LT5558 600MHz∼1100MHz 高直線性ダイレクト 直交変調器 特長 ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ 概要 ベースバンドからRFへのダイレクト・アップコンバージョン 高いOIP3：900MHzで＋22.4dBm 20MHzオフセットでの低い出力ノイズフロア： RFなし：–158dBm/Hz POUT = 4dBm：152.7dBm/Hz 低いキャリア・リーク：900MHzで43.7dBm 高いイメージ除去比：900MHzで49dBc 3チャネルCDMA2000 ACPR：900MHzで70.4dBc LOバッファとLO直交位相ジェネレータを内蔵 50ΩAC結合シングルエンドのLOおよびRF出力 同相電圧2.1Vでのベースバンド入力への高インピーダン ス・インタフェース 16ピンQFN 4mm 4mmパッケージ アプリケーション ■ ■ ■ ■ ■ RFID単側波帯送信機 セルラー帯域およびISM帯域向けインフラストラクチャ送信 セルラー帯域向けイメージ除去アップコンバータ 600MHz∼1100MHzローカル発振信号向け低ノイズ可変 位相シフタ マイクロ波データリンク LT®5558は、ワイヤレス・インフラストラクチャなどの高 性能ワイヤレス・アプリケーション向けに設計されたダ イレクトI/Q変調器です。このデバイスにより、差動ベー スバンドのI信号とQ信号を使ってRF信号を直接変調す ることができます。このデバイスはGSM、EDGE、CDMA、 CDMA2000などのシステムをサポートしています。また、 90 位相シフトされた信号をI入力とQ入力に印加するこ とにより、イメージ除去アップコンバーティング・ミキサ としても構成可能です。高インピーダンスI/Qベースバン ド入力は、電圧電流コンバータで構成され、これらのコ ンバータが二重平衡ミキサをドライブします。ミキサの 出力は合計されて内蔵のRFトランスに印加され、トラン スは差動ミキサ信号を50Ωシングルエンド出力に変換し ます。平衡型のIとQ のベースバンド入力ポートは、約2.1 Vの同相電圧レベルでソースからDC結合されるように設 計されています。LOパスは、シングルエンド入力を備え たLOバッファと、ミキサに対するLOドライブを生成す る高精度直交ジェネレータで構成されています。電源電 圧範囲は4.5V∼5.25Vです。 、LT、LTCおよびLTMはリニアテクノロジー社の登録商標です。 他のすべての商標はそれぞれの所有者に所有権があります。 標準的応用例 600MHz∼1100MHz直接変換トランスミッタ・アプリケーション 5V 2 x 100nF LT5558 16 RF = 600MHz TO 1100MHz V-1 I-CH EN ∫ O° 1 90° 7 QDAC 11 5 BALUN Q-CH V-1 PA –110 DOWNLINK TEST MODEL 64 DPCH –50 ACPR, ALTCPR (dBc) 14 IDAC –40 –120 3-CH ACPR 3-CH ALTCPR –60 –130 1-CH ACPR –70 –80 –140 1-CH ALTCPR 1-CH NOISE –150 3-CH NOISE BASEBAND GENERATOR –90 –30 2, 4, 6, 9, 10, 12, 15, 17 3 5558 TA01 –20 –15 –10 –5 0 –25 RF OUTPUT POWER PER CARRIER (dBm) NOISE FLOOR AT 30MHz OFFSET (dBm/Hz) VCC 8, 13 ∫ CDMA2000 ACPR、 AltCPRおよびノイズとRF出力電力 （900MHzで1キャリアおよび3キャリア） –160 5558 TA01b VCO/SYNTHESIZER 5558fa 1 LT5558 パッケージ/発注情報 電源電圧............................................................................ 5.5V BBPI、BBMIおよび BBPQ、 BBMQの同相レベル .......................................... 2.5V すべてのピンの電圧 超えてはいけない.....................500mV∼ (VCC＋500mV) 動作周囲温度範囲 (Note 2)............................................................40℃∼85℃ 保存温度範囲...................................................65℃∼125℃ ORDER PART NUMBER LT5558EUF VCC BBPI GND BBMI TOP VIEW 16 15 14 13 EN 1 12 GND GND 2 11 RF LO 3 10 GND GND 4 6 7 8 BBPQ VCC 9 5 GND (Note 1) BBMQ 絶対最大定格 GND UF PART MARKING 5558 UF PACKAGE 16-LEAD (4mm × 4mm) PLASTIC QFN TJMAX = 125°C, θJA = 37°C/W EXPOSED PAD (PIN 17) IS GND, MUST BE SOLDERED TO PCB Order Options Tape and Reel: Add #TR Lead Free: Add #PBF Lead Free Tape and Reel: Add #TRPBF Lead Free Part Marking: http://www.linear-tech.co.jp/leadfree/ より広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては、弊社へお問い合わせください。 電気的特性 VCC = 5V、 EN = H 、 TA = 25℃、fLO = 900MHz、 fRF = 902MHz、 PLO = 0dBm。 BBPI、 BBMI、BBPQ、 BBMQ CMの各入力電圧 = 2.1VDC、 ベースバン ド入力周波数 = 2MHz、 IとQは90 シフトされている（上側の側帯域を選択）。注記がない限り、PRF(OUT) = 10dBm。 (Note 3) SYMBOL PARAMETER RF Output (RF) fRF RF Frequency Range CONDITIONS MIN –3 dB Bandwidth –1 dB Bandwidth TYP MAX 600 to 1100 680 to 960 UNITS MHz MHz S22, ON RF Output Return Loss EN = High (Note 6) –15.8 dB S22, OFF NFloor RF Output Return Loss RF Output Noise Floor EN = Low (Note 6) No Input Signal (Note 8) PRF = 4dBm (Note 9) PRF = 4dBm (Note 10) –13.3 –158 –152.7 –152.3 dB dBm/Hz dBm/Hz dBm/Hz GP Conversion Power Gain POUT/PIN,I&Q 9.7 dB GV Conversion Voltage Gain 20 • Log (VOUT, 50Ω/VIN, DIFF, I or Q) –5.1 dB POUT Absolute Output Power 1VP-P DIFF CW Signal, I and Q –1.1 dBm G3LO vs LO 3 • LO Conversion Gain Difference (Note 17) –26.5 dB OP1dB Output 1dB Compression (Note 7) 7.8 dBm OIP2 Output 2nd Order Intercept (Notes 13, 14) 65 dBm OIP3 Output 3rd Order Intercept (Notes 13, 15) 22.4 dBm IR LOFT Image Rejection Carrier Leakage (Note 16) EN = High, PLO = 0dBm (Note 16) (LO Feedthrough) EN = Low, PLO = 0dBm (Note 16) –49 –43.7 –60 dBc dBm dBm GSM Error Vector Magnitude PRF = 2dBm EVM 0.6 % LO Input (LO) fLO LO Frequency Range PLO LO Input Power 600 to 1100 –10 0 MHz 5 dBm 5558fa 2 LT5558 電気的特性 VCC = 5V、EN = H 、 TA = 25℃、fLO = 900MHz、 fRF = 902MHz、 PLO = 0dBm。 BBPI、 BBMI、BBPQ、 BBMQ CMの各入力電圧 = 2.1VDC、ベースバン ド入力周波数 = 2MHz、 IとQは90 シフトされている（上側の側帯域を選択）。注記がない限り、PRF(OUT) = 10dBm。 (Note 3) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS S11, ON LO Input Return Loss EN = High (Note 6) –10.6 dB S11, OFF LO Input Return Loss EN = Low (Note 6) –2.5 dB NFLO LO Input Referred Noise Figure (Note 5) at 900MHz 14.6 dB GLO LO to RF Small-Signal Gain (Note 5) at 900MHz 16.4 dB IIP3LO LO Input 3rd Order Intercept (Note 5) at 900MHz –3.3 dBm Baseband Inputs (BBPI, BBMI, BBPQ, BBMQ) BWBB Baseband Bandwidth –3dB Bandwidth 400 MHz VCMBB DC Common-mode Voltage (Note 4) 2.1 V RIN, DIFF Differential Input Resistance Between BBPI and BBMI (or BBPQ and BBMQ) RIN, CM Common Mode Input Resistance (Note 20) ICM, COMP Common Mode Compliance Current range (Notes 18, 20) PLO-BB Carrier Feedthrough on BB POUT = 0 (Note 4) –46 dBm IP1dB Input 1dB compression point Differential Peak-to-Peak (Notes 7, 19) 3.4 VP-P,DIFF ΔGI/Q I/Q Absolute Gain Imbalance 0.05 dB ΔϕI/Q I/Q Absolute Phase Imbalance 0.2 Deg 3 kΩ 100 Ω –820 to 440 µA Power Supply (VCC) VCC Supply Voltage 5 5.25 V ICC(ON) Supply Current EN = High 4.5 108 135 mA ICC(OFF) Supply Current, Sleep mode EN = 0V 0.1 50 µA tON Turn-On Time EN = Low to High (Note 11) 0.3 µs tOFF Turn-Off Time EN = High to Low (Note 12) 1.1 µs 230 V µA V Enable (EN), Low = Off, High = On Enable Input High Voltage Input High Current EN = High EN = 5V Shutdown EN = Low Input Low Voltage Note 1: 絶対最大定格に記載された値を超すストレスはデバイスに永続的損傷を与える 可能性がある。長期にわたって絶対最大定格条件に曝すと、デバイスの信頼性と寿命に 悪影響を与える可能性がある。 Note 2: 40℃∼85℃の温度範囲での仕様は設計、特性評価および統計学的なプロセス・ コントロールとの相関で確認されている。 Note 3: テストは図7の回路構成で行われる。 Note 4: 4つのベースバンド入力BBPI、BBMI、BBPQおよびBBMQのそれぞれで。 Note 5: VBBPIVBBMI＝1VDC、VBBPQVBBMQ＝1VDC。 Note 6: 1dBの帯域内の最大値。 Note 7: 外付けのカップリング・コンデンサがRF出力ラインに使われる。 Note 8: LO信号の周波数から20MHzのオフセットで。 Note 9: CW信号の周波数から20MHzのオフセットで。 1 0.5 Note 13: ベースバンドは2MHzと2.1MHzのトーンでドライブされる。ドライブ・レベルは 結果として得られる2つのRFトーンがそれぞれ10dBmになるように設定される。 Note 14: LO周波数＋4.1MHzで測定されたIM2。 Note 15: LO周波数＋1.9MHzおよびLO周波数 ＋2.2MHzで測定されたIM3。 Note 16: イメージまたはLOフィードスルーのヌリングなしに（未調整）設定された特性 データの振幅の平均。 Note 17: BB＝2MHzでLO＝900MHzの場合のf＝3 • LOBBでのスプリアス信号の変換利得 とf＝LO＋BBでの望みの信号の変換利得の差。 Note 18: 同相（CM）帰還ループがデバイスを適切にバイアスする同相電流範囲。同相電流 はBBPI（またはBBPQ） ピンに流れ込む電流とBBMI（またはBBMQ） に流れ込む電流の和。 Note 19: 出力P1dBに対応する入力電圧。 Note 20: 相互に短絡されたBBPIとBBMI （または相互に短絡されたBBPQとBBMQ）。 Note 10: CW信号の周波数から5MHzのオフセットで。 Note 11: RF電力は最終値の10%以内。 Note 12: RF電力はON状態の場合より少なくとも30dB低い。 5558fa 3 LT5558 標準的性能特性 VCC = 5V、EN = H 、 TA = 25℃、fLO = 900MHz、 fRF = 902MHz、 PLO = 0dBm。BBPI、 BBMI、 BBPQ、 BBMQ CMの各入力電圧 = 2.1VDC、ベースバン ド入力周波数 = 2MHz、 IとQはイメージまたはLOフィードスルーのヌリングなしに90 シフトされている。 fRF = fBB＋fLO （上側の側帯域 を選択）。注記がない限り、PRF(OUT) = 10dBm（2トーンの測定は10dBm/トーン）。(Note 3) RF出力電力とLO周波数 （1VP-Pの 差動ベースバンド・ドライブ） 電源電流と電源電圧 120 85°C 110 25°C 90 –40°C 4.5 –2 0 –4 –2 –6 –4 –6 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C –8 –10 4.75 5 SUPPLY VOLTAGE (V) –12 550 5.25 650 750 950 1050 1150 1250 LO FREQUENCY (MHz) 8 12 550 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C 650 750 60 55 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C 50 45 550 850 950 1050 1150 1250 LO FREQUENCY (MHz) OP1dB (dBm) OIP2 (dBm) OIP3 (dBm) 出力の1dB圧縮とLO周波数 65 14 650 750 –44 –46 –48 550 650 750 850 950 1050 1150 1250 LO FREQUENCY (MHz) 5558 G07 –40 2 • LO LEAKAGE (dBm) LO FEEDTHROUGH (dBm) –42 4 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C 2 –2 550 850 950 1050 1150 1250 LO FREQUENCY (MHz) 650 750 850 950 1050 1150 1250 LO FREQUENCY (MHz) 5558 G05 RF出力へのLOフィードスルーと LO周波数 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C 6 0 5558 G04 –40 950 1050 1150 1250 10 fIM2 = fBB, 1 + fBB, 2 + fLO fBB, 1 = 2MHz 70 fBB, 2 = 2.1MHz 22 16 850 5558 G03 75 fBB, 1 = 2MHz fBB, 2 = 2.1MHz 18 650 750 LO FREQUENCY (MHz) 出力IP2とLO周波数 20 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C –12 5558 G02 出力IP3とLO周波数 24 –10 –16 550 850 5558 G01 26 –8 –14 5558 G06 RF出力への2 • LOリークと 2 • LO周波数 RF出力への3 • LOリークと 3 • LO周波数 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C –45 –50 –55 –60 1.1 –45 –50 3 • LO LEAKAGE (dBm) 100 電圧利得とLO周波数 2 VOLTAGE GAIN (dB) RF OUTPUT POWER (dBm) SUPPLY CURRENT (mA) 130 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C –55 –60 –65 1.3 1.5 1.7 1.9 2.1 2.3 2 • LO FREQUENCY (GHz) 2.5 5558 G08 –70 1.65 1.95 2.25 2.55 2.85 3.15 3.5 3.75 3 • LO FREQUENCY (GHz) 5558 G09 5558fa 4 LT5558 標準的性能特性 VCC = 5V、EN = H 、 TA = 25℃、fLO = 900MHz、 fRF = 902MHz、 PLO = 0dBm。 BBPI、 BBMI、BBPQ、 BBMQ CMの各入力電圧 = 2.1VDC、ベースバン ド入力周波数 = 2MHz、 IとQはイメージまたはLOフィードスルーのヌリングなしに90 シフトされている。 fRF = fBB＋fLO （上側の側帯域 を選択）。注記がない限り、PRF(OUT) = 10dBm（2トーンの測定は10dBm/トーン）。(Note 3) ノイズフロアとRF周波数 –30 fLO = 900MHz (FIXED) NO BASEBAND SIGNAL –35 –159 –160 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C –162 550 650 750 –45 –55 550 950 1050 1150 1250 RF FREQUENCY (MHz) 650 750 950 1050 1150 1250 LO FREQUENCY (MHz) 650 750 850 4 ABSOLUTE I/Q PHASE IMBALANCE (DEG) ABSOLUTE I/Q GAIN IMBALANCE (dB) 0 550 950 1050 1150 1250 3 2 fBB, 1 = 2MHz fBB, 2 = 2.1MHz –8 –4 0 4 8 LO INPUT POWER (dBm) OIP3 (dBm) LO FEEDTHROUGH (dBm) 14 –16 –12 –8 –10 –12 –14 –16 0 550 –20 –20 650 750 850 950 1050 1150 1250 –16 –12 –8 –4 0 4 5558 G13 –35 –42 –44 –46 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C –48 –50 –20 –16 –12 –8 –4 8 LO INPUT POWER (dBm) 0 4 8 LO INPUT POWER (dBm) 5558 G14 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C –18 LOフィードスルーとLO電力 16 10 –20 –6 –40 22 12 –4 5558 G12 出力IP3とLO電力 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C 950 1050 1150 1250 –2 1 5558 G11 18 850 5558 G25 LO FREQUENCY (MHz) 20 RF PORT, EN = HIGH, NO LO 650 750 電圧利得とLO電力 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C LO FREQUENCY (MHz) 24 LO PORT, EN = HIGH, PLO = –10dBm FREQUENCY (MHz) 絶対I/Q位相不平衡とLO周波数 0.1 RF PORT, EN = HIGH, PLO = 0dBm 5558 G10 絶対I/Q利得不平衡とLO周波数 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C RF PORT, EN = LOW –40 550 850 5558 G24 0.2 –20 –30 –50 850 LO PORT, EN = HIGH, PLO = 0dBm –10 VOLTAGE GAIN (dB) –161 –40 LO PORT, EN = LOW S11 (dB) IMAGE REJECTION (dBc) NOISE FLOOR (dBm/Hz) –158 0 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C IMAGE REJECTION (dBc) –157 LOポートおよびRFポートの リターン損失とRF周波数 イメージ除去とLO周波数 イメージ除去とLO電力 –40 –45 –50 –55 –20 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C –16 –12 –8 –4 0 4 8 LO INPUT POWER (dBm) 5558 G15 5558 G16 5558fa 5 LT5558 標準的性能特性 VCC = 5V、EN = H 、 TA = 25℃、fLO = 900MHz、 fRF = 902MHz、 PLO = 0dBm。BBPI、 BBMI、 BBPQ、 BBMQ CMの各入力電圧 = 2.1VDC、ベースバン ド入力周波数 = 2MHz、 IとQはイメージまたはLOフィードスルーのヌリングなしに90 シフトされている。 fRF = fBB＋fLO （上側の側帯域 を選択）。注記がない限り、PRF(OUT) = 10dBm（2トーンの測定は10dBm/トーン）。(Note 3) RF CW出力電力、 HD2およびHD3と CWベースバンド電圧および電源 電圧 10 –10 10 –20 0 –20 0 –20 HD3 –50 –30 HD2 –60 –40 –40°C 25°C 85°C –70 –80 0 1 2 3 4 5 I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P, DIFF) –50 –60 –40 HD2 –50 –55 5558 G17 0 1 2 3 4 5 I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P, DIFF) 5558 G20 0 1 2 3 4 5 I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P, DIFF) –50 –35 –40 –45 –50 –60 5558 G18 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C 0 1 2 3 4 5 I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P, DIFF) HD2 = MAX POWER AT fLO + 2 • fBB OR fLO – 2 • fBB HD3 = MAX POWER AT fLO + 3 • fBB OR fLO – 3 • fBB 5558 G19 RFの2トーン電力 （各トーン）、 IM2およびIM3とベースバンド 電圧および温度 RFの2トーン電力 （各トーン）、 IM2およびIM3とベースバンド 電圧および電源電圧 10 10 0 –10 0 RF –20 fBBI = 2MHz, 2.1MHz, 0° –30 fBBQ = 2MHz, 2.1MHz, 90° –40 –50 –60 –70 –60 –40 4.5V 5V 5.5V –70 –80 PTONE (dBm) IM2, IM3, (dBc) –45 –30 –60 イメージ除去とCWベースバンド 電圧 5V, –40°C 5V, 25°C 5V, 85°C 4.5V, 25°C 5.5V, 25°C –20 HD3 –50 HD2 = MAX POWER AT fLO + 2 • fBB OR fLO – 2 • fBB HD3 = MAX POWER AT fLO + 3 • fBB OR fLO – 3 • fBB –40 –10 IM3 IM2 –40°C 25°C 85°C –80 1 10 0.1 I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P, DIFF, EACH TONE) 5558 G21 IM2 = POWER AT fLO + 4.1MHz IM3 = MAX POWER AT fLO + 1.9MHz OR fLO + 2.2MHz PTONE (dBm) IM2, IM3, (dBc) –40 RF –30 HD2, HD3 (dBc) HD2, HD3 (dBc) –10 –30 RF CW OUTPUT POWER (dBm) RF RF CW OUTPUT POWER (dBm) –10 –30 IMAGE REJECTIOIN (dBc) RF出力へのLOフィードスルーと CWベースバンド電圧 LO FEEDTHROUGH (dBm) RF CW出力電力、 HD2およびHD3と CWベースバンド電圧および温度 RF –10 –20 fBBI = 2MHz, 2.1MHz, 0° fBBQ = 2MHz, 2.1MHz, 90° –30 –40 –50 –60 –70 IM3 IM2 4.5V 5V 5.5V –80 0.1 1 10 I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P, DIFF, EACH TONE) 5558 G22 IM2 = POWER AT fLO + 4.1MHz IM3 = MAX POWER AT fLO + 1.9MHz OR fLO + 2.2MHz 5558fa 6 LT5558 標準的性能特性 VCC = 5V、EN = H 、 TA = 25℃、fLO = 900MHz、 fRF = 902MHz、 PLO = 0dBm。 BBPI、 BBMI、BBPQ、 BBMQ CMの各入力電圧 = 2.1VDC、ベースバン ド入力周波数 = 2MHz、 IとQはイメージまたはLOフィードスルーのヌリングなしに90 シフトされている。 fRF = fBB＋fLO （上側の側帯域 を選択）。注記がない限り、PRF(OUT) = 10dBm（2トーンの測定は10dBm/トーン）。(Note 3) 利得分布 30 25 ノイズフロアの分布 20 VBB = 400mVP-P –40°C 25°C 85°C LOリークの分布 40 –40°C 25°C 85°C 30 15 10 PERCENTAGE (%) PERCENTAGE (%) PERCENTAGE (%) 15 20 VBB = 400mVP-P –40°C 25°C 85°C 10 5 20 10 5 0 8 –7.5 –7 –6.5 –6 –5.5 –5 –4.5 –4 –3.5 GAIN (dB) 0 –158 0 –157.5 –157 NOISE FLOOR (dBm/Hz) –40°C 25°C 85°C 10 5 5 –40 LO FEEDTHROUGH (dBm), IR (dBc) PERCENTAGE (%) 15 –46 –44 –42 –40 LO LEAKAGE (dBm) –38 –36 5558 G28 25℃で較正後のLOフィード スルーおよびイメージ除去と温度 イメージ除去の分布 VBB = 400mVP-P –48 5558 G27 5558 G26 20 –50 –50 CALIBRATED WITH PRF = –10dBm fBBI = 2MHz, 0° fBBQ = 2MHz, 90° + ϕCAL LO FEEDTHROUGH –60 –70 –80 IMAGE REJECTION 0 <–66 –62 –58 –54 –50 –46 IMAGE REJECTION (dBc) –42 5558 G29 –90 –40 –20 0 20 40 TEMPERATURE (°C) 60 80 5558 G30 ピン機能 EN（ピン1） ：イネーブル入力。イネーブル・ピンの電圧が 1Vより高いとデバイスはオンします。イネーブル電圧が 0.5Vより低いと、またはピンが接続されていないと、デバ イスはオフします。デバイスへの損傷の可能性を避ける ため、イネーブル・ピンの電圧はVCCを0.5V以上超えない ようにします。 GND（ピン2、4、6、9、10、12、15、17） ：グランド。ピン6、9、15 および露出パッド（ピン17）は内部で相互に接続されてい ます。ピン2とピン4は内部で相互に接続されており、LO 信号のグランド・リターンとして機能します。ピン10とピ ン12は内部で相互に接続されており、内蔵RFバランのグ ランド・リターンとして機能します。最良のRF性能を得 るには、ピン2、4、6、9、10、12、15および露出パッド（ピン 17）をプリント回路基板のグランド・プレーンに接続しま す。 5558fa 7 LT5558 ピン機能 LO（ピン3） ：LO入力。LO入力はAC結合されたシングルエ ンド入力で、入力インピーダンスがRF周波数で約50Ωで す。外部から与えるDC電圧は、ESD保護ダイオードがオ ンしないように、0.5V∼(VCC＋0.5V)の範囲にします。 らのピンのそれぞれに0.1µFのコンデンサを使用するこ とを推奨します。 RF（ピン11） ：RF出力。RF出力はAC結合されたシングルエ ンド出力で、RF周波数での出力インピーダンスは約50Ω です。外部から与えるDC電圧は、ESD保護ダイオードが オンしないように、0.5V∼(VCC＋0.5V)の範囲にします。 BBPQ、BBMQ（ピン7、5） ：Qチャネルのベースバンド入力で す。差動入力インピーダンスは3kΩです。これらのピンは 内部で約2.1Vにバイアスされています。印加される同相 電圧は2.5Vより下に保つ必要があります。 BBPI、BBMI（ピン14、16） ：Iチャネルのベースバンド入力で す。差動入力インピーダンスは3kΩです。これらのピンは 内部で約2.1Vにバイアスされています。印加される同相 電圧は2.5Vより下に保つ必要があります。 VCC（ピン8、13） ：電源。ピン8とピン13は内部で相互に接続 されています。グランドにデカップリングするため、これ ブロック図 VCC 8 13 LT5558 BBPI 14 V-I BBMI 16 0° 11 RF 90° BALUN BBPQ 7 BBMQ 5 1 V-I 2 6 4 9 GND 3 LO 10 12 15 GND EN 17 5558 BD アプリケーション情報 LT5558はIとQの入力差動電圧/電流コンバータ、IとQの アップコンバージョン・ミキサ、RF出力の信号コンバイ ナ/バラン、LO直交位相ジェネレータおよびLOバッファ で構成されています。 蔵バッファに与えられ、このバッファはアップコンバー ジョン・ミキサをドライブします。LO入力とRF出力は両 方ともシングルエンドで50Ωに整合しており、AC結合さ れています。 外部のIとQのベースバンド信号が差動ベースバンド入 力ピン（BBPI、BBMI、およびBBPQ、BBMQ）に与えられま す。これらの電圧信号は電流に変換され、二重平衡アップ コンバーティング・ミキサによりRF周波数に変換されま す。ミキサの出力はRF出力バランで結合され、バランは 出力インピーダンスを50Ωに変換します。そうして得ら れるRF信号の中心周波数はLO信号の周波数に等しくな ります。LO入力はLO信号を同相LO信号と直交LO信号に 分離する位相シフタをドライブします。LO信号は次に内 ベースバンドのインタフェース ベースバンド入力（BBPI、BBMI）と（BBPQ、BBMQ）は約 3kΩの差動入力インピーダンスを示します。4つのベー スバンド入力のそれぞれに、200Ωと1.8pFをグランドに 接続したローパス・フィルタが組み込まれています（図1 参照）。このフィルタはベースバンドの1dB帯域幅を約 250MHzに制限します。同相電圧は約2.1Vで、わずかに温 度に依存します。同相電圧はTA = 40℃で約2.28V、TA = 85℃で約2.01Vです。 5558fa 8 LT5558 アプリケーション情報 C RF VCC = 5V LT5558 VCC 4.5V TO 5.25V C5 C1 14 FROM Q LOPI 2.1VDC VCC RF EN BBPI BBPQ 7 2.1VDC LT5558 C2 2, 4, 6, 9, 10, 12, 15, 17 200 VREF = 0.5V 1.3k BB SOURCE 1 C3 C4 BB SOURCE 16 5 BBMI BBMQ 2.1VDC 2.1VDC LO GND LOMI BBPI RF OUT 8, 13 11 BALUN 3 5558 F03 1.8P 図3．AC結合されたベースバンド・インタフェース CM 1.3k 1.8P 200 BBMI GND 5558 F01 図1．LT5558の簡略回路図 （I側の半分だけが示されている） I/Q信号がLT5558にDC結合されていると、LT5558を適切 にバイアスするために、与えられるI入力とQ入力の同相 電圧レベルが約2.1Vであることが重要です。I/Qジェネ レータによっては同相電圧を独立に設定できます。その 場合、それらのジェネレータの同相電圧は、LT5558の内部 バイアスに整合させるため1.05Vに設定する必要があり、 シグナル・ジェネレータの内部DC電圧はソースと負荷の 電圧分割のため2.1Vに設定されます （図2を参照）。 LT5558のベースバンド入力は差動でドライブします。そ うでないと、偶数次の歪み積により全体の直線性が大き く低下します。一般に、DACがLT5558の信号源になりま す。DACの出力とLT5558のベースバンド入力の間にパル ス成形フィルタを接続します。 AC結合されたLT5558とのベースバンド・インタフェース を図3に示します。 GENERATOR 50Ω 1.05VCC GENERATOR 50Ω 2.1VDC コンデンサC1とC4は、LT5558の3kΩの差動入力インピー ダンスと組み合わされて、コーナー周波数が低いハイパ スフィルタを形成します。一般に、コンデンサC1とC4は、 値が等しくなるように、また、–3dBコーナー周波数f–3dB = 1/(π• RIN,DIFF • C1)が最低ベースバンド周波数よりはる かに小さくなるように選択します。 DACの出力とLT5558のベースバンド入力の間にはDC結 合を推奨します。なぜなら、AC結合は信号の完全性に影 響を与える可能性のある低周波数の時定数をもたらすか らです。DACの出力の同相レベルをLT5558の同相入力電 圧に適合させるためにアクティブなレベルシフタが必要 なことがあります。ただし、このような回路は、小さなDC オフセットや温度による変化が累積するにつれ、LOリー ク性能が低下することがあります。もっと良い方式を図 16に示します。この方式では、フィードバックを使ってこ れらの変化に追従して除去します。 LOセクション 内部LO入力アンプはLO入力信号をシングルエンドから 差動に変換します。LO入力の等価回路を図4に示します。 内部の差動LO信号はLOバッファ・セクションをドライ ブする同相信号と（90 位相がシフトした）直交信号に分 けられます。これらのバッファはIとQの二重平衡ミキサ をドライブします。 LT5558 1.5kΩ VCC 50Ω + – 2.1VDC + – 2.1VDC 2.1VDC 20pF + – LO INPUT ≈ 50Ω 5558 F02 5558 F04 図2． 1.05VDCにプログラムされたジェネレータを50Ω負荷に接続 した場合のDC電圧レベルと、 負荷としてのLT5558に接続した場合 のDC電圧レベル 図4．LO入力の等価回路 5558fa 9 LT5558 アプリケーション情報 LO入力と内部の同相LO信号および直交LO信号の間の位 相関係は固定されており、起動条件には依存しません。位 相シフタは900MHz近傍のLO周波数の正確な直交信号を 与えるように設計されています。750MHzよりかなり下、 または1.1GHzよりかなり上のLO周波数の場合、直交精 度が低下して、イメージ除去が劣化します。LOピンの入 力インピーダンスは約50Ω、推奨LO入力電力ウィンドウ は2dBm∼＋2dBmです。PLO < –2dBmでは、利得、OIP2、 OIP3、ダイナミックレンジ（単位はdBc/Hz）およびイメー ジ除去が（特にTA = 85℃で）劣化します。 LO信号に高調波が含まれていると、高調波は内部位相 スプリッタで小さい余分な位相シフトを生じるため、イ メージ除去が低下することがあります。20dBcレベルの 2次高調波（1.8GHz）や3次高調波（2.7GHz）の場合、イメー ジ周波数で生じる信号は約61dBc以下で、1度よりはる かに小さな余分の位相シフトに相当します。10dBcの2 次と3次の高調波の場合、イメージ周波数で発生する信号 はそれでも約51dBcです。3次より高い高調波による影 響はもっと小さくなります。LOのリターン損失は一般に 750MHz∼1GHzの範囲で10dBより良くなります。LOポー トの入力インピーダンスと周波数を表1に示します。LO ポートのリターン損失S 11は、シャント・コンデンサを追 加することによって、低い周波数で改善することができ ます。 表1．EN = H およびPLO = 0dBmのときのLOポートの入力イン ピーダンスと周波数 FREQUENCY (MHz) INPUT IMPEDANCE (Ω) 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 50.5 + j10.3 63.8 + j4.6 70.7 – j6.9 70.7 – j20.3 63.9 – j30.6 56.7 – j32.2 52.1 – j31.3 46.3 – j32.0 S11 MAG 0.101 0.127 0.180 0.237 0.285 0.295 0.295 0.318 表2．EN = L およびPLO = 0dBmのときのLOポートの入力イン ピーダンスと周波数 FREQUENCY (MHz) INPUT IMPEDANCE (Ω) 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 37.3 + j43.4 72.1 + j74.8 184.7 + j77.8 203.6 – j120.8 75.9 – j131.5 36.7 – j99.0 23.4 – j77.4 17.8 – j62.8 S11 MAG 0.464 0.545 0.630 0.696 0.737 0.760 0.768 0.764 ANGLE 79.7 42.1 11.7 –12.7 –32.6 –48.8 –62.4 –74.3 RFのセクション アップコンバージョン後、IミキサとQミキサのRF出力は 結合されます。内蔵バランが内部の差動からシングルエ ンドへの出力変換をおこない、出力信号のインピーダン スを50Ωに変換します。RFポートの出力インピーダンス と周波数を表3に示します。 表3．EN = H およびPLO = 0dBmのときのRFポートの出力イン ピーダンスと周波数 FREQUENCY (MHz) OUTPUT IMPEDANCE (Ω) 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 22.8 + j4.9 30.2 + j11.4 42.7 + j12.9 53.7 + j3.0 52.0 – j10.1 44.8 – j15.2 39.1 – j15.1 35.7 – j13.1 S22 MAG 0.380 0.283 0.159 0.045 0.101 0.168 0.206 0.224 ANGLE 165.8 141.9 111.8 37.2 –73.2 –99.7 –116.1 –128.9 ANGLE 81.3 16.0 –15.2 –34.9 –50.5 –61.4 –69.1 –78.0 デバイスがシャットダウン・モードならば、LOポートの 入力インピーダンスは異なります。EN = L のときのLO 入力のインピーダンスを表2に示します。 5558fa 10 LT5558 アプリケーション情報 LO電力が与えられていないときのRF出力のS22を表4に 示します。 表4．EN = H でLO電力が与えられていないときのRFポートの出 力インピーダンスと周波数 FREQUENCY (MHz) OUTPUT IMPEDANCE (Ω) 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 23.4 + j5.0 31.7 + j10.7 44.1 + j9.5 50.9 – j1.7 46.8 – j11.1 40.8 – j13.5 36.6 – j12.6 34.3 – j10.5 S22 MAG 0.367 0.257 0.118 0.019 0.118 0.178 0.209 0.222 ANGLE 165.5 142.0 116.1 –60.8 –99.3 –115.5 –128.1 –139.0 EN = L のときのS22を表5に示します。 低い周波数でのS22を改善するには、直列コンデンサをRF 出力に追加することができます。高い周波数では、シャン ト・インダクタでS22を改善することができます。RF出力 の等価回路を図5に示します。 表5．EN = L のときのRFポートの出力インピーダンスと周波数 FREQUENCY (MHz) OUTPUT IMPEDANCE (Ω) 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 21.8 + j4.8 28.4 + j11.8 40.2 + j15.4 54.3 + j8.3 56.7 – j7.2 49.2 – j15.8 41.9 – j17.0 37.3 – j15.3 S22 MAG 0.398 0.311 0.200 0.090 0.092 0.158 0.203 0.225 21pF RF OUTPUT 1pF 7nH 5558 F05 図5．RF出力の等価回路 イネーブル・インタフェース ENピンのインタフェースの簡略回路を図6に示します。 LT5558をオンするのに必要な電圧は1Vです。デバイスを ディスエーブル（シャットダウン）するには、イネーブル 電圧が0.5Vより低くなければなりません。ENピンが接続 されていないとデバイスはディスエーブルされます。EN = L のこの条件は75kΩの内蔵プルダウン抵抗によって 保証されています。 ENピンの電圧がV CC を0.5V以上超えないことが重要で す。万一これが生じると、デバイスの全電源電流がENピ ンのESD保護ダイオードを通してソースされるでしょう が、これらのダイオードはこの目的のために設計されて はいません。デバイスが損傷を受けるおそれがあります。 VCC EN 75k 25k 5558 F06 図6．ENピンのインタフェース VCC 52Ω ANGLE 166.5 142.9 112.9 58.1 –43.3 –83.8 –105.0 –120.0 ESDダイオードが内部でRF出力からグランドに接続され ていることに注意してください。強い（3dBmを超える）出 力RF信号レベルの場合、外部50Ωの終端インピーダンス が直接グランドに接続されると、このESDダイオードに より直線性が低下することがあります。これを防ぐため、 カップリング・コンデンサをRF出力ラインに挿入するこ とができます。1dBの圧縮を測定する間はこれを強く推 奨します。 評価用ボード 評価用ボードの回路図を図7に示します。LT5558の露出 パッド用に良いグランド接続が必要です。これが適切 におこなわれないとRF性能が低下します。さらに、露出 パッドによりデバイスのヒートシンクが与えられ、デバ イスが過熱する可能性を最小に抑えます。V CC入力が低 いときENピンが高く引き上げられると、R1（オプション） がENピンの電流を制限します。アプリケーション・ボー ドのPCBレイアウトを図8と図9に示します。 5558fa 11 LT5558 アプリケーション情報 J1 J2 BBIM BBIP VCC R1 100 VCC EN LO IN J4 16 1 2 3 4 15 14 C2 100nF 13 BBMI GND BBPI VCC EN GND GND RF LT5558 LO GND GND GND GND BBMQ GND BBPQ VCC 5 6 7 12 J3 11 10 RF OUT 9 17 8 C1 100nF J5 BBQM GND J6 BBQP BOARD NUMBER: DC1017A 5558 F07 図7．評価用回路 図9．評価用ボードの裏側 出力電力が高いと、ACPRはデバイスの直線性の性能に よって制限されます。出力電力が低いと、ACPRはデバイ スのノイズ性能によって制限されます。その中間では最 適ACPRが得られます。 LT5558のダイナミックレンジは非常に広いので、テスト 装置によりACPRの測定精度が制限されることがありま す。ACPRの測定に関して、必要なら「デザインノート375」 を参照するか、弊社にお問い合わせください。 ACPR性能はBBIP入力とBBIM入力（またはBBQP入力と BBQM入力）の振幅の不整合に対して敏感です。これは、 AC電流振幅の差により、内部V-Iコンバータで発生する 偶数次の高調波積に振幅差が生じるためです。その結果、 それらは完全には相殺されません。したがって、BBIPと BBIM（またはBBQPとBBQM）の各入力の振幅をできるだ け等しく保つことが重要です。 図8．評価用ボードの部品側 アプリケーションの測定 LT5558は多様な変調形式を使った基地局のアプリケー ションに推奨します。標準的なアプリケーションを図10 に示します。 1チャネルと3チャネルの変調を使ったCDMA2000の ACPR性能を図11に示します。1チャネルと3チャネルの CDMA2000の測定結果を図12と図13に示します。ACPRを 計算するには、スペクトル・アナライザのノイズフロアを 補正します（アプリケーションノート99）。 12 LOフィードスルーとイメージ除去性能は較正手順に よって改善することができます。LOフィードスルーはI とQのベースバンド入力の差動DCオフセットを調整する ことによって最小に抑えられます。イメージ除去は利得 とIとQのベースバンド入力の間の位相差を調整すること によって改善することができます。LOフィードスルーと イメージ除去は、図14に示されているように、ベースバン ド・ドライブレベルの関数としても変化することがあり ます。 5558fa LT5558 アプリケーション情報 5V BASEBAND GENERATOR VCC 8, 13 LT5558 14 I-DAC 16 V-I I-CHANNEL 11 0° 1 EN 90° 7 Q-DAC 5 100nF ×2 RF = 600MHz TO 1100MHz Q-CHANNEL PA BALUN V-I 2, 4, 6, 9, 10, 12, 15, 17 3 VCO/SYNTHESIZER 5558 F10 図10．600MHz∼1.1GHz直接変換トランスミッタ・アプリケーション –120 3-CH ACPR 3-CH ALTCPR –60 –130 1-CH ACPR –70 –80 –140 1-CH ALTCPR 1-CH NOISE –150 3-CH NOISE –90 –30 –20 –15 –10 –5 0 –25 RF OUTPUT POWER PER CARRIER (dBm) NOISE FLOOR AT 30MHz OFFSET (dBm/Hz) –50 ACPR, ALTCPR (dBc) –110 DOWNLINK TEST MODEL 64 DPCH –160 5558 TA01b 図11．CDMA2000変調のACPR、 ALTCPRおよびノイズ –30 POWER IN 30kHz BW (dBm) –40 DOWNLINK TEST MODEL 64 DPCH –50 –60 –70 –80 –90 UNCORRECTED SPECTRUM –100 CORRECTED SPECTRUM –110 –120 SPECTRUM ANALYSER NOISE FLOOR –130 896.25 897.75 899.25 900.75 902.25 903.75 RF FREQUENCY (MHz) –30 DOWNLINK TEST MODEL 64 DPCH –40 POWER IN 30kHz BW (dBm) –40 –50 –60 –70 –80 –90 UNCORRECTED SPECTRUM –100 –110 –120 SPECTRUM ANALYSER NOISE FLOOR CORRECTED SPECTRUM –130 894 896 900 902 898 RF FREQUENCY (MHz) 904 906 5558 F13 図13．3チャネルCDMA2000のスペクトル 例：RFIDアプリケーション 図15では、LTC1565（ U2、U3）とLT5558の間のインタ フェースはRFIDアプリケーション向けに設計されてい ます。LTC1565は、650kHz、連続時間、リニア位相の7次 ローパス・フィルタです。LTC1565の最適出力同相レベル は約2.5V、LT5558の最適入力同相レベルは約2.1Vで、温度 に依存します。LTC1565の同相レベルをLT5558に適合さ せるため、R1∼R6およびR11∼R16で構成されるレベルシ フト・ネットワークが使われます。LTC1565の出力同相レ ベルはLTC1565のピン3の内部で発生させた電圧をオー バーライドして調節することができます。 5558 F12 図12．1チャネルCDMA2000のスペクトル 5558fa 13 LT5558 アプリケーション情報 10 –40°C PRF, LOFT (dBm), IR (dBc) 0 25°C 85°C –10 PRF –20 LOFT –30 85°C –40 ンを操作します。抵抗R20とR21は、大きな電源デカップ リング・コンデンサC3およびC4をドライブしながら、オ ペアンプU4の安定性を改善します。この補正された同相 電圧はU2およびU3の同相入力ピン（ピン3）に与えられま す。これにより、同相電圧のための正帰還ループが形成さ れ、ループ利得が約10dBになります。この技法により、 電源電圧や温度の限界値、内部ダイオード電圧シフトま たはこれらの組合せの下でも、LT5558のベースバンド入 力ピンの電流コンプライアンスが超えられることはあ りません。LT5558のコア電流はこうして最適動作のため の設計レベルに維持されます。LTC1565の入力に与えら れる推奨同相電圧は約2Vです。抵抗の許容誤差は1%ま たはそれより良い精度を推奨します。合計電流消費は約 160mA、20MHzオフセットでのノイズフロアは3.7dBmの RF出力電力で147dBm/Hzです。2VPP, DIFFのベースバン ド入力振幅では、f LO＋f BBでの出力電力は1.6dBm、f LO 3fBBでの3次高調波は48.6dBmです。 2.6VPP, DIFFの入力で は、fLO＋fBBでの出力電力は3.8dBm、fLO3fBBでの3次高 調波は40.5dBmです。 VCC = 5V EN = HIGH fLO = 900MHz, fBBI = 2MHz, 0° fBBQ = 2MHz, 90° fRF = fBB + fLO PLO = 0dBm –40°C –50 IR –60 –40°C –70 25°C –80 –90 0 1 3 4 5 2 I AND Q BASEBAND VOLTAGE (VP-P,DIFF) 5558 F14 図14．25℃で較正後のLOフィードスルーおよび イメージ除去とベースバンド・ドライブ電圧 LT5558の同相電圧は抵抗R7、R8、R17およびR18を使って サンプリングされ、抵抗9を使って約2.5Vまでシフトさ れます。オペアンプU4は抵抗ネットワークの利得損失を 補償し、低抵抗性ドライブを与えてU2とU3の同相入力ピ RF = 3dBm MAX VCC 4.5V to 5.25V R24 3.32k R22 22.1k 4 R20 249Ω R5 3.57k R9 R6 3.57k 88.7k 3 R22 22.1k – 5 +U4 1 LT1797 R16 3.57k 2 R15 3.57k R21 249Ω C1, C2 2 × 0.1µF 1 BB SOURCE 2 +IN +OUT –IN –OUT 8 3 4 GND V– V+ SHDN R1 499Ω 7 LTC1565-31 2.5VDC C3 0.1µF U2 2.5VDC 6 5 R2 499Ω 8, 13 2.1VDC R3 3.01k R7 49.9k R4 3.01k R8 49.9k 2.1VDC 11 1 VCC RF EN 7 14 BBPI BBPQ U1 LT5558 16 R17 49.9k R13 3.01k R18 49.9k R14 3.01k R11 499Ω 8 7 BBMQ GND LO 5 2.1VDC R12 499Ω U3 +OUT +IN –OUT –IN 1 BB 2 SOURCE LTC1565-31 2.5VDC BBMI 2, 4, 6, 9, 10 12, 15, 17 2.1VDC 6 5 V+ SHDN GND V– 2.5VDC 3 4 C4 0.1µF 5558 F16 3 図15．RFIDアプリケーションのLTC1565のLT5558とのベースバンド・インタフェース回路 5558fa 14 LT5558 パッケージ寸法 UFパッケージ 16ピン・プラスチックQFN (4mm 4mm) (Reference LTC DWG # 05-08-1692) 0.72 ±0.05 4.35 ± 0.05 2.15 ± 0.05 2.90 ± 0.05 (4 SIDES) パッケージの外形 PACKAGE OUTLINE 0.30 ±0.05 0.65 BSC 推奨する半田パッドのピッチと寸法 RECOMMENDED SOLDER PAD PITCH AND DIMENSIONS 露出パッドの底面 BOTTOM VIEW—EXPOSED PAD 4.00 ± 0.10 (4 SIDES) 0.75 ± 0.05 R = 0.115 TYP 15 PIN 1 NOTCH R == 0.20 0.20 TYP ピン1のノッチR （標準） OR 0.35 × 45° CHAMFER または0.35 45 の面取り 16 0.55 ± 0.20 PIN 1 TOP MARK (NOTE 6) 1 2.15 ± 0.10 (4-SIDES) 2 (UF16) QFN 10-04 0.200 REF 0.00 – 0.05 0.30 ± 0.05 0.65 BSC NOTE: 注記 ： 1. 図面はJEDECのパッケージ外形MO-220のバリエーション DRAWING CONFORMS TO JEDEC PACKAGE OUTLINE MO-220 VARIATION 1. （WGGC） に適合 (WGGC) 2. 図は実寸とは異なる DRAWING NOT TO SCALE 2. 3. すべての寸法はミリメートル ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS 3. 4. パッケージ底面の露出パッドの寸法にはモールドのバリを含まない。 DIMENSIONS OF EXPOSED PAD ON BOTTOM OF PACKAGE DO NOT INCLUDE 4. MOLD FLASH. MOLD FLASH, IF PRESENT, SHALL NOT EXCEED 0.15mm ON ANY SIDE モールドのバリは （もしあれば） 各サイドで0.15mmを超えないこと 5. 露出パッドは半田メッキとする EXPOSED PAD SHALL BE SOLDER PLATED 5. 6. 網掛けの部分はパッケージのトップとボトムのピン1の位置の参考に過ぎない SHADED AREA IS ONLY A REFERENCE FOR PIN 1 LOCATION 6. ON THE TOP AND BOTTOM OF PACKAGE 5558fa リニアテクノロジー・コーポレーションがここで提供する情報は正確かつ信頼できるものと考えておりますが、その使用に関する責務は一切負い ません。また、ここに記載された回路結線と既存特許とのいかなる関連についても一切関知いたしません。なお、日本語の資料はあくまでも参考資 料です。訂正、変更、改版に追従していない場合があります。最終的な確認は必ず最新の英語版データシートでお願いいたします。 15 LT5558 関連製品 製品番号 説明 インフラストラクチャ LT5511 高直線性アップコンバーティング・ミキサ LT5512 DC∼3GHz高信号レベル・ダウンコンバーティング・ミキサ LT5514 デジタル利得制御付き超低歪みIFアンプ/ADCドライバ 注釈 RF出力：最大3GHz、 IIP3：17dBm、 内蔵LOバッファ DC∼3GHz、 IIP3：17dBm、 内蔵LOバッファ 帯域幅：850MHz、 OIP3：100MHzで47dBm、 利得制御範囲：10.5dB∼33dB LT5515 1.5GHz∼2.5GHz直接変換直交復調器 IIP3：20dBm、 内蔵LO直交ジェネレータ LT5516 0.8GHz∼1.5GHz直接変換直交復調器 IIP3：21.5dBm、 内蔵LO直交ジェネレータ LT5517 40MHz∼900MHz直交復調器 IIP3：21dBm、 内蔵LO直交ジェネレータ LT5518 1.5GHz∼2.4GHz高直線性ダイレクト直交変調器 OIP3：2GHzで22.8dBm、 ノイズフロア：158.2dBm/Hz、 50ΩシングルエンドのLOポートとRFポート、 4チャネルW-CDMA ACPR = 64dBc（2.14GHz） LT5519 0.7GHz∼1.4GHz高直線性アップコンバーティング・ミキサ IIP3：1GHzで17.1dBm、 50Ω整合付き内蔵RF出力トランス、 シングルエンドのLOポートとRFポートの動作 LT5520 1.3GHz∼2.3GHz高直線性アップコンバーティング・ミキサ IIP3：1.9GHzで15.9dBm、 50Ω整合付き内蔵RF出力トランス、 シングルエンドのLOポートとRFポートの動作 LT5521 10MHz∼3700MHz高直線性 IIP3：1.95GHzで24.2dBm、 NF = 12.5dB、 3.15V∼5.25Vの電源、 アップコンバーティング・ミキサ シングルエンドのLOポート動作 LT5522 600MHz∼2.7GHz高信号レベル・ 4.5V∼5.25V電源、 IIP3：900MHzで25dBm、 NF = 12.5dB、 ダウンコンバーティング・ミキサ 50ΩシングルエンドのRFポートとLOポート LT5524 利得をデジタルでプログラム可能な低消費電力、 帯域幅：450MHz、 OIP3：40dBm、 利得制御範囲：4.5dB∼27dB 低歪みADCドライバ LT5526 高直線性、低消費電力のダウンコンバーティング・ミキサ 3V∼5.3V電源、 IIP3：16.5dBm、 RF：100kHz∼2GHz、 NF = 11dB、 ICC = 28mA、 LO-RFリーク：65dBm LT5527 400MHz∼3.7GHz高信号レベル・ 1900MHzでIIP3 = 23.5dBmおよびNF = 12.5dBm、 ダウンコンバーティング・ミキサ 4.5V∼5.25V電源、 ICC = 78mA LT5528 1.5GHz∼2.4GHz高直線性ダイレクト直交変調器 OIP3：2GHzで21.8dBm、 ノイズフロア：159.3dBm/Hz、 50Ω、 0.5VDCのベースバンド・インタフェース、4チャネルW-CDMA ACPR = 66dBc （2.14GHz） LT5568 700MHz∼1050MHz高直線性ダイレクト直交変調器 OIP3：850MHzで22.9dBm、 ノイズフロア：160.3dBm/Hz、 50Ω、0.5VDCのベースバンド・インタフェース、 3チャネルCDMA2000 ACPR = 71.4dBc （850MHz） LT5572 1.5GHz∼2.5GHz高直線性ダイレクト直交変調器 OIP3：2GHzで21.6dBm、 ノイズフロア：158.6dBm/Hz、 高抵抗性0.5VDCのベースバンド・インタフェース、 4チャネルW-CDMA ACPR = 67.7dBc（2.14GHz） RFパワー検出器 LT5504 800MHz∼2.7GHzのRF測定用レシーバ 80dBのダイナミックレンジ、 温度補償、2.7V∼5.25Vの電源 LTC®5505 ダイナミックレンジが > 40dBのRFパワー検出器 300MHz∼3GHz、 温度補償、2.7V∼6Vの電源 LTC5507 100kHz∼1000MHzのRFパワー検出器 100kHz∼1GHz、 温度補償、2.7V∼6Vの電源 LTC5508 300MHz∼7GHzのRFパワー検出器 44dBのダイナミックレンジ、 温度補償、SC70パッケージ LTC5509 300MHz∼3GHzのRFパワー検出器 36dBのダイナミックレンジ、 低消費電力、SC70パッケージ LTC5530 300MHz∼7GHzの高精度RFパワー検出器 高精度VOUTオフセット制御、シャットダウン、調節可能な利得 LTC5531 300MHz∼7GHzの高精度RFパワー検出器 高精度VOUTオフセット制御、 シャットダウン、 調節可能なオフセット LTC5532 300MHz∼7GHzの高精度RFパワー検出器 高精度VOUTオフセット制御、調節可能な利得とオフセット LT5534 ダイナミックレンジが60dBの50MHz∼3GHzの 全温度範囲で 1dBの出力変動、 応答時間：38ns ログRFパワー検出器 LTC5536 高速コンパレータ付き高精度600MHz∼7GHzのRF検出器 応答時間：25ns、 コンパレータの基準入力、 ラッチ・イネーブル入力、入力範囲：26dBm∼＋12dBm LT5537 ダイナミックレンジの広いログRF/IF検出器 低周波数∼800MHz、83dBのダイナミックレンジ、 2.7V∼5.25Vの電源 高速ADC LTC2220-1 12ビット、185Msps ADC 3.3V単電源、 電力消費：910mW、 SNR：67.5dB、 SFDR：80dB、 最大電力BW：775MHz LTC2249 14ビット、80Msps ADC 3V単電源、 電力消費：222mW、 SNR：73dB、 SFDR：90dB LTC2255 14ビット、125Msps ADC 3V単電源、 電力消費：395mW、 SNR：72.4dB、 SFDR：88dB、 最大電力BW：640MHz 5558fa 16 リニアテクノロジー株式会社 〒102-0094 東京都千代田区紀尾井町3-6秀和紀尾井町パークビル8F TEL 03-5226-7291 FAX 03-5226-0268 www.linear-tech.co.jp ● ● 0706 REV A • PRINTED IN JAPAN LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 2006