富士電機グループ 中期経営計画を実現する研究開発戦略 ～ 「エネルギー・環境」の最先端企業を目指して～ 2010年9月29日 富士電機ホールディングス株式会社 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 1 研究開発方針 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 2 研究開発方針 富士電機スマートコミュニティコンセプトをイノベーションドリブンで実現 エネルギー・環境分野へ重点的に研究開発資源を集中する グローバル化･オープンイノベーションを強化推進 研究開発費 分野別内訳 売上高比率 3.5％ → 4.8％ ｴﾈﾙｷﾞｰ ｿﾘｭｰｼｮﾝ 345億円 その他 243億円 2010年度 計画 半導体 2009年度実績 環境 ｿﾘｭｰｼｮﾝ エネルギー・ 環境分野67％ 2010年度計画 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 3 グローバル化・オープンイノベーションの推進 ・米国、欧州、中国に研究所を設置 ・グローバルで産学官連携の強化推進 欧州 研究所設置 中国 米国 研究所設置 浙江大学との提携 研究所設置 独・フランクフルト 米・サンノゼ 日本 中国 日本 産学官連携推進 ●中国での研究開発強化 産学連携推進による、中国におけるパワー半導体、 スマートグリッド、鉄道、ＥＶ、水環境事業などの 新製品開発と新事業構築 ・北海道大学、東北大学、東京大学、九州 大学との提携 ・産業技術総合研究所との共同開発（SiC) ・古河電工との共同開発（GaN）、他 中国・浙江大学 富士電機イノベーションセンター Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 4 当社の取り巻く市場環境 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 5 地球規模で低炭素化・スマートグリッドへ指向 ・スマートグリッドは再生可能エネルギー発電の比率が10％を超える時点で、発電の不安定性 （お天気任せ）や逆潮流（川下から川上に水が流れる）を解決するためエネルギーはITで制御 する「賢い電気ネットワーク」として急激に実現すると言われている ・まず再生可能エネルギーの大量導入と省エネルギー・省資源の需要家グリッドから実現する 1000 800 11% 新エネ導入 スマートグリッド普及 新エネ比率10%超過 ★ 600 9% 再生可能エネルギー の普及 400 需要家グリッド拡大 グリッドビジネス拡大 ★ －25% CO2 削減目標 設備投資トレンド 再生可能エネルギー 発電能力（ 世界・ GW ） 13% 200 新エネ比率3% 2006年 環境･資源再生拡大 2009年 2015年 2020年 2025年 2030年 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 6 「スマートグリッド」から「スマートコミュニティ」へ ・再生可能エネルギーの大量導入による系統の不安定化の対策でスマートグリッド （次世代送電網）が注目されている ・電力エネルギーに限定せず、水・熱・ガスなどインフラ全体のスマート化による 環境調和型の都市空間づくりに向かって、コンセプトが拡張されている 大規模集中型発電所 （水力，火力，原子力） 原子力 水力 送電系統 メガソーラー ウインドファーム 変電所 火力 センサー 地域エネルギー マイクログリッド 配電系統 （６．６ｋＶ， ２００／１００Ｖ） 電力貯蔵装置 流通 流通 パワエレ技術 配電自動化 保護リレー センサー 需要家(ﾃﾞﾏﾝﾄﾞ) 需要家(ﾃﾞﾏﾝﾄﾞ) スマートファクトリー グリーンＩＤＣ スマートメータ 創エネ(ｻﾌﾟﾗｲ) 創エネ(ｻﾌﾟﾗｲ) 新エネルギー ・太陽光 ・風力 ・地熱 ・燃料電池 スマートメータ 需要家 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. スマートメータ 省エネ機器 省ｴﾈｼｽﾃﾑ 7 スマートグリッドの定義は地域ごとに異なる ・スマートコミュニティのあり方は、再生可能エネルギー導入量と電力品質の関係で地域ごとに異なる ・米国、欧州、日本などの先進国では再生可能エネルギー導入量に見合ったグリッドが要求される（再生都市型） ・インド、中国などの発展国では再生可能エネルギー導入量増加と新規インフラ整備が必要とされる（新都市型） 再生可能 エネルギー 導入量(Log) 域内自給率向上のために積極的に再生可 能エネ導入 ⇒導入の偏在性問題を国際間連系に よる回避に限界 ⇒系統のロバスト性の強化、欧州統一 市場を踏まえた設備形成 送配電設備の老朽化 ⇒更新による品質向上必須 ⇒再生可能エネ導入、発電設備増設 抑制などを踏まえた設備形成 83GW 欧州 32GW 電力不足率：10％(2007) 送配電ロス：49％(ﾃﾞﾘｰ，2005) ⇒ﾉﾝﾃｸﾆｶﾙ要因（盗電，未回収） 8GW 7GW インド 中国 各地域の設備形成に関わるスタンス 米国 経済成長に見合うエネルギー供給設備形成 ⇒西（電源地域）の電力を 東（需要地域）に送る ⇒当面は大規模集中電源を踏まえた 設備形成 9GW 最適化された電力系統に再生可能 エネルギー大量導入 ⇒再生可能エネ導入時にも現状 水準の品質を維持 ⇒低炭素電源の優先運用を踏ま えた設備形成 日本 電力品質 （系統信頼度、システム効率、コスト、送電ロス等） Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 8 エネルギー･インフラ ポートフォリオ 主戦場は中国･インド･中東 エネルギー需要増 新都市型 インド 595Mｔ 中国 546Mｔ 1,970Mｔ ・桁違いの投資 ・エネルギーと資源のトレードオフ最適化 日本 514Mｔ 再開発型 欧州 米国 1,826Mｔ 2,337Mｔ 既設インフラ 弱 既設インフラ 強 中東 2.0 1.0 （横ばい） エネルギー需要減・横ばい エネルギー需要：石油換算百万トン（面積表示、2007年） 伸び率（縦軸、2030年/2007年比） （出典：WORLD ENERGY OUTLOOK 2009） 既設インフラの強弱：エネルギー・環境事業戦略 ㈱三菱総合研究所, 2009-11 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 9 中国の経済成長 ・中国の2010年1人当たりGDPは日本で環境問題が起き始めた1970年に相当 ・日本は1970年11月には公害国会（公害対策基本法など14法案すべて可決） ・日本で起こった環境保護へのソーシャルニーズが中国でも起こると予測 （USドル） 45,000 一人当たりGDP（中国と日本） 40,000 35,000 30,000 25,000 上海万博(10) 変動為替相場制(73) 20,000 北京オリンピック(08) 日本 大阪万博(70) 15,000 2010年の中国一人当たり ＧＤＰ（予測）は 日本の1970年代に相当 東京オリンピック(64) 10,000 4,042 5,000 3,999 中国 09 07 05 03 01 99 97 95 93 91 89 87 85 83 81 79 77 75 73 0 （年） 出典： IMF - World Economic Outlook(2010年4月版)、内閣府 - 経済財政報告書 2010年度版 GDPは名目ベース Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 10 今後増加する中国の自然共生 ・日本は、戦後25年の急激な高度成長が終わり、公害国会（1970年）後の1973年から自然共生が 多くなった ・中国の自然共生派は56％であるが、改革開放路線による25年間の急激な経済成長の後 増加すると予測される（中国ソーシャルニーズの変化） 出典 ： 社会実情データ図録 http://www2.ttcn.ne.jp/honkawa/4250.html Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 11 富士電機スマートコミュニティコンセプト 生物多様性保全や地域共生に貢献しようと考える「富士電機スマートコミュニティコンセプト」と ソーシャルニーズ変化が一致 小水力発電設備 高効率電動機 グリーンプロダクト インバータ グリーン調達 省エネ・省資源 需要家グリッド ビオトープ 生物多様性保全 太陽光発電 低炭素エネルギー 最適需給バランス 自然との調和・地域との共存 地域共生 資源循環型 環境システム エネルギー見える化 最適運転制御システム 誘導加熱設備 各種計測センサー 高効率UPS設備 市民参加型グリーン活動 市民参加型グリーン活動 緑化 燃料電池 地域グリーン事業の推進 環境モニタリング グリーン化・緑視化 風力発電 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 12 研究開発戦略 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 13 富士電機の「エネルギー・環境」技術 ・パワーデバイス＋パワエレ技術をプラットホームとした省エネ装置をコア商材 ・複数のコア商材のエネルギー･熱･資源を全体最適マネジメントする需要家グリッド技術 エネルギーソリューション 環境ソリューション 創エネルギー エネルギー流通 発電システム 系統システム エンジニアリング 電力安定化 蓄電 安全システム 情報・通信 グリーン 店舗 IDC 自販機 車両 システム 水環境 システム グリーン IDC 電源 システム スマート メータ マイクロ グリッド 太陽光発電 風力発電 地熱発電 系統連系 システム 輸送システム 流通システム 産業システム EV 充電器 グリーン ファクトリー 社会システム 技術プラットフォーム： グリッド制御 全体最適 システム エネルギー利活用 技術プラットフォーム： ナノグリッド （エネルギー制御） 全体最適 システム エネルギー マネジメント 制御 システム 熱利用 事業プラットフォーム（コア商材） UPS 汎用 INV. 電源 PM モータ プロパル SIV モータ 技術プラットフォーム ： パワエレ 回路 パワーデバイス モータ・発電機 INV. モータ 媒体 高圧 INV. 感光体 EV 器具 太陽光 PCS センサー 需要家 PCS 半導体 電機品 系統連携 組込・制御システム Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 14 5層構造からなるスマートコミュニティ技術構造 スマートコミュニティは「情報とエネルギーの双方向流通」をキーワードに５層の構造をしている ⇒富士電機は足元の[パワーデバイス＋パワーエレクトロニクス]に強み スマートグリッド スマートグリッド 配電系統 マイクログリッド マイクログリッド エネルギー 情報 変電所 エネルギー 情報 需要家グリッド 需要家グリッド エネルギー 情報 パワーデバイス パワーデバイス エネルギー 情報 パワーエレクトロニクス機器 パワーエレクトロニクス機器 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 15 スマートコミュニティを実現する富士電機技術開発 コーポレート研究テーマを核として、プラットフォーム技術と強い商材を開発 スマートグリッド スマートグリッド： 系統解析技術、系統制御用ｺﾝﾎﾟｰﾈﾝﾄ 変電所 配電系統 地熱発電: ﾊﾞｲﾅﾘｰﾌﾟﾗﾝﾄ、ｽｹｰﾙ抑制、ﾀｰﾋﾞﾝ 太陽光発電: 出力向上、高効率ﾃﾞﾊﾞｲｽ、PCS 風力発電: 同期発電機、系統連系技術、誘導発電機 マイクログリッド ﾊﾟﾜｴﾚｿﾘｭｰｼｮﾝ: 制御ﾈｯﾄﾜｰｸ高速化、ｺﾝﾄﾛｰﾗ一体型ｲﾝﾊﾞｰﾀ 制御ｼｽﾃﾑ:安全計装、配電盤の機能安全 給電ｼｽﾃﾑ:直流給電技術 需要家グリッド EV 地上設備、車載ﾊﾟﾜｰﾄﾚｲﾝ グリーンファクトリー 電化熱源 グローバル車両 補助電源、ﾌﾟﾛﾊﾟﾙｼﾞｮﾝ、伝送ｼｽﾃﾑ パワエレ機器 グリーンパワエレ（プラットホーム） 省ｴﾈ制御PF、 グリーンIDC ﾋｰﾄﾎﾟﾝﾌﾟ技術PF ﾊﾟﾜｴﾚ機器:高圧ｲﾝﾊﾞｰﾀ、高効率PMﾓｰﾀ 高効率変換回路・装置PF 高効率UPS、高効率内部電源 パワーデバイス RB-IGBT 半導体: ﾓｼﾞｭｰﾙ構造PF、3次元ﾃﾞﾊﾞｲｽ加工 風力・車両用大容量ﾓｼﾞｭｰﾙ、次世代HEVﾓｼﾞｭｰﾙ、 SiC, GaN適用電源技術 SiCデバイス SBD、MOSFET GaNデバイス Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 16 主な研究開発テーマ Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 17 パワーデバイスとパワーエレクトロニクスの関係 ・パワーエレクトロニクス技術の変革はパワーデバイスによりなされる（刷り合わせ型） ・新しいパワーエレクトロニクス技術は小容量から実現され、大容量に普及する ・常にコンポーネントを進化させることで、モジューラ型となっても水平分業型にならない 年代 パワー 半導体 モータ 駆動 1960 △1960 サイリスタ △1959 ダイオード 小容量 大容量 サイリスタ レオナード 中容量 大容量 △1975 トランジスタ ｻｲｸﾛｺﾝﾊﾞｰﾀ PAMｲﾝﾊﾞｰﾀ 電源ｿｰｽ ｲﾝﾊﾞｰﾀ 1980 1990 2000 2010～ △1984 ＧＴＯ △1980 △2010-11 ﾄﾗﾝｼﾞｽﾀ SiCﾓｼﾞｭｰﾙ △1994 △2002 ﾓｼﾞｭｰﾙ △1987 IGBTﾓｼﾞｭｰﾙ IGBTﾓｼﾞｭｰﾙ IGBTﾓｼﾞｭｰﾙ △2011 （第5世代） （第1世代） （第3世代） GaNﾃﾞﾊﾞｲｽ △1986 △1998 △2009 MOSFET M-Power RB-IGBT トランジスタ PWMインバータ IGBT PWMインバータ GTO PWMインバータ ﾏﾄﾘｸｽ ｺﾝﾊﾞｰﾀ SiC ｲﾝﾊﾞｰﾀ MOSFETコンバータ 小容量 電源 1970 サイリスタ 整流器 トランジスタ コンバータ GaN MOSFET共振型コンバータ コンバータ ダイオード 整流器 IGBT コンバータ サイリスタ コンバータ GTO コンバータ Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 新３ﾚﾍﾞﾙIGBT コンバータ 18 足元の強化（SiC/GaNパワーデバイス棲み分け） ・SiCは中高耐圧領域をカバー（IGBTの後継機種） ・GaNは低中耐圧領域をカバー（パワーMOSFETの後継機種） ターゲット分野 中耐 圧 デバ イス 低 耐圧 デバ イス 高 耐 圧デバ イス 電 力 基 幹 系 統 機 器 2000 電 車 1000 定格電流（Ａ） 500 H E V・E V G aN の 適 用 領 域 200 新 エネ・ 分 散電 源 産 業 機 器 汎 用 インバ ータ 100 S iC の 適 用 領 域 50 家 電 自 動 車 電 装 機 器 20 ｵ ﾝ ﾎ ﾞｰ ﾄ ﾞ電 源 サ ー バ ー （FE P） 10 ノ ー トＰＣ イオン電 池 5 Ｈ ＤＤ 2 通 信機 器 電 源 ■ 当 社 の 狙 う領 域 ■当社の狙う領域 ＳＷ 電 源 Ａ Ｃア ダプ タ 1 10 20 50 100 200 500 1000 200 0 5000 10000 定 格 電 圧 （Ｖ ） GaN：低耐圧（＜１ｋV）、高周波（＜～100GHｚ）用途に対応 SiC：高耐圧（数百V～１０ｋV）、比較的低周波（＜～１MHｚ）用途に対応 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 19 足元の強化（SiCパワーデバイス開発） 狙 狙 い い ・（独）産業技術総合研究所との共同開発による低抵抗SiCデバイス実現 ・省エネに大きな効果をもたらす中大容量SiCモジュールの早期開発 ・SiCパワーモジュールに最適なパワーエレクトロニクス回路の開発 用途・期待効果 用途・期待効果 SiCモジュール適用範囲 SiCの適用効果（対シリコン） 効果 アプリケーション 低損失 装置体積 重量 サーバ電源 損失 △ 35% 汎用・高圧 インバータ 損失 △ 60% 体積△ 75% UPS 損失 △ 60% 体積△ 40% EV 損失 △ 50% 車両重量 △ 35㎏ 車両 損失 △ 50% 電流（A） 富士電機 他社 体積△ 50% Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 電圧（kV） ※当社調べ 20 パッケージと応用技術がSiCパワーモジュールのキー SiCチップ特性 SiCチップ特性 ・ 世界レベルの低抵抗デバイス実現 ・ SiCチップ課題は、大容量化 富士電機 A社 B社 mΩcm2 4.2 7.0 7.0 しきい値 3.0 3.0 （ﾉｰﾏﾘｰｵﾌ） （ﾉｰﾏﾘｰｵﾌ） 0.5 3mm□ 3.4mm□ オン抵抗 V ﾁｯﾌﾟｻｲｽﾞ 新型SiCモジュール 新型SiCモジュール 産総研と共同開発 1200V SiC-MOSFET 25A 3.4mm□ ・ 小チップで中大容量に適用する高電流密度・小型パッケージを独自開発 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 21 足元の強化（GaNパワーデバイス開発） ・Si基板上への成長技術により低価格化を実現 ・古河電工と共同開発 ⇒Siデバイスの材料限界を超える性能を実現可能 （2011年サンプル展開開始） ・SiCは中高耐圧、GaNは低中耐圧領域で性能優位性を持つ ソース オン抵抗 高温動作 高速動作 耐圧 SiO2 カソード アノード AlGaN GaN ドレイン AlGaN GaN バッファ層 バッファ層 Ｓｉ基板 Ｓｉ基板 MOS-FET断面 SBD断面 コスト ゲート GaN SiC シリコン（参考） ○ （Si基板を使用） △高価格 （基板価格が高い） ◎低価格 ○（小さい） ○（～300℃） ○（100kHz～GHz） ○（小さい） ○（～300℃） ○（100kHzｵｰﾀﾞ） ×（高い） ×（約175℃） ×（10kHzｵｰﾀﾞ） 低中耐圧 （～1200V） 中高耐圧 （～数万V） 低～高圧 （～6.5kV） Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 22 新３レベル変換回路の特長 当社独自のRB-IGBTを採用した新３レベル変換回路を開発 回路構成 回路構成 ２レベル変換回路 ３レベル変換回路 S1 + S1 ３レベル化 + S2 + + S2 新３レベル変換回路 逆阻止IGBT モジュール S3 + S3 S1 + S2 S4 S4 出力波形 出力波形 1200V/300A or 1700V/200A 出力波形改善 回路 構成 IGBTﾓｼﾞｭｰﾙ 回路簡略化 出力 600V 1200V 波形 損 損 失 失 1700V 当社独自のRB-IGBT スイッチング損失 導通損失 (逆阻止IGBT) フィルタ損失 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 23 新３レベル変換回路の適用効果 刷り合わせ技術でコンポーネントを進化させる 用途・期待効果 用途・期待効果 ・無停電電源装置 ⇒損失40％削減 装置体積30％低減 フィルタ回路容量半減 ・ﾊﾟﾜｰｺﾝﾃﾞｨｼｮﾅ ⇒損失33％削減 省エネ効果 省エネ効果 CO2削減量 ・500kVA無停電電源（対 従来２レベル方式） 年間削減量：消費電力 130MWh CO2 54 ton相当 設置面積 ： 約3m2 ⇒ 2m2 ※代表的な運転条件で計算 年間稼動時間8760時間 CO2排出係数0.41kg-CO2/kWh 160 140 120 100 80 60 40 20 0 54ton ２レベル 新３レベル Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 24 差別化したパワエレ商材（電気自動車EV向け急速充電器） ・業界最安値で中速～急速充電器市場のシェアNO.1を目指す ・次ステップとして当社独自のRB-IGBTを用いた新３レベル変換回路プラットホームを 電気自動車EV用中速充電器に適用 特 特 長 長 今後の展開 今後の展開 ・全国規模のサービスネットワークの提供 ⇒電源、リテイル部門との連携 ・幅広い営業リソースの活用 ・充電ユニットとコントローラを組み合わせたシンプル ⇒自治体、道路、自動車、店舗流通 な独自設計により他社との差別化を図る 想定市場規模（台数） ・充電ユニットにインバータの要素技術を活用して コストダウンを実現 ⇒他社比40％のコストダウン 普通充電器 中速充電器 急速充電器 供給予定範囲 急速充電器 （2010年7月より販売開始） 工場 大型店舗、 高速道路 コンビニ/スーパー、 商業施設 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 住宅 25 パワエレ機器を全体最適で制御するグリーンIDCソリューション ・新３レベル変換回路プラットホームを適用したUPS（無停電電源）などの省エネ型 パワエレ機器をさらに全体最適省エネルギー運転=需要家グリッド ・サーバ環境の「見える化」から、高効率な電源や空調設備、自然エネルギーを活用した 空調システムなどにより、データセンターの省エネ化を実現 局所空調システム ・省エネルギー： ランニングコスト25％低減※ ・安全・安心 ： 結露発生を未然防止 ・高信頼性 ： 冗長機への自動切換え ・省スペース ： サーバ上部の余剰 スペース利用 ※一般的な全体空調システムに対する比較。当社調べ。 ﾗｯｸﾏｳﾝﾄﾀｲﾌﾟﾄﾗﾝｽﾎﾞｯｸｽ ・省エネ ：高効率トランス（96％） ・高信頼性 ：空冷ファンレス構造 ・省スペース：超薄型サーバラック2Uに設置可能な 200V→100V ﾀﾞｳﾝﾄﾗﾝｽﾕﾆｯﾄ 電力収集装置 ・省スペース ：△40％の小型化を実現 ・多点同時計測 ：最大70点 ・ﾉﾝｽﾄｯﾌﾟ対応 ：無停電での回路増設 ・ラック単位で電力量課金が可能 電力収集装置 インテリジェント分電盤 サーバルーム 電気室 空調機械室 超高効率UPS ・省エネ ：98.5％(世界最高効率) ・省スペース ：△30%の小型化を実現 ・信頼性向上 ：待機冗長システム ・長寿命化 ：ﾘﾁｳﾑｲｵﾝｷｬﾊﾟｼﾀに よる長寿命15年間 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 26 再生可能エネルギーとマイクログリッド 小規模系統で再生可能エネルギー活用が困難な離島における運用効果の高い マイクログリッドシステムを実現 参画中の実証実験内容 ●マイクログリッド概念図 負荷曲線（旧） 既存の離島電力網 （新） 連系点 合成出力 出力変動大 連系点出力 補償出力 － ・九州６離島（九州電力殿と実証研究中） ・沖縄３離島（沖縄電力殿と今下期より実証研究） ＋ PCS 出力 蓄電池 黒島写真（九州） 宝島写真（九州） PCS ＜沖縄県・多良間島における導入事例＞ 出力変動大 島内ディーゼル 発電システム（既設） 制御装置 風力発電 (WT) 出力 当社のリチウムイオンキャ パシタ搭載安定化装置が 導入され、充放電の高出力、 高信頼を実現 PCS 太陽光発電(PV) ＰＣＳ：パワーコンデショナ 再生可能エネルギーによる電力網 多良間島写真（沖縄） Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 27 アジア新都市型を睨んだ成長戦略（スマートグリッド） 北九州市スマートコミュニティ（次世代エネルギー・社会システム実証） 北九州スマートコミュニティ創造協議会 （北九州市＋４０社＋５団体）で推進 幹事メンバー：北九州市（社会システム）、富士電機（エネルギー）、新日鉄（エネルギー）、日本ＩＢＭ（情報インフラ） 地域社会参加型のｴﾈﾙｷﾞｰｺﾐｭﾆﾃｨの実現 新エネルギーの導入 ●タウンメガソーラー CO2 50％削減 ｴﾈﾙｷﾞｰを使いこなす社会 街区まるごとの省エネシステム導入 ●デマンドレスポンスに対応した BEMS*、HEMS*の導入 地域ｴﾈﾙｷﾞｰﾏﾈｼﾞﾒﾝﾄの構築 ●地域節電所 天然ガスコジェネ 水素ネットワーク ●北九州水素タウン ｽﾏｰﾄｵﾌｨｽ ｽﾏｰﾄﾃﾞｰﾀｾﾝﾀｰ ｽﾏｰﾄﾌｧｸﾄﾘｰ 大規模蓄電池 風力発電 仮想導入 送配電網 副生水素 副生水素 スマートビル ＩＴ網 風力発電所 1.5万KW スマート 次世代SS コミュニティ スマート センター コミュニティ センター スマート スクール 次世代交通ｼｽﾃﾑなどの地域社会づくり ●バイナリー発電 レンタサイクル ステーション スマートマンション ・EV等の大量導入 ・燃料電池利用の小型移動体の活用 ・公共交通機関やコミュニティバスと連携等 当社が主に担当するプロジェクト 太陽光発電 データセンター ●スマートメーターの導入 ●カーボンオフセット・エコポイントシステム *BEMS: Building Energy Management System *HEMS: Home Energy Management System Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 28 まとめ Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 29 富士電機の研究開発戦略 まとめ 米国から始まるスマートグリッドの動きは中国･アジアを中心に電力エネルギーに 限定せず、水・熱・ガスなどインフラ全体のスマート化による環境調和型の都市 空間づくり（スマートコミュニティ）に向かって、コンセプトが拡張されている スマートコミュニティへの要求は富士電機の技術･商材コンセプトに一致して きた スマートコミュニティの技術構造は5層構造であり、富士電機はまず足元のパ ワーデバイスとパワーエレクトロニクスを土台としてパワエレ機器、それ を全体最適に運用する需要家グリッド技術を強化する 地熱発電など再生可能エネルギー技術をさらに進化させるとともに、マイクロ グリッド実証実験に積極的に参加し、安全･安心電力供給・消費に貢献する 富士電機はエネルギー・環境技術を通して、低炭素化社会を実現する Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 30 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 31 注 記 1. 1. 本資料および本説明会に含まれる予想値および将来の見通しに関する記述・ 本資料および本説明会に含まれる予想値および将来の見通しに関する記述・ 言明は、弊社が現在入手可能な情報による判断および仮定に基づいておりま 言明は、弊社が現在入手可能な情報による判断および仮定に基づいておりま す。その判断や仮定に内在する不確実性および事業運営や内外の状況変化 す。その判断や仮定に内在する不確実性および事業運営や内外の状況変化 により、実際に生じる結果が予測内容とは実質的に異なる可能性があり、弊社 により、実際に生じる結果が予測内容とは実質的に異なる可能性があり、弊社 は、将来予測に関するいかなる内容についても、その確実性を保証するもので は、将来予測に関するいかなる内容についても、その確実性を保証するもので はありません。 はありません。 2. 2. 本資料は、情報の提供を目的とするものであり、弊社の株式の売買を勧誘す 本資料は、情報の提供を目的とするものであり、弊社の株式の売買を勧誘す るものではありません。 るものではありません。 3. 3. 目的を問わず、本資料を無断で引用または複製することを禁じます。 目的を問わず、本資料を無断で引用または複製することを禁じます。 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 33