N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 SFP50N06 HFP50N06 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 低压高速开关应用。 TO-220 █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度………………………………………… -55~175℃ Tj——结温……………………………………………………… 150℃ 1―栅 极 G VDSS——漏极—源极电压…………………………………………60V 2―漏 极 D VGS——栅极—源极电压……………………………………… ±20V 3―源 极 S ID——漏极电流（Tc=25℃）……………………………………50A PD——耗散功率（Tc=25℃）………………………………………130W █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 BVDSS IDSS IGSS VGS（th） RDS（on） Ciss Coss Crss Td（on） Tr Td（off） Tf Qg Qgs Qgd IS VSD Rth(j-c) 符 号 说 明 漏—源极击穿电压 零栅压漏极电流 栅极泄漏电流 栅—源极开启电压 漏—源极导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 导通延迟时间 上升时间 断开延迟时间 下降时间 栅极总电荷 栅极—源极电荷 栅极—漏极电荷 源极—漏极二极管正向电流 源极—漏极二极管导通电压 热阻 注：1、脉冲测试，宽度≤300μS,占空比≤2% 最小值 典型值 最大值 60 2.0 0.018 880 430 110 60 185 75 60 39 9.5 13 1 ±100 4.0 0.023 1140 560 140 130 380 160 130 45 50 1.5 1.15 单 位 V µA nA V Ω pF pF pF ns ns ns ns nC nC nC A V ℃/W 测 试 条 件 ID=250µA，VGS=0 VDS=60V，VGS=0 VGS=±20V，VDS=0 VDS=VGS，ID=250µA VGS=10V，ID=25A VDS=25V，VGS=0，f=1MHz VDD=30V，ID=25A （峰 值），RG=50Ω（注 1） VDS=48V, VGS=10V， ID=50A（注 1） IS=50A，VGS=0 结到外壳 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP50N06 █ 典型特性曲线 对应国外型号 SFP50N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP50N06 █ 典型特性曲线 对应国外型号 SFP50N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP50N06 对应国外型号 SFP50N06 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 HFP50N06 对应国外型号 SFP50N06