AK93C45C/55C/65C

ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
AK93C45C/55C/65C
1024/2048/4096bit シリアル CMOS EEPROM
特
□
□
□
□
□
□
□
□
□
□
□
□
□
長
先進の CMOS EEPROM テクノロジ
電気的書換え可能な、不揮発性メモリ
1.5V～5.5V（READ 動作）1.6V～5.5V（WRITE 動作／WRAL 動作／PAGE WRITE 動作）
AK93C45C・・・1024bit
64 ワード×16 ビット構成
AK93C55C・・・2048bit 128 ワード×16 ビット構成
AK93C65C・・・4096bit 256 ワード×16 ビット構成
シリアルインタフェース
1.0MHz(VCC=1.5～2.5V)，4.0MHz(VCC=2.5～5.5V)
低消費電力
動作時
0.1 mA max.
（VCC=1.5V, READ 時）
待機時
0.8 µA max.
書き換え回数：100 万回／アドレス
データ保持 ：10 年
読み出し動作時のアドレスオートインクリメント機能
自動 消去/書き込みサイクル
Busy/Ready 信号出力機能
誤書き込み防止機能
ソフトウェアによる誤書き込み防止機能（EWEN/EWDS 命令）
電源立ち上げ時は書き込み禁止状態
端子制御による誤書き込み防止機能(PE ピン)
8 ピンパッケージ（TMSOP, SON, USON）
DO
DATA
REGISTER
DI
INSTRUCTION
REGISTER
INSTRUCTION
DECODE,
CONTROL
AND
CLOCK
GENERATION
16
ADD.
BUFFERS
R/W AMPS
AND
AUTO ERASE
DECODER
16
EEPROM
93C45C=1024bit
93C55C=2048bit
93C65C=4096bit
CS
VPP SW
SK
PE
VREF
VPP
GENERATOR
ブロック図
DAM06J-00
2005/01
- 1 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
機
能
概
要
AK93C45C/55C/65C は、64/128/256 ワード×16 ビット構成の、1024/2028/4096 ビット、不揮発性メ
モリです。それぞれのワードごとに、読み出し、書き込みの操作ができます。これらの操作は
READ,WRITE,PAGE WRITE,EWEN,EWDS,WRAL の命令を入力することにより実行されます。
AK93C45C/55C/65C は単一電源で動作し、書き込みに必要な高電圧は、デバイス内部で発生させて
います。
AK93C45C/55C/65C の シ リ ア ル イ ン タ フ ェ ー ス は シ リ ア ル ク ロ ッ ク SK に 同 期 し て い ま す 。
AK93C45C/55C/65C に入力されるデータはシリアルクロック SK の立ち上がりエッジで DI ピンから取
り込まれ、AK93C45C/55C/65C から出力されるデータはシリアルクロック SK の立ち上がりエッジに
同期して DO ピンから出力されます。
DO ピンは、通常ハイ・インピーダンス状態にあります。DO ピンが、"L"又は"H"を出力するのは、
DO ピンがデータを出力する時と WRITE,PAGE WRITE,WRAL 命令実行後に EEPROM の Busy/Ready
のステータスを出力する時です。
・誤書き込み防止機能
AK93C45C/55C/65C は誤書き込み防止機能として、書き込み禁止状態と書き込み許可状態の 2 つの
状態を持っています。書き込み禁止状態では書き込み命令は無効となり実行されません。電源投入時、
AK93C45C/55C/65C は書き込み禁止状態であり、書き込みの命令は無効となり実行されません。EWEN
命令を実行すると書き込み許可状態に入り、EWDS 命令を実行すると書き込み禁止状態に入ります。
又、読み出しは状態に関わらず実行することができます。
AK93C45C/55C/65C は PE（プログラムイネーブル）ピンを備えています。PE ピンが"H"の場合に書
き込み命令は実行されますので WRITE,PAGE WRITE,WRAL,EWEN,EWDS 命令を実行するときに、ハ
イレベルの必要があります。PE ピンはデバイス内部でプルアップされていますので、オープンで使用
する場合、PE ピンに関わらず書き込み命令を実行することができます。
・Busy/Ready 信号出力機能
AK93C45C/55C/65C は WRITE,PAGE WRITE,WRAL 命令実行後に DO ピンより内部状態を確認する
ことができます。WRITE,PGAE WRITE,WRAL 命令を実行し、CS ピンを"L"にした後、CS ピンを"H"
にすると、Busy/Ready 信号が DO ピンから出力されます。DO ピンが"L"のときは、書き込み動作実行
中（Busy 状態）を示し、次の命令を受け付けることはできません。"H"のときは、書き込み動作終了
（Ready 状態）を示し、次の命令を受け付ける状態にあることを示します。DO ピンからの Busy/Ready
信号を確認後、CS ピンを"L"にすると DO ピンはハイ・インピーダンス状態に戻ります。又、DO ピン
からの Busy/Ready 信号は AK93C45C/55C/65C にスタートビットが入力されるまで出力されます。
AK93C45C/55C/65C の書き込みに必要な時間は自動プログラミング時間に示されていますが、内部
状態を確認することにより、より速い書き込みサイクルを実行することができます。
■ 製品の種類
製品名
AK93C45CT
AK93C45CL
AK93C45CU
AK93C55CT
AK93C55CL
AK93C55CU
AK93C65CT
AK93C65CL
AK93C65CU
容量
1Kbit
2Kbit
4Kbit
電源電圧
1.5V～5.5V
1.5V～5.5V
1.5V～5.5V
1.5V～5.5V
1.5V～5.5V
1.5V～5.5V
1.5V～5.5V
1.5V～5.5V
1.5V～5.5V
動作温度範囲
-40℃～+85℃
-40℃～+85℃
-40℃～+85℃
-40℃～+85℃
-40℃～+85℃
-40℃～+85℃
-40℃～+85℃
-40℃～+85℃
-40℃～+85℃
DAM06J-00
パッケージ
8 ﾋﾟﾝ TMSOP
8 ﾋﾟﾝ SON
8 ﾋﾟﾝ USON
8 ﾋﾟﾝ TMSOP
8 ﾋﾟﾝ SON
8 ﾋﾟﾝ USON
8 ﾋﾟﾝ TMSOP
8 ﾋﾟﾝ SON
8 ﾋﾟﾝ USON
2005/01
- 2 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
■ ピン配置
AK93C45CT/55CT/65CT
CS
SK
DI
DO
1
2
3
4
8
7
6
5
AK93C45CL/55CL/65CL
VCC
NC
PE
GND
VCC
NC
PE
GND
8pin TMSOP
1
2
3
4
8
7
6
5
CS
SK
DI
DO
8pin SON
AK93C45CU/55CU/65CU
VCC
NC
PE
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
CS
SK
DI
DO
8pin USON
■ ピン機能
ピン名称
機能
CS
チップセレクト入力
SK
シリアルクロック入力
DI
シリアルデータ入力
DO
シリアルデータ出力
PE
プログラムイネーブル
(プルアップ抵抗内蔵)
VCC
電源
GND
グランド
無接続
(オープンとして下さい)
（注）PEﾋﾟﾝのﾌﾟﾙｱｯﾌﾟ抵抗は約2.5MΩです（VCC=5V）
NC
DAM06J-00
2005/01
- 3 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
命
令
説
明
命令には READ,WRITE,PAGE WRITE,EWEN,EWDS,WRAL の６種類があります。各命令はスタート
ビット＋オペコード＋アドレスで構成されます。命令一覧を表 1～3 に示します。
命令を連続して実行するとき、その間、CS ピンを少なくとも tCS 間ローレベルにして下さい。
ｽﾀｰﾄ
ﾋﾞｯﾄ
ｵﾍﾟ
ｺｰﾄﾞ
アドレス
データ
READ
01
10
A5 A4 A3 A2 A1 A0
D15-D0 (out)
アドレス(A5-A0)データ読み出し
WRITE
01
01
A5 A4 A3 A2 A1 A0
D15-D0 (in)
アドレス(A5-A0)データ書き込み
PAGE WRITE
01
11
A5 A4 A3 A2 A1 A0
D15-D0 (in)
アドレス(A5-A0)ページ書き込み
EWEN
01
00
1
1 × × × ×
書き込み許可
EWDS
01
00
0
0 × × × ×
書き込み禁止
WRAL
01
00
0
1
命 令
0
0
0
0
D15-D0 (in)
内
容
全アドレス データ書き込み
×：ドント・ケア
表 1. AK93C45C 命令一覧表
命 令
ｽﾀｰﾄ ｵﾍﾟ
ﾋﾞｯﾄ ｺｰﾄﾞ
アドレス
データ
内
容
READ
01
10
× A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0(out)
アドレス(A6-A0)データ読み出し
WRITE
01
01
× A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0(in)
アドレス(A6-A0)データ書き込み
PAGE WRITE
01
11
× A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0(in)
アドレス(A6-A0)ページ書き込み
EWEN
01
00
1
1 × × × × × ×
書き込み許可
EWDS
01
00
0
0 × × × × × ×
書き込み禁止
WRAL
01
00
0
1
0
0
0
0
0
0
D15-D0(in)
全アドレス データ書き込み
×：ドント・ケア
表 2. AK93C55C 命令一覧表
命 令
ｽﾀｰﾄ ｵﾍﾟ
ﾋﾞｯﾄ ｺｰﾄﾞ
アドレス
データ
内
容
READ
01
10
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0(out)
アドレス(A7-A0)データ読み出し
WRITE
01
01
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0(in)
アドレス(A7-A0)データ書き込み
PAGE WRITE
01
11
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D15-D0(in)
アドレス(A7-A0)ページ書き込み
EWEN
01
00
1
1 × × × × × ×
書き込み許可
EWDS
01
00
0
0 × × × × × ×
書き込み禁止
WRAL
01
00
0
1
0
0
0
0
0
0
D15-D0(in)
全アドレス データ書き込み
×：ドント・ケア
表 3. AK93C65C 命令一覧表
(注) AK93C45C/55C/65C は、最初に取り込まれる"1"をスタートビットとして認識します。"1"を取り
込む前の"0"は無視されますので、"1"、"01"、"001"、"0…01"などもスタートビットとして有
効です。
DAM06J-00
2005/01
- 4 -
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[AK93C45C/55C/65C]
■ WRITE 命令
WRITE 命令は指定したアドレスにデータ（16 ビット）を書き込みます。
CS ピンを立ち上げ、スタートビット、オペコード、アドレス、データを入力した後、次のシリアル
クロックの立ち上がりの前に CS ピンを最小 tCS 間"L"にしなければなりません。この CS ピンの立ち
下がりから EEPROM は指定されたアドレスにデータを書き込みます（自動プログラミングサイクル）。
自動プログラミングサイクルが起動した後、シリアルクロックは必要ありません。
DO ピンを参照することにより、EEPROM の内部状態を確認することができます。WRITE 命令を実
行し、CS ピンを"L"にした後、CS ピンを"H"にすると、Busy/Ready 信号が DO ピンから出力されます。
DO ピンからの Busy/Ready 信号を確認後、CS ピンを"L"にすると DO ピンはハイ・インピーダンス状
態に戻ります。
PE
CS
SK
0
DI
0
1
1
2
0
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ
3
1
4
A5
5
A4
8
A1
9
A0
10
D15
11
D14
23
D2
24
D1
25
tCS
D0
ｵﾍﾟｺｰﾄﾞ
Busy
Hi-Z
DO
Ready
前に実行さ れた命令が WRITE,PAGE WRITE,WRALであり、
READY状態の時、 "H"が出力されます。
tE/W
図 1. WRITE 命令(AK93C45C)
PE
CS
SK
0
DI
0
1
1
2
0
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ
3
4
×
1
5
A6
10
A1
11
A0
12
D15
13
D14
25
D2
26
D1
27
tCS
D0
ｵﾍﾟｺｰﾄﾞ
Busy
Hi-Z
DO
Ready
前に実行された命令が WRITE,PAGE WRITE,WRALであり、
READY状態の時、 "H"が出力されます。
tE/W
×：ドント・ケア
図 2. WRITE 命令(AK93C55C)
PE
CS
SK
0
DI
0
1
1
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ
DO
2
0
3
1
4
A7
5
A6
10
A1
11
A0
12
D15
13
D14
25
D2
26
D1
27
tCS
D0
ｵﾍﾟｺｰﾄﾞ
Busy
Hi-Z
Ready
前に実行された命令が WRITE,PAGE WRITE,WRALであり、
READY状態の時、 "H"が出力されます。
tE/W
図 3. WRITE 命令(AK93C65C)
DAM06J-00
2005/01
- 5 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
■ PAGE WRITE 命令
1 ページ（4 ワード）までのデータを一度に書き込みます。書き込むデータを送った後、さらにデー
タを送ると、データは 4 ワードまでのデータを格納することができる内部レジスタに格納されます。
CS ピンを立ち上げ、スタートビット、オペコード、アドレス、書き込みデータを入力した後、次のシ
リアルクロックの立ち上がりの前に CS ピンを最小 tCS 間"L"にしなければなりません。この CS ピン
の立ち下がりから EEPROM は指定されたアドレスにデータを書き込みます（自動プログラミングサイ
クル）。自動プログラミングサイクルが起動した後、シリアルクロックは必要ありません。
ページライトは下位 2 ビットのアドレスに対して有効であり、上位アドレスビットは変化しません。
例えば、"XX XX11"(AK93C45C)/"XXXX XX11"(AK93C55C/65C)への書き込み後、次に書き込まれるア
ドレスは"XX XX00"(AK93C45C)/"XXXX XX00"(AK93C55C/65C)です。
4 ワード以上のデータが入力された場合、アドレスカウンタはロールオーバーし、以前に書き込ま
れたデータに上書きされます。例えば、6 ワードのデータを送ると 5 ワード目のデータは 1 ワード目
に送られたデータに、6 ワード目のデータは 2 ワード目のデータに、上書きされます。
DO ピンを参照することにより、EEPROM の内部状態を確認することができます。PAGE WRITE 命
令を実行し、CS ピンを"L"にした後、CS ピンを"H"にすると、Busy/Ready 信号が DO ピンから出力さ
れます。DO ピンからの Busy/Ready 信号を確認後、CS ピンを"L"にすると DO ピンはハイ・インピー
ダンス状態に戻ります。
PE
CS
0
SK
DI
1
0
1
2
3
1
1
4
5
6
7
8
A5
A4
A3
A2
A1
9
A0
10
11
12
D15 D14 D13
23
データ(n)
D2
24
D1
25
D0
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ ｵﾍﾟｺｰﾄﾞ
Hi-Z
DO
前に実行された命令がWRITE,PAGE WRITE,WRALであり、
READY状態の時、 "H"が出力されます。
PE
CS
SK
DI
DO
26
27
D15 D14
39
40
データ(n+1)
D2 D1
tCS
41
D0
D15
D0
D15 D14
データ(n+3)
D2 D1
Hi-Z
D0
Busy
tE/W
Ready
図 4. PAGE WRITE 命令(AK93C45C)
DAM06J-00
2005/01
- 6 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
PE
CS
0
SK
DI
1
0
1
2
3
1
4
×
1
5
6
7
8
A6
A5
A4
A3
9
A2
10
A1
11
A0
12
D15
25
データ(n)
D2
26
D1
27
D0
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ ｵﾍﾟｺｰﾄﾞ
Hi-Z
DO
前に実行された命令がWRITE,PAGE WRITE,WRALであり、
READY状態の時、"H"が出力されます。
PE
CS
SK
DI
28
29
D15 D14
41
42
データ(n+1)
D2 D1
tCS
43
D0
D15
D0
D15 D14
データ(n+3)
D2 D1
D0
Hi-Z
DO
Busy
Ready
tE/W
×：ドント・ケア
図 5. PAGE WRITE 命令(AK93C55C)
PE
CS
0
SK
DI
1
0
1
2
3
1
1
4
5
6
7
8
A7
A6
A5
A4
A3
9
A2
10
A1
11
A0
12
D15
25
データ(n)
D2
26
D1
27
D0
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ ｵﾍﾟｺｰﾄﾞ
Hi-Z
DO
前に実行された命令がWRITE,PAGE WRITE,WRALであり、
READY状態の時、 "H"が出力されます。
PE
CS
SK
DI
DO
28
29
D15 D14
41
42
データ(n+1)
D2 D1
tCS
43
D0
D15
D0
D15 D14
データ(n+3)
D2 D1
Hi-Z
D0
Busy
tE/W
Ready
図 6. PAGE WRITE 命令(AK93C65C)
DAM06J-00
2005/01
- 7 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
■ WRAL 命令
WRAL 命令は全てのアドレスに一度にデータ（16 ビット）を書き込みます。
CS ピンを立ち上げ、スタートビット、オペコード、アドレス、データを入力した後、次のシリアル
クロックの立ち上がりの前に CS ピンを最小 tCS 間"L"にしなければなりません。この CS ピンの立ち
下がりから EEPROM は全アドレスにデータを書き込みます（自動プログラミングサイクル）。自動プ
ログラミングサイクルが起動した後、シリアルクロックは必要ありません。
DO ピンを参照することにより、EEPROM の内部状態を確認することができます。WRAL 命令を実
行し、CS ピンを"L"にした後、CS ピンを"H"にすると、Busy/Ready 信号が DO ピンから出力されます。
DO ピンからの Busy/Ready 信号を確認後、CS ピンを"L"にすると DO ピンはハイ・インピーダンス状
態に戻ります。
PE
CS
SK
DI
0
0
1
1
2
0
3
0
4
0
5
1
6
0
7
0
8
0
10
9
0
D15
11
D14
12
D13
13
D12
25
tCS
D0
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ
Busy
Hi-Z
DO
R eady
前 に 実 行 さ れ た 命 令 が W RITE,PAGE W RITE,W RALで あ り 、
READY状 態 の 時 、 "H"が 出 力 さ れ ま す 。
tE/W
図 7. WRAL 命令(AK93C45C)
PE
CS
SK
DI
0
0
1
1
2
0
3
0
4
0
5
1
6
0
7
0
8
0
10
9
0
0
11
0
12
D15
13
D14
27
tCS
D0
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ
Busy
Hi-Z
DO
R eady
前 に 実 行 さ れ た 命 令 が W RITE,PAGE W RITE,W RALで あ り、
READY状 態 の 時 、 "H"が 出 力 さ れ ま す 。
tE/W
図 8. WRAL 命令(AK93C55C/65C)
DAM06J-00
2005/01
- 8 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
■ READ 命令
READ 命令は、指定したアドレスのメモリデータ（16 ビット）を DO ピンから出力します。DO ピ
ンは、アドレス A0 を読み込む SK の立ち上がりエッジからハイ・インピーダンス状態を脱し、1 ビッ
トのダミービット（ローレベル）を出力したあと、16 ビットのデータを順次シリアル出力します。
READ 命令は EWEN 命令、EWDS 命令に関係なく実行されます。
○オートインクリメント機能
指定アドレスのデータが読み出された後、さらにクロックを加えると次のアドレスのデータが出力さ
れます。最終アドレスを読み出した後、さらにクロックを加えた場合は、先頭アドレスのデータが読
み出されます。
CS
SK
0
DI
0
1
1
2
1
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ
3
0
4
A5
5
A4
8
A1
9
10
11
25
26
40
41
A0
ｵﾍﾟｺｰﾄﾞ
Hi-Z
DO
0
D15
ﾀﾞﾐｰ
前に実行された命令がWRITE,PAGE WRITE,WRAL ﾋﾞｯﾄ
であり、 READY状態の時、 "H"が出力されます。
D14
D0
ｱﾄﾞﾚｽ：[A5～A0]
のﾃﾞｰﾀ
D15
D1
D0
ｱﾄﾞﾚｽ：[A5～A0]+1
のﾃﾞｰﾀ
図 9. READ 命令(AK93C45C)
CS
SK
0
DI
0
1
1
2
1
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ
3
4
×
0
5
A6
10
A1
11
12
13
27
28
42
43
A0
ｵﾍﾟｺｰﾄﾞ
Hi-Z
DO
0
D15
ﾀﾞﾐｰ
前に実行された命令がWRITE,PAGE WRITE,WRAL ﾋﾞｯﾄ
であり、READY状態の時、"H"が出力されます。
D14
D0
ｱﾄﾞﾚｽ：[A6～A0]
のﾃﾞｰﾀ
D15
D1
D0
ｱﾄﾞﾚｽ：[A6～A0]+1
のﾃﾞｰﾀ
×：ドント・ケア
図 10. READ 命令(AK93C55C)
CS
SK
0
DI
0
1
1
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ
2
1
3
0
4
A7
A6
10
A1
11
12
13
27
28
42
43
A0
ｵﾍﾟｺｰﾄﾞ
Hi-Z
DO
5
0
ﾀﾞﾐｰ
前に実行された命令がWRITE,PAGE WRITE,WRAL ﾋﾞｯﾄ
であり、READY状態の時、"H"が出力されます。
D15
D14
D0
ｱﾄﾞﾚｽ：[A7～A0]
のﾃﾞｰﾀ
D15
D1
D0
ｱﾄﾞﾚｽ：[A7～A0]+1
のﾃﾞｰﾀ
図 11. READ 命令(AK93C65C)
DAM06J-00
2005/01
- 9 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
■ EWEN 命令、EWDS 命令
AK93C45C/55C/65C は書き込み禁止状態と書き込み許可状態の 2 つの状態を持っています。書き込
み禁止状態では WRITE,WRAL,PAGE WRITE 命令は無効になり、実行されません。
EWEN 命令は AK93C45C/55C/65C を書き込み許可状態にし、EWDS 命令は書き込み禁止状態にしま
す。電源投入時、AK93C45C/55C/65C は書き込み禁止状態であり、EWEN 命令を実行することにより、
書き込み許可状態になります。書き込み許可状態は EWDS 命令が実行されるまで保持されます。
READ 命令は、EWEN 命令や EWDS 命令に関係なく実行出来ます。
PE
CS
SK
DI
0
0
1
1
2
0
3
4
5
0
6
X
8
7
X
X
9
X
EWEN=11
EWDS=00
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ
Hi-Z
DO
前に実行された命令が WRITE,PAGE WRITE,WRALであり、
READY状態の時、 "H"が出力されます。
X：ドント ・ケア
図 12. EWEN/EWDS 命令(AK93C45C)
PE
CS
SK
DI
0
0
1
1
ｽﾀｰﾄﾋﾞｯﾄ
DO
2
0
3
4
5
6
X
0
7
X
8
X
9
X
10
X
11
X
EWEN=11
EWDS=00
Hi-Z
前に実行された命令が WRITE,PAGE WRITE,WRALであり、
X：ドント・ケア
READY状態の時、 "H"が出力されます。
図 13. EWEN/EWDS 命令(AK93C55C/65C)
DAM06J-00
2005/01
- 10 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
絶
項 目
電源電圧
入力電圧
保存温度
動作周囲温度
記 号
VCC
VIO
Tst
Ta
最
大
定
条 件
対 GND
対 GND
推
項 目
電源電圧 1
(READ を除く)
電源電圧 2
(READ)
対
奨
格
定 格 値
-0.6～+6.5
-0.6～VCC+0.6
-65～+150
-40～+85
動
作
条
単 位
V
V
℃
℃
件
記 号
Min.
Max.
単 位
VCC1
1.6
5.5
V
VCC2
1.5
5.5
V
DAM06J-00
2005/01
- 11 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
電
気
的
特
性
（１）ＤＣ特性
（特に記載のない限り
項
目
WRITE 動作時
電源電流
WRAL 動作時
電源電流
READ 動作時
電源電流
待機時電源電流
ﾊｲﾚﾍﾞﾙ入力電圧
ﾛｰﾚﾍﾞﾙ入力電圧
ﾊｲﾚﾍﾞﾙ出力電圧
記号
ICC1
ICC2
ICC3
ICC4
ICC5
ICC6
ICC SB
VIH1
VIH2
VIH3
VIL1
VIL2
VIL3
条
件
VCC=5.5V, tSKP=250ns,
VCC=1.8V, tSKP=1.0µs,
VCC=5.5V, tSKP=250ns,
VCC=1.8V, tSKP=1.0µs,
VCC=5.5V, tSKP=250ns,
VCC=1.5V, tSKP=1.0µs,
VCC=5.5V
VCC=5.0V±10%
2.5V≦VCC≦5.5V
1.5V≦VCC＜2.5V
VCC=5.0V±10%
1.8V≦VCC≦5.5V
1.5V≦VCC＜1.8V
VOH1
VCC=5.0V±10%
IOH1=-0.4mA
VOH2
-40℃≦Ta≦85℃、1.5V≦VCC≦5.5V）
Min.
*1
*1
*1
*1
*1
*1
*2
2.0
0.8×VCC
0.8×VCC
-0.1
-0.1
-0.1
Max.
2.5
1.5
2.5
1.5
1.5
0.1
0.8
VCC+0.5
VCC+0.5
VCC+0.5
0.8
0.15×VCC
0.1×VCC
単位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
µA
V
V
V
V
V
V
2.2
V
2.5V≦VCC≦5.5V
IOH2=-0.1mA
0.8×VCC
V
VOH3
1.5V≦VCC＜2.5V
IOH3=-0.1mA
0.8×VCC
V
VOL1
VCC=5.0V±10%
IOL1=1.5mA
0.4
V
VOL2
2.5V≦VCC≦5.5V
IOL2=1.0mA
0.4
V
VOL3
1.5V≦VCC＜2.5V
IOL3=0.1mA
0.4
V
入力ﾘｰｸ電流
ILI
VCC=5.5V, VIN=5.5V
出力ﾘｰｸ電流
ILO
VCC=5.5V,
VOUT=5.5V, CS=GND
ﾛｰﾚﾍﾞﾙ出力電圧
*3
±1.0
µA
±1.0
µA
*1 ：VIN=VIH/VIL、DO=ｵｰﾌﾟﾝ
*2 ：VIN=VCC/GND、CS=GND、DO=ｵｰﾌﾟﾝ、PE=VCC/ｵｰﾌﾟﾝ
*3 ：PE ピンは除きます。
DAM06J-00
2005/01
- 12 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
（２）ＡＣ特性
（特に記載のない限り
項
目
SK 周期
SK パルス幅
*4
CS ハイレベルから
SKハイレベル遅延
*5
記 号
tSKP1
tSKP2
tSKW1
tSKW2
tCSS1
条 件
2.5V≦VCC≦5.5V
1.5V≦VCC＜2.5V
2.5V≦VCC≦5.5V
1.5V≦VCC＜2.5V
2.5V≦VCC≦5.5V
Min.
250
1
100
400
80
tCSS2
1.5V≦VCC＜2.5V
200
ns
0
ns
SK ローレベルから
CSローレベル遅延
tCSH
ﾃﾞｰﾀｾｯﾄｱｯﾌﾟ時間
tDIS1
tDIS2
tDIH1
tDIH2
tPD1
tPD2
tE/W
tCS1
tCS2
tCCH1
tCCH2
tSV1
tSV2
tOZ1
tOZ2
ﾃﾞｰﾀﾎｰﾙﾄﾞ時間
SK から出力遅延時間
自動ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾐﾝｸﾞ時間
CS ﾛｰﾚﾍﾞﾙ最小時間
*6
*7
CS ロｰレベルから
SK ハイレベル時間
ステータス確定時間
*6
CS ﾛｰﾚﾍﾞﾙから
DO ﾊｲ･ｲﾝﾋﾟｰﾀﾞﾝｽ
書き換え回数
*8
-40℃≦Ta≦85℃、1.5V≦VCC≦5.5V）
50
2.5V≦VCC≦5.5V
100
1.5V≦VCC＜2.5V
50
2.5V≦VCC≦5.5V
100
1.5V≦VCC＜2.5V
2.5V≦VCC≦5.5V
1.5V≦VCC＜2.5V
1.6V≦VCC≦5.5V
60
2.5V≦VCC≦5.5V
200
1.5V≦VCC＜2.5V
60
2.5V≦VCC≦5.5V
200
1.5V≦VCC＜2.5V
2.5V≦VCC≦5.5V
1.6V≦VCC＜2.5V
2.5V≦VCC≦5.5V
1.5V≦VCC＜2.5V
5.5V, 25℃, PAGE WRITE 1,000,000
Max.
60
300
5
125
300
75
100
単位
ns
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
回/ｱﾄﾞﾚｽ
*4 ：SK パルスがハイレベルもしくはローレベルの期間。
*5 ：命令入力時 CS をハイレベルに遷移するとき、SK はローレベルにし tCSS 以降にクロ
ックを印加して下さい。
*6 ：CL=100pF
*7 ：AK93C45C/55C/65C の規定された自動プログラミング時間を、ソフトウェア遅延ルー
プによってつくることもできますが、かわりに、Busy/Ready 信号を参照し、より速い
書き込みサイクルを実施することもできます。
*8 ：このパラメータは全数測定されるものではありません。
DAM06J-00
2005/01
- 13 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
タ
イ
ミ
ン
グ
波
形
CS
tCSS
tSKW
tSKW
tSKP
SK
tDIS
DI
0
tDIH
1
tSV
Hi-Z
DO
前に実行された命令が WRITE,PAGE WRITE,WRAL であり、
READY 状態の時、"H"が出力されます。
命令入力タイミング
CS
tCSH
SK
DI
tPD
DO
D3
tPD
D2
tPD
D1
tOZ
D0
Hi-Z
データ出力タイミング
DAM06J-00
2005/01
- 14 -
ASAHI KASEI
[AK93C45C/55C/65C]
tCS
CS
tCSH
tCCH
SK
tDIS
DI
tDIH
D1
D0
tSV
DO
Hi-Z
Busy
Ready
tE/W
Busy/Ready 信号出力タイミング
DAM06J-00
2005/01
- 15 -
重要な注意事項
• 本書に記載された製品、及び、製品の仕様につきましては、製品改善のために予告なく変更
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下さい。