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5410 series
バリキャップ内蔵 VCXO 用 IC
■概要
5410 series は、発振周波数 20～62MHz の VCXO モジュール用 IC です。固定通信用途をターゲットに独自開発のバ
リキャップダイオード搭載プロセスを採用したことにより、低位相雑音特性、外付け部品なしで幅広い周波数可変幅を実現
しました。5410 series を使用することにより、広可変、低位相雑音の VCXO モジュールを実現できます。
■特長
・独自開発のバリキャップダイオード内蔵 VCXO 用 IC
・動作電源電圧範囲 : 2.97～3.63V
・幅広い周波数可変範囲
・動作時消費電流
±150ppm@A1 version, VC=1.65±1.65V, f=40MHz
1.6mA@A1 version, f=40MHz,Q 端子無負荷時
(水晶振動子: γ= 330,C0 = 1.3pF)
2.7mA@B1 version, f=61.44MHz,Q 端子無負荷時
±140ppm@B1 version, VC=1.65±1.65V, f=61.44MHz
・分周回路内蔵
(水晶振動子: γ= 350, C0 = 3.2pF)
バージョンにより出力周波数をfOSC,fOSC/2,fOSC/4,
・発振周波数範囲 （基本波発振） : 20～40MHz(A1～A5 version)
fOSC/8,fOSC/16 から選択
：40～62MHz(B1～B3 version)
・出力形式: CMOS 出力
・低位相雑音特性
・出力ドライバビリティ: 2.8mA
-135dBc/Hz@A1 version, 1kHz Offset, f=40MHz
・動作温度範囲: -40℃～+105℃
-160dBc/Hz@A1 version, 10MHz Offset, f=40MHz
・スタンバイ機能内蔵
(水晶振動子: γ= 330,C0 = 1.3pF)
スタンバイ時発振停止、出力 Hi-Z
-126dBc/Hz@B1 version, 1kHz Offset, f=61.44MHz
・出力 DUTY レベル: CMOS(1/2VDD)
-160dBc/Hz@B1 version, 10MHz Offset, f=61.44MHz
・出力 DUTY: 50±5%
(水晶振動子: γ= 350, C0 = 3.2pF)
・ウェーハフォーム（WF5410xx）
・チップフォーム（CF5410xx）
■アプリケーション
・固定通信向けの小型 VCXO
■シリーズ構成
動作電源電圧範囲[V]
出力周波数とバージョン名
推奨発振周波数
範囲*1[MHz]
fOSC
fOSC/2
fOSC/4
fOSC/8
fOSC/16
20～40
5410A1
5410A2
5410A3
5410A4
5410A5
40～62
5410B1
5410B2
5410B3
-
-
2.97～3.63
*1.推奨発振周波数は、NPC特性確認用水晶からの目安であり、発振周波数帯を保証するものではありません。水晶振動子の特性や実装条件
により特性が大幅に変動しますので発振特性の十分な評価のもとご使用下さい。
■オーダーインフォメーション
Device
Package
WF5410xx-4
Wafer form
CF5410xx-4
Chip form
バージョン名称
WF5410□□-4
形態 WF:Wafer form
CF:Chip(Die) form
分周機能
発振周波数 A:20～40MHz
B:40～62MHz
SEIKO NPC CORPORATION - 1
5410 series
■PAD 配置図
(Unit: μm)
(420,400)
Q
6
Y VDD
7
(0,0)
1
(-420,-400) XTN
2
5
VSS
4
INHN
3
VC
XT
X
チップサイズ : 0.84mm × 0.80mm
チップ厚 : 130μm
PAD 開口部 : 90μm
チップ裏面 : VSS電位
■端子説明・PAD 座標
No.
端子名
I/O
PAD 座標 [μm]
機能説明
X
1
XTN
O
2
XT
I
3
VC
I
4
INHN
I
5
VSS
-
6
Q
7
VDD
水晶振動子接続端子
Y
-189.0
-295.0
59.4
-295.0
315.0
-244.6
315.0
34.2
(-) 電源端子
315.0
280.2
O
fOSC, fOSC/2, fOSC/4, fOSC/8, fOSC/16 一波を出力
-315.0
280.2
-
(+) 電源端子
-315.0
34.2
XT,XTN の間に水晶振動子を接続
発振周波数制御電圧入力端子（正極性）
（印加電圧増加に従い、発振周波数が高くなります）
出力状態制御入力端子(Low で発振停止)
パワーセーブプルアップ抵抗内蔵
■ブロックダイアグラム
RPU1,RPU2
INHN
VDD
Voltage
Regulator
XT
RVC1
CVC1
OSC
Level
Shifter
1/N
Divider
Buffer
(CMOS)
Q
N=1,2,4,8,16
XTN
RVC2
CVC2
VC
VSS
SEIKO NPC CORPORATION - 2
5410 series
■絶対最大定格
VSS=0V
項目
電源電圧範囲*1
記号
条件
定格
単位
-0.3～+5.0
V
VDD
VDD-VSS 端子間
*1*2
VIN
入力端子
-0.3～VDD+0.3
V
*1*2
VOUT
出力端子
-0.3～VDD+0.3
V
+125
℃
-65～+125
℃
入力電圧範囲
出力電圧範囲
*3
接合温度
Tj
*4
保存温度範囲
TSTG
ウェーハ、チップ
出力電流*3
IOUT
Q 端子
Ta = -40～+85°C
±20
Ta = -40～+105°C
±10
mA
*1.一瞬たりとも超えてはならない値です。万一定格を超えた場合は、電気的特性、信頼性などに影響を与える恐れがあります。
*2.定格に記載の”VDD”は、推奨動作条件に定める動作電源電圧(VDD)の規格値を示します。
*3.超えないようにご使用ください。万一超えた場合は、特性劣化、信頼性低下の懸念があります。
*4.N2または真空雰囲気で、梱包材を含まない単体保存の場合です。
■推奨動作条件
VSS=0V
項目
記号
規格
条件
MIN
発振周波数*1
fOSC
TYP
単位
MAX
5410A1～5410A5 version
20
40
5410B1～5410B3 version
40
62
5410A1～5410A5 version
1.25
40
5410B1～5410B3 version
10
62
MHz
MHz
出力周波数
fOUT
動作電源電圧
VDD
VDD-VSS端子間*2
2.97
3.63
V
入力電圧
VIN
VC 端子, INHN 端子
VSS
VDD
V
動作温度
Ta
-40
+105
℃
出力負荷容量
CL
15
pF
Q 端子
*1.推奨発振周波数は、NPC 特性確認用水晶からの目安であり、発振周波数帯を保証するものではありません。水晶振動子の特性や
実装条件により特性が大幅に変動しますので発振特性の十分な評価のもとご使用下さい。
*2.5410 series を安定に動作させるため、VDD-VSS 間には 0.01μF 以上のセラミックチップコンデンサを IC の直近(3mm 以内程度)に
実装して下さい。また IC からコンデンサまでの配線パターンは、できるだけ太い配線パターンでご使用下さい。
Note. 推奨動作条件範囲外で使用すると信頼性に影響を与える場合がありますので、この範囲内で使用して下さい。
SEIKO NPC CORPORATION - 3
5410 series
■電気的特性
●5410A1～5410A5 version
特記なき場合、VDD=2.97～3.63V,VC=0.5VDD,VSS=0V,Ta=-40～+105℃
項
目
記号
条
規
件
MIN
5410A1(fOSC), 測定回路 1, 無負荷, INHN=”OPEN”,
VDD=3.3V, fOSC=40MHz, fOUT=40MHz
5410A2(fOSC/2), 測定回路 1, 無負荷, INHN=”OPEN”,
VDD=3.3V, fOSC=40MHz, fOUT=20MHz
消 費 電 流
IDD
5410A3(fOSC/4), 測定回路 1, 無負荷, INHN=”OPEN”,
VDD=3.3V, fOSC=40MHz, fOUT=10MHz
5410A4(fOSC/8), 測定回路 1, 無負荷, INHN=”OPEN”,
VDD=3.3V, fOSC=40MHz, fOUT= 5MHz
5410A5(fOSC/16), 測定回路 1, 無負荷, INHN=”OPEN”,
VDD=3.3V, fOSC=40MHz, fOUT=2.5MHz
3.0
mA
1.2
1.8
mA
1.1
1.6
mA
1.0
1.5
mA
0.9
1.4
mA
100
“H”レベル出力電圧
VOH
測定回路 2，Q端子, IOH=-2.8mA
“L”レベル出力電圧
VOL
測定回路 2，Q端子, IOL=2.8mA
“H”レベル入力電圧
VIH
測定回路 3, INHN 端子
“L”レベル入力電圧
VIL
測定回路 3, INHN 端子
出力リーク電流
IZ
測定回路 4, Q端子, Ta=25℃ , INHN=“Low”
VDD-0.4
μA
V
0.4
0.7VDD
V
V
-1
0.3VDD
V
1
μA
RPU1
測定回路 5, INHN端子, VINHN=0V
1
3.5
9
MΩ
RPU2
測定回路 5, INHN端子, VINHN=0.7VDD
23
47
71
kΩ
RVC1
測定回路 6, XT-VC 端子間
A1 version
210
420
630
A2,A3,A4,A5 version
397
793
1190
RVC2
測定回路 6, XTN-VC 端子間
116
233
350
VC=0.3V
5.1
5.6
6.2
VC=1.65V
2.5
3.1
3.6
VC=3.0V
1.2
1.5
1.8
VC=0.3V
7.6
8.4
9.3
VC=1.65V
3.8
4.7
5.4
VC=3.0V
1.7
2.3
2.8
CVC1
ウェーハ内モニターパターンにて確認。
設計値。寄生容量は除く。
発振部内蔵容量
CVC2
入力リーク抵抗
1.6
Ta = -40～+105°C
測定回路 1, INHN=“Low”
発振部内蔵抵抗
MAX
10
ISTB
単位
TYP
Ta = -40～+85°C
スタンバイ電流
プルアップ抵抗
格
RVIN
ウェーハ内モニターパターンにて確認。
設計値。寄生容量は除く。
測定回路 7, VC端子, Ta=25℃
10
kΩ
pF
pF
MΩ
測定回路 10, -3dB周波数, Ta=25℃
最大変調周波数
FM
VDD=3.3V, VC=1.65V±1.65V
15
25
kHz
crystal=40MHz (R1=42Ω, C0=1.3pF)
SEIKO NPC CORPORATION - 4
5410 series
●5410B1～5410B3 version
特記なき場合、VDD=2.97～3.63V,VC=0.5VDD,VSS=0V,Ta=-40～+105℃
項
目
記号
条
規
件
MIN
5410B1(fOSC), 測定回路 1, 無負荷, INHN=”OPEN”,
VDD=3.3V, fOSC=61.44MHz, fOUT=61.44MHz
消 費 電 流
IDD
5410B2(fOSC/2), 測定回路 1, 無負荷, INHN=”OPEN”,
VDD=3.3V, fOSC=61.44MHz, fOUT=30.72MHz
5410B3(fOSC/4), 測定回路 1, 無負荷, INHN=”OPEN”,
VDD=3.3V, fOSC=61.44MHz, fOUT=15.36MHz
5.0
mA
2.0
3.2
mA
1.6
2.6
mA
100
“H”レベル出力電圧
VOH
測定回路 2，Q端子, IOH=-2.8mA
“L”レベル出力電圧
VOL
測定回路 2，Q端子, IOL=2.8mA
“H”レベル入力電圧
VIH
測定回路 3, INHN 端子
“L”レベル入力電圧
VIL
測定回路 3, INHN 端子
出力リーク電流
IZ
測定回路 4, Q端子, Ta=25℃, INHN=“Low”
VDD-0.4
μA
V
0.4
0.7VDD
V
V
-1
0.3VDD
V
1
μA
RPU1
測定回路 5, INHN端子, VINHN=0V
1
3.5
9
MΩ
RPU2
測定回路 5, INHN端子, VINHN=0.7VDD
23
47
71
kΩ
RVC1
測定回路 6, XT-VC 端子間
B1 version
210
420
630
B2,B3 version
303
606
909
RVC2
測定回路 6, XTN-VC 端子間
116
233
350
VC=0.3V
5.1
5.6
6.2
VC=1.65V
2.5
3.1
3.6
VC=3.0V
1.2
1.5
1.8
VC=0.3V
5.1
5.6
6.2
VC=1.65V
2.5
3.1
3.6
VC=3.0V
1.2
1.5
1.8
CVC1
ウェーハ内モニターパターンにて確認。
設計値。寄生容量は除く。
発振部内蔵容量
CVC2
入力リーク抵抗
2.7
Ta = -40～+105°C
測定回路 1, INHN=“Low”
発振部内蔵抵抗
MAX
10
ISTB
単位
TYP
Ta = -40～+85°C
スタンバイ電流
プルアップ抵抗
格
RVIN
ウェーハ内モニターパターンにて確認。
設計値。寄生容量は除く。
測定回路 7, VC端子, Ta=25℃
10
kΩ
pF
pF
MΩ
測定回路 10, -3dB周波数, Ta=25℃
最大変調周波数
FM
VDD=3.3V, VC=1.65V±1.65V
15
25
kHz
crystal=61.44MHz (R1=20Ω, C0=3.2pF)
SEIKO NPC CORPORATION - 5
5410 series
■スイッチング特性
●5410A1～5410A5 version
特記なき場合、VDD=2.97～3.63V,VC=0.5VDD,VSS=0V,Ta=-40～+105℃
項
目
記号
条
件
AC ”H”レベル出力電圧
VTOP
測定回路 8, CL=15pF
AC ”L”レベル出力電圧
VBASE
測定回路 8, CL=15pF
Q 端子
出力立ち上がり時間
tr
測定回路 8, CL=15pF
0.1VDD→0.9VDD
Ta = -40～+85°C
Q 端子
出力立ち下がり時間
tf
測定回路 8, CL=15pF
0.9VDD→0.1VDD
Ta = -40～+85°C
Q 端子
出力 DUTY サイクル
DUTY
測定回路 8, VDD=3.3V
CL=15pF, Ta=25℃,
Q 端子
出力イネーブル時間
tOE
Q 端子
出力ディスエーブル遅延時間
tOD
規
MIN
格
TYP
MAX
0.9VDD
単位
V
0.1VDD
2.8
6.0
Ta = -40～+105°C
6.5
3.0
6.0
Ta = -40～+105°C
6.5
45
50
V
ns
ns
55
%
測定回路 9, Ta=25℃, CL=15pF
2
ms
測定回路 9, Ta=25℃, CL=15pF
200
ns
Note. 上記規格値は、NPC 特性確認用水晶振動子での評価結果からの目安です。水晶振動子の特性や実装条件により特性が大幅に変動し
ますので、十分な評価のもとご使用下さい。
●5410B1～5410B3 version
特記なき場合、VDD=2.97～3.63V,VC=0.5VDD,VSS=0V,Ta=-40～+105℃
項
目
記号
条
件
AC ”H”レベル出力電圧
VTOP
測定回路 8, CL=15pF
AC ”L”レベル出力電圧
VBASE
測定回路 8, CL=15pF
Q 端子
出力立ち上がり時間
tr
測定回路 8, CL=15pF
0.1VDD→0.9VDD
Ta = -40～+85°C
Q 端子
出力立ち下がり時間
tf
測定回路 8, CL=15pF
0.9VDD→0.1VDD
Ta = -40～+85°C
Q 端子
出力 DUTY サイクル
DUTY
測定回路 8, VDD=3.3V
CL=15pF, Ta=25℃,
Q 端子
出力イネーブル時間
tOE
Q 端子
出力ディスエーブル遅延時間
tOD
規
MIN
格
TYP
MAX
0.9VDD
V
0.1VDD
2.2
Ta = -40～+105°C
5.0
5.5
2.4
Ta = -40～+105°C
5.0
5.5
45
単位
50
V
ns
ns
55
%
測定回路 9, Ta=25℃, CL=15pF
2
ms
測定回路 9, Ta=25℃, CL=15pF
200
ns
Note. 上記規格値は、NPC 特性確認用水晶振動子での評価結果からの目安です。水晶振動子の特性や実装条件により特性が大幅に変動し
ますので、十分な評価のもとご使用下さい。
SEIKO NPC CORPORATION - 6
5410 series
●スイッチング時間測定波形
VDD
0.9V DD
VTOP
0.9VDD
Q
0.1VDD
0.1VDD
VBASE
VSS
Tw
T
tr
DUTY measurement
voltage 0.5VDD
DUTY = Tw/T×100 (%)
tf
図 1. 出力スイッチング波形
VDD
INHN
VIH
VIL
VSS
tOD
tOE
0.1V
VTOP
0.5VDD
Q
VBASE
0.1V
fout
Hi-Z
Low
fout
・INHN 端子 High→Low の場合 : Q 端子出力はハイ・インピーダンスになります。
・INHN 端子 Low→High の場合 : Q 端子は一度 Low となり、発振信号を検出した後、クロック信号出力状態に移行します。
図 2. 出力状態制御スイッチング波形
SEIKO NPC CORPORATION - 7
5410 series
■機能説明
●INHN 端子の機能
INHN 端子を Low レベルにすることにより Q 端子出力がハイ・インピーダンスになり、発振部の動作が停止します。
●パワーセーブプルアップ抵抗
INHN端子のプルアップ抵抗は入力レベル(High or Low)に応じてRPU1またはRPU2に切り換わります。
INHN端子をLowレベルに固定にしたときはINHN端子に内蔵しているプルアップ抵抗値が大きくなり(RPU1)、ディスエ
ーブル時にプルアップ抵抗で消費する電流を小さくすることができます。
INHN端子をHighまたはOpenで使うときはプルアップ抵抗値が小さくなり(RPU2)、外来ノイズによる影響を受けにくくなり
ます。これにより、INHN端子内部はHighレベルに固定された状態となりますので、不意に出力が停止するといった問題
を回避できます。
●ブート機能
起動時にXT端子の電位をVDDにすることで、負性抵抗を大きくして発振起動がしやすくなります。XT端子がVDDレベ
ルになりますので、VC端子にVDDレベル以下の電圧を印加している場合、発振が開始するまでVC端子に電流が流れ
ますのでご注意ください。発振開始後、ブート機能は解除されます。
●発振開始検出機能
本製品には発振検出回路が搭載されています。これは発振回路が安定的に出力するまではディスエーブル状態に
なる機能です。この機能により、電源投入時や INHN 端子による発振再起動時における異常発振の危険性を軽減する
ことができます。
SEIKO NPC CORPORATION - 8
5410 series
■測定回路
●測定回路 1
測定項目: IDD, ISTB
A
Crystal
IDD,ISTB
0.01μF
VDD
XT
XTN
Q
VC
INHN VSS
SW1
測定項目
SW1
IDD
OFF
ISTB
ON
●測定回路 2
測定項目: VOH, VOL
XT input signal : 1.5VP-P sine wave
0.01μF
VDD
XT
Signal
0.001μF
50Ω
XTN
Q
50Ω
VC
V
INHN VSS
Q
ΔV
VOH
VS
VS adjusted so that ΔV=50×IOH
0.1μF
VS
VOH
VOL
Q
ΔV
VS
VOL
VS adjusted so that ΔV=50×IOL
SEIKO NPC CORPORATION - 9
5410 series
●測定回路 3
測定項目: VIH, VIL
Crystal
0.01μF
VDD
XT
XTN
Q
CL=15pF
(Including probe capacitance)
VC
INHN VSS
VIH
VIL
V
VIH: VSS→VDD , voltage that changes enable output state
VIL: VDD→VSS , voltage that changes disable output state
●測定回路 4
測定項目: IZ
0.01μF
VDD
XT
Q
XTN
A
IZ
VC
INHN VSS
●測定回路 5
測定項目: RPU1, RPU2
0.01μF
VDD
XT
XTN
Q
VC
INHN VSS
IINHN
A
RPU1= (VDD-VINHN)/IINHN, VINHN= 0V
VINHN
V
RPU2= (VDD-VINHN)/IINHN, VINHN= 0.7VDD
SEIKO NPC CORPORATION - 10
5410 series
●測定回路 6
測定項目: RVC1, RVC2
IXT
A
0.01μF
VDD
A
XT
IXTN
XTN
Q
XT
XTN
VC
VC
INHN VSS
INHN VSS
RVC1=VDD/IXT
0.01μF
VDD
Q
RVC2=VDD/IXTN
●測定回路 7
測定項目: RVIN
IVIN
A
0.01μF
VDD
XT
XTN
Q
VC
INHN VSS
RVIN=VDD/IVIN
●測定回路 8
測定項目: DUTY, tr, tf, Pulling Range, CLOSC, VTOP, TBASE
Crystal
0.01μF
VDD
XT
XTN
VC
INHN VSS
Q
CL=15pF
(Including probe capacitance)
SEIKO NPC CORPORATION - 11
5410 series
●測定回路 9
測定項目: tOE, tOD
Crystal
0.01μF
VDD
1kΩ
XT
XTN
Q
VC
1kΩ
INHN VSS
Function
Generator
CL=15pF
(Including probe capacitance)
50Ω
●測定回路 10
測定項目: FM
Crystal
XT
XTN
Signal
Generator
(AFG3102)
VC input signal:
sine wave, 0 to VDD
Signal Source
Analyzer
(E5052A)
0.01μF
VDD
Q
VC
INHN VSS
EXT Trigger In
SEIKO NPC CORPORATION - 12
5410 series
■参考特性例
以下の特性は、下記の水晶振動子を使用した時の数値です。使用する水晶振動子や測定環境により、特性は異なりま
すのでご注意下さい。
使用水晶振動子
振動子パラメータ
Parameter
5410Ax
5410Bx
fs (MHz)
39.98946
61.40941
C0 (pF)
1.3
3.2
γ(=C0/C1)
330
350
L1
C1
R1
C0
●周波数可変特性 (Pulling Range)
Pulling Range [ppm] VC=1.65V Standard
180
150
120
90
60
30
0
-30
-60
-90
-120
-150
-180
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3.0
3.3
Vc [V]
【5410Ax】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC=40MHz, VC=1.65V基準
Pulling Range [ppm] VC=1.65V Standard
180
150
120
90
60
30
0
-30
-60
-90
-120
-150
-180
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3.0
3.3
Vc [V]
【5410Bx】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC=61.44MHz, VC=1.65V基準
【測定回路図】 測定回路 8 参照
SEIKO NPC CORPORATION - 13
5410 series
-60
-60
-70
-70
-80
Phase Noise [dBc/Hz]
Phase Nois e [dBc/Hz]
●位相雑音特性
Vc=0V
Vc=1.65V
Vc=3.3V
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-80
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
-160
-170
1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07 1.E+08
-170
1.E+01
Offset Frequency [Hz]
Vc=0V
Vc=1.65V
Vc=3.3V
-90
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
Offset Frequency [Hz]
【5410A1】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC=40MHz, fOUT=40MHz
【5410A2】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC=40MHz, fOUT=20MHz
Phas e Nois e [dBc/Hz]
-60
-70
-80
-90
-100
-110
Vc=0V
Vc=1.65V
Vc=3.3V
-120
-130
-140
-150
-160
-170
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
Offset Frequency [Hz]
【5410A3】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC=40MHz, fOUT=10MHz
SEIKO NPC CORPORATION - 14
-60
-60
-70
-70
-80
-80
Phase Noise [dBc/Hz]
Phase Noise [dBc/Hz]
5410 series
-90
-100
Vc=0V
Vc=1.65V
Vc=3.3V
-110
-120
-130
-140
-90
-100
Vc=0V
Vc=1.65V
Vc=3.3V
-110
-120
-130
-140
-150
-150
-160
-160
-170
1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07 1.E+08
-170
1.E+01
1.E+02
Offset Frequency [Hz]
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
Offset Frequency [Hz]
【5410B1】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC=61.44MHz, fOUT=61.44MHz
【5410B2】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC=61.44MHz, fOUT=30.72MHz
-60
Phase Nois e [dBc/Hz]
-70
-80
-90
-100
Vc=0V
Vc=1.65V
Vc=3.3V
-110
-120
-130
-140
-150
-160
-170
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
1.E+05
1.E+06
1.E+07
Offset Frequency [Hz]
【5410B3】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC=61.44MHz, fOUT=15.36MHz
Crystal
0.01μF
VDD
XT
XTN
0.01μF
Q
200Ω
Signal Source
Analyzer
(Agilent E5052A)
VC
INHN VSS
CL=15pF
【測定回路図】
SEIKO NPC CORPORATION - 15
5410 series
●負性抵抗特性
0
-200
N egative R asistance [Ω]
-400
-600
-800
-1000
-1200
-1400
VC=0V
VC=1.65V
VC=3.3V
-1600
-1800
-2000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
70
80
Frequency [MHz]
【5410Ax】 VDD=3.3V, Ta=25℃, C0=0pF, ブート時
0
-100
VC=0V
VC=1.65V
VC=3.3V
Negative R asis tance [Ω ]
-200
-300
-400
-500
-600
-700
-800
-900
-1000
0
10
20
30
40
50
60
Frequency [MHz]
【5410Bx】 VDD=3.3V, Ta=25℃, C0=0pF, ブート時
Network-Analyzer
(Agilent 4396B)
S-Parameter Test Set
(Agilent 85046A)
C0=0pF
0.01μF
VDD
XT
XTN
Q
VC
INHN VSS
【測定回路図】
弊社治具を用いて、
Agilent社製4396Bで測定した結果です。
測定治具、測定環境で変動する場合があります。
SEIKO NPC CORPORATION - 16
5410 series
●発振部回路の等価容量 (CLOSC) 特性
7
6
CLOSC [pF]
5
4
3
2
1
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3.0
3.3
3.0
3.3
Vc [V]
【5410Ax】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC =40MHz
7
6
CLOSC [pF]
5
4
3
2
1
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
Vc [V]
【5410Bx】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC =61.44MHz
【測定回路図】 測定回路 8 参照
CLOSC:発振周波数より求める発振部回路の等価容量
CLosc =
C1
2
⎛ f OSC ⎞
⎜⎜
⎟⎟ − 1
fs
⎝
⎠
− C0
C1:振動子の等価直列容量
C0:振動子の等価並列容量
fs:振動子の直列共振周波数
SEIKO NPC CORPORATION - 17
5410 series
●ドライブレベル特性
100
DL [μW]
80
60
40
20
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3.0
3.3
3.0
3.3
Vc [V]
【5410Ax】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC =40MHz
180
160
140
DL [μW]
120
100
80
60
40
20
0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
Vc [V]
【5410Bx】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC =61.44MHz
Crystal
Tektronix CT-6
Current Probe
0.01μF
VDD
XT
XTN
Q
IX'tal
VC
INHN VSS
CL=15pF
【測定回路図】
SEIKO NPC CORPORATION - 18
5410 series
3
3
0
0
Fm [dB] 1kHz Standard
Fm [dB] 1kHz Standard
●最大変調周波数特性
-3
-6
-9
-3
A2
A3
-6
-9
-12
-12
1
10
1
100
【5410A1】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC =40MHz
100
【5410A2,A3】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC =40MHz
3
3
0
0
Fm [dB] 1kHz Standard
Fm [dB] 1kHz Standard
10
VC Input Frequency [kHz]
VC Input Frequency [kHz]
-3
-6
-9
-12
-3
-6
B2
B3
-9
-12
1
10
VC Input Frequency [kHz]
【5410B1】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC =61.44MHz
100
1
10
100
VC Input Frequency [kHz]
【5410B2,B3】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC =61.44MHz
【測定回路図】 測定回路 10 参照
SEIKO NPC CORPORATION - 19
5410 series
600
600
500
500
VC Input Impedance [k Ω]
VC Input Impedance [k Ω]
●VC 端子 AC 入力インピーダンス特性
400
300
200
A2
A3
A4
A5
400
300
200
100
100
0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
VC　Input Frequency [kHz]
80
90
0
100
20
30
40
50
60
70
VC　Input Frequency [kHz]
80
90
100
【5410A2,A3,A4,A5】 Ta=25℃, VC=0V
600
600
500
500
VC Input Impedance [k Ω]
VC Input Impedance [k Ω]
【5410A1】 Ta=25℃, VC=0V
10
400
300
200
B2
B3
400
300
200
100
100
0
0
0
10
20
30
40
50
60
70
VC　Input Frequency [kHz]
【5410B1】 Ta=25℃, VC=0V
80
90
100
0
10
20
30
40
50
60
70
VC　Input Frequency [kHz]
80
90
100
【5410B2,B3】 Ta=25℃, VC=0V
VDD
XT
XTN
Impedance
Analyzer
(HP4194A)
Q
VC
INHN VSS
VC input signal: 1kHz to 100kHz, 0.1V p-p
【測定回路図】
SEIKO NPC CORPORATION - 20
5410 series
●動作消費電流特性
2.0
1.5
I DD [mA]
A2
A5
A4
A1
A3
1.0
VC=0V
VC=1.65V
VC=3.3V
0.5
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Output Frequency [MHz]
【5410Ax】 VDD=3.3V, Ta=25℃
3.0
B1
2.5
B2
B3
IDD [mA]
2.0
1.5
VC=0V
VC=1.65V
VC=3.3V
1.0
0.5
0.0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
Output Frequency [MHz]
【5410Bx】 VDD=3.3V, Ta=25℃
【測定回路図】 測定回路 1 参照
SEIKO NPC CORPORATION - 21
5410 series
●周波数電源電圧偏差特性
3
Vc=0V
Frequency Stability [ppm]
VDD=3.3V Standard
2
Vc=1.65V
Vc=3.3V
1
0
-1
-2
-3
2.97
3.14
3.30
VDD [V]
3.47
3.63
【5410Ax】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC =40MHz
3
Vc=0V
Frequency Stability [ppm]
VDD=3.3V Standard
2
Vc=1.65V
Vc=3.3V
1
0
-1
-2
-3
2.97
3.14
3.30
VDD [V]
3.47
3.63
【5410Bx】 VDD=3.3V, Ta=25℃, fOSC =61.44MHz
Crystal
0.01μF
VDD
XT
XTN
Q
VC
INHN VSS
CL=15pF
(Including probe capacitance)
【測定回路図】
SEIKO NPC CORPORATION - 22
5410 series
●出力波形
550mV
5.00ns
【5410A1】 VDD=3.3V, VC=1.65V, Ta=25℃, fOSC =40MHz, CL=15pF
550mV
3.28ns
【5410B1】 VDD=3.3V, VC=1.65V, Ta=25℃, fOSC =61.44MHz, CL=15pF
【測定回路図】 測定回路 8 参照
使用測定器：オシロスコープ DSO80604B(Agilent 社製)
SEIKO NPC CORPORATION - 23
5410 series
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ND12007-J-02 2013.05
SEIKO NPC CORPORATION - 24