抵抗内蔵トランジスタ UNR211x シリーズ (UN211xシリーズ) シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形 Unit : mm 0.40+0.10 –0.05 デジタル回路用 0.16+0.10 –0.06 (0.95) (0.95) 1.9±0.1 ■ 品種別抵抗値 (R2) 10 kΩ 22 kΩ 47 kΩ 47 kΩ 5.1 kΩ 10 kΩ 10 kΩ 22 kΩ 10 kΩ 10 kΩ 4.7 kΩ 47 kΩ 47 kΩ 47 kΩ 2.2 kΩ 22 kΩ 0.4±0.2 10˚ 1.1+0.2 –0.1 形名表示記号 (R1) (UN2110) 6L 47 kΩ (UN2111) 6A 10 kΩ (UN2112) 6B 22 kΩ (UN2113) 6C 47 kΩ (UN2114) 6D 10 kΩ (UN2115) 6E 10 kΩ (UN2116) 6F 4.7 kΩ (UN2117) 6H 22 kΩ (UN2118) 6I 0.51 kΩ (UN2119) 6K 1 kΩ (UN211D) 6M 47 kΩ (UN211E) 6N 47 kΩ (UN211F) 6O 4.7 kΩ (UN211H) 6P 2.2 kΩ (UN211L) 6Q 4.7 kΩ (UN211M) EI 2.2 kΩ (UN211N) EW 4.7 kΩ (UN211T) EY 22 kΩ (UN211V) FC 2.2 kΩ (UN211Z) FE 4.7 kΩ 1.1+0.3 –0.1 UNR2110 UNR2111 UNR2112 UNR2113 UNR2114 UNR2115 UNR2116 UNR2117 UNR2118 UNR2119 UNR211D UNR211E UNR211F UNR211H UNR211L UNR211M UNR211N UNR211T UNR211V UNR211Z 2.90+0.20 –0.05 0 to 0.1 • • • • • • • • • • • • • • • • • • • • 2 1 (0.65) • 機器の小形化 , 部品点数の削減によりコストダウン可能 • ミニ型パッケージのため、テーピング、マガジン包装による 自動挿入が可能 5˚ 1.50+0.25 –0.05 ■ 特 長 2.8+0.2 –0.3 3 1 : Base 2 : Emitter 3 : Collector EIAJ : SC-59 Mini3-G1 Package 内部接続図 R1 B C R2 E ■ 絶対最大定格 Ta = 25°C 項目 記号 定格 単位 コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO −50 V コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) VCEO −50 V コレクタ電流 IC −100 mA 全許容損失 PT 200 mW 接合温度 Tj 150 °C 保存温度 Tstg −55 ∼ +150 °C 注) 形名の( )内は , 従来品番です 発行年月 : 2003年12月 SJH00006BJD 1 UNR211x シリーズ ■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C 項目 記号 コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO IC = −10 µA, IE = 0 −50 コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時) VCEO IC = −2 mA, IB = 0 −50 コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO VCB = −50 V, IE = 0 コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時) ICEO VCE = −50 V, IB = 0 − 0.5 µA エミッタ IEBO VEB = −6 V, IC = 0 − 0.01 mA UNR2110/2115/2116/2117 条件 最小 標準 最大 V V − 0.1 ・ベース間 UNR2113 − 0.1 遮断電流 (C 開放時) UNR2112/2114/211D/ 211E/211M/211N/211T − 0.2 UNR211Z − 0.4 UNR2111 − 0.5 UNR211F/211H −1.0 UNR2119 −1.5 UNR2118/211L/211V −2.0 VCE = −10 V, IC = −5 mA 直流電流 UNR211V 増幅率 UNR2118/211L 20 UNR2119/211D/211F/211H 30 UNR2111 35 hFE 60 UNR211Z 60 UNR2113/2114/211M 80 UNR211N/211T 80 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) 200 400 460 IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA 出力電圧ハイレベル VOH VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ 出力電圧ローレベル VOL VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ UNR2113 VCC = −5 V, VB = −3.5 V, RL = 1 kΩ UNR211D VCC = −5 V, VB = −10 V, RL = 1 kΩ UNR211E VCC = −5 V, VB = −6 V, RL = 1 kΩ トランジション周波数 fT UNR2114/2119/211E 211F/211H UNR2118 − 0.25 −4.9 V V − 0.2 VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz 80 VCB = −10 V, IE = 2 mA, f = 200 MHz 150 −30% R1 0.51 UNR2119 1.0 UNR211H/211M/211V 2.2 UNR2116/211F/211L/211N/211Z 4.7 UNR2111/2114/2115 10 UNR2112/2117/211T 22 UNR2110/2113/211D/211E 47 注 ) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。 2. * : ランク分類 ランク Q R S ノンランク品 hFE µA IC = −10 mA, IB = −1.5 mA UNR211V 2 20 160 UNR2110 */2115 */2116 */2117 * 入力抵抗 6 UNR2112/211E 単位 160 ∼ 260 210 ∼ 340 290 ∼ 460 SJH00006BJD 160 ∼ 460 V MHz +30% kΩ UNR211x シリーズ ■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C ± 3°C 項目 抵抗比率 記号 UNR211M 条件 最小 R1/R2 標準 最大 単位 0.047 UNR211N 0.1 UNR2118/2119 0.08 UNR211Z 0.10 0.12 0.21 UNR2114 0.17 UNR211H 0.17 UNR211T 0.21 0.25 0.22 0.27 0.47 UNR211F 0.37 UNR211V 0.47 0.57 1.0 UNR2111/2112/2113/211L 0.8 1.0 1.2 UNR211E 1.70 2.14 2.60 UNR211D 3.7 4.7 5.7 注 ) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。 共通特性図 PT Ta 250 全許容損失 PT (mW) 200 150 100 50 0 0 40 80 120 160 周囲温度 Ta (°C) UNR2110 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −60 − 0.2 mA −40 − 0.1 mA −20 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) hFE IC IC / IB = 10 −10 VCE = –10 V 300 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 −0.1 400 直流電流増幅率 hFE コレクタ電流 IC (mA) Ta = 25°C IB = −1.0 mA − 0.9 mA −100 − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −120 Ta = 75°C 200 25°C −25°C 100 −25°C −1 −10 コレクタ電流 IC (mA) SJH00006BJD −100 0 −1 −10 −100 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) 3 UNR211x シリーズ Cob VCB IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 5 VIN IO −104 VO = −5 V Ta = 25°C −100 −103 入力電圧 VIN (V) 4 −102 3 2 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 6 −10 −1 − 0.1 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) UNR2111 特性図 IC VCE VCE(sat) IC IB = −1.0 mA Ta = 25°C − 0.9 mA コレクタ電流 IC (mA) −120 − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA −40 − 0.2 mA − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −100 IC / IB = 10 120 −1 − 0.1 80 40 − 0.01 − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 −104 −1 000 −100 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) −102 2 −100 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −103 3 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) IO VIN 4 −1 − 0.1 −10 1 0 − 0.1 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 4 −25°C −25°C 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 5 Ta = 75°C 25°C Cob VCB f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C Ta = 75°C VCE = −10 V 25°C −10 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 160 直流電流増幅率 hFE −160 −1 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 入力電圧 VIN (V) SJH00006BJD −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 出力電流 IO (mA) −100 UNR211x シリーズ UNR2112 特性図 IC VCE VCE(sat) IC Ta = 25°C IB = −1.0 mA − 0.9mA − 0.8mA − 0.7mA − 0.6mA コレクタ電流 IC (mA) −120 − 0.5mA −80 − 0.4mA − 0.3mA − 0.2mA −40 − 0.1mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −100 IC / IB = 10 −10 − 0.1 Ta = 75°C 200 25°C −25°C 100 −25°C − 0.01 − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 コレクタ電流 IC (mA) IO VIN VO = −5 V Ta = 25°C −100 −103 −102 3 2 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) 4 −100 VIN IO −104 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C −10 コレクタ電流 IC (mA) 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) Ta = 75°C 25°C Cob VCB 5 VCE = −10 V 300 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 400 直流電流増幅率 hFE −160 −10 −1 − 0.1 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) UNR2113 特性図 IC VCE VCE(sat) IC − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA −120 コレクタ電流 IC (mA) Ta = 25°C − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA −80 − 0.3 mA − 0.2 mA −40 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) hFE IC IC / IB = 10 −10 VCE = −10 V Ta = 75°C 300 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 − 0.1 400 直流電流増幅率 hFE IB = −1.0 mA −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −160 25°C 200 −25°C 100 −25°C −1 −10 コレクタ電流 IC (mA) SJH00006BJD −100 0 −1 −10 −100 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) 5 UNR211x シリーズ Cob VCB IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 5 VIN IO −104 VO = −5 V Ta = 25°C −100 −103 入力電圧 VIN (V) 4 −102 3 2 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 6 −10 −1 − 0.1 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) UNR2114 特性図 IC VCE VCE(sat) IC Ta = 25°C IB = −1.0 mA コレクタ電流 IC (mA) −120 − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA − 0.2 mA −40 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −100 IC / IB = 10 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 −25°C 100 −1 −10 0 −1 −100 −104 −1 000 入力電圧 VIN (V) 2 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −100 −102 3 −100 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −103 4 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 25°C IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C −10 −10 −1 1 0 − 0.1 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 6 Ta = 75°C 200 −25°C − 0.01 − 0.1 Cob VCB 5 VCE = −10 V 300 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 400 直流電流増幅率 hFE −160 −1 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 入力電圧 VIN (V) SJH00006BJD −1.4 − 0.1 − 0.1 −1 −10 出力電流 IO (mA) −100 UNR211x シリーズ UNR2115 特性図 IC VCE VCE(sat) IC Ta = 25°C IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA コレクタ電流 IC (mA) −120 − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA −80 − 0.3 mA − 0.2 mA −40 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −100 IC / IB = 10 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 200 −25°C −1 −10 0 −1 −100 IO VIN VO = −5 V Ta = 25˚C −100 入力電圧 VIN (V) 2 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 −102 3 −100 VIN IO −104 −103 4 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 25°C 100 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) Ta = 75°C −25°C − 0.01 −0.1 Cob VCB 5 VCE = −10 V 300 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 400 直流電流増幅率 hFE −160 −10 −1 − 0.1 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR2116 特性図 IC VCE VCE(sat) IC − 0.9 mA − 0.8 mA −120 コレクタ電流 IC (mA) Ta = 25°C − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA − 0.2 mA −40 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) IB = −1.0 mA −100 hFE IC 400 IC / IB = 10 VCE = −10 V −10 300 直流電流増幅率 hFE −160 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 − 0.1 Ta = 75°C 200 25°C −25°C 100 −25°C −1 −10 コレクタ電流 IC (mA) SJH00006BJD −100 0 −1 −10 −100 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) 7 UNR211x シリーズ Cob VCB IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 5 VIN IO −104 VO = −5 V Ta = 25°C −100 入力電圧 VIN (V) 4 −102 3 2 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 −103 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 6 −1 − 0.1 −10 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR2117 特性図 IC VCE VCE(sat) IC IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA コレクタ電流 IC (mA) −100 −80 −60 − 0.3 mA −40 − 0.2 mA −20 0 − 0.1 mA 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 IC / IB = 10 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 −104 −100 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) 2 −100 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −102 3 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 4 −25°C −25°C −103 −10 −1 − 0.1 1 0 −0.1 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 8 25°C IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C Ta = 75°C 200 100 Cob VCB 5 VCE = −10 V 300 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 400 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −120 −1 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 入力電圧 VIN (V) SJH00006BJD −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 出力電流 IO (mA) −100 UNR211x シリーズ UNR2118 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −100 コレクタ電流 IC (mA) −200 IB = − 1.0 mA − 0.9 mA −160 − 0.8 mA − 0.7 mA −120 − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA − 0.3 mA −80 −40 − 0.2 mA − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 IC / IB = 10 120 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 コレクタ電流 IC (mA) VO = −5 V Ta = 25°C VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) 2 −1 000 VIN IO −102 3 −100 −100 −103 4 −10 コレクタ電流 IC (mA) IO VIN −104 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 25°C −25°C −25°C − 0.01 − 0.1 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) Ta = 75°C 80 40 Cob VCB 5 VCE = −10 V −10 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 160 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 −1 − 0.1 −10 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR2119 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −100 コレクタ電流 IC (mA) −200 IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA −160 −120 −80 − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA − 0.3 mA − 0.2 mA − 0.1 mA −40 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) hFE IC IC / IB = 10 −10 VCE = −10 V 120 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 − 0.1 160 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 Ta = 75°C 80 25°C −25°C 40 −25°C −1 −10 コレクタ電流 IC (mA) SJH00006BJD −100 0 −1 −10 −100 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) 9 UNR211x シリーズ Cob VCB IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 5 VIN IO −104 VO = −5 V Ta = 25°C −100 入力電圧 VIN (V) 4 −102 3 2 VO = −0.2 V Ta = 25°C −10 −103 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 6 −1 − 0.1 −10 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR211D 特性図 IC VCE コレクタ電流 IC (mA) −50 Ta = 25˚C −40 − 0.3 mA −30 − 0.2 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA −20 − 0.1 mA −10 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 −104 −100 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) 2 −100 VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −102 3 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 4 −25°C −25°C −103 −1 − 0.1 −10 1 0 − 0.1 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 10 25°C 80 IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C Ta = 75°C 40 Cob VCB 5 VCE = −10 V 120 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 160 IC / IB = 10 直流電流増幅率 hFE IB = − 1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA VCE(sat) IC −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −60 −1 −1.5 −2.0 −2.5 −3.0 −3.5 入力電圧 VIN (V) SJH00006BJD −4.0 − 0.01 − 0.1 −1 −10 出力電流 IO (mA) −100 UNR211x シリーズ UNR211E 特性図 IC VCE −40 − 0.3 mA −30 − 0.6 mA − 0.5 mA − 0.4 mA −20 − 0.2 mA − 0.1 mA −10 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 IC / IB = 10 −10 Ta = 75°C 25°C − 0.1 Ta = 75°C − 0.01 − 0.1 −1 −10 0 −1 −100 IO VIN VO = −5 V Ta = 25°C −100 入力電圧 VIN (V) 2 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 −102 3 −100 VIN IO −104 −103 4 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 25°C −25°C −25°C 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 200 100 Cob VCB 5 VCE = −10 V 300 −1 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 400 直流電流増幅率 hFE IB = −1.0 mA Ta = 25°C − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA −50 コレクタ電流 IC (mA) VCE(sat) IC −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −60 −1 − 0.1 −10 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 −1.5 −100 −2.0 −2.5 −3.0 −3.5 −4.0 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR211F 特性図 IC VCE IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA −160 −120 − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA −40 0 − 0.2 mA 0 −2 −4 −6 −8 − 0.1 mA −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) hFE IC IC / IB = 10 −10 VCE = −10 V 120 −1 Ta = 75°C 25°C − 0.1 − 0.01 − 0.1 160 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C −200 コレクタ電流 IC (mA) VCE(sat) IC −100 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 Ta = 75°C 25°C 80 −25°C 40 −25°C −1 −10 コレクタ電流 IC (mA) SJH00006BJD −100 0 −1 −10 −100 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) 11 UNR211x シリーズ Cob VCB IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 5 VIN IO −104 VO = −5 V Ta = 25°C −100 −103 入力電圧 VIN (V) 4 −102 3 2 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 6 −10 −1 − 0.1 1 0 − 0.1 −1 −10 −1 − 0.4 −100 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) UNR211H 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −100 コレクタ電流 IC (mA) −100 −80 IB = − 0.5 mA − 0.4 mA −60 − 0.3 mA −40 − 0.2 mA −20 − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 −1 Ta = 75°C 25°C −100 −1 000 3 2 −100 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −1 − 0.1 1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 25°C 80 −25°C − 0.01 − 0.1 −1 −10 出力電流 IO (mA) SJH00006BJD 0 −0.1 −1 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) −10 0 −1 12 −10 VIN IO 4 Ta = 75°C 120 40 −25°C −0.01 −1 入力電圧 VIN (V) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 5 160 −0.1 Cob VCB f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C VCE = −10 V 200 −10 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 240 IC / IB = 10 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −120 −100 −100 UNR211x シリーズ UNR211L 特性図 IC VCE VCE(sat) IC −100 コレクタ電流 IC (mA) −200 −160 IB = −1.0 mA −120 − 0.8 mA − 0.6 mA −80 − 0.4 mA −40 − 0.2 mA 0 0 –2 –4 –6 –8 –10 –12 コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) VCE = −10 V 200 −1 Ta = 75°C 25°C −25°C − 0.1 160 120 80 Ta = 75°C 25°C −25°C 40 − 0.01 −1 −10 −100 0 −1 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) Cob VCB −10 −100 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) VIN IO −100 f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 5 IC / IB = 10 −10 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 240 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −240 VO = − 0.2 V Ta = 25°C 入力電圧 VIN (V) −10 4 3 2 −1 − 0.1 1 0 −1 −10 −100 − 0.01 − 0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR211M 特性図 IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA −160 −120 − 0.5 mA −80 − 0.4 mA − 0.3 mA −40 − 0.2 mA − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) −10 hFE IC 500 IC / IB = 10 VCE = −10 V 400 −1 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C −200 コレクタ電流 IC (mA) VCE(sat) IC コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) IC VCE −240 Ta = 75°C −0.1 25°C −25°C −0.01 −0.001 −1 300 Ta = 75°C 200 25°C −25°C 100 −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) SJH00006BJD −1 000 0 −1 −10 −100 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) 13 UNR211x シリーズ Cob VCB IO VIN f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C 8 VO = −5 V Ta = 25°C −100 −103 入力電圧 VIN (V) 6 −102 4 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) VIN IO −104 10 −10 −1 −0.1 2 0 −0.1 −1 −10 −1 −0.4 −100 −0.6 −0.8 −1.0 −1.2 −1.4 −0.01 −0.1 −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) 入力電圧 VIN (V) コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) UNR211N 特性図 VCE(sat) IC IB = −1.0 mA コレクタ電流 IC (mA) −150 − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA −100 − 0.5 mA − 0.4 mA −50 − 0.3 mA − 0.2 mA − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 −10 IC / IB = 10 −1 Ta = 75°C −0.1 25°C 100 −0.01 −1 −10 −100 0 –1 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) −104 VO = −5 V Ta = 25°C –1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) −102 2 –100 VIN IO −100 −103 3 –10 コレクタ電流 IC (mA) IO VIN 4 −1 −0.1 –10 1 0 –1 –10 –100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 14 25°C −25°C 150 50 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 5 Ta = 75°C 200 −25°C Cob VCB f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C VCE = −10 V 250 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 300 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) IC VCE −200 –1 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1.0 −1.2 入力電圧 VIN (V) SJH00006BJD −1.4 −0.01 −0.1 −1 −10 出力電流 IO (mA) −100 UNR211x シリーズ UNR211T 特性図 VCE(sat) IC コレクタ電流 IC (mA) −150 IB = −1.0 mA –0.9 mA –0.8 mA –0.7 mA –0.6 mA –0.5 mA −100 − 0.4 mA −50 − 0.3 mA − 0.2 mA − 0.1 mA 0 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 −10 VCE = −10 V Ta = 75°C −1 Ta = 75°C − 0.1 25°C −25°C − 0.01 −1 200 25°C 150 −25°C 100 50 −10 −100 0 −1 −1 000 −10 −100 −1 000 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) IO VIN VIN IO VO = −5 V Ta = 25°C −100 −103 VO = − 0.2 V Ta = 25°C 入力電圧 VIN (V) 出力電流 IO (µA) −10 −102 −10 −1 − 0.4 IC / IB = 10 250 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) −104 hFE IC 300 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) IC VCE −200 −1 − 0.1 − 0.6 − 0.8 −1 −1.2 −1.4 − 0.01 − 0.1 入力電圧 VIN (V) −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) UNR211V 特性図 − 0.9 mA − 0.8 mA −8 − 0.7 mA − 0.6 mA −6 − 0.5 mA −4 − 0.4 mA − 0.3 mA −2 0 − 0.2 mA − 0.1 mA 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) −10 hFE IC 12 IC / IB = 10 10 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C IB = −1.0 mA −10 コレクタ電流 IC (mA) VCE(sat) IC コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) IC VCE −12 −1 Ta = 75°C 25°C −0.1 −0.01 −1 −25°C VCE = −10 V Ta = 75°C 25°C 8 6 −25°C 4 2 −10 −100 コレクタ電流 IC (mA) SJH00006BJD −1 000 0 –1 –10 –100 コレクタ電流 IC (mA) 15 UNR211x シリーズ IO VIN −104 VIN IO −100 VO = −5 V Ta = 25°C −103 入力電圧 VIN (V) 出力電流 IO (µA) −10 −102 −10 −1 −0.4 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −1 −0.1 −0.6 −0.8 −1.0 −1.2 −1.4 −0.01 −0.1 入力電圧 VIN (V) −1 −10 −100 出力電流 IO (mA) UNR211Z 特性図 IC VCE VCE(sat) IC コレクタ電流 IC (mA) −150 IB = −1.0 mA − 0.9 mA − 0.8 mA − 0.7 mA − 0.6 mA − 0.5 mA −100 − 0.4 mA −50 − 0.3 mA − 0.2 mA 0 − 0.1 mA 0 −2 −4 −6 −8 −10 −12 IC / IB = 10 −1 Ta = 75°C − 0.1 25°C − 0.01 −1 −10 −100 0 −1 −1 000 −104 −100 −1 000 VO = − 0.2 V Ta = 25°C −10 入力電圧 VIN (V) 2 −100 VIN IO VO = –5 V Ta = 25°C −102 3 −10 コレクタ電流 IC (mA) コレクタ電流 IC (mA) IO VIN 4 −25°C 100 −103 −10 −1 − 0.1 1 0 −1 −10 −100 コレクタ・ベース間電圧 VCB (V) 16 25°C 150 50 出力電流 IO (µA) コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF) 5 Ta = 75°C 200 −25°C Cob VCB f = 1 MHz IE = 0 Ta = 25°C VCE = −10 V 250 コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) 6 hFE IC 300 直流電流増幅率 hFE Ta = 25°C −10 コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V) −200 –1 − 0.4 − 0.6 − 0.8 −1 −1.2 入力電圧 VIN (V) SJH00006BJD −1.4 − 0.01 − 0.1 −1 −10 出力電流 IO (mA) −100 本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項 (1) 本資料に記載の製品および技術情報のうちで、 「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸 出する時、または、 国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。 (2) 本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、 弊社も しくは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあ りません。 (3) 上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、 当社はそ の責を負うものではありません。 (4) 本資料に記載されている製品は、標準用途 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家 電製品など)に使用されることを意図しております。 特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ す恐れのある用途 特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など ) にご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、 事 前に弊社営業窓口までご相談願います。 (5) 本資料に記載しております製品および製品仕様は、 改良などのために予告なく変更する場合が ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、 事前に 最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。 (6) 設計に際して、特に最大定格、 動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた だきますようお願い致します。 保証値を超えてご使用された場合、 その後に発生した機器の欠陥に ついては弊社として責任を負いません。 また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー ドをご考慮の上、 弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを 生じさせない冗長設計、 延焼対策設計、 誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます ようお願い致します。 (7) 防湿包装を必要とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保 存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。 (8) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断 り致します。 2003 SEP