ETC FM8PE53-SOP8

EM78P152/3S
8位
OTP 微控制器
产品规格书
版本 1.8
义隆电子股份有限公司
2009.09
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传真:+86 21 5080-0273
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Contents
目录
1
综述
2
产品特性.................................................................................................................... 1
3
引脚分配.................................................................................................................... 2
4
引脚描述.................................................................................................................... 3
4.1
5
..............................................................................................................1
EM78P153S ..................................................................................................... 3
4.2 EM78P152S ..................................................................................................... 4
功能描述.................................................................................................................... 5
5.1
5.2
操作寄存器 ....................................................................................................... 5
5.1.1
R0 (间接寻址寄存器) .......................................................................................... 5
5.1.2
R1 (定时/计数器)................................................................................................. 5
5.1.3
R2 (程序计数器) & 堆栈 ...................................................................................... 5
5.1.4
R3 (状态寄存器).................................................................................................. 7
5.1.5
R4 (RAM 选择寄存器)......................................................................................... 8
5.1.6
5.1.7
R5 ~ R6 (Port 5 ~ Port 6).................................................................................... 8
RF (中断状态寄存器) .......................................................................................... 8
5.1.8
R10 ~ R2F .......................................................................................................... 8
特殊功能寄存器 ................................................................................................ 9
5.2.1
A (累加器) ........................................................................................................... 9
5.2.2
CONT (控制寄存器) ............................................................................................ 9
5.2.3
IOC5 ~ IOC6 (I/O 端口控制寄存器) .................................................................... 9
5.2.4
IOCB (下拉控制寄存器) .................................................................................... 10
5.2.5
IOCC (漏极开路控制寄存器)............................................................................. 10
5.2.6
IOCD (上拉控制寄存器) .................................................................................... 10
5.2.7
IOCE (看门狗定时器控制寄存器).......................................................................11
5.2.8
IOCF (中断屏蔽寄存器) .....................................................................................11
5.3
TCC/WDT & 预分频器 .................................................................................... 12
5.4
I/O 端口 .......................................................................................................... 12
5.5
复位和唤醒 ..................................................................................................... 15
5.5.1
复位................................................................................................................... 15
5.5.2
寄存器初始值总结 ............................................................................................. 17
5.5.3
状态寄存器的 RST,T 和 P 的状态...................................................................... 19
5.6
中断 ................................................................................................................ 20
5.7
振荡器............................................................................................................. 21
5.8
5.7.1
振荡模式 ........................................................................................................... 21
5.7.2
晶体振荡器/陶瓷谐振器 (晶体) .......................................................................... 22
5.7.3
外部 RC 振荡模式 ............................................................................................. 23
5.7.4
内部 RC 振荡模式 ............................................................................................. 24
代码选项寄存器 .............................................................................................. 25
版本号 (V1.8) 09.08.2009
• iii
Contents
5.8.1
5.9
代码选项寄存器(Word 0)................................................................................... 25
上电探讨 ......................................................................................................... 27
5.10 编程设置振荡器启动时间 ................................................................................ 27
5.11 外部上电复位电路........................................................................................... 27
5.12 残留电压保护 .................................................................................................. 28
5.13 指令集............................................................................................................. 28
6
最大绝对值 ............................................................................................................. 31
7
电气特性.................................................................................................................. 32
8
7.1
直流电气特性( Ta= 0°C ~ 70 °C, VDD= 5.0V±5%, VSS= 0V ) ......................... 32
7.2
交流电气特性(Ta=0°C ~ 70 °C, VDD=5V±5%, VSS=0V)................................. 33
时序图 .................................................................................................................... 34
附录
A
封装类型.................................................................................................................. 35
B
封装信息.................................................................................................................. 36
C
器件特性.................................................................................................................. 39
数据手册修订历史
文件版本
iv •
修订描述
日期
1.1
初版
1.2
修改初始寄存器值、内部 RC 偏移率、DC 和 AC 电气特性
2003/05/02
1.3
修改上电复位部分内容
2003/06/25
1.4
在 6.3 节增加器件特性
2003/12/31
1.5
在产品特性中增加 IRC 偏移率
2006/01/16
1.6
增加 EM78P152S SSOP 10 引脚封装类型
2007/03/05
1.7
1.修改EM78P152S 10-pin SSOP封装名称;
2.在振荡器章节里面增加陶瓷振荡器;
3.修改程序计数器章节内容;
4.修改特殊功能寄存器IOCC。
2009/01/05
1.8
1. 修改 5.12 节残留电压保护
2009/09/08
版本号 (V1.8) 09.08.2009
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
1
综述
EM78P152/3S 是采用低功耗高速 CMOS 工艺设计开发的 8 位微控制器。它的内部有一个 1024*13 位一次性
可编程只读存储器(OTP-ROM)。它提供一个保护位用于防止用户在 OTP-ROM 中的程序被盗取;拥有 15 个
代码选项位以满足用户定制代码功能的需要。
利用其 OTP-ROM 特性,EM78P152/3S 可以使用户方便的开发和校验程序,而使用‘义隆烧录器’能便捷的
完成 IC 程序烧录工作。
2
产品特性
„ CPU 配置
•
•
•
•
•
•
1K × 13 位片内 ROM
•
•
•
•
•
•
•
2 组双向I/O端口: P5,P6
32 × 8 位片内寄存器 (SRAM, 通用寄存器)
5 级堆栈用于子程序嵌套
小于1.5 mA @ 5V/4MHz
典型值为15 µA, @3V/32KHz
休眠模式下的典型值为1 µA。
„ I/O 端口配置
12 个I/O 引脚
唤醒端口 : P6
6 个可编程下拉I/O引脚
7 个可编程上拉I/O引脚
7 个可编程漏极开路I/O引脚
外部中断 : P60
„ 工作电压范围:
• OTP 版本:
工作电压范围:2.3V~5.5V
„ 工作温度范围:
• 0~70℃
„ 工作频率范围 (基于 2 个时钟周期):
• 晶体模式:
DC ~ 20MHz/2clks @ 5V; DC ~100ns inst. cycle
@ 5V
DC ~ 8MHz/2clks @ 3V; DC ~ 250ns inst. cycle
@ 3V
DC ~ 4MHz/2clks @ 2.3V; DC ~ 500ns inst.
cycle @ 2.3V
HXT系统频率与LXT系统频率的临界点为
400KHz。
• IRC 模式:
振荡模式 : 4MHz,8MHz,1MHz,455KHz
制程漂移 : TYP±5.5%~±6%
温度偏差: ±10%(0℃~70℃)
„ 外设配置
• 8位实时时钟/计数器(TCC),可编程选择其信号源、触发边
沿,溢出产生中断
„ 三种中断源:
• TCC 溢出中断
• 输入端口状态改变中断(可使微控制器从休眠模式唤醒)
• 外部中断
„ 专有特性
• 自由运行的可编程看门狗定时器
• 省电模式 (休眠模式)
• 可选振荡模式
„ 其它
•
•
•
•
可编程振荡器启动时间的预分频比
具备一个保护寄存器以防止OTP ROM中的程序代码被窃取
具备一个配置寄存器以满足用户的需求
一个指令周期包含两个时钟周期
„ 封装类型:
• 14 引脚 DIP 300mil
• 14 引脚 SOP 150mil
• 10 引脚 SSOP 150mil
: EM78P153SP/S/J
: EM78P153SN/S/J
: EM78P152SN/S/J
注: 绿色产品不含有害物质
• ERC 模式:
DC ~ 4MHz/2clks @ 5V; DC ~ 500ns inst. cycle
@ 5V
DC ~ 4MHz/2clks @ 3V; DC ~ 500ns inst. cycle
@ 3V
DC ~ 4MHz/2clks @ 2.3V; DC ~ 500ns inst.
cycle @ 2.3V
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
•1
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
3
引脚分配
(1) 14-Pin DIP/SOP
(2) 10-Pin SSOP
1
14
P51
P67
2
13
P52
P66
3
12
P53
1
10
P61
9
P62/TCC
8
P63//RST
7
P64/OSCO
6
P65/OSCI
11
Vss
Vss
2
10
P60//INT
P67
3
6
9
P61
P66
4
7
8
P62/TCC
Vdd
5
Vdd
4
P65/OSCI
5
P64/OSCO
P63//RST
图 3-1 EM78P153SP/N/S/J
2•
P60//INT
EM78P152S
EM78P153S
P50
图 3-2 EM78P152SN/S/J
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
4
引脚描述
4.1 EM78P153S
引脚名称
引脚序号 引脚类型
P66, P67
2, 3
I/O
P65/OSCI
5
I/O
P64/OSCO
6
I/O
P63//RESET
7
I
P62/TCC
8
I/O
P61
9
I/O
P60/INT
10
I/O
P50,
P51~P52
1, 13~14
I/O
12
I/O
P53
引脚功能
* 通用I/O引脚
*上拉/漏极开路
* 引脚状态发生改变时,从休眠模式唤醒
* 通用I/O引脚
* 外部时钟信号输入
* 晶体振荡器的输入引脚
* 上拉/漏极开路
* 引脚状态发生改变时,从休眠模式唤醒
* 通用I/O引脚
* 外部时钟信号输入
* 晶体振荡器的输入引脚
* 上拉/漏极开路
* 引脚状态发生改变时,从休眠模式唤醒
* 若设置/RESET引脚并使其保持逻辑低,器件将产生复位
* 引脚状态改变时,从休眠模式唤醒
* 在正常模式下,/RESET引脚电压不能高于Vdd
* 当此引脚定义为/RESET时,内部上拉功能开启
* P63 仅用作输入引脚
* 通用I/O引脚
* 上拉/漏极开路/下拉
* 引脚状态发生改变时,从休眠模式唤醒
* 外部定时/计数器信号输入引脚
* 通用I/O引脚
*上拉/漏极开路/下拉
* 引脚状态发生改变时,从休眠模式唤醒
* 在编程模式下,用作施密特触发输入
* 通用I/O引脚
*上拉/漏极开路/下拉
* 引脚状态发生改变时,从休眠模式唤醒
* 在编程模式下,用作施密特触发输入
* 下降沿触发的外部中断引脚
* 通用I/O引脚
* 下拉
* 通用I/O引脚
VDD
4
–
电源正极
VSS
11
–
* 电源地
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
•3
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
4.2 EM78P152S
引脚名称
4•
引脚序号 引脚类型
引脚功能
* 通用I/O引脚
* 外部时钟信号输入引脚
* 晶体振荡器的输入引脚
* 上拉/漏极开路
* 引脚状态发生改变时,从休眠模式唤醒
* 通用I/O引脚
* 外部时钟信号输入引脚
* 晶体振荡器的输入引脚
* 上拉/漏极开路
* 引脚状态发生改变时,从休眠模式唤醒
* 若设置/RESET引脚并使其保持逻辑低,器件将产生复位
* 引脚状态改变时,从休眠模式唤醒
* 在正常模式下,/RESET引脚电压不能高于Vdd
* 当此引脚定义为/RESET时,内部上拉功能开启
* P63 仅用作输入引脚
* 通用I/O引脚
* 上拉/漏极开路/下拉
* 引脚状态发生改变时,从休眠模式唤醒
* 外部定时/计数器信号输入引脚
* 通用I/O引脚
*上拉/漏极开路/下拉
* 引脚状态发生改变时,从休眠模式唤醒
* 在编程模式下,用作施密特触发输入
* 通用I/O引脚
*上拉/漏极开路/下拉
* 引脚状态发生改变时,从休眠模式唤醒
* 在编程模式下,用作施密特触发输入
* 下降沿触发的外部中断引脚
* 通用I/O引脚
*上拉/漏极开路
* 引脚状态发生改变时,从休眠模式唤醒
P65/OSCI
6
I/O
P64/OSCO
7
I/O
P63//RESET
8
I
P62/TCC
9
I/O
P61
10
I/O
P60//INT
1
I/O
P66, P67
4, 3
I/O
Vdd
5
-
* 电源正极
Vss
2
-
* 电源地
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
5
功能描述
OSCO
OSCI
/RESET
WDT 定时器
TCC
/INT
振荡器/时序控制
内部
OSC
R4
堆栈
ALU
指令
寄存器
中断
控制
RAM
R2
ROM
预分频器
R3
R1(TCC)
ACC
指令解码器
数据&控制总线
IOC6
R6
P60
P61
P62/TCC
P63//REST
P64/OSCO
P65/OSCI
P66
P67
I/O
PORT 6
IOC5
R6
I/O
PORT 5
P50
P51
P52
P53
图 5-1 功能方框图
5.1 操作寄存器
5.1.1 R0 (间接寻址寄存器)
R0 并非实际存在的寄存器。它的主要功能是作为间接寻址指针。任何以 R0 为指针的指
令,实际上是对 RAM 选择寄存器 R4 所指向地址的数据内容进行操作。
5.1.2 R1 (定时/计数器)
„
TCC引脚的外部信号边沿或内部指令周期时钟触发(由CONT寄存器的TE位设定),
会使TCC寄存器加1。
„
像其它寄存器一样可读/写。
„
通过复位PAB 位(CONT-3)设定。
„
如果PAB bit (CONT-3) 被复位,预分频器分配给TCC。
„
写入一个值到TCC寄存器后,TCC计数器的内容会被刷新。
5.1.3 R2 (程序计数器) & 堆栈
„
根据具体的器件类型,R2和硬件堆栈为10位宽。图3描绘了相关结构图。
„
生成1024×13 位程序指令代码的片内OTP ROM地址。一个程序页为1024字长。
„
复位条件下,R2所有位均清“0”。
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
•5
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
„
"JMP" 指令直接加载程序计数器的低10位。因此,"JMP" 允许PC跳转到一个程序页
的任何位置。
„
"CALL" 指令首先加载PC的低10位,然后将PC+1推入堆栈。因此,子程序的入口地
址可位于一个程序页的任何位置。
„
"RET" ("RETL k", "RETI") 加载栈顶值到程序计数器(PC)中。
„
"ADD R2,A" 允许将‘A’寄存器的值加到当前PC,PC的第9和第10位清0。
„
"MOV R2,A" 允许从A寄存器中加载一个地址值到PC的低8位,PC的第9和第10位保
持不变。
„
任何向R2写入的指令 (例如. "ADD R2,A", "MOV R2,A", "BC R2,6", 等) 将会使PC的
第九和第十位(A8~A9)清零。因此,经计算后的跳转位置只能位于一个程序存储器
页的头256地址空间中。
„
所有指令均是单指令周期指令(fclk/2 或 fclk/4),但会改变R2寄存器内容的指令除外,
这些指令的执行需要一个或多个指令周期。
PC (A9 ~ A0)
1
2
3
4
5
用户程序存储空间
堆栈级
堆栈级
堆栈级
堆栈级
堆栈级
000H
008H
复位向量
中断向量
片内程序存储器
3FFH
图 5-2 程序计数器结构图
6•
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
R PAGE 寄存器
地址
IOC PAGE 寄存器
00
R0
(间接寻址寄存器)
01
R1
(定时/计数器)
02
R2
(程序计数器)
保留
03
R3
(状态寄存器)
保留
04
R4
(RAM选择寄存器)
保留
05
R5
(Port5)
IOC5
(I/O 端口控制寄存器)
06
R6
(Port6)
IOC6
(I/O端口控制寄存器)
保留
(控制寄存器)
CONT
07
保留
保留
08
保留
保留
09
保留
保留
0A
保留
保留
0B
保留
IOCB
(下拉控制寄存器)
0C
保留
IOCC
(漏极开路控制寄存器)
0D
保留
IOCD
(上拉控制寄存器)
0E
保留
IOCE
(看门狗定时器控制寄存器)
IOCF
(中断屏蔽寄存器)
0F
RF
10
︰
2F
(中断状态寄存器)
通用寄存器
图 5-3 数据存储器配置
5.1.4 R3 (状态寄存器)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
RST
GP1
GP0
T
P
Z
DC
C
Bit 7 (RST): 复位类型标志位
0: 代表其它复位类型引发唤醒复位方式
1: 代表引脚状态改变引发控制器从休眠模式唤醒方式
Bit6 ~ 5 (GP1 ~ 0): 通用读/写位
Bit 4 (T): 时间溢出标志位
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
•7
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
执行"SLEP" 和 "WDTC"指令或上电时置“1” ,WDT溢出时复位为“0”。
Bit 3 (P): 省电标志位
上电或执行"WDTC"指令时置“1”
,执行"SLEP"指令时复位为“0”
。
Bit 2 (Z): 零标志位
当算术或逻辑运算的结果为 0 时置“1”
。
Bit 1 (DC): 辅助进位标志位
Bit 0 (C): 进位标志位
5.1.5 R4 (RAM 选择寄存器)
Bits 7 ~ 6: 为通用读/写位
见图 4 数据存储器配置
Bits 5 ~ 0: 在间接寻址模式下,用于选择寄存器(地址:10F~2F)
5.1.6 R5 ~ R6 (Port 5 ~ Port 6)
R5 和 R6 为 I/O 寄存器
R5 寄存器仅低 4 位可用
R5 寄存器的高 4 位固定为 0
P63 仅用作输入引脚
5.1.7 RF (中断状态寄存器)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
-
-
-
-
-
EXIF
ICIF
TCIF
“1”表示中断请求,
“0”表示没有中断产生。
Bits 7 ~ 3: 未用
Bit 2 (EXIF): 外部中断标志位。由/INT引脚信号的下降沿触发置1,由软件清零
Bit 1 (ICIF): Port 6 输入状态改变中断标志位。 Port 6输入状态改变时触发置1,由软件
清零
Bit 0 (TCIF): TCC 溢出中断标志位。TCC 溢出时置1,由软件清零
RF 寄存器可由指令清零,但不由指令置 1
IOCF 寄存器为中断屏蔽寄存器
注意:从 R3F 寄存器中的读取值为 R3F 值和 IOCF 值的“逻辑与”的结果。
5.1.8 R10 ~ R2F
所有这些寄存器均为 8 位通用寄存器。
8•
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
5.2 特殊功能寄存器
5.2.1 A (累加器)
用于内部数据传送或指令操作数暂存
它不可被寻址
5.2.2 CONT (控制寄存器)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
-
INT
TS
TE
PAB
PSR2
PSR1
PSR0
Bit 7: 未使用。
Bit 6 (INT): 中断使能标志位
0: 被DISI或硬件中断屏蔽
1: 被ENI/RETI指令使能
Bit 5 (TS): TCC 信号源选择位
0: 内部指令周期时钟,P62为双向I/O引脚。
1: TCC引脚的跳变信号
Bit 4 (TE): TCC 信号边沿选择位
0: TCC引脚信号由低变到高时TCC计数器加1
1: TCC引脚信号由高变到低时TCC计数器加1
Bit 3 (PAB): 预分频器分配位
0: TCC
1: WDT
Bit 2 (PSR2) ~ 0 (PSR0): TCC/WDT 预分频比选择位
PSR2
PSR1
PSR0
TCC 预分频比
WDT 预分频比
0
0
0
1:2
1:1
0
0
1
1:4
1:2
0
1
0
1:8
1:4
0
1
1
1:16
1:8
1
0
0
1:32
1:16
1
0
1
1:64
1:32
1
1
0
1:128
1:64
1
1
1
1:256
1:128
CONT 为可读/写寄存器
5.2.3 IOC5 ~ IOC6 (I/O 端口控制寄存器)
为“1”时,相关 I/O 引脚置为高阻态;为“0”时,相关 I/O 引脚置为输出。
IOC5 寄存器仅低 4 位可被有效定义。
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•9
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8位OTP微控制器
IOC5 和 IOC6 均为可读/写寄存器。
5.2.4 IOCB (下拉控制寄存器)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
-
/PD6
/PD5
/PD4
-
/PD2
/PD1
/PD0
Bit 7: 未使用。
0: 使能内部下拉功能
1: 禁止内部下拉功能
Bit 6 (/PD6): P62引脚下拉功能使能控制位
Bit 5 (/PD5): P61引脚下拉功能使能控制位
Bit 4 (/PD4): P60引脚下拉功能使能控制位
Bit 3: 未使用
Bit 2 (/PD2): P52引脚下拉功能使能控制位
Bit 1 (/PD1): P51引脚下拉功能使能控制位
Bit 0 (/PD0): P50引脚下拉功能使能控制位
IOCB 为可读/写寄存器。
5.2.5 IOCC (漏极开路控制寄存器)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
OD7
OD6
OD5
OD4
-
OD2
OD1
OD0
Bit 7 (OD7): P67引脚漏极开路功能使能控制位
0: 禁止漏极开路输出
1: 使能漏极开路输出
Bit 6 (OD6): P66引脚漏极开路功能使能控制位
Bit 5 (OD5): P65引脚漏极开路功能使能控制位
Bit 4 (OD4): P64引脚漏极开路功能使能控制位
Bit 3: 未使用。
Bit 2 (OD2): P62引脚漏极开路功能使能控制位
Bit 1 (OD1): P61引脚漏极开路功能使能控制位
Bit 0 (OD0): P60引脚漏极开路功能使能控制位
IOCC 为可读/写寄存器。
5.2.6 IOCD (上拉控制寄存器)
10 •
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
/PH7
/PH6
/PH5
/PH4
-
/PH2
/PH1
/PH0
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8位OTP微控制器
Bit 7 (/PH7): P67引脚上拉功能使能控制位
0: 使能内部上拉功能
1: 禁止内部上拉功能
Bit 6 (/PH6): P66引脚上拉功能使能控制位
Bit 5 (/PH5): P65引脚上拉功能使能控制位
Bit 4 (/PH4): P64引脚上拉功能使能控制位
Bit 3: 未使用。
Bit 2 (/PH2): P62引脚上拉功能使能控制位
Bit 1 (/PH1): P61引脚上拉功能使能控制位
Bit 0 (/PH0): P60引脚上拉功能使能控制位
IOCD 为可读/写寄存器。
5.2.7 IOCE (看门狗定时器控制寄存器)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
WDTE
EIS
-
-
-
-
-
-
Bit 7 (WDTE): 看门狗定时器使能控制位
0: 禁止 WDT.
1: 使能 WDT.
WDTE 为可读/写位。
Bit 6 (EIS): 定义P60(/INT)引脚功能的控制位。
0: P60, 双向I/O引脚
1: /INT,外部中断输入引脚。在此情况下,P60引脚的I/O控制位(IOC6的
bit 0)必须置为“1”。
当EIS位为“0”,/INT通道被屏蔽。当EIS为“1”,/INT引脚状态也可通
过读Port 6 (R6)寄存器的方式来读取。参考图 7。
EIS 为可读/写位。
Bit 5 ~ 0: 未使用。
5.2.8 IOCF (中断屏蔽寄存器)
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
-
-
-
-
-
EXIE
ICIE
TCIE
Bit 7 ~ 3: 未使用。
各中断可通过设置 IOCF 寄存器的相应控制位为“1”使能。
全局中断可通过执行 ENI 指令使能,通过执行 DISI 指令禁止。参考图 9 。
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• 11
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8位OTP微控制器
Bit 2 (EXIE): EXIF中断使能位.
0: 禁止EXIF中断
1: 使能EXIF中断
Bit 1 (ICIE): ICIF中断使能位
0: 禁止ICIF中断
1: 使能ICIF中断
Bit 0 (TCIE): TCIF中断使能位
0: 禁止TCIF中断
1: 使能TCIF中断
IOCF 为可读/写寄存器。
5.3 TCC/WDT & 预分频器
TCC 和 WDT 共用一个由 8 位计数器构成的预分频器。在某一时刻,预分频器只能分配
给 WDT 和 TCC 两者之一,由 CONT 寄存器的 PAB 位设置预分频器的分配情况,
PSR0~PSR2 设置预分频比。在 TCC 模式下,每次向 TCC 寄存器写入值都会刷新 TCC
计数器。 在 WDT 模式下,看门狗定时器由“WDTC”指令清零。图 5-4 描绘了 TCC/WDT
的电路图。
„
R1 (TCC) 是一个8位定时/计数器。TCC的时钟源可为内部或外部时钟输入(可编程
选择TCC引脚信号边沿)。如果TCC时钟源来自内部时钟,TCC寄存器在每个指令周
期时钟后增1(未经过预分频器)。代码选项寄存器的CLK位的状态设置CLK=Fosc/2
或是CLK=Fosc/4,参考图5。CLK位为“0”时,CLK=Fosc/2;CLK位为“1”时,
CLK=Fosc/4。如果TCC时钟源来自外部时钟输入,TCC寄存器在TCC引脚的上升
沿或下降沿增1。
„
看门狗定时器的时钟源是一个自由运行的片内RC振荡器。即使在其它振荡器关闭的
情况下(也就是休眠模式下),WDT仍将保持运行。在正常运行或休眠模式下,WDT
溢出 (若WDT使能)将会使器件复位。在正常模式下的任何时刻,WDT都可通过软件
编程为使能或禁止,参考IOCE寄存器的WDTE位。不带预分频器时,WDT溢出周
1
期大约为18 ms (默认)。
5.4 I/O 端口
Port5 和 Port6 均为双向三态 I/O 端口。Port 6 端口引脚中除 P63 引脚外,可编程使能
其内部上拉和漏极开路输出功能;另外,Port 6 端口具有输入状态改变中断(或唤醒)
功能;P50 ~ P52 和 P60 ~ P62 引脚可编程为内部下拉。除 P63 引脚外的每个 I/O 引脚
都可通过设置 I/O 控制寄存器(IOC5 ~ IOC6)的相应位定义为“输入”或“输出”。I/O 寄
1
Vdd = 5V, 溢出时间 = 16.5ms ± 30%
Vdd = 3V, 溢出时间 = 18ms ± 30%
12 •
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存器和 I/O 控制寄存器均为可读/写寄存器。Port 5 和 Port 6 的 I/O 接口电路分别描绘在
图 5-5、图 5-6 和图 5-7。
图 2-4 TCC和 WDT的结构图
PCRD
PORT
Q
P
R
_
Q
C
L
Q
P
R
_
Q
C
L
D
CLK
PCWR
IOD
D
CLK
PDWR
PDRD
0
1
M
U
X
*下拉部分电路未显示在图中。
图 5-5 Port 5的I/O端口和I/O控制寄存器电路
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• 13
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PCRD
PORT
B it 6 of I O C E
P
R
CLK
C
L
D
0
Q
1
_
Q
Q
_
Q
P D
R
CLK
C
L
PCW R
Q
_
Q
P
R D
CLK
C
L
PDW R
IO D
M
U
X
T 10
PDRD
D
P
R Q
CLK _
C Q
L
*上拉(下拉)
、漏极开路部分电路未显示在图中。
图 5-6 P60(/INT)的I/O端口和I/O控制寄存器电路
PORT
0
1
Q
_
Q
P
R D
CLK
C
L
PCW R
Q
_
Q
P
D
R
CLK
C
L
PDWR
IOD
M
U
X
TIN
PDRD
P
R
CLK
C
L
D
Q
_
Q
*上拉(下拉)
、漏极开路部分电路未显示在图中。
图 5-7 P61~P67的I/O端口和I/O控制寄存器电路
14 •
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图 5-8 带输入状态改变中断/唤醒的Port 6端口结构图
表 1 Port 6 输入状态改变唤醒/中断功能的用法
Port 6 输入状态改变唤醒/中断功能的用法
(I) Port 6 输入状态改变触发唤醒
(a) 休眠前
(II) Port 6 输入状态改变中断
1. 读 Port 6
1. 禁止 WDT
2. 执行 "ENI"
2. 读 Port 6
3. 使能中断 (置 1 IOCF.1)
3. 执行 "ENI" 或 "DISI"指令
4. 如果 Port 6 输入状态改变 (中断)
4. 使能中断 (置 1 IOCF.1)
→中断向量 (008H)
5. 执行 "SLEP" 指令
(b) 唤醒后
1. 如果 "ENI" →中断向量 (008H)
2. 如果 "DISI" → 下一条指令
5.5 复位和唤醒
5.5.1 复位
复位可由以下事件之一引发:
(1) 上电复位。
(2) /RESET 引脚输入“低”,或
(3) WDT 溢出(若 WDT 使能)
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8位OTP微控制器
2
检测到复位状态后,器件将保持在周期为大约 18ms (振荡器起振时间周期)的复位状态
下。一旦产生复位,以下操作将被执行,参考图 10。
„
振荡器运行或起振(休眠模式下)。
„
程序计数器 (R2) 所有位都设置为“0”。
„
所有I/O端口引脚被配置为输入模式(高阻态)。
„
看门狗定时器和预分频器清零。
„
上电后,R3寄存器的高3位清零。
„
CONT寄存器中,除Bit 6 (INT 标志位)外,其它所有位都置为“1”。
„
IOCB寄存器的所有位置为“1”。
„
IOCC 寄存器清零。
„
IOCD 寄存器的所有位置为“1”。
„
IOCE寄存器的Bit 7置“1”,Bit 4 和 Bit 6 清零。
„
RF寄存器的 Bits 0~2 和 IOCF 寄存器的bits 0~2 清零。
执行“SLEP”指令后进入休眠模式(省电模式)。进入休眠模式后,WDT(若使能)清
零但继续保持运行。微控制器可由以下事件唤醒:
(1) /RESET 引脚的外部复位信号输入,
(2) WDT 溢出 (若使能), 或
(3) Port 6 输入状态改变(若使能)。
前两个事件将使 EM78P152/3S 复位。可用 R3 寄存器的 T 和 P 标志位来判断复位源(唤
醒源)。最后一个事件将综合考虑后续程序的执行和全局中断("ENI" 或 "DISI" 指令的执
行情况),来决定控制器在唤醒后是否进入中断向量。如果在 SLEP 指令前执行了 ENI
指令,唤醒后将从地址为 008H 处开始执行。如果在 SLEP 指令前执行了 DISI 指令,唤
醒后将从 SLEP 指令的下一条指令开始执行。
在进入睡眠模式前,只允许事件 2 和事件 3 中的一个被使能。也就是:
[a] 如果在 SLEP 指令前 Port 6 输入状态改变中断被使能,
必须通过软件编程禁止 WDT,
但代码选项寄存器的 WDT 位仍保持使能。因此,EM78P152/3S 仅可由事件 1 或事件
3 唤醒。
[b] 如果在 SLEP 指令前 WDT 被使能,必须禁止 Port 6 输入状态改变中断。因此,
EM78P152/3S 仅可由事件 1 或事件 2 唤醒。参考中断章节
2
Vdd = 5V, 启动时间周期 = 16.5ms ± 30%
Vdd = 3V, 启动时间周期 = 18ms ± 30%
16 •
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如果 Port 6 输入状态改变中断被用作唤醒 EM78P152/3S ( 以上 Case [a] 所述),在 SLEP
指令前必须执行以下指令
MOV
A, @xxxx1110b
; 选择WDT预分频器, 预分频比设为1:1
CONTW
WDTC
; 清除看门狗定时器和预分频器
MOV
A, @0xxxxxxxb
IOW
RE
MOV
R6, R6
; 读 Port6
MOV
A, @00000x1xb
; 使能Port6 输入状态改变中断
IOW
RF
; 禁止WDT
ENI (or DISI)
; 使能(或禁止)全局中断
SLEP
; 进入休眠模式
注意
1. 从休眠模式唤醒后,WDT被自动使能。所以在从休眠模式唤醒后,应该在程序中合
理的定义WDT使能/禁止操作
2.为防止在Port 6输入状态改变中断进入中断向量或被用作唤醒MCU时产生复位,
WDT预分频比必须设置为大于1:1。
5.5.2 寄存器初始值总结
地址
N/A
N/A
0x05
0x06
N/A
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
位名
X
X
X
X
C53
C52
C51
C50
上电
0
0
0
0
1
1
1
1
/RESET和 WDT
0
0
0
0
1
1
1
1
引脚状态改变触发唤醒
0
0
0
0
P
P
P
P
位名
C67
C66
C65
C64
C63
C62
C61
C60
上电
1
1
1
1
1
1
1
1
/RESET和 WDT
1
1
1
1
1
1
1
1
引脚状态改变触发唤醒
P
P
P
P
P
P
P
P
位名
X
X
X
X
P53
P52
P51
P50
上电
1
1
1
1
1
1
1
1
/RESET和 WDT
P
P
P
P
P
P
P
P
引脚状态改变触发唤醒
P
P
P
P
P
P
P
P
位名
P67
P66
P65
P64
P63
P62
P61
P60
上电
1
1
1
1
1
1
1
1
/RESET和 WDT
P
P
P
P
P
P
P
P
引脚状态改变触发唤醒
P
P
P
P
P
P
P
P
位名
X
INT
TS
TE
PAB
上电
1
0
1
1
1
1
1
1
/RESET和 WDT
1
0
1
1
1
1
1
1
引脚状态改变触发唤醒
P
0
P
P
P
P
P
P
寄存器名
IOC5
IOC6
P5
P6
CONT
复位类型
版本号 (V1.8) 09.08.2009
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PSR2 PSR1 PSR0
• 17
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
地址
0x00
0x01
0x02
0x03
0x04
0x0F
0x0B
0x0C
0x0D
0x0E
18 •
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
位名
-
-
-
-
-
-
-
-
上电
U
U
U
U
U
U
U
U
/RESET和 WDT
P
P
P
P
P
P
P
P
引脚状态改变触发唤醒
P
P
P
P
P
P
P
P
位名
-
-
-
-
-
-
-
-
上电
0
0
0
0
0
0
0
0
/RESET和 WDT
0
0
0
0
0
0
0
0
引脚状态改变触发唤醒
P
P
P
P
P
P
P
P
位名
-
-
-
-
-
-
-
-
上电
0
0
0
0
0
0
0
0
/RESET和 WDT
0
0
0
0
0
0
0
0
引脚状态改变触发唤醒
P
P
P
P
N
P
P
P
位名
RST
GP1
GP0
T
P
Z
DC
C
上电
0
0
0
1
1
U
U
U
/RESET和 WDT
0
0
0
t
t
P
P
P
引脚状态改变触发唤醒
1
P
P
t
t
P
P
P
位名
GP1
GP0
-
-
-
-
-
-
上电
U
U
U
U
U
U
U
U
/RESET和 WDT
P
P
P
P
P
P
P
P
引脚状态改变触发唤醒
P
P
P
P
P
P
P
P
位名
X
X
X
X
X
EXIF
ICIF
TCIF
上电
0
0
0
0
0
0
0
0
/RESET和 WDT
0
0
0
0
0
0
0
0
引脚状态改变触发唤醒
0
0
0
0
0
P
N
P
位名
X
/PD6
/PD5
/PD4
/PD3
/PD2
上电
1
1
1
1
1
1
1
1
/RESET和 WDT
1
1
1
1
1
1
1
1
引脚状态改变触发唤醒
P
P
P
P
P
P
P
P
位名
OD7
OD6
OD5
OD4
X
OD2
OD1
OD0
上电
0
0
0
0
0
0
0
0
/RESET和 WDT
0
0
0
0
0
0
0
0
引脚状态改变触发唤醒
P
P
P
P
P
P
P
P
位名
/PH7
/PH6
/PH5
/PH4
X
/PH2
上电
1
1
1
1
1
1
1
1
/RESET和 WDT
1
1
1
1
1
1
1
1
引脚状态改变触发唤醒
P
P
P
P
P
P
P
P
位名
WDTE
EIS
X
X
X
X
X
X
上电
1
0
1
1
1
1
1
1
/RESET和 WDT
1
0
1
1
1
1
1
1
寄存器名
R0(IAR)
R1(TCC)
R2(PC)
R3(SR)
R4(RSR)
RF(ISR)
IOCB
IOCC
IOCD
IOCE
复位类型
/PD1 /PD0
/PH1 /PH0
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
地址
0x0F
0x10~0x2F
Bit 7
Bit 6
Bit 5
Bit 4
Bit 3
Bit 2
Bit 1
Bit 0
引脚状态改变触发唤醒
1
P
1
1
1
1
1
1
位名
X
X
X
X
X
EXIE
ICIE
TCIE
上电
1
1
1
1
1
0
0
0
/RESET和 WDT
1
1
1
1
1
0
0
0
引脚状态改变触发唤醒
1
1
1
1
1
P
P
P
位名
-
-
-
-
-
-
-
-
上电
U
U
U
U
U
U
U
U
/RESET和 WDT
P
P
P
P
P
P
P
P
引脚状态改变触发唤醒
P
P
P
P
P
P
P
P
寄存器名
IOCF
R10~R2F
复位类型
惯例: X: 未使用。 U: 未知或不用关心。 -: 未定义。 P: 复位前的值
* 参考下节表格(5.5.3节).
5.5.3 状态寄存器的RST,T和 P的状态
复位可由以下事件引发:
1. 上电,
2. /RESET 引脚上的高-低-高信号脉冲,和
3. 看门狗定时器溢出。
可用表 4 中的 RST、T 和 P 标志位的取值判断唤醒处理器的事件源 。
表 5 显示了可能会影响 RST、T 和 P 标志位状态的事件。
表 2 复位后RST、T 和 P标志位的值
复位类型
RST
T
P
上电
正常模式下的/RESET 引脚信号引发复位
休眠模式下/RESET 引脚信号触发唤醒
正常模式下的 WDT 溢出复位
0
0
0
0
1
*P
1
0
1
*P
0
P
休眠模式下的 WDT 溢出唤醒
休眠模式下的引脚输入状态改变触发唤醒
0
1
0
1
0
0
*P: 复位前的值
表 3 事件发生后RST、T和P的状态
事件
RST
T
P
上电
0
1
1
WDTC 指令
*P
1
1
WDT 溢出
0
0
*P
SLEP 指令
*P
1
0
休眠模式下引脚状态改变触发唤醒
1
1
0
*P: 复位前的值
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图 5-9 控制器复位结构图
5.6 中断
EM78P152/3S 有如下三种下降沿触发中断源:
(1) TCC 溢出中断
(2) Port 6 输入状态改变中断
(3) 外部中断 [(P60, /INT) 引脚]
在使能 Port 6 输入状态改变中断前,读 Port 6 端口状态(例如:"MOV R6,R6")是必要的。
当引脚状态改变时,Port 6 的每个引脚均具有此特性。但当引脚被配置为输出或 P60 引
脚配置为/INT 时,相应引脚则失去此功能特性。当通过执行 SLEP 指令使控制器进入休
眠模式前,Port 6 输入状态改变功能被使能,则 Port 6 输入状态改变中断可使
EM78P152/3S 从休眠模式唤醒。器件唤醒后,如果全局中断被禁止,控制器将从 SLEP
指令的下一条指令处开始执行;如果全局中断被使能,控制器将跳转到中断向量 008H
处开始执行。
RF 寄存器是中断状态寄存器,它的相应标志位记录对应的中断请求。IOCF 寄存器是中
断屏蔽寄存器。全局中断可通过执行 ENI 指令使能,通过执行 DISI 指令禁止。当产生
某个中断(若使能)
,程序计数器将会跳转到地址 008H 处。在中断服务子程序中,可通
过查询 RF 寄存器的标志位的状态判断中断源。在离开中断服务子程序前,必须通过指
令清除中断标志位,这样可避免中断嵌套。
当有中断请求时,不管其相应中断屏蔽位的状态如何或者是否执行了 ENI 指令使能全局
中断,中断状态寄存器(RF)中的相应标志位(ICIF 位除外)都将被置 1。注意,从
20 •
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RF 寄存器读取的值是 RF 和 IOCF 的逻辑与的结果(参考图 5-10)
。RETI 指令结束中
断服务子程序并使能全局中断(执行 ENI)
。
当中断是由外部中断源 INT 产生(若使能)
,程序计数器将会跳转到 001 地址处。
VCC
P
R
CLK
C
L
RF
D
/IRQn
Q
IRQn
INT
_
Q
IRQm
RFRD
ENI/DISI
IOCF
Q
P
R
_
Q
C
L
IOD
D
CLK
IOCFWR
/RESET
IOCFRD
RFWR
图 5-10 中断输入电路
5.7 振荡器
5.7.1 振荡模式
EM78P152/3S 可运行在四种不同的振荡模式下,即:内部 RC 振荡模式(IRC)、外部
RC 振荡模式(ERC)、高频晶振模式(HXT)和低频晶振模式(LXT)。用户可通过编程设置
代码选项寄存器的 OSC1 和 OSC2 位选择某种振荡模式。下表显示了这四种模式的定义
方式。
表 5-4 由OSC定义的振荡模式
OSC1
OSC2
IRC(内部RC振荡模式)
1
1
ERC(外部RC振荡模式)
1
0
HXT(高频晶振模式)
0
1
LXT(低频晶振模式)
0
0
振荡模式
注: HXT和LXT的系统频率临界点为400kHz.
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• 21
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下表列出了晶体/谐振器在不同 VDD 条件下的最大工作频率。
表 5-5 最大工作频率总结
VDD
条件
1个指令周期包含2个时钟周期
Fxt max.(MHz)
2.3
4.0
3.0
8.0
5.0
20.0
5.7.2 晶体振荡器/陶瓷谐振器 (晶体)
EM78P152/3S 可由通过 OSCI 引脚输入的外部时钟信号驱动,如下图所示。
图 5-11 外部时钟输入电路
在大多数应用中,OSCI 和 OSCO 引脚通常连接一个晶体或陶瓷谐振器以产生振荡,图
5-12 描绘了一个这样的电路。HXT 模式和 LXT 模式都是以此种方式产生振荡。
如图 5-12-1,在陶瓷震荡模式电路中必须在 OSCI 与 OSCO 之间串接阻值为 1MΩ 的电
阻 R1。
C1
OSCI
EM 78P153S
晶体
OSCO
RS
C2
图 5-12 晶体谐振器电路
22 •
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C1
OSCI
Resonator
EM78P153A
R1
OSCO
C2
图 5-12-1 陶瓷谐振器电路
表 8 提供了 C1 和 C2 的参考建议值。因为每个谐振器都有它自己的属性,用户应参考
它的用户手册以选择合适的 C1 和 C2。对于 AT strip cut 型晶体或低频模式,可能需要
一个串接电阻 RS。
表 5-6 晶体振荡器或陶瓷谐振器匹配电容选择指南
振荡类型
陶瓷谐振器
频率模式
HXT
LXT
晶体振荡器
HXT
频率
C1(pF)
C2(pF)
455 kHz
100~150
100~150
2.0 MHz
20~40
20~40
4.0 MHz
10~30
10~30
32.768kHz
25
15
100KHz
25
25
200KHz
25
25
455KHz
20~40
20~150
1.0MHz
15~30
15~30
2.0MHz
15
15
4.0MHz
15
15
注: C1 和 C2 值仅供参考
5.7.3 外部 RC 振荡模式
对于一些不需要精确计时的应用,RC 振荡器(图 5-13)提供了一种大幅节省成本的方案。
然而,应该注意到,RC 振荡器的频率会受供电电压、电阻(Rext)、电容(Cext)甚至工作
温度的影响。另外,因为生产过程的差异,一个器件的频率与另外一个器件的频率也会
存在细微的差别。
为了维持在一个稳定的系统频率下,Cext 值应该大于 20 pF,Rext 值不高于 1 MΩ。如
果它们不在此范围内,系统频率很容易受噪声、湿度和漏电流的影响。
在 RC 振荡模式中,Rext 值越小,其振荡频率越快。相反,对一个非常小的 Rext 值,
例如 1 KΩ,振荡器将变得不稳定。因为 NMOS 不能及时的释放电容电荷。
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• 23
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基于以上原因,必须时刻牢记,供电电压、工作温度、RC 振荡器的元件特性、封装类
型、PCB layout 等因素都会对系统频率产生影响。
Vcc
Rext
OSCI
Cext
EM78P153S
图5-13 外部RC振荡模式电路
表 5-7 RC 振荡频率
Cext
20 pF
100 pF
300 pF
Rext
平均 Fosc 5V,25°C
平均 Fosc 3V,25°C
3.3k
3.92 MHz
3.63MHz
5.1k
2.67 MHz
2.6 MHz
10k
1.4 MHz
1.4 MHz
100k
150 KHz
156 KHz
3.3k
1.4 MHz
1.33 MHz
5.1k
940 KHz
917 KHz
10k
476 KHz
480 KHz
100k
50 KHz
52 KHz
3.3k
595 KHz
570 KHz
5.1k
400 KHz
384 KHz
10k
200 KHz
203 KHz
100k
20.9 KHz
20 KHz
1
注 : : 数据在DIP封装类型上测量
2
: 以上数据仅用作设计参考
3
: 频率偏移为± 30%.
5.7.4 内部 RC 振荡模式
EM78P152/3S 提供了种通用的内部 RC 模式其默认频率为 4MHz。内部 RC 振荡模式还
有其它频率值:8MHz、1MHz 和 455KHz,可通过编程设置代码选项位 RCM1 和 RCM0
选择内部 RC 振荡模式的四个频率值。
这四个主频均可通过编程代码选项位 CAL0~CAL2
进行校准。表 5-8 描述了 EM78P152/3S 随供电电压、温度和制程变化的内部 RC 频率
偏移率。
24 •
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表 5-8 内部RC频率偏移率(Ta=25°C , VDD=5 V± 5%, VSS=0V)
偏移率
内部 RC
温度
(0°C~70°C)
电压
(2.3V~5.5V)
制程
总计
8MHz
± 3%
± 5%
± 10%
± 18%
4MHz
± 3%
± 5%
± 5%
± 13%
1MHz
± 3%
± 5%
± 10%
± 18%
455kHz
± 3%
± 5%
± 10%
± 18%
注: 以上数据为理论值,仅用作设计参考。实际值可能随实际制程而有所不同。
5.8 代码选项寄存器
EM78P152/3S 有一个代码选项字,它不位于用户程序存储空间。在执行用户程序时,
这些位不可被存取。
代码选项寄存器和用户 ID 寄存器组织如下:
Word 0
Word1
Word 2
Bit12~Bit0
Bit1~Bit0
Bit12~Bit0
5.8.1 代码选项寄存器(Word 0)
WORD 0
Bit12
Bit11
Bit10
Bit9
Bit8
Bit7
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
/RES
ET
/ENW
DT
CLKS
OSC1
OCS0
CS
SUT1
SUT0
TYPE
RCOUT
C2
C1
C0
Bit 12 (/RESET): 定义引脚7为复位引脚
0: 使能/RESET
1: 禁止/RESET
Bit 11 (/ENWTD): 看门狗定时器使能位
0: 使能
1: 禁止
注意
当应用 port 6 引脚状态变化唤醒功能时,此位必须使能,但 WDTE 位
(IOCE 寄存器的 bit 6)必须禁止。
Bit 10 (CLKS): 指令周期选择位
0: 两个振荡周期
1: 四个振荡周期
参考指令集章节。
Bit 9 and Bit 8 ( OSC1 and OSC0 ): 振荡模式选择位
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表 5-9 由OSC1和OSC0定义的振荡模式
振荡模式
OSC1
OSC0
IRC(内部RC振荡模式)
1
1
ERC(外部RC振荡模式)
1
0
HXT(高频晶振模式)
0
1
LXT(低频晶振模式)
0
0
注: HXT 和 LXT 系统频率的临界点为 400kHz.
Bit 7 (CS): 代码保护位
0: 开启保护
1: 关闭保护
Bit 6 与 Bit 5 ( SUT1 and SUT0 ): 器件启动时间选择位
表 5-10 器件启动时间选择位
SUT1
SUT0
*启动时间
1
1
18 ms
1
0
4.5 ms
0
1
288 ms
0
0
72 ms
* 表中数据为理论值,仅供参考
Bit 4 (Type): EM78P152/3S 器件类型选择位
类型
系列
0
EM78P152/3S
1
X
Bit 3 (RCOUT): P64/OSCO复用引脚用作振荡输出或I/O端口选择位
RCOUT
引脚功能
0
P64
1
OSCO
Bit 2, Bit 1 和 Bit 0 ( C2, C1, C 0 ): 内部RC模式频率校准位
C2,C1,C0 必须设置为“1”。
代码选项寄存器 (Word 1)
WORD1
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Bit1
Bit0
RCM1
RCM0
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Bit 1, and Bit 0 ( RCM1, RCM0): RC 模式选择位
RCM 1
RCM 0
*频率(MHz)
1
1
4
1
0
8
0
1
1
0
0
455kHz
用户 ID 寄存器 (Word 2)
Bit 12~Bit 0
XXXXXXXXXXXXX
Bit 12~ 0: 用户的ID代码
5.9 上电探讨
在供电电压达到稳定状态前,任何微控制器都不能确保正常工作。在用户应用中,当电
源关闭,Vdd 在电源再次开启前,必须降到 1.8V 以下并保持在关断状态大约 10us。这
样 EM78P152/3S 将会复位并正常工作。如果 Vdd 上升得非常快(50 ms 或更少),额外
的外部复位电路将工作的非常好。但是在涉及到关键应用的大多数情况下,可能需要额
外的器件来辅助解决上电问题。
5.10 编程设置振荡器启动时间
代码选项字中的 SUT0 和 SUT1 可定义振荡器的启动时间。理论上,启动时间范围在
4.5ms 到 72ms。对于大多数晶体和陶瓷谐振器,工作频率越低,所需的启动时间越长。
表 12 显示了振荡器启动时间值。
5.11 外部上电复位电路
下图提供了一个利用外部 RC 电路产生复位脉冲的电路。脉冲宽度(时间常数)应该足够
长以使 Vdd 达到最低工作电压。此电路用在供电电压上升很慢的情况。因为/RESET 引
脚的漏电流大约为±5µA,因此建议 R 值不要大于 40 KΩ。此时,/RESET 引脚电压保
持在 0.2V 以下。二极管(D)在掉电时作为短路回路。电容 C 将快速充分放电。限流电阻
Rin 可防止高电流或 ESD(静电释放)灌入/RESET 引脚。
Vdd
R
/RESET
D
EM78P153S
Rin
C
图 5-14 外部上电复位电路
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5.12 残留电压保护
更换电池时,器件电源(Vdd)关断,但仍会存在残留电压。残留电压可能会掉到低于最
小工作电压 Vdd,但不为零。此条件可能触发一个不良上电复位。下面两图显示了怎样
为 EM78P152/3S 建立残留电压保护电路。
Vdd
Vdd
33K
EM78P153S
Q1
10K
/RESET
100K
1N4684
图 5-15 残留电压保护电路1
V dd
Vdd
R1
E M78P 153S
Q1
/R E S E T
R3
R2
图 5-16 残留电压保护电路2
注: * 图 5-15 和 图 5-16 所示电路在设计上应该保证/RESET 引脚电压高于 VIH(min).
5.13 指令集
指令集中的每条指令均是 13 位。指令分为一个操作码和一个或多个操作数。一般情况
下,除非指令的执行改变了程序计数器的值("MOV R2,A", "ADD R2,A")或者对 R2 的算
术或逻辑操作 (例如. "SUB R2,A", "BS (C) R2,6", "CLR R2", ⋅⋅⋅⋅).,否则执行所有的指令
28 •
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都只占用单个指令周期(一个指令周期包含 2 个振荡周期)
。对于前面两种特殊的指令,
执行指令需要两个指令周期。
如果由于某种原因,指令周期不适合特定应用,可尝试做如下修改:
(A) 改变指令周期为包含 4 个振荡周期。
(B) 在两个指令周期内执行,"JMP", "CALL", "RET", "RETL", "RETI"或条件测试结果为
“真”的条件转移指令("JBS", "JBC", "JZ", "JZA", "DJZ", "DJZA")和向程序计数器
写入的指令的执行均占用两个指令周期。
事件(A) 可通过设置代码选项位——CLK 来选择,如果 CLK 为“0”
,则一个指令周期包
含两个振荡周期;如果 CLK 为“1”
,则一个指令周期包含 4 个振荡周期。
注意:一旦在事件(A)中选择一个指令周期包含 4 个振荡周期,TCC 的内部时钟源应为
CLK=Fosc/4,而不是图 5 所示的 Fosc / 2。
另外,指令集具有如下特性:
(1) 任何寄存器的每个位都可被置 1、清零或直接测试。
(2) I/O 寄存器可被当作通用寄存器。也就是,相同的指令可操作 I/O 寄存器。
符号“R”表示一个寄存器指示符,用来指定指令操作哪个寄存器(包括操作寄存器和
通用寄存器)。
“b”表示一个位指示符,指定位于 R 寄存器中会影响操作的位。
“K”代
表一个 8 位或 10 位常数或立即数。
二进制指令
十六进制
助记符
操作
受影响标志位
0 0000 0000 0000
0000
NOP
空操作
无
0 0000 0000 0001
0001
DAA
A累加器十进制调整
C
0 0000 0000 0010
0002
CONTW
A → CONT
无
0 0000 0000 0011
0003
SLEP
0 → WDT, 振荡器停振
T,P
0 0000 0000 0100
0004
WDTC
0 → WDT
T,P
0 0000 0000 rrrr
000r
IOW R
A → IOCR
无
0 0000 0001 0000
0010
ENI
使能全局中断
无
0 0000 0001 0001
0011
DISI
禁止全局中断
无
0 0000 0001 0010
0012
RET
[栈顶] → PC
无
0 0000 0001 0011
0013
RETI
[栈顶] → PC, 使能全局中断
无
0 0000 0001 0100
0014
CONTR
CONT → A
无
0 0000 0001 rrrr
001r
IOR R
IOCR → A
无
0 0000 01rr rrrr
00rr
MOV R,A
A→R
无
0 0000 1000 0000
0080
CLRA
0→A
Z
0 0000 11rr rrrr
00rr
CLR R
0→R
Z
0 0001 00rr rrrr
01rr
SUB A,R
R-A → A
Z,C,DC
0 0001 01rr rrrr
01rr
SUB R,A
R-A → R
Z,C,DC
0 0001 10rr rrrr
01rr
DECA R
R-1 → A
Z
版本号 (V1.8) 09.08.2009
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1
1
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8位OTP微控制器
二进制指令
十六进制
助记符
操作
受影响标志位
0 0001 11rr rrrr
01rr
DEC R
R-1 → R
Z
0 0010 00rr rrrr
02rr
OR A,R
A ∨ VR → A
Z
0 0010 01rr rrrr
02rr
OR R,A
A ∨ VR → R
Z
0 0010 10rr rrrr
02rr
AND A,R
A&R→A
Z
0 0010 11rr rrrr
02rr
AND R,A
A&R→R
Z
0 0011 00rr rrrr
03rr
XOR A,R
A⊕R→A
Z
0 0011 01rr rrrr
03rr
XOR R,A
A⊕R→R
Z
0 0011 10rr rrrr
03rr
ADD A,R
A+R→A
Z,C,DC
0 0011 11rr rrrr
03rr
ADD R,A
A+R→R
Z,C,DC
0 0100 00rr rrrr
04rr
MOV A,R
R→A
Z
0 0100 01rr rrrr
04rr
MOV R,R
R→R
Z
0 0100 10rr rrrr
04rr
COMA R
/R → A
Z
0 0100 11rr rrrr
04rr
COM R
/R → R
Z
0 0101 00rr rrrr
05rr
INCA R
R+1 → A
Z
0 0101 01rr rrrr
05rr
INC R
R+1 → R
Z
0 0101 10rr rrrr
05rr
DJZA R
R-1 → A, 值为零则跳过下条指令
无
0 0101 11rr rrrr
05rr
DJZ R
R-1 → R, 值为零则跳过下条指令
无
0 0110 00rr rrrr
06rr
RRCA R
R(n) → A(n-1),R(0) → C, C → A(7)
C
0 0110 01rr rrrr
06rr
RRC R
R(n) → R(n-1),R(0) → C, C → R(7)
C
RLCA R
R(n) → A(n+1),R(7) → C, C → A(0)
C
0 0110 10rr rrrr
06rr
0 0110 11rr rrrr
06rr
RLC R
R(n) → R(n+1),R(7) → C, C → R(0)
C
0 0111 00rr rrrr
07rr
SWAPA R
R(0-3) → A(4-7),R(4-7) → A(0-3)
无
0 0111 01rr rrrr
07rr
SWAP R
R(0-3) ↔ R(4-7)
无
0 0111 10rr rrrr
07rr
JZA R
R+1 → A, 值为零则跳过下条指令
无
0 0111 11rr rrrr
07rr
JZ R
R+1 → R, 值为零则跳过下条指令
无
0 100b bbrr rrrr
0xxx
BC R,b
0 → R(b)
无
0 101b bbrr rrrr
0xxx
BS R,b
1 → R(b)
无
0 110b bbrr rrrr
0xxx
JBC R,b
如果 R(b)=0, 跳过下条指令
无
0 111b bbrr rrrr
0xxx
JBS R,b
如果R(b)=1, 跳过下条指令
无
1 00kk kkkk kkkk
1kkk
CALL k
PC+1 → [SP],(Page, k) → PC
无
1 01kk kkkk kkkk
1kkk
JMP k
(Page, k) → PC
无
1 1000 kkkk kkkk
18kk
MOV A,k
k→A
无
1 1001 kkkk kkkk
19kk
OR A,k
A∨k→A
Z
1 1010 kkkk kkkk
1Akk
AND A,k
A&k→A
Z
1 1011 kkkk kkkk
1Bkk
XOR A,k
A⊕k→A
Z
1 1100 kkkk kkkk
1Ckk
RETL k
k → A,[ 栈顶] → PC
无
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8位OTP微控制器
二进制指令
十六进制
助记符
操作
受影响标志位
1 1101 kkkk kkkk
1Dkk
SUB A,k
k-A → A
Z,C,DC
1 1110 0000 0001
1E01
INT
PC+1 → [SP],001H → PC
无
1 1111 kkkk kkkk
1Fkk
ADD A,k
k+A → A
Z,C,DC
1
注: 此指令仅适用于IOC5~IOC6, IOCB ~ IOCF
6
2
此指令不建议用于操作RF寄存器
3
此指令不能操作RF寄存器
最大绝对值
项目
范围
温度范围
0°C 到 70°C
存储温度
-65°C 到 150°C
输入电压
-0.3V 到 +6.0V
输出电压
-0.3V 到 +6.0V
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• 31
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
7
电气特性
7.1 直流电气特性( Ta= 0°C ~ 70 °C, VDD= 5.0V±5%, VSS=
0V )
符号
参数
条件
最小值 典型值 最大值 单位
Fxt
XTAL: VDD 到 2.3V
1条指令周期为2个时钟周期
DC
4.0
MHz
Fxt
XTAL: VDD 到 3V
1条指令周期为2个时钟周期
DC
8.0
MHz
Fxt
XTAL: VDD 到 5V
1条指令周期为2个时钟周期
DC
20.0
MHz
ERC
RC: VDD 到 5V
R: 5KΩ, C: 39 pF
IIL
输入引脚输入漏电流
VIN = VDD, VSS
VIH1
输入高电压(VDD=5.0V)
Ports 5, 6
VIL1
输入低电压(VDD=5.0V)
Ports 5, 6
VIHT1
输入高临界电压(VDD=5.0V)
/RESET, TCC (施密特触发)
VILT1
输入低临界电压(VDD=5.0V)
/RESET, TCC (施密特触发)
VIHX1
时钟输入高电压(VDD=5.0V)
OSCI
VILX1
时钟输入低电压(VDD=5.0V)
OSCI
VIH2
输入高电压(VDD=3.0V)
Ports 5, 6
VIL2
输入低电压(VDD=3.0V)
Ports 5, 6
VIHT2
输入高临界电压(VDD=3.0V)
/RESET, TCC (施密特触发)
VILT2
输入低临界电压(VDD=3.0V)
/RESET, TCC (施密特触发)
VIHX2
时钟输入高电压 (VDD=3.0V)
OSCI
VILX2
时钟输入低电压(VDD=3.0V)
OSCI
VOH1
输出高电压(Ports 5, 6) (P60~P63,
P66~P67 为施密特触发)
IOH = -12.0 mA
VOL1
输出低电压(P50~P53, P60~P63,
P66~P67), (P60~P63, P66~P67为施
密特触发)
IOL = 12.0 mA
0.4
V
VOL2
输出低电压(P64,P65)
IOL = 16.0 mA
0.4
V
IPH
上拉电流
激活上拉,输入引脚接VSS
-50
-100
-240
µA
IPD
下拉电流
激活下拉,输入引脚接VDD
20
50
120
µA
ISB1
省电电流
所有输入引脚和I/O引脚接
VDD,输出引脚悬空,WDT禁止
1
µA
ISB2
省电电流
所有输入引脚和I/O引脚接
VDD,输出引脚悬空,WDT使能
10
µA
15
30
µA
19
35
µA
2.0
mA
ICC1
ICC2
ICC3
32 •
工作供电电流(VDD=3V)
在2个CLKS
工作供电电流(VDD=3V)
在2个CLKS
工作供电电流(VDD=5.0V)
F-30% 1500 F+30% KHz
±1
2.0
µA
V
0.8
2.0
V
V
0.8
2.5
V
V
1.0
1.5
V
V
0.4
1.5
V
V
0.4
1.5
V
V
0.6
2.4
V
V
/RESET= '高', Fosc=32KHz
(晶振类型,CLKS="0"),
15
输出引脚悬空, WDT 禁止
/RESET= '高', Fosc=32KHz
(晶振类型,CLKS="0"),
输出引脚悬空, WDT 使能
/RESET= '高', Fosc=4MHz
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EM78P152/3S
8位OTP微控制器
符号
参数
条件
在2个CLKS
最小值 典型值 最大值 单位
(晶振类型, CLKS="0"),
输出引脚悬空
ICC4
/RESET= '高', Fosc=10MHz
工作供电电流(VDD=5.0V)
4.0
(晶振类型, CLKS="0"),
在2个CLKS
mA
输出引脚悬空
注:* 这些参数为特性值并已经过测试。
7.2 交流电气特性(Ta=0°C ~ 70 °C, VDD=5V±5%, VSS=0V)
符号
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
45
50
55
%
Dclk
输入时钟的占空比
Tins
指令周期
(CLKS="0")
Ttcc
TCC 输入时间周期
Tdrh
器件复位持续时间
Ta = 25°C
17.6-30%
TXAL,SUT1,SUT0=1,1
Trst
/RESET 脉冲宽度
Ta = 25°C
*Twdt1*
看门狗定时器时间周期
Ta = 25°C
SUT1,SUT0=1,1
17.6-30%
17.6
17.6+30%
ms
*Twdt2*
看门狗定时器时间周期
Ta = 25°C
SUT1,SUT0=1,0
4.5-30%
4.5
4.5+30%
ms
*Twdt3*
看门狗定时器时间周期
Ta = 25°C
SUT1,SUT0=0,1
288-30%
288
288+30%
ms
*Twdt4*
看门狗定时器时间周期
Ta = 25°C
SUT1,SUT0=0,0
72-30%
72
72+30%
ms
晶振类型
100
DC
ns
RC 类型
500
DC
ns
(Tins+20)/N*
ns
17.6
17.6+30%
2000
ms
ns
Tset
输入引脚启动时间
0
ns
Thold
输入引脚保持时间
20
ns
Tdelay
输出引脚延迟时间
50
ns
Cload=20pF
注: 这些参数为理论值,未经测试
看门狗定时器的持续时间有代码选项(Bit 6, Bit 5)定义
*N = 所选预分频比
*Twdt1: 代码选项字(SUT1,SUT0)用于定义振荡器启动时间。在晶振模式下,WDT溢出周期等于启动时
间(18ms)。
*Twdt2: 代码选项字(SUT1,SUT0)用于定义振荡器启动时间。在晶振模式下,WDT溢出周期等于启动时
间(4.5ms)。
*Twdt3: 代码选项字(SUT1,SUT0)用于定义振荡器启动时间。在晶振模式下,WDT溢出周期等于启动时
间(288ms)。
*Twdt4: 代码选项字(SUT1,SUT0)用于定义振荡器启动时间。在晶振模式下,WDT溢出周期等于启动时
间(72ms)。
版本号 (V1.8) 09.08.2009
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• 33
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
8
时序图
图 8-1 EM78P152/3S 时序图
34 •
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8位OTP微控制器
附录
A 封装类型
OTP MCU
封装类型
引脚数
封装尺寸
EM78P153SPS/J
DIP
14
300 mil
EM78P153SNS/J
SOP
14
150 mil
EM78P152SKMS/J
SSOP
10
150 mil
S/J: 绿色产品不含有害物质
产品符合 Sony SS-00259 第三版标准。
Pb 含量小于 100ppm。
Pb 含量符合 Sony 数据手册。
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项目
EM78P152/3SS/J
电镀类型
纯锡
成份 (%)
Sn:100%
熔点(°C)
232℃
电阻率 (µΩ-cm)
11.4
硬度(hv)
8~10
伸长 (%)
>50%
• 35
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
B 封装信息
„
14-引脚塑封双列直插封装(PDIP) — 300 mil
图 B-1a EM78P153S 14-引脚 PDIP 封装类型
36 •
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EM78P152/3S
8位OTP微控制器
„
14-引脚塑封小外形封装(SOP) — 150 mil
图 B-1b EM78P153S 14-引脚 SOP 封装类型
版本号 (V1.8) 09.08.2009
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• 37
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
„
38 •
10-引脚塑封缩小小外形封装(SSOP) — 150 mil
版本号 (V1.8) 09.08.2009
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EM78P152/3S
8位OTP微控制器
C 器件特性
以下所列图所示特性取自有限的样品,并不保证它的准确性,在此仅用作参考。有些图
片所示数据可能超出规格指定的工作范围。
Vih/Vil (带施密特反向器的输入引脚)
Vih Vil (Volt)
2
Vih max (-40℃ to 85℃)
Vih typ 25℃
1.5
Vih min (-40℃ to 85℃)
1
Vil max (-40℃ to 85℃)
0.5
Vil typ 25℃
Vil min (-40℃ to 85℃)
0
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
Vdd (Volt)
图 C-1 P60~P63, P66, P67的 Vih、 Vil vs. VDD
版本号 (V1.8) 09.08.2009
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• 39
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
I/O引脚的Vth (输入临界电压)
2.2
2
1.8
Vth (Volt)
1.6
最大值 (-40℃ 到 85℃)
典型值 25℃
1.4
1.2
最小值(-40℃ 到 85℃)
1
0.8
0.6
0.4
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
VDD (Volt)
图 C-2 P50~P53, P64~P65的Vth (临界电压) vs. VDD
Voh/Ioh (VDD=5V)
0
Ioh (mA)
-5
-10
最小值 70℃
-15
典型值 25℃
-20 最大值 0℃
-25
0
1
2
3
4
5
Voh (Volt)
图 C-3 Port5 和 Port6 Voh vs. Ioh, VDD=5V
图 C-4 Port5 和 Port6 Voh vs. Ioh, VDD=3V
40 •
版本号 (V1.8) 09.08.2009
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EM78P152/3S
8位OTP微控制器
Vol/Iol (VDD=5V)
100
最大值 0 ℃
80
典型值 25 ℃
Iol (mA)
最小值 70 ℃
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
Vol (Volt)
图 C-5 Port5, Port6.0~Port6.3 和 Port6.6~Port6.7 Vol vs. Iol, VDD=5V
Vol/Iol (VDD=3V)
40
最大值 0 ℃
典型值 25 ℃
Iol (mA)
30
最小值 70 ℃
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Vol (Volt)
图 C-6 Port5, Port6.0~Port6.3 和 Port6.6~Port6.7 Vol vs. Iol, VDD=3V
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 41
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
Vol/Iol (VDD=5V)
120
最大值0℃
100
典型值 25℃
80
Iol (mA)
最小值 70℃
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
Vol (Volt)
图 C-7 Port6.4 和 Port6.5 Vol vs. Iol, VDD=5V
Vo l/Io l (VDD=3 V)
60
最大值 0 ℃
50
典型值25 ℃
Iol (mA)
40
最小值 70 ℃
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Vol (Volt)
图 C-8 Port6.4 和 Port6.5 Vol vs. Iol, VDD=3V
42 •
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
W DT 溢出
35
WDT 周期(mS)
30
最大值 70 ℃
25
典型值 25 ℃
20
最小值 0 ℃
15
10
2
3
4
5
6
VDD (Volt)
图 C-9 WDT 溢出周期 vs. VDD, 预分频比设置为 1:1
Cext=100pF, RC OSC 频率典型值
1.4
R = 3.3K
1.2
R = 5.1K
频率 (M Hz)
1
0.8
R = 10K
0.6
0.4
0.2
R = 100K
0
2.5
3
3.5
4
4.5
VDD (Volt)
5
5.5
图 C-10 RC OSC 频率典型值 vs. VDD (Cext=100pF, 温度在 25℃)
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 43
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
图 C-11 RC OSC 频率典型值vs. 温度(R 和 C 为理想元件)
IRC OSC 频率 (VDD=5V)
9
OSC = 8M Hz
8
频率 (M Hz)
7
6
5
OSC = 4M Hz
4
3
OSC = 1M Hz
OSC = 455K Hz
2
1
0
0
25
50
70
温度 (℃)
图 C-12 内部 RC OSC 频率 vs. 温度, VDD=5V
44 •
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
IRC 振荡频率 (VDD=3V)
9
OSC = 8M Hz
8
频率 (M Hz)
7
6
5
OSC = 4M Hz
4
3
OSC = 1M Hz
OSC = 455K Hz
2
1
0
0
25
50
70
温度 (℃)
图 C-13 内部 RC 振荡频率 vs. 温度, VDD=3V
工作电流 ICC1~ICC4 对应四个条件,分别如下:
ICC1: VDD=3V, Fosc=32K Hz, 2 个时钟周期, WDT 禁止
ICC2: VDD=3V, Fosc=32K Hz, 2 个时钟周期 , WDT 使能
ICC3: VDD=5V, Fosc=4M Hz, 2 个时钟周期, WDT 使能
ICC4: VDD=5V, Fosc=10M Hz, 2 个时钟周期, WDT 使能
ICC1 和 ICC2典型值 vs. 温度
电流 (uA)
18
15
ICC2典型值
ICC1典型值
12
9
0
10
20
30
40
50
60
70
温度 (℃)
图 C-14 工作电流典型值 (ICC1和 ICC2) vs. 温度
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
• 45
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
ICC1 和 ICC2最大值 vs. 温度
24
电流 (uA)
21
ICC2最大值
ICC1最大值
18
15
0
10
20
30
40
50
60
70
60
70
温度 (℃)
图 C-15 工作电流最大值 (ICC1 和 ICC2) vs. 温度
ICC3 和 ICC4典型值 vs. 温度
4
电流 (mA)
3.5
ICC4典型值
3
2.5
2
ICC3典型值
1.5
1
0.5
0
10
20
30
40
50
温度 (℃)
图 C-16 工作电流典型值 (ICC3 和 ICC4) vs. 温度
46 •
版本号 (V1.8) 09.08.2009
(产品更新后规格书不保证同步更新)
EM78P152/3S
8位OTP微控制器
ICC3 和 ICC4最大值 vs. 温度
4
电流 (mA)
3.5
ICC4 最大值
3
2.5
2
ICC3 最大值
1.5
1
0
10
20
30
40
50
60
70
60
70
温度 (℃)
图 C-17 工作电流的最大值 (ICC3 和 ICC4) vs. 温度
省电电流 ISB1 和 ISB2 对应两个条件。分别如下:
ISB1: VDD=5V, WDT 禁止
ISB2: VDD=5V, WDT 使能
ISB1 和 ISB2典型值 vs. 温度
12
电流(uA)
9
ISB2 典型值
6
3
ISB1 典型值
0
0
10
20
30
40
50
温度 (℃)
图 C-18 省电电流典型值 (ISB1 和 ISB2) vs. 温度
版本号 (V1.8) 09.08.2009
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• 47