑 0 输入电流 vs 温度 VCC欠压保护负阈值(V) VCC欠压保护正阈值(V) 11 Max. Typ. 9 Min. 7 6 5 -40 -25 16 17 12 11 8 15 逻辑 0 输入电流 vs VCC 电压 12 10 13 14 电压(V) 10 9 8 Max. Typ. Min. 7 6 0 25 50 75 温度(℃) 5 -40 -25 100 125 VCC 欠压保护正阈值 vs 温度 0 25 50 75 温度(℃) 100 125 VCC 欠压保护负阈值 vs 温度 12 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 700 700 600 600 500 500 拉 电 流 (mA) 拉电流(mA) 三通道半桥栅极驱动器 400 300 Typ. 400 200 100 300 200 Typ. 100 Min. 0 0 -40 -25 0 25 50 温度(℃) 10 Min. 11 13 14 电压(V) 15 16 17 拉电流 vs 电压 700 700 600 600 500 Typ. 灌 电 流 (mA) 灌电流(mA) 12 75 100 125 拉电流 vs 温度 500 TM2132 400 300 Min. 200 400 Typ. 300 200 Min. 100 100 0 0 -40 -25 0 25 50 75 100 125 温度(℃) 灌电流 vs 温度 10 11 12 13 14 电压(V) 15 16 17 灌电流 vs 电压 13 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 三通道半桥栅极驱动器 TM2132 C A A2 封装尺寸图：SSOP20 θ A1 L D e E E1 b Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 1.35 1.750 0.053 0.069 A1 0.10 0.250 0.004 0.010 A2 1.250 1.650 0.049 0.065 b 0.210 0.310 0.008 0.012 c 0.090 0.250 0.004 0.010 D 8.530 8.730 0.336 0.343 E 3.800 4.000 0.150 0.157 E1 5.800 6.200 0.228 0.244 e 0.535 0.735 0.021 0.029 L 0.450 0.80 0.018 0.031 θ 0° 8° 0° 8° 14 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2 三通道半桥栅极驱动器 TM2132 All specs and applications shown above subject to change without prior notice. (以上电路及规格仅供参考，如本公司进行修正，恕不另行通知) 修订历史 版本 发行日期 修订简介 V1.0 2012-6-16 初版发行 V1.1 2012-9-26 改版发行 V1.2 2012-10-29 改版发行 15 ©Titan Micro Electronics www.titanmec.com V1.2