cf5073_nc0105c

CF5073 series
バリキャップ内蔵 VCXO モジュール用 IC
■概要
CF5073 series はバリキャップ内蔵の VCXO 用 IC です。発振起動時と定常発振時で負性抵抗を切替える新開
発の発振回路を採用しました。これにより、良好な発振起動特性と幅広い周波数可変量の両立を可能にします。
さらに、バリキャップ搭載 CMOS プロセスを採用し、VCXO を構成するのに必要な回路部品を 1chip 化してい
ますので、水晶振動子を接続するだけで VCXO モジュールを実現できます。
■特長
• 電源電圧範囲:3.0 ∼ 3.6V
• 出力レベル:CMOS
• 動作周波数:10 ∼ 60MHz
• 出力 Duty:50 ± 10%
( バージョンにより分割 )
• 負性抵抗切替機能採用
• バリキャップダイオード内蔵
• 出力ドライバビリティ:6mA (min)
• 出力負荷 C L:15pF
• 分周回路内蔵
• チップフォーム (CF5073××)
• スタンバイ機能:スタンバイ時出力 Hi-Z
( バージョンにより fo, fo/2, fo/4, fo/8, fo/16, fo/32)
■シリーズ構成
バージョン名
標準発振
周波数1 [MHz]
CF5073A×
16
CF5073B×
23
CF5073C×
30
CF5073D×
37
CF5073E×
44
CF5073F×
51
出力周波数
1
CF5073 ×1
CF5073 ×22 2
CF5073×33 2
CF5073×442
CF5073 ×55 2
CF5073×66 2
fo
fo/2
fo/4
fo/8
fo/16
fo/32
1. 標準発振周波数 は、バージョン選定時における 発振周波数の目安です。水晶振 動子の特性や実装状況によ り、発
振特性、周波数可変 特性等が異なります。同じ周波 数であっても、水晶振動子の特 性により最適なバージョン が
異なりますので、十分な評価のもとバージョンを選定して下さい。
2. このバージョンは現在、受注生産品です。詳細は当社営業部までお問い合わせ下さい。
■アプリケーション
• VCXO モジュール
• 通信機器
• 伝送装置
• 放送機器
■オーダーインフォメーション
Device
Package
CF5073××−1
Chip form
SEIKO NPC CORPORATION —1
CF5073 series
■パッド配置図
(Unit:µm)
VC
XTN
XT
7
6
(1240,1400)
1
5
VDD
4
Q
HA5073
INHN
2
3
(0,0)
VSS
チップサイズ:1.24 × 1.4mm
チップ厚:300 ± 30 µm
チップ裏面:V DD レベル
■端子説明・パッド座標
Pad No.
端子名
i/o
名称
パッド座標 (Unit: µm
m)
機能
X
Y
1
VC
i
発振周波数制御電圧
入力端子
正極性 ( 電圧増加で周波数が高くなります )
134
915
2
INHN
i
出力状態制御電圧
入力端子
"L" で出力 Hi-Z、プルアップ抵抗内蔵
137
295
3
VSS
−
(−) 電源端子
458
137
4
Q
o
出力端子
1086
155
5
VDD
−
(+) 電源端子
1106
772
6
XT
i
アンプ入力端子
829
1263
7
XTN
o
アンプ出力端子
416
1260
内部結線によって fo, fo/2, fo/4, fo/8, fo/16,
fo/32 のうちの一波を出力する
水晶振動子接続端子
XT, XTN の間に水晶振動子を接続
SEIKO NPC CORPORATION —2
CF5073 series
■ブロック図
Rf
1/2
CG
1/2
1/2
1/2
1/2
XT
Q
RD
CV
XTN
CC
CD
VDD
RB2
RB1
VC
VSS
RUP
INHN
注 ) XT 端子の静電耐圧は他の端子より弱くなっています。
XT 端子以外の端子の静電耐圧は当社従来品と同等です。
VC 端子は VDD 側に保護回路を設けておりません。( 下図 )
VC
Internal circuit
SEIKO NPC CORPORATION —3
CF5073 series
■絶対最大定格
特記なき場合 VSS = 0V
項目
記号
電源電圧範囲
V DD
入力電圧範囲
VIN
条件
定格
単位
− 0.5 ∼ + 7.0
V
VC 端子以外の入力端子
− 0.5 ∼ V DD + 0.5
V
VC 端子
− 0.5 ∼ VDD + 2.51
V
出力電圧範囲
VOUT
− 0.5 ∼ V DD + 0.5
V
動作温度範囲
T opr
− 40 ∼ + 85
°C
保存温度範囲
T STG
− 65 ∼ + 150
°C
出力電流
IOUT
20
mA
1. + 7.0V を超えないこと
■推奨動作条件
特記なき場合 VSS = 0V, f = 10MHz ∼ 60MHz, CL ≤ 15pF
項目
記号
規格
条件
MIN
TYP
単位
MAX
動作電源電圧
V DD
3.0
3.6
V
入力電圧
VIN
V SS
V DD
V
動作温度
TOPR
− 40
+ 85
°C
SEIKO NPC CORPORATION —4
CF5073 series
■電気的特性
● CF5073A×
特記なき場合 VDD = 3.0 ∼ 3.6V, VC = 1.65V, V SS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, IOH = 6mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 1, IOL = 6mA
出力リーク電流
IZ
Q 端子 , 測定回路 6,
INHN = "L"
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
V IL
INHN 端子
IDD
測定回路 2, 負荷回路 1,
INHN = "OPEN", CL = 15pF,
消費電流
f = 16MHz
INHN 端子 PULL UP 抵抗
RUP
Rf
RD
発振部内蔵抵抗
RB1
RB2
MIN
TYP
2.5
2.75
0.2
単位
MAX
V
0.4
V
V OH = V DD
10
µA
V OL = VSS
10
µA
0.7V DD
V
0.3V DD
V
CF5073A1
8
20
mA
CF5073A2
7.5
19.5
mA
CF5073A3
7
19.5
mA
CF5073A4 ∼ 6
7
19
mA
50
100
180
kΩ
150
300
540
kΩ
0.67
0.96
1.25
kΩ
100
200
360
kΩ
50
100
180
kΩ
V C = 0.3V
11.0
14.4
17.8
pF
V C = 3.0V
2.4
4.0
5.6
pF
25.5
30
34.5
pF
34
40
46
pF
8.5
10
11.5
pF
測定回路 3
設計値
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
測定回路 4
設計値
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
設計値
CV (ウェハー内モニター
パターンにて保証)
発振部内蔵容量
規格
条件
CG
設計値
CD
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
CC
SEIKO NPC CORPORATION —5
CF5073 series
● CF5073B×
特記なき場合 VDD = 3.0 ∼ 3.6V, VC = 1.65V, V SS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, IOH = 6mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 1, IOL = 6mA
出力リーク電流
IZ
Q 端子 , 測定回路 6,
INHN = "L"
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
V IL
INHN 端子
IDD
測定回路 2, 負荷回路 1,
INHN = "OPEN", CL = 15pF,
消費電流
f = 23MHz
INHN 端子 PULL UP 抵抗
RUP
Rf
RD
発振部内蔵抵抗
RB1
RB2
MIN
TYP
2.5
2.75
0.2
単位
MAX
V
0.4
V
V OH = V DD
10
µA
V OL = VSS
10
µA
0.7V DD
V
0.3V DD
V
CF5073B1
9
22
mA
CF5073B2
8
21
mA
CF5073B3
7.5
20.5
mA
CF5073B4 ∼ 6
7.5
20.5
mA
50
100
180
kΩ
150
300
540
kΩ
0.50
0.72
0.94
kΩ
100
200
360
kΩ
50
100
180
kΩ
V C = 0.3V
11.0
14.6
18.2
pF
V C = 3.0V
2.3
4.0
5.7
pF
25.5
30
34.5
pF
34
40
46
pF
12.7
15
17.3
pF
測定回路 3
設計値
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
測定回路 4
設計値
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
設計値
CV (ウェハー内モニター
パターンにて保証)
発振部内蔵容量
規格
条件
CG
設計値
CD
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
CC
SEIKO NPC CORPORATION —6
CF5073 series
● CF5073C×
特記なき場合 VDD = 3.0 ∼ 3.6V, VC = 1.65V, V SS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, IOH = 6mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 1, IOL = 6mA
出力リーク電流
IZ
Q 端子 , 測定回路 6,
INHN = "L"
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
V IL
INHN 端子
IDD
測定回路 2, 負荷回路 1,
INHN = "OPEN", CL = 15pF,
消費電流
規格
条件
f = 30MHz
MIN
TYP
2.5
2.75
0.2
RUP
Rf
RD
発振部内蔵抵抗
RB1
RB2
V
V OH = V DD
10
µA
V OL = VSS
10
µA
0.7V DD
発振部内蔵容量
V
0.3V DD
V
CF5073C1
10
24
mA
CF5073C2
9
23
mA
CF5073C3
8.5
22.5
mA
8
22
mA
50
100
180
kΩ
150
300
540
kΩ
0.50
0.72
0.94
kΩ
100
200
360
kΩ
50
100
180
kΩ
V C = 0.3V
11.0
14.6
18.2
pF
V C = 3.0V
2.3
4.0
5.7
pF
25.5
30
34.5
pF
25.5
30
34.5
pF
29.7
35
40.3
pF
測定回路 3
設計値
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
測定回路 4
設計値
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
設計値
CV (ウェハー内モニター
パターンにて保証)
V
0.4
CF5073C4 ∼ 6
INHN 端子 PULL UP 抵抗
単位
MAX
CG
設計値
CD
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
CC
SEIKO NPC CORPORATION —7
CF5073 series
● CF5073D×
特記なき場合 VDD = 3.0 ∼ 3.6V, VC = 1.65V, V SS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, IOH = 6mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 1, IOL = 6mA
出力リーク電流
IZ
Q 端子 , 測定回路 6,
INHN = "L"
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
V IL
INHN 端子
IDD
測定回路 2, 負荷回路 1,
INHN = "OPEN", CL = 15pF,
消費電流
規格
条件
f = 37MHz
MIN
TYP
2.5
2.75
0.2
RUP
Rf
RD
発振部内蔵抵抗
RB1
RB2
V
V OH = V DD
10
µA
V OL = VSS
10
µA
0.7V DD
発振部内蔵容量
V
0.3V DD
V
CF5073D1
11
26
mA
CF5073D2
9.5
24.5
mA
CF5073D3
9
24
mA
8.5
23.5
mA
50
100
180
kΩ
150
300
540
kΩ
0.25
0.36
0.47
kΩ
100
200
360
kΩ
50
100
180
kΩ
V C = 0.3V
11.0
14.6
18.2
pF
V C = 3.0V
2.3
4.0
5.7
pF
25.5
30
34.5
pF
25.5
30
34.5
pF
34
40
46
pF
測定回路 3
設計値
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
測定回路 4
設計値
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
設計値
CV (ウェハー内モニター
パターンにて保証)
V
0.4
CF5073D4 ∼ 6
INHN 端子 PULL UP 抵抗
単位
MAX
CG
設計値
CD
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
CC
SEIKO NPC CORPORATION —8
CF5073 series
● CF5073E×
特記なき場合 VDD = 3.0 ∼ 3.6V, VC = 1.65V, V SS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, IOH = 6mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 1, IOL = 6mA
出力リーク電流
IZ
Q 端子 , 測定回路 6,
INHN = "L"
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
V IL
INHN 端子
IDD
測定回路 2, 負荷回路 1,
INHN = "OPEN", CL = 15pF,
消費電流
規格
条件
f = 44MHz
MIN
TYP
2.5
2.75
0.2
RUP
Rf
RD
発振部内蔵抵抗
RB1
RB2
V
V OH = V DD
10
µA
V OL = VSS
10
µA
0.7V DD
発振部内蔵容量
V
0.3V DD
V
CF5073E1
12
28
mA
CF5073E2
10.5
26.5
mA
CF5073E3
9.5
25.5
mA
9
25
mA
50
100
180
kΩ
150
300
540
kΩ
0.25
0.36
0.47
kΩ
100
200
360
kΩ
50
100
180
kΩ
V C = 0.3V
11.0
14.6
18.2
pF
V C = 3.0V
2.3
4.0
5.7
pF
21.2
25
28.8
pF
21.2
25
28.8
pF
42.5
50
57.5
pF
測定回路 3
設計値
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
測定回路 4
設計値
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
設計値
CV (ウェハー内モニター
パターンにて保証)
V
0.4
CF5073E4 ∼ 6
INHN 端子 PULL UP 抵抗
単位
MAX
CG
設計値
CD
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
CC
SEIKO NPC CORPORATION —9
CF5073 series
● CF5073F×
特記なき場合 VDD = 3.0 ∼ 3.6V, VC = 1.65V, V SS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
"H" レベル出力電圧
VOH
Q 端子 , 測定回路 1, IOH = 6mA
"L" レベル出力電圧
V OL
Q 端子 , 測定回路 1, IOL = 6mA
出力リーク電流
IZ
Q 端子 , 測定回路 6,
INHN = "L"
"H" レベル入力電圧
V IH
INHN 端子
"L" レベル入力電圧
V IL
INHN 端子
IDD
測定回路 2, 負荷回路 1,
INHN = "OPEN", CL = 15pF,
消費電流
RUP
Rf
RD
発振部内蔵抵抗
RB1
RB2
TYP
2.5
2.75
0.2
単位
MAX
V
0.4
V
V OH = V DD
10
µA
V OL = VSS
10
µA
0.7V DD
V
0.3V DD
V
13
30
mA
CF5073F2
11
28
mA
CF5073F3
10
27
mA
CF5073F4 ∼ 6
9.5
26.5
mA
50
100
180
kΩ
150
300
540
kΩ
0.25
0.36
0.47
kΩ
100
200
360
kΩ
設計値
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
50
100
180
kΩ
V C = 0.3V
9.5
12.5
15.5
pF
V C = 3.0V
2.0
3.5
5.0
pF
17
20
23
pF
17
20
23
pF
42.5
50
57.5
pF
測定回路 3
設計値
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
測定回路 4
設計値
CV (ウェハー内モニター
パターンにて保証)
発振部内蔵容量
MIN
CF5073F1
f = 51MHz
INHN 端子 PULL UP 抵抗
規格
条件
CG
設計値
CD
(ウェハー内モニターパターンにて保証)
CC
SEIKO NPC CORPORATION —10
CF5073 series
■スイッチング特性
特記なき場合 VDD = 3.0 ∼ 3.6V, VC = 1.65V, VSS = 0V, Ta = − 40 ∼ + 85°C
項目
記号
規格 1
条件
MIN
単位
TYP
MAX
出力立ち上がり時間
t r1
測定回路 2, 負荷回路 1, 0.1V DD → 0.9VDD , C L = 15pF
2.5
6
ns
出力立ち下がり時間
t f1
測定回路 2, 負荷回路 1, 0.9V DD → 0.1VDD , C L = 15pF
2.5
6
ns
出力 DUTY サイクル
DUTY
50
60
%
出力ディスエーブル
遅延時間
tPLZ
100
ns
出力イネーブル
遅延時間
tPZL
100
ns
測定回路 2, 負荷回路 1, VDD = 3.3V, Ta = 25 °C,
CL = 15pF
40
測定回路 5, 負荷回路 1, VDD = 3.3V, Ta = 25 °C,
CL ≤ 15pF
1. スイッチング特性は、正常な波形が出力される場合の規格です。CF5073 series のバージョンと水晶振動子の組合せに
よっては、正常な波形が継続して出力されない場合があります。
■ NPC 特性確認用標準水晶データ
C0
L1
C1
f [MHz]
R1 [Ω]
L1 [mH]
C1 [fF]
C0 [pF]
30
7.06
2.25
12.5
3.11
R1
■機能説明
●スタンバイ機能
INHN 端子を Low レベルにすることで、Q 端子がハイ・インピーダンスになります。
INHN
Q
発振部
High (open)
fo, fo/2, fo/4, fo/8, fo/16, fo/32 の何れか一つ
動作
Low
Hi−Z
動作
SEIKO NPC CORPORATION —11
CF5073 series
■測定回路
●測定回路 1
●測定回路 4
R3
VDD
Signal
Generator
When
measuring VOL
C1
XT
R1
IRB1 A
Q
VDD
VC
VC
VSS
R2
Q output
VDD
VOH
0V
Q output
VDD
VOL
0V
When
measuring VOH
RB1 =
VDD
IRB1
XTN
VSS
XT 入力信号 : 2.5Vp-p , 10MHz, サイン波
C1 = 0.001µF, R1 = 50Ω, R2 = 417Ω, R3 = 434Ω, VC = 1.65V
●測定回路 5
●測定回路 2
C1
Signal
Generator
A
VDD
XT
VC
R1
Q
VSS
VDD
XT
INHN
INHN
X'tal
XTN
XT 入力信号 : 2.5Vp-p, 10MHz, サイン波
C1 = 0.001µF, R1 = 50Ω, VC = 1.65V
Q
VC
VSS
●測定回路 6
V C = 1.65V, INHN = "OPEN", 水晶発振
VDD
●測定回路 3
INHN
RUP =
VDD
VDD
IRUP
Q
VC
A
VSS
INHN
VC
A IRUP
VSS
V C = 1.65V
V C = 1.65V
SEIKO NPC CORPORATION —12
CF5073 series
●負荷回路 1
Q output
CL
(Including probe capacitance)
●スイッチング時間測定波形
○出力 DUTY レベル , tr , tf
0.9V DD
Q output
0.9V DD
0.1V DD
0.1V DD
DUTY measurement
voltage (0.5V DD )
TW
tr1
tf1
○出力 DUTY サイクル
DUTY measurement
voltage (0.5V DD)
Q output
TW
DUTY= TW/ T
T
100 (%)
●出力ディスエーブル遅延時間・出力イネーブル遅延時間
INHN
VIH
VIL
tPLZ
tPZL
Q output
INHN input waveform tr = tf
10ns
SEIKO NPC CORPORATION —13
CF5073 series
※このカタログに記載されている製品のご使用に際しては、次の点にご注意くださいますようお願い申し上げます。
1. このカタログに記載されている製品は、
その故障または誤作動が直接人命に関わる製品に使用されることを意図しておりません。
このような使用をご検討の場合には、
必ず事前に当社営業部までご相談ください。
なお、
事前の ご相談なく使用され、そのことに よって発生した損害 等については、当社では一切責 任を負いかねますの でご了承
ください。
2. このカタログに記載されている内容は、
特性、信頼性等の改善のため予告なしに変更されることがありますので予めご了承ください。
3. このカタログに記載されている内容は、第三者の知的財産権その他の権利を侵害していないことを保証するものではありません。
したがって、
その使用に起因する第三者の権利に対する侵害について当社は責任を負いかねますのでご了承ください。
4. このカタログに記載されている回路等の定数は一例を示すものであり、
量産に際しての設計を保証するものではありません。
5. このカタログに記載 されている製品の全 部または一部が、外国為替及び外国 貿易法その他の関係 法令に定める物資に 該当する
場合は、
それ らの法令に基づく輸 出の承認、
許 可が必要になります ので、
お客様 の方でその申請手 続きをお取りくださ るようお
願いいたします。
セ イ コ ー N P C 株 式 会 社
本社・東京営業所
〒 104­0032 東京都中央区八丁堀 1­9­9
TEL 03­5541­6501 FAX 03­5541­6510
那須塩原事業所
〒 329­2811 栃木県那須塩原市下田野 531­1
TEL 0287­35­3111( 代 ) FAX 0287­35­3120
関 西 営 業 所
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2006.04
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