半導体事業戦略 2010年8月18日 富士電機ホールディングス株式会社 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 1 １．事業概要 ２．市場動向 ３．事業方針・成長戦略 ４．設備投資・研究開発 ５．業績動向・目標 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 2 事業概要 産業分野 パワー IC IGBT モジュール 自動車分野 用 途 電源分野 圧力センサ IGBT IPM 適 用 製 品 イグナイタ MOSFET 特長 ・業界最先端の高速・低損失特性 と高破壊耐量（第６世代IGBT) ・高信頼性を実現するＰＫＧ技術 ・市場要求に応える高い信頼性技術 ・第6世代IGBT適用による低損失で 高効率特性 ・高ｴﾈﾙｷﾞｰ耐量（ｲｸﾞﾅｲﾀ） Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. ・機器の小型化・省エネに貢献 する業界ﾄｯﾌﾟﾚﾍﾞﾙの低損失・ 高効率特性。 3 １．事業概要 ２．市場動向 ３．事業方針・成長戦略 ４．設備投資・研究開発 ５．業績動向・目標 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 4 パワー半導体市場の動向 ２０１０年～平均伸長率 4.5% 半導体市場全体： パワー半導体市場全体： 5.3% 7.0% 当社該当市場： 10.6% ＩＧＢＴ市場： パワー半導体市場全体 (億円) 20,000 サイリスタ バイポーラトランジスタ 当社該当市場 パワーダイオード MOSFET 16,200 IGBT 15,000 15,400 14,600 13,900 (+23%) 12,500 11,900 11,300 (+7%) 10,600 10,000 5,400 6,600 5,800 8,100 5,100 4,700 5,000 7,000 7,500 (+29%) (+9%) 0 2007年 当社該当市場： 2008年 2009年 IGBT：全て MOSFET：耐圧200V以上及び200V未満の車載用 パワーダイオード：SBD及びFRD 2010年 2010年 (年初予想) (今回見直) 2011年 2012年 2013年 Data Sourse： WSTSをﾍﾞｰｽに富士電機推定 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 5 １．事業概要 ２．市場動向 ３．事業方針・成長戦略 ４．設備投資・研究開発 ５．業績動向・目標 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 6 事業方針・成長戦略 基本戦略 目標 ●「エネルギー・環境」分野における大容量パワー半導体の拡大に加え、 小容量分野への参入を目指す ●海外売上・海外生産の拡大（地産地消） ●ＩＧＢＴでＮｏ.１を目指す ２０１１年度売上高：中期計画９００億円 ⇒ １，０００億円を目指す。 販売施策 ・地域ニーズ・特性に合わせた商品の開発、展開 ・中国・欧州を中心にセールスエンジニア投入、テクニカルセンター連携 ものつくり 施策 ・国内生産子会社統合効果の抽出と海外生産拡大 ・市場急拡大に対応する生産体制強化（新クリーンルーム、新組立拠点） 開発施策 ・注力分野（ｴﾈﾙｷﾞｰ・環境，自動車）にリソースを集中 ・次世代デバイス（ＳｉＣ、ＧａＮ）の製品化、量産技術の確立 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 7 事業方針・成長戦略 【狙う市場とシェア（IGBT）】 ●市場規模や伸長率の高い、新エネルギー、インフラ 及びEV/HEVでのシェア アップを狙う ●FA（設備関連）は市場回復により、高シェアの回復・維持を目指す IGBTﾓｼﾞｭｰﾙの主要分野別 市場規模及び当社推定ｼｪｱ （億円） 1,600 ＷＷ市場（'08ｼｪｱ） 30.0% 09年度市場規模 注力分野 新規参入分野 13年度市場規模 09年度推定ｼｪｱ 1,200 25.0% 20.0% IXYS Vincotech 東芝 Danfoss IR ﾌｧｱﾁｬｲﾙﾄﾞ 日立 三洋 800 その他 三菱 15.0% 富士電機 10.0% Semikron 400 Infineon 5.0% 0 0.0% FA ｲﾝﾌﾗ 電鉄 新ｴﾈﾙｷﾞｰ 民生 電源・UPS EV/HEV Data Sourse： IMS Research Data Sourse： IMS Research、CSMをﾍﾞｰｽに富士電機推定 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 8 事業方針・成長戦略 【狙う市場（IGBT）】 大電流（Ａ） 風力発電 拡大市場＿ （大容量・高耐圧）→ 電鉄 EV/HEV メガソーラー 家電 インバータ ロボット UPS サーバ ←当社従来市場 ←新規参入市場（小容量） 高電圧（Ｖ） Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 9 事業方針・成長戦略 【新エネルギー向けIGBT】 ターゲット市場 ターゲットエリア 風力発電、メガソーラー 欧州、米州、中国 施 策 大容量IGBT（～3,300V、3,600A）の製品系列の拡大 RB-IGBT*新技術の適用 *RB-IGBT（新３レベル逆阻止モジュール） 特長： 変換回路の損失発生を大幅に抑制 特に変換効率が重要になる太陽光 発電用パワーコンディショナー等で は発生損失が低減可能。 損失(W) UPSに使用した場合の損失改善 3,500 約15% 改善 3,000 約10% 改善 2,500 2,000 1,500 1,000 500 0 ２レベル 従来3レベル Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 新３レベル RB-IGBT 10 事業方針・成長戦略 【EV／HEV向けIGBT】 ターゲットエリア ターゲット市場 ＥＶ、ＨＥＶのモーター制御，充電装置 など 日本、中国 施 策 第６世代IGBT技術を適用した低損失で小型・高放熱のモジュール*を開発し展開する *小型・高放熱のモジュール Æ 電流当りの面積を 約半分に縮小 （注： PKGの面積は 最外郭を 2 in 1 従来品 周にとる長方形として計算） 6 in 1 新製品 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 11 事業方針・成長戦略 【グローバル展開】 ●販売注力拠点である中国、欧州におけるニーズに合った商品を開発・展開 ●注力地域での生産拠点の設置検討 欧州： 検討中 中国： 検討中 フィリピン： 移管完了 マレーシア： 移管中 販売拠点 (既存) 生産拠点 (既存） 生産・販売拠点 (既存） 新規生産拠点(エリア） Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 12 １．事業概要 ２．市場動向 ３．事業方針・成長戦略 ４．設備投資・研究開発 ５．業績動向・目標 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 13 設備投資・研究開発 ● 海外生産比率向上に向け、海外での投資を加速する ● 「エネルギー・環境」分野、次世代デバイスの開発に重点を置く 《研究開発》 《設備投資》 （億円） 160 140 135 海外 国内 120 120 100 100 その他 次世代 エネルギー・環境 70 80 100 60 80 60 （億円） 120 45 75 59 40 40 20 20 0 0 2009年度 2010年度予想 2010年度予想 （10.5.15発表) (10.7.30発表) （２０１０年） 当初計画１００億円→見直し１２０億円 （２０１１年） 前工程新クリーンルーム、後工程新拠点 （中期計画の前倒し検討） 2011年度 中期計画 (10.2.25発表) 2009年度 2010年度予想 2011年度中期計画 (10.7.30発表) ※変更なし (10.2.25発表) （２０１０年主要開発テーマ） エネルギー：大容量モジュール開発 環境：ＥＶ／ＥＨＶ用デバイス開発、第６世代系列拡大、 高性能ディスクリート開発、小容量モジュール開発 次世代：ＳｉＣ、ＧａＮ開発（グループ全体取り組み） Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 14 次世代ＳｉＣデバイスへの取り組み 次世代ＳｉＣ研究開発を加速しニーズに対応 ◆産業技術総合研究所内にＳｉＣ専用ラインを 新設し、設備等立上げ完了。試作開始。 ◆サンプル展開 ＳＢＤ： ２０１０年度中 ＭＯＳＦＥＴ： ２０１１年度中 ◆量産化 特徴 メリット 高耐圧 低抵抗 高速動作 機器小型化 低消費電力 高効率電力変換 アプリケーション ＳＢＤ： ２０１１年４月開始 ＭＯＳＦＥＴ： ２０１２年４月開始 想定削減効果 （Si IGBTを100%とした場合 当社推定） サーバ電源 損失 △ 35% 汎用・高圧 インバータ 損失 △ 60% 体積△ 75% ＵＰＳ 損失 △ 60% 体積△ 40% ＥＶ 損失 △ 50% 車両 損失 △ 50% 体積△ 50% （独）産業技術総合研究所殿との 共同開発中のSiC MOSFET Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 15 １．事業概要 ２．市場動向 ３．事業方針・成長戦略 ４．設備投資・研究開発 ５．業績動向・目標 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 16 業績動向・目標 ＜２０１１年度 中期目標＞ 売上高１，０００億円、営業利益１００億円を目指す （億円） 1,200 1,000 自動車 産業 電源 1,000 900 880 830 800 700 600 400 200 売上 -200 50 -40 0 60 営利 売上 2009年度 営利 2010年度予想 （2010.5.15発表） 売上 営利 2010年予想 （2010.7.30発表） 100 60 売上 営利 2011年度中期計画 （2010.2.25発表） 売上 営利 2011年度中期目標 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 17 注 記 1. 本資料および本説明会に含まれる予想値および将来の見通しに関する記述・ 言明は、弊社が現在入手可能な情報による判断および仮定に基づいておりま す。その判断や仮定に内在する不確実性および事業運営や内外の状況変化 により、実際に生じる結果が予測内容とは実質的に異なる可能性があり、弊社 は、将来予測に関するいかなる内容についても、その確実性を保証するもので はありません。 2. 本資料は、情報の提供を目的とするものであり、弊社の株式の売買を勧誘す るものではありません。 3. 目的を問わず、本資料を無断で引用または複製することを禁じます。 Copyright © 2010 Fuji Electric Holdings Co., Ltd. All rights reserved. 19