N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 HFP80N75 █ 主要用途 ME80N75 █ 外形图及引脚排列 高速开关应用。DC/DC 转换器及 DC 马达控制等。 TO-220 █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度………………………………………… -55~150℃ 1―栅 极 G Tj——结温……………………………………………………… 150℃ 2―漏 极 D V DSS ——漏极—源极电压………………………………………75V 3―源 极 S VGS——栅极—源极电压……………………………………… ±20V ID——漏极电流（Tc=25℃）……………………………………80A IDM——漏极电流（脉冲）（注 1）…………………………………300A PD——耗散功率（Tc=25℃）………………………………………100W █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 BVDSS 漏—源极击穿电压 IDSS 零栅压漏极电流 IGSS 栅极泄漏电流 VGS(th) 栅—源极开启电压 RDS(on) 漏—源极导通电阻 Ciss 最小值 典型值 最大值 75 单 位 V 2.0 测 试 条 件 ID=250μA ,VGS=0V 1 μA VDS =75V，VGS=0 ±100 4.0 nA V VGS=±20V , VDS =0V VDS = VGS , ID =250μA 11 mΩ VGS=10V, ID =40A（注 2） 输入电容 输出电容 6200 pF 437 pF 反向传输电容 144 pF 导通延迟时间 60 nS 上升时间 43 nS 断开延迟时间 159 nS VDS =30V,VGS=10V RL =15Ω RG= 10Ω 下降时间 47 nS （注 2） 27 nC VDS =60V Qgs 栅极总电荷 栅极—源极电荷 36 nC VGS=4.5V Qgd 栅极—漏极电荷 nC ID=75A （注 2） Rg 栅极阻抗 50 0.8 VSD 源极—漏极二极管导通电压 Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Rth（j-c） 热阻 *注 1：漏极电流受最大结温限制。 *注 2：脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2% VDS=20V, VGS=0,f=1MHz Ω f=1MHz 1.5 V IS =40A , VGS=0（注 2） 2 ℃/W 结到外壳 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP80N75 █ 特性曲线 对应国外型号 ME80N75 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP80N75 █ 特性曲线 对应国外型号 ME80N75 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP80N75 █ 特性曲线 对应国外型号 ME80N75 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP80N75 █ 特性曲线 对应国外型号 ME80N75