DIOTEC ZY200

ZY1 ... ZY200 (2 W)
ZY1 ... ZY200 (2 W)
Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology)
Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
Version 2011-10-17
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
-0.1
Ø 2.6
2W
Nominal Z-voltage
Nominale Z-Spannung
1...200 V
5.1-0.1
Type
+0.5
62.5 -2.5
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Marking:
Stempelung:
Ø 0.77±0.07
Dimensions - Maße [mm]
DO-41
DO-204AL
0.4 g
“Z“ plus Zenervoltage
„Z“ plus Zenerspannung
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pak
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
ZY-series
Power dissipation
Verlustleistung
TA = 50°C
Ptot
2 W 1)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
TA = 25°C
PZSM
60 W
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 45 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthL
< 15 K/W
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
23
1
2
3
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
The ZY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole.
Die ZY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index
“F” anstatt “Z” zu setzen. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
ZY1 ... ZY200 (2 W)
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
(TA = 25°C unless otherwise specified)
Type
Typ
Zener voltage 2)
Zener-Spannung 2)
IZ = IZtest
(TA = 25°C wenn nicht anders spezifiziert)
Test current
Meßstrom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coeffic.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 μA
Z-current 1)
Z-Strom 1)
TA = 50°C
Vzmin [V]
Vzmax [V]
IZtest [mA]
rzj [Ω]
αVZ [10-4 /°C]
VR [V]
IZmax [mA]
ZY1 )
0.71
0.82
100
0.5 (<1)
–26…–16
–
1500
ZY5.6
5.2
6.0
100
1 (<3)
–3…+5
> 0.5 / 3 µA
333
ZY6.2
5.8
6.6
100
1 (<2)
–1…+6
> 1.5
303
ZY6.8
6.4
7.2
100
1 (<2)
0…+7
>2
278
ZY7.5
7.0
7.9
100
1 (<2)
0…+7
>2
253
ZY8.2
7.7
8.7
100
1 (<2)
+3…+8
> 3.5
230
ZY9.1
8.5
9.6
50
2 (<4)
+3…+8
> 3.5
208
ZY10
9.4
10.6
50
2 (<4)
+5…+9
>5
189
ZY11
10.4
11.6
50
4 (<7)
+5…+10
>5
172
ZY12
11.4
12.7
50
4 (<7)
+5…+10
>7
157
ZY13
12.4
14.1
50
5 (<10)
+5…+10
>7
142
ZY15
13.8
15.6
50
5 (<10)
+5…+10
> 10
128
ZY16
15.3
17.1
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
117
ZY18
16.8
19.1
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
105
ZY20
18.8
21.2
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
94
ZY22
20.8
23.3
25
6 (<15)
+6…+11
> 12
86
ZY24
22.8
25.6
25
7 (<15)
+6…+11
> 12
78
ZY27
25.1
28.9
25
7 (<15)
+6…+11
> 14
69
ZY30
28
32
25
8 (<15)
+6…+11
> 14
63
ZY33
31
35
25
8 (<15)
+6…+11
> 17
57
ZY36
34
38
10
16 (<40)
+6…+11
> 17
53
ZY39
37
41
10
20 (<40)
+6…+11
> 20
49
ZY43
40
46
10
24 (<45)
+7…+12
> 20
43
ZY47
44
50
10
24 (<45)
+7…+12
> 24
40
ZY51
48
54
10
25 (<60)
+7…+12
> 24
37
ZY56
52
60
10
25 (<60)
+7…+12
> 28
33
ZY62
58
66
10
25 (<80)
+8…+13
> 28
30
ZY68
64
72
10
25 (<80)
+8…+13
> 34
28
ZY75
70
79
10
30 (<100)
+8…+13
> 34
25
ZY82
77
88
10
30 (<100)
+8…+13
> 41
23
ZY91
85
96
5
40 (<200)
+9…+13
> 41
21
ZY100
94
106
5
60 (<200)
+9…+13
> 50
19
ZY110
104
116
5
80 (<250)
+9…+13
> 50
17
ZY120
114
127
5
80 (<250)
+9…+13
> 60
16
ZY130
124
141
5
90 (<300)
+9…+13
> 60
14
ZY150
138
156
5
100 (<300)
+9…+13
> 75
13
ZY160
153
171
5
110 (<350)
+9…+13
> 75
12
ZY180
168
191
5
120 (<350)
+9…+13
> 90
10
ZY200
188
212
5
150 (<350)
+9…+13
> 90
9
3
1
2
Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite
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© Diotec Semiconductor AG
ZY1 ... ZY200 (2 W)
102
120
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
Tj = 25°C
1
60
40
10-1
20
IF
Ptot
0
0
TA
100
50
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 1 )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1 )
Tj = 25°C
f = 1.0 MHz
[pF]
30a-(1a-1.1v)
10-2
0.4
VF
1.0
0.8
VR = 4V
[V] 1.8
150
1
Tj = 25°C
5,6
[mA]
VR = 0V
1.4
1.2
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
6,2
IZT
100
8,2
6,8
IZmax
9,1
7,5
50
VR = 20V
IZ
VR = 40V
IZ = 5 mA
Cj
0
[V]
VZ
0
4
5
7
VZ
2
3
6
8
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
[V]
10
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
50
[K/W]
50
10
18
24
30
36
43
51
56
62
68
75
82
91
100
40
IZmax
30
20
Tj = 25°C
IZT
L
10
RthL
0
Typical breakdown characteristic – tested with pulses
Typische Abbruchspannung – gemessen mit Impulsen
0
L
4
8
12
[mm]
Typ. thermal resistance vs lead length
Typ. therm. Widerst. in Abh. der Anschlusslänge
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
3