ETC UNR4213(UN4213)

抵抗内蔵トランジスタ
UNR421x シリーズ (UN421xシリーズ)
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
Unit : mm
4.0±0.2
2.0±0.2
■ 特長
7.6
(0.8)
3.0±0.2
デジタル回路用
15.6±0.5
• 機器の小形化 , 部品点数の削減によりコストダウン可能
• New S型パッケージのため，ラジアルテーピングでの供給が
可能
(0.8)
0.75 max.
■ 品種別抵抗値
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
UNR4210
UNR4211
UNR4212
UNR4213
UNR4214
UNR4215
UNR4216
UNR4217
UNR4218
UNR4219
UNR421D
UNR421E
UNR421F
UNR421K
UNR421L
(UN4210)
(UN4211)
(UN4212)
(UN4213)
(UN4214)
(UN4215)
(UN4216)
(UN4217)
(UN4218)
(UN4219)
(UN421D)
(UN421E)
(UN421F)
(UN421K)
(UN421L)
(R1)
47 kΩ
10 kΩ
22 kΩ
47 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
4.7 kΩ
22 kΩ
0.51 kΩ
1 kΩ
47 kΩ
47 kΩ
4.7 kΩ
10 kΩ
4.7 kΩ
(R2)

10 kΩ
22 kΩ
47 kΩ
47 kΩ



5.1 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
22 kΩ
10 kΩ
4.7 kΩ
4.7 kΩ
0.45+0.20
–0.10
0.45+0.20
–0.10
(2.5) (2.5)
0.7±0.1
1
2
3
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
NS-B1 Package
内部接続図
R1
B
C
R2
E
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
記号
定格
単位
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
50
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
50
V
コレクタ電流
IC
100
mA
全許容損失
PT
300
mW
接合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
注) 形名の( )内は , 従来品番です
発行年月 : 2003年12月
SJH00020CJD
1
UNR421x シリーズ
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
条件
最小
標準
単位
VCBO
IC = 10 µA, IE = 0
50
コレクタ・エミッタ間電圧（B 開放時）
VCEO
IC = 2 mA, IB = 0
50
コレクタ・ベース間遮断電流（E 開放時）
ICBO
VCB = 50 V, IE = 0
コレクタ・エミッタ間遮断電流（B 開放時）
ICEO
VCE = 50 V, IB = 0
0.5
µA
エミッタ・ UNR4210/4215/4216/4217
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
0.01
mA
V
V
0.1
ベース間
UNR4213
0.1
遮断電流
UNR4212/4214/421D/421E
0.2
(C 開放時) UNR4211
増幅率
µA
0.5
UNR421F/421K
1.0
UNR4219
1.5
UNR4218/421L
2.0
直流電流 UNR4218/421K/421L
hFE
VCE = 10 V, IC = 5 mA
30
UNR4211
35
UNR4212/421E
60
UNR4213/4214
80
UNR4210 */4215 */4216 */
4217 *
160
VCE(sat)

20
UNR4219/421D/421F
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
460
IC = 10 mA, IB = 0.3 mA
出力電圧ハイレベル
VOH
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, RL = 1 kΩ
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = 5 V, VB = 2.5 V, RL = 1 kΩ
UNR4213/421K
VCC = 5 V, VB = 3.5 V, RL = 1 kΩ
UNR421D
VCC = 5 V, VB = 10 V, RL = 1 kΩ
0.25
4.9
V
V
0.2
V
VCC = 5 V, VB = 6 V, RL = 1 kΩ
UNR421E
トランジション周波数
fT
入力抵抗 UNR4218
R1
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz
150
−30%
0.51
UNR4219
1.0
UNR4216/421F/421L
4.7
UNR4211/4214/4215/421K
10
UNR4212/4217
22
UNR4210/4213/421D/421E
47
抵抗比率 UNR4218/4219
R1/R2
MHz
+30%
kΩ

0.08
0.10
0.12
UNR4214
0.17
0.21
0.25
UNR421F
0.37
0.47
0.57
UNR4211/4212/4213/421L
0.8
1.0
1.2
UNR421K
1.70
2.13
2.60
UNR421E
1.70
2.14
2.60
UNR421D
3.7
4.7
5.7
注 ) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. * : ランク分類
2
最大
コレクタ・ベース間電圧
（E開放時）
ランク
Q
R
S
ノンランク品
hFE
160 ∼ 260
210 ∼ 340
290 ∼ 460
160 ∼ 460
SJH00020CJD
UNR421x シリーズ
共通特性図
PT  Ta
全許容損失 PT (mW)
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
周囲温度 Ta (°C)
UNR4210 特性図
IC  VCE
Ta = 25°C
コレクタ電流 IC (mA)
50
40
30
0.3 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.6 mA
0.7 mA
0.1 mA
20
IC / IB = 10
0
0
2
4
6
8
10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
12
300
1
Ta = 75°C
25°C
25°C
200
−25°C
−25°C
10 −2
10 −1
1
0
102
10
1
コレクタ電流 IC (mA)
(V)
2
103
VIN  IO
VO = 5 V
Ta = 25°C
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
3
102
102
103
4
10
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
10 4
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
Ta = 75°C
100
Cob  VCB
6
VCE = 10 V
10
10 −1
10
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
hFE  IC
400
直流電流増幅率 hFE
IB = 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
VCE(sat)  IC
102
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
60
102
1
10 −1
10
1
0
10 −1
1
10
102
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
入力電圧 VIN (V)
SJH00020CJD
1.4
10 −2
10 −1
1
10
102
出力電流 IO (mA)
3
UNR421x シリーズ
UNR4211 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
102
コレクタ電流 IC (mA)
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
120
0.4 mA
0.3 mA
80
0.2 mA
IC / IB = 10
0.1 mA
0
2
4
6
8
10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
300
10
1
25°C
Ta = 75°C
12
6
200
25°C
−25°C
100
10 −2
10 −1
(V)
1
0
102
10
1
IO  VIN
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
2
103
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
103
3
102
VIN  IO
104
4
10
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
Ta = 75°C
−25˚C
Cob  VCB
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
VCE = 10 V
10 −1
40
0
hFE  IC
400
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
IB = 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
160
102
1
10 −1
10
1
0
10 −1
1
1
0.4
102
10
0.6
0.8
1.0
1.2
10 −2
10 −1
1.4
1
102
10
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR4212 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
102
IB = 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
120
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
80
0.3 mA
0.2 mA
40
0.1 mA
0
0
2
4
6
8
10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
4
12
(V)
hFE  IC
400
IC / IB = 10
VCE = 10 V
300
10
1
Ta = 75°C
25°C
10 −1
10 −2
10 −1
直流電流増幅率 hFE
コレクタ電流 IC (mA)
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
160
Ta = 75°C
200
25°C
−25°C
100
−25°C
1
10
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00020CJD
102
0
1
10
102
コレクタ電流 IC (mA)
103
UNR421x シリーズ
IO  VIN
104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
VIN  IO
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
4
3
2
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
Cob  VCB
6
102
1
10 −1
10
1
0
10 −1
1
1
0.4
102
10
0.6
0.8
1.0
1.2
10 −2
10 −1
1.4
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
102
10
出力電流 IO (mA)
UNR4213 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
Ta = 25°C
コレクタ電流 IC (mA)
IB = 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
120
0.5 mA
0.4 mA
80
0.3 mA
0.2 mA
40
0.1 mA
0
0
2
4
6
8
10
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
102
IC / IB = 10
1
−25°C
200
100
−25°C
0
1
102
10
1
IO  VIN
104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
2
103
VIN  IO
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
3
102
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
4
10
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
Ta = 75°C
25°C
10 −2
10 −1
12
Ta = 75°C
25°C
10 −1
Cob  VCB
5
VCE = 10 V
300
10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
400
直流電流増幅率 hFE
160
102
1
10 −1
10
1
0
10 −1
1
10
102
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
入力電圧 VIN (V)
SJH00020CJD
1.4
10 −2
10 −1
1
10
102
出力電流 IO (mA)
5
UNR421x シリーズ
UNR4214 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
コレクタ電流 IC (mA)
IB = 1.0 mA
120
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
80
0.3 mA
40
0.2 mA
0.1 mA
IC / IB = 10
0
2
4
6
8
10
300
1
Ta = 75°C
25°C
10 −1
0
102
10
1
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
2
103
VIN  IO
VO = 5 V
Ta = 25°C
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
3
102
102
103
4
10
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
104
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
−25°C
100
1
Cob  VCB
5
25°C
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
Ta = 75°C
200
−25°C
10 −1
12
VCE = 10 V
10
10 −2
0
hFE  IC
400
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
102
160
102
1
10 −1
10
1
0
10 −1
1
1
0.4
102
10
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
10 −2
10 −1
1.4
1
102
10
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
UNR4215 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
102
コレクタ電流 IC (mA)
120
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
80
0.3 mA
0.2 mA
40
0.1 mA
0
0
2
4
6
8
10
12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
400
IC / IB = 10
VCE = 10 V
300
10
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
IB = 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
160
1
Ta = 75°C
25°C
10 −1
10 −2
10 −1
Ta = 75°C
200
25°C
−25°C
100
−25°C
1
10
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00020CJD
102
0
1
10
102
コレクタ電流 IC (mA)
103
UNR421x シリーズ
IO  VIN
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
VIN  IO
104
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
4
3
2
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
Cob  VCB
6
102
1
10 −1
10
1
0
10 −1
1
1
0.4
102
10
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10 −2
10 −1
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
102
10
出力電流 IO (mA)
UNR4216 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
102
IB = 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
120
0.4 mA
80
0.3 mA
0.2 mA
40
0.1 mA
0
2
4
6
8
10
IC / IB = 10
12
Ta = 75°C
300
1
Ta = 75°C
25°C
1
100
0
102
10
1
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
2
103
VIN  IO
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
3
102
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
4
10
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
104
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
−25°C
200
コレクタ電流 IC (mA)
Cob  VCB
5
25°C
−25°C
10 −2
10 −1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
VCE = 10 V
10
10 −1
0
hFE  IC
400
直流電流増幅率 hFE
コレクタ電流 IC (mA)
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
160
102
1
10 −1
10
1
0
10 −1
1
10
102
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
入力電圧 VIN (V)
SJH00020CJD
1.4
10 −2
10 −1
1
10
102
出力電流 IO (mA)
7
UNR421x シリーズ
UNR4217 特性図
IC  VCE
80
0.4 mA
0.3 mA
0.2 mA
60
40
IC / IB = 10
VCE = 10 V
300
10
1
Ta = 75°C
25°C
200
0.1 mA
0
0
2
4
6
8
10
12
−25°C
0
1
102
10
1
IO  VIN
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
2
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
3
103
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
103
4
102
VIN  IO
104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
10
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob  VCB
5
−25°C
100
10 −2
10 −1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
Ta = 75°C
25°C
10 −1
20
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
hFE  IC
400
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
IB =1 .0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
0.5 mA
100
コレクタ電流 IC (mA)
VCE(sat)  IC
102
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
120
102
1
10 −1
10
1
0
10 −1
1
1
0.4
102
10
コレクタ・ベース間電圧 VCB
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10 −2
10 −1
1
102
10
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
(V)
UNR4218 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
102
コレクタ電流 IC (mA)
200
IB = 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
160
120
0.6 mA
0.5 mA
0.4 mA
80
0.3 mA
40
0.2 mA
0
0.1 mA
0
2
4
6
8
10
12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
8
hFE  IC
160
IC / IB = 10
VCE = 10 V
120
10
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
240
1
Ta = 75°C
25°C
10 −1
10 −2
10 −1
Ta = 75°C
80
25°C
−25°C
40
−25°C
1
10
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00020CJD
102
0
1
10
102
コレクタ電流 IC (mA)
103
UNR421x シリーズ
IO  VIN
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
VIN  IO
104
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
4
3
2
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
Cob  VCB
6
102
1
10 −1
10
1
0
10-1
1
1
0.4
102
10
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
10 −2
10 −1
1.4
1
102
10
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
UNR4219 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
102
コレクタ電流 IC (mA)
200
IB = 1.0 mA
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
160
120
0.5 mA
0.4 mA
0.3 mA
80
40
0.2 mA
0.1 mA
0
0
2
4
6
8
10
12
IC / IB = 10
1
Ta = 75°C
25°C
10 −1
25°C
−25°C
40
1
0
102
10
1
IO  VIN
104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
2
103
VIN  IO
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
3
102
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
4
10
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
Ta = 75°C
80
−25°C
10 −2
10 −1
Cob  VCB
5
VCE = 10 V
120
10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
160
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
240
102
1
10 −1
10
1
0
10 −1
1
10
102
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
入力電圧 VIN (V)
SJH00020CJD
1.4
10 −2
10 −1
1
10
102
出力電流 IO (mA)
9
UNR421x シリーズ
UNR421D 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
20
15
0.2 mA
0.1 mA
10
IC / IB = 10
0
0
2
4
6
8
10
10
1
Ta = 75°C
25°C
40
1
0
102
10
1
IO  VIN
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
3
2
103
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
103
4
102
VIN  IO
104
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
10
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob  VCB
5
80
−25°C
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
Ta = 75°C
120
10 −2
10 −1
12
VCE = 10 V
25°C
−25°C
10 −1
5
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
hFE  IC
160
直流電流増幅率 hFE
コレクタ電流 IC (mA)
Ta = 25°C
0.9 mA
0.8 mA 0.5 mA
0.7 mA
0.4 mA
25
0.6 mA
0.3 mA
IB = 1.0 mA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
102
30
102
1
10 −1
10
1
0
10 −1
1
1
1.5
102
10
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
2.0
2.5
3.0
3.5
10 −2
10 −1
4.0
1
10
102
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
UNR421E 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
コレクタ電流 IC (mA)
50
40
0.3 mA 0.2 mA
0.4 mA
0.5 mA
0.1 mA
30
20
IC / IB = 10
0
0
2
4
6
8
10
12
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
VCE = 10 V
1
10 −2
10 −1
Ta = 75°C
120
10
Ta = 75°C
25°C
10 −1
10
10
hFE  IC
160
直流電流増幅率 hFE
IB = 1.0 mA 0.7 mA
Ta = 25°C
0.9 mA
0.6 mA
0.8 mA
102
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
60
25°C
−25°C
80
40
−25°C
1
10
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00020CJD
102
0
1
10
102
コレクタ電流 IC (mA)
103
UNR421x シリーズ
IO  VIN
f = 1MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
VIN  IO
104
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
4
3
2
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
Cob  VCB
6
102
1
10 −1
10
1
0
10 −1
1
1
1.5
102
10
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10 −2
10 −1
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
102
10
出力電流 IO (mA)
UNR421F 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
102
コレクタ電流 IC (mA)
200
0.9 mA
0.8 mA
0.7 mA
0.6 mA
160
120
IB = 1.0 mA
0.5 mA
80
0.4 mA
0.3 mA
40
0.2 mA
0.1 mA
0
0
2
4
6
8
10
12
IC / IB = 10
120
Ta = 75°C
1
25°C
10 −1
25°C
−25°C
−25°C
10 −2
10 −1
1
0
102
10
1
コレクタ電流 IC (mA)
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
2
103
VIN  IO
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
3
102
102
VO = 5 V
Ta = 25°C
103
4
10
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
104
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量（入力開放時）Cob (pF)
Ta = 75°C
80
40
Cob  VCB
5
VCE = 10 V
10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
160
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
240
102
1
10 −1
10
1
0
10 −1
1
10
102
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
入力電圧 VIN (V)
SJH00020CJD
1.4
10 −2
10 −1
1
10
102
出力電流 IO (mA)
11
UNR421x シリーズ
UNR421K 特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
102
コレクタ電流 IC (mA)
200
160
IB = 1.2 mA
120
1.0 mA
0.8 mA
80
0.6 mA
IC / IB = 10
0.4 mA
0.2 mA
0
0
2
4
6
8
10
12
200
1
25°C
Ta = 75°C
−25°C
10 −2
1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
25°C
80
−25°C
0
103
1
102
10
103
コレクタ電流 IC (mA)
VIN  IO
102
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
Ta = 75°C
120
40
102
10
160
コレクタ電流 IC (mA)
Cob  VCB
6
VCE = 10 V
10
10 −1
40
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
コレクタ出力容量（入力開放時）Cob (pF)
hFE  IC
240
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
240
4
3
2
1
10 −1
1
0
10 −2
10 −1
102
10
1
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
1
102
10
出力電流 IO (mA)
UNR421L 特性図
VCE(sat)  IC
コレクタ電流 IC (mA)
200
160
IB = 1.0 mA
0.8 mA
120
0.6 mA
80
0.4 mA
0.2 mA
0
0
2
4
6
8
10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
12
(V)
hFE  IC
240
IC / IB = 10
VCE = 10 V
200
10
1
Ta = 75°C
25°C
10 −1
40
12
102
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
IC  VCE
240
10 −2
−25°C
80
0
10
25°C
120
40
−25°C
1
Ta = 75°C
160
102
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00020CJD
103
1
10
102
コレクタ電流 IC (mA)
103
UNR421x シリーズ
VIN  IO
102
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
VO = 0.2 V
Ta = 25°C
10
入力電圧 VIN (V)
コレクタ出力容量（入力開放時） Cob (pF)
Cob  VCB
6
4
3
2
1
10 −1
1
0
1
10
102
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
10 −2
10 −1
1
10
102
出力電流 IO (mA)
SJH00020CJD
13
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術情報のうちで、
「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸
出する時、または、
国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2)
本資料に記載の技術情報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
弊社も
しくは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあ
りません。
(3)
上記技術情報のご使用に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、
当社はそ
の責を負うものではありません。
(4)
本資料に記載されている製品は、標準用途  一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家
電製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直接人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ
す恐れのある用途  特定用途(航空・宇宙用、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など )
にご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、
事
前に弊社営業窓口までご相談願います。
(5)
本資料に記載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合が
ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、
事前に
最新の製品規格書または仕様書をお求め願い、ご確認ください。
(6)
設計に際して、特に最大定格、
動作電源電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた
だきますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥に
ついては弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー
ドをご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを
生じさせない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます
ようお願い致します。
(7)
防湿包装を必要とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保
存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断
り致します。
2003 SEP

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