Cree CPW2-1200S050 碳化硅肖特基二极管芯片

CPW2-1200S050–碳化硅肖特基二极管芯片
Zero Recovery® 整流器
VRRM = 1200 V
IF(AVG)= 50 A
特点
•
•
•
•
•
•
•
Qc 芯片轮廓
= 305 nC
1200 伏肖特基整流器
零反向恢复
零正向恢复
高频工作
与温度无关的开关特性
极快的开关
正向电压 (VF) 的正温度系数
部件号
阳极
阴极
封装
标记
CPW2-1200S050B
Al
NiV/Ag
金属箔上切割
金属箔上的晶片编号
Rev. B
W2-1200S050
技术数据表:CP
最大额定值
符号
参数
值
单位
VRRM
测试条件
反向重复峰值电压
1200
V
VRSM
反向浪涌峰值电压
1200
V
VDC
直流阻断电压
1200
V
IF(AVG)
平均正向电流
50
A
TJ=175˚C
注
IFRM
正向重复峰值浪涌电流
待定
A
TC=25˚C,tP=8.3 ms,半正弦波
1
IFSM
正向不重复峰值浪涌电流
待定
A
TC=25˚C, tP=10 µs, 脉冲
1
-55 至
+175
˚C
TJ,Tstg
工作结温和存储温度
信息若有更改,恕不另行通知。
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1
电气特征
符号
参数
典型
最大
单位
测试条件
VF
正向电压
1.65
2.6
2.0
3.0
V
IF = 50 A TJ=25°C
IF = 50 A TJ=175°C
IR
反向电流
10
50
200
1000
μA
VR = 1200 V TJ=25°C
VR = 1200 V TJ=175°C
QC
总电容电荷
305
nC
VR = 500 V,IF = 50 A
di/dt = 500 A/μs
TJ = 25°C
C
总电容
4500
396
325
pF
VR = 0 V,TJ = 25°C,f = 1 MHz
VR = 200 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
VR = 400 V,TJ = 25˚C,f = 1 MHz
注:
1.假定
θJ-C 热阻 0.5˚C/W 或以下
机械参数
参数
典型
单位
裸芯片尺寸
4.02 x 8.23
mm
阳极板尺寸
3.58 x 7.77
mm
阳极板开口
3.22 x 7.41
mm
厚度
387 ± 10%
μm
100
mm
4
μm
1.8
μm
晶片尺寸
阳极金属化 (Al)
阴极金属化 (Ni/Ag)
前端钝化
2
氮化物
CPW2-1200S050 Rev. B
注
芯片尺寸
A
符号
D
B
尺寸
mm
in
A
8.23
0.324
B
4.02
0.158
C
7.41
0.292
D
3.22
0.127
C
部件号
阳极
阴极
封装
标记
CPW2-1200S050B
Al
NiV/Ag
金属箔上切割
金属箔上的晶片编号
用将裸芯片置于胶带上的方法来交付这些 SiC 裸芯片,只能作为一种临时性的存储方式。由于附着力随时间而增强,裸芯片如果
存储时间过长,可能会在胶带上粘贴得过牢。收货后,应当尽快将这些裸芯片存储在可调温的充氮防潮箱内。Cree 进一步建议,
将所有裸芯片从胶带上取下,放入一个叠压芯片盒或类似的存储介质中,或者在交付后的 2 - 3 周内就用于生产,以确保所有裸
芯片 100% 剥离而不会产生问题。
本产品并未针对以下应用进行设计或测试,也不用于以下应用:植入人体的应用;产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用,包括但不限
于用于以下操作中的装置:核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。
版权所有 © 2008-2009 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree、Cree 徽标和 Zero Recovery 都是 Cree,
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CPW2-1200S050 Rev. B
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