S-19311シリーズ 車載用 www.sii-ic.com 125°C動作 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 © SII Semiconductor Corporation, 2015 S-19311シリーズは、高耐圧CMOSプロセス技術を使用して開発した、高耐圧、高精度出力電圧、リセット機能付きの正電 圧ボルテージレギュレータです。低オン抵抗の出力トランジスタを内蔵しているため、ドロップアウト電圧が小さく、大 きな出力電流を得ることができます。また、出力トランジスタの過電流を制限するための過電流保護回路と、発熱を制限 するためのサーマルシャットダウン回路を内蔵しています。 高放熱のTO-252-5S(A)、HSOP-8Aパッケージのため、高密度実装が可能です。 注意 本製品は、車両機器、車載機器へのご使用が可能です。これらの用途でご使用をお考えの際は、必ず弊社窓口までご 相談ください。 特長 レギュレータ部 ・ 出力電圧 ・ 入力電圧 ・ 出力電圧精度 ・ ドロップアウト電圧 ・ 出力電流 ・ 入力、出力コンデンサ ・ リップル除去率 ・ 過電流保護回路を内蔵 ・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : : : : : : : : : 3.0 V ~ 5.3 V間において0.1 Vステップで選択可能 4.0 V ~ 36.0 V 2.0% (Tj = 40°C ~ 150°C) 120 mV typ. (5.0 V出力品、IOUT = 100 mA) 200 mA出力可能 (VIN = VOUT(S) 1.0 V)*1 2.2 F以上のセラミックコンデンサが使用可能 70 dB typ. (f = 100 Hz) 出力トランジスタの過電流を制限 検出温度170°C typ. ディテクタ部 ・ 検出電圧 ・ 検出電圧精度 ・ ヒステリシス幅 ・ 解除遅延時間 ・ 出力形態 : : : : : 2.6 V ~ 5.0 V間において0.1 Vステップで選択可能 100 mV (Tj = 40°C ~ 150°C) 0.12 V min. 18 ms typ. (CDLY = 47 nF) Nchオープンドレイン出力 (プルアップ抵抗内蔵) 全体部 ・ 消費電流 ・ 動作温度範囲 ・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー ・ 45 Vロードダンプ耐性あり ・ AEC-Q100進行中*2 *1. *2. : 動作時 : 60 A typ., 95 A max. (Tj = 40°C ~ 150°C) : Ta = 40°C ~ 125°C 大電流出力時には、ICの損失が許容損失を越えないように注意してください。 詳細は、弊社営業部までお問い合わせください。 用途 ・ 車載用電装機器の定電圧電源およびリセット回路 ・ 車載用 (エンジン、トランスミッション、サスペンション、ABS、EV / HEV / PHEV関連機器等) パッケージ ・ TO-252-5S(A) ・ HSOP-8A 1 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 ブロック図 *1 VIN VOUT サーマルシャット ダウン回路 過電流保護回路 基準電圧回路 DLY 電圧検出 回路 基準電圧回路 VSS *1. 寄生ダイオード 図1 2 *1 RO *1 125°C動作 車載用 Rev.1.0_02 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ AEC-Q100進行中 AEC-Q100の信頼性試験の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。 品目コードの構成 S-19311シリーズは、出力電圧、検出電圧を用途により選択指定することができます。製品名における文字列が示す内 容は "1. 製品名" を、パッケージ図面は "3. パッケージ" を、詳しい製品名は "4. 製品名リスト" を参照してくだ さい。 1. 製品名 S-19311 B x x A - xxxx U 4 環境コード U : 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー パッケージ略号とICの梱包仕様*1 V5T2 : TO-252-5S(A)、テープ品 E8T1 : HSOP-8A、テープ品 動作温度 A : Ta = 40C ~ 125C *2 検出電圧 F ~ Z, 0 ~ 5 出力電圧*2 C ~ Z, 0, 1 製品タイプ B : DLY端子付き、VOUT検出 (ディテクタ) *1. *2. 2. テープ図面を参照してください。 "2. 製品オプション一覧" を参照してください。 製品オプション一覧 2. 1 出力電圧 設定出力電圧 記号 5.3 V 5.2 V 5.1 V 5.0 V 4.9 V 4.8 V 4.7 V 4.6 V 4.5 V 4.4 V 4.3 V 4.2 V C D E F G H J K L M N P 設定出力電圧 記号 4.1 V 4.0 V 3.9 V 3.8 V 3.7 V 3.6 V 3.5 V 3.4 V 3.3 V 3.2 V 3.1 V 3.0 V Q R S T U V W X Y Z 0 1 2. 2 検出電圧 設定検出電圧 記号 設定検出電圧 記号 5.0 V 4.9 V 4.8 V 4.7 V 4.6 V 4.5 V 4.4 V 4.3 V 4.2 V 4.1 V 4.0 V 3.9 V 3.8 V F G H J K L M N P Q R S T 3.7 V 3.6 V 3.5 V 3.4 V 3.3 V 3.2 V 3.1 V 3.0 V 2.9 V 2.8 V 2.7 V 2.6 V U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 備考 設定出力電圧≧設定検出電圧0.3 V 3 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 3. 高耐圧 リセット機能付き パッケージ 表1 パッケージ名 TO-252-5S(A) HSOP-8A 4. CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 外形寸法図面 VA005-A-P-SD FH008-A-P-SD パッケージ図面コード テープ図面 VA005-A-C-SD FH008-A-C-SD リール図面 ランド図面 VA005-A-R-SD FH008-A-R-SD VA005-A-L-SD FH008-A-L-SD 製品名リスト 表2 出力電圧 検出電圧 TO-252-5S(A) 5.0 V 2.0% 2.9 V 0.1 V S-19311BF2A-V5T2U4 5.0 V 2.0% 4.1 V 0.1 V S-19311BFQA-V5T2U4 5.0 V 2.0% 4.5 V 0.1 V S-19311BFLA-V5T2U4 5.0 V 2.0% 4.6 V 0.1 V S-19311BFKA-V5T2U4 5.0 V 2.0% 4.7 V 0.1 V S-19311BFJA-V5T2U4 備考 上記以外の製品をご希望のときは、弊社営業部までお問い合わせください。 4 HSOP-8A S-19311BF2A-E8T1U4 S-19311BFQA-E8T1U4 S-19311BFLA-E8T1U4 S-19311BFKA-E8T1U4 S-19311BFJA-E8T1U4 125°C動作 車載用 Rev.1.0_02 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ ピン配置図 1. TO-252-5S(A) 表3 1 Top view 端子番号 3 1 VIN 電圧入力端子 (レギュレータ部) 2 VOUT 電圧出力端子 (レギュレータ部) 3 VSS GND端子 4 DLY 遅延時間調整コンデンサ接続端子 5 RO リセット出力端子 2 4 端子記号 端子内容 5 図2 2. HSOP-8A 表4 Top view 端子番号 1 8 2 7 3 6 4 5 Bottom view 8 1 7 2 6 3 5 4 端子記号 端子内容 1 VOUT 電圧出力端子 (レギュレータ部) 2 NC*1 無接続 3 VSS GND端子 4 DLY 遅延時間調整コンデンサ接続端子 5 RO リセット出力端子 6 NC*1 無接続 7 NC*1 無接続 電圧入力端子 (レギュレータ部) 8 VIN *1. NCは電気的にオープンを示します。 そのため、VDD端子またはVSS端子に接続しても問題ありません。 *1 *1. 網掛け部分の裏面放熱板は、基 板に接続し電位をオープンまた は GNDと し て く だ さ い 。 ただ し、電極としての機能には使用 しないでください。 図3 5 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 高耐圧 CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 リセット機能付き 絶対最大定格 表5 (特記なき場合 : Tj = 40°C ~ 150°C) 項目 記号 絶対最大定格 単位 VIN端子電圧 VIN VSS 0.3 ~ VSS 45.0 V VOUT端子電圧 VSS 0.3 ~ VIN 0.3≦VSS 7.0 VOUT V DLY端子電圧 VSS 0.3 ~ VOUT 0.3≦VSS 7.0 VDLY V RO端子電圧 0.3 ~ V 0.3≦V 7.0 V SS OUT SS VRO V 出力電流 IOUT 260 mA ジャンクション温度 Tj 40 ~ 150 °C 動作周囲温度 Topr 40 ~ 125 °C 保存温度 Tstg 40 ~ 150 °C 注意 絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の劣化 などの物理的な損傷を与える可能性があります。 熱抵抗値 表6 項目 記号 条件 TO-252-5S(A) ジャンクション温度 周囲温度間 熱抵抗値*1 ja HSOP-8A *1. 備考 6 Min. Typ. Max. 単位 基板1 86 °C/W 基板2 60 °C/W 基板3 38 °C/W 基板4 31 °C/W 基板5 28 °C/W 基板1 104 °C/W 基板2 74 °C/W 基板3 39 °C/W 基板4 37 °C/W 基板5 31 °C/W 測定環境 : JEDEC STANDARD JESD51-2A準拠 許容損失、測定基板の詳細については、" パッケージ熱特性" を参照してください。 車載用 Rev.1.0_02 125°C動作 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ 電気的特性 1. レギュレータ部 表7 (特記なき場合 : VIN = 13.5 V, Tj = 40°C ~ 150°C) 項目 記号 条件 出力電圧*1 VOUT(E) VIN = 13.5 V, IOUT = 30 mA 出力電流*2 IOUT VIN≧VOUT(S) 1.0 V ドロップアウト電圧*3 Vdrop IOUT = 30 mA, Ta = 25°C, VOUT(S) = 3.0 V ~ 5.3 V IOUT = 100 mA, Ta = 25°C, VOUT(S) = 3.0 V ~ 5.3 V VOUT(S)1.0 V≦VIN≦36.0 V, Min. Typ. Max. 単位 測定 回路 VOUT(S) 2.0% VOUT(S) VOUT(S) 2.0% V 1 200*4 mA 2 40 50 mV 1 120 200 mV 1 0.02 0.10 %/V 1 20 40 mV 1 4.0 36.0 V 入力電圧 VOUT1 VIN VOUT IOUT = 30 mA, Ta = 25°C VIN = 13.5 V, 100 A≦IOUT≦100 mA, VOUT2 Ta = 25°C VIN リップル除去率 |RR| VIN = 13.5 V, IOUT = 30 mA, f = 100 Hz, Vrip = 1.0 Vp-p 70 dB 3 短絡電流 Ishort VIN = 13.5 V, VOUT = 0 V, Ta = 25°C 60 mA 2 ジャンクション温度 170 °C 入力安定度 負荷安定度 サーマルシャットダウン TSD 検出温度 サーマルシャットダウン ジャンクション温度 135 °C TSR 解除温度 *1. VOUT(S) : 設定出力電圧値 VOUT(E) : 実際の出力電圧値 IOUT (= 30 mA) を固定し、13.5 Vを入力したときの出力電圧値 *2. 出力電流を徐々に増やしていき、出力電圧がVOUT(E)の95%になったときの出力電流値 *3. Vdrop = VIN1(VOUT3 0.98) VOUT3 : VIN = VOUT(S)1.0 Vのときの出力電圧値 VIN1 : 入力電圧を徐々に下げていき、出力電圧がVOUT3の98%に降下した時点での入力電圧 *4. この値までは出力電流を流すことができる、という意味です。 許容損失の制限により、この値を満たさない場合もあります。大電流出力時には、許容損失に注意してください。 この規格は設計保証です。 7 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 2. ディテクタ部 表8 (特記なき場合 : VIN = 13.5 V, Tj = 40°C ~ 150°C) 項目 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 測定 回路 検出電圧*1 VDET VDET(S) 0.1 VDET(S) VDET(S) 0.1 V 4 ヒステリシス幅 VHYS 120 150 mV 4 リセット出力電圧 "H" VROH VOUT(S) 0.9 V 4 リセット出力電圧 "L" VROL VOUT≧1.0 V, Rext≧3 k, VOUT端子に接続 0.2 0.4 V 4 リセットプルアップ抵抗 RRO VOUT端子内部抵抗 20 30 45 k リセット出力電流 IRO VRO = 0.4 V, VOUT = VDET(S) 0.1 V 3.0 mA 5 リセット放電しきい値電圧 VDRL 0.2 0.3 0.4 V 6 充電しきい値電圧 VDU 1.5 1.9 2.3 V 6 充電電流 ID,cha VDLY = 1.0 V 2.0 5.0 8.0 A 6 解除遅延時間*2 trd CDLY = 47 nF 11 18 25 ms 4 50 s 4 リセット反応時間*3 *1. *2. *3. trr CDLY = 47 nF VDET : 実際の検出電圧値、VDET(S) : 設定検出電圧値 VOUTがVDET(S) 0.15 V VOUT(S)に変化してからVROがVOUT / 2に達するまでの時間です。 VOUTがVOUT(S) VDET(S) 0.15 Vに変化してからVROがVOUT / 2に達するまでの時間です。 3. 全体部 表9 (特記なき場合 : VIN = 13.5 V, Tj = 40°C ~ 150°C) 項目 動作時消費電流 8 記号 ISS1 条件 VIN = 13.5 V, IOUT = 0 mA Min. Typ. Max. 単位 測定 回路 60 95 A 7 車載用 Rev.1.0_02 125°C動作 高耐圧 CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ リセット機能付き 測定回路 VOUT VIN VIN A RO V V DLY VSS 図5 測定回路2 VIN VOUT VOUT DLY V DLY RL VSS V 図7 VOUT DLY VIN A A VRO 測定回路5 VIN VOUT RO V VSS V 測定回路4 RO 図8 VSS 測定回路3 VIN Rext RO RO 図6 VSS 測定回路1 VIN A RO DLY 図4 VOUT V A DLY V V RL VSS 図9 測定回路6 VOUT RO DLY VSS 図10 測定回路7 9 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 タイミングチャート VIN ≪trr VOUT VDET VDET VDLY VDU VDRL VRO trd 図11 10 trr ディテクタ動作例 t 車載用 Rev.1.0_02 125°C動作 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ 標準回路 出力 入力 CIN *1 CDLY VIN VOUT DLY RO Rext *4 CL *2 *3 VSS 一点アース GND 図12 *1. CINは入力安定用コンデンサです。 *2. CLは出力安定用コンデンサです。2.2 F以上のセラミックコンデンサが使用できます。 *3. CDLYは遅延時間調整コンデンサです。 *4. Rextはリセット出力端子の外部プルアップ抵抗です。 S-19311シリーズはプルアップ抵抗を内蔵しているため、外部プルアップ抵抗の接続は必須で はありません。 注意 上記接続図および定数は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで十分な評価の上、定 数を設定してください。 11 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 使用条件 入力コンデンサ (CIN) 出力コンデンサ (CL) 出力コンデンサのESR 遅延時間調整コンデンサ (CDLY) 外部プルアップ抵抗 (Rext) 注意 : 2.2 F以上 : 2.2 F以上 : 10 以下 : 1.0 nF以上 : 3 k以上 一般にシリーズレギュレータは、外付け部品の選択によっては発振するおそれがあります。上記コンデンサを使 用した実機で発振しないことを確認してください。 入力、出力コンデンサ (CIN, CL) の選定 S-19311シリーズでは、位相補償のためにVOUT端子VSS端子間のCLが必要です。全温度範囲において、容量値が2.2 F以上のセラミックコンデンサで安定動作します。また、OSコンデンサ、タンタルコンデンサ、アルミ電解コンデン サを使用する場合も、容量値が2.2 F以上、ESRが10 以下であることが必要です。 出力コンデンサ値により、過渡応答特性である出力オーバーシュート、アンダーシュート値が変わります。 また、入力コンデンサもアプリケーションによって、必要な容量値が異なります。 CIN, CLの容量値は実際の使用条件において、温度特性を含めた十分な評価を行い決定してください。 注意 遅延時間調整コンデンサ (CDLY) の選定 S-19311シリーズでは、ディテクタの解除遅延時間 (trd) を調整するためにDLY端子VSS端子間に遅延時間調整コン デンサ (CDLY) が必要です。 設定解除遅延時間 (trd(S))、は、それぞれ以下の式から求められます。 " 電気的特性" には、CDLY = 47 nFの条件時の解除遅延時間 (trd) を示しています。 CDLY [nF] trd(S) [ms] = trd [ms] 47 [nF] 12 注意1. 上記計算式は、動作を保証するものではありません。実際のアプリケーションで温度特性を含めた十分な評 価の上、定数を決定してください。 2. DLY端子のインピーダンスは高いので、この端子に外部より電流が流れ込んだり、また流れ出したりしない ように実装基板をレイアウトしてください (正確な遅延時間が得られないことがあります)。 3. CDLYはコンデンサ自身のリーク電流が内蔵定電流に対して無視できるものを選んでください。リーク電流が あると、遅延時間と監視時間に誤差が発生する場合があります。また、内蔵定電流以上のリーク電流がある とリセット出力が解除しなくなります。 車載用 Rev.1.0_02 125°C動作 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ 用語の説明 1. レギュレータ部 1. 1 低飽和型ボルテージレギュレータ 低オン抵抗トランジスタ内蔵によるドロップアウト電圧の小さいボルテージレギュレータです。 1. 2 出力電圧 (VOUT) 出力電圧は、入力電圧*1、出力電流、温度がある一定の条件において出力電圧精度2.0%が保証されています。 *1. 注意 1. 3 各製品により異なります。 これらの条件が変わる場合には出力電圧の値も変化し、出力電圧精度の範囲外になることがあります。詳し くは " 電気的特性"、"1. レギュレータ部" と " 諸特性データ (Typicalデータ)"、"1. レギュレータ 部" を参照してください。 入力安定度 VOUT1 VIN VOUT 出力電圧の入力電圧依存性を表しています。すなわち、出力電流を一定にして入力電圧を変化させ、出力電圧がど れだけ変化するかを表したものです。 1. 4 負荷安定度 (VOUT2) 出力電圧の出力電流依存性を表しています。すなわち、入力電圧を一定にして出力電流を変化させ、出力電圧がど れだけ変化するかを表したものです。 1. 5 ドロップアウト電圧 (Vdrop) 入力電圧 (VIN) を徐々に下げていき、出力電圧がVIN = VOUT(S) 1.0 Vのときの出力電圧値 (VOUT3) の98%に降下し た時点での入力電圧 (VIN1) と出力電圧の差を示します。 Vdrop = VIN1 (VOUT3 0.98) 13 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 高耐圧 CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 リセット機能付き 2. ディテクタ部 2. 1 検出電圧 (VDET) 検出電圧とは、RO端子の出力が "L" に切り換わる電圧です。この検出電圧は同じ製品であっても多少のバラツキ があり、そのバラツキによる検出電圧の最小値 (VDET min.) から最大値 (VDET max.) までを検出電圧範囲といい ます (図13参照)。 2. 2 解除電圧 (VDET) 解除電圧とは、RO端子の出力が "H" に切り換わる電圧です。この解除電圧は同じ製品であっても多少のバラツキ があり、そのバラツキによる解除電圧の最小値 (VDET min.) から最大値 (VDET max.) までを解除電圧範囲といい ます (図14参照)。この値は製品の実際の検出電圧 (VDET) とヒステリシス幅 (VHYS) からもとめられ、VDET = VDET VHYSとなります。 VOUT VOUT 解除電圧 検出電圧 VDET max. VDET max. VDET min. 解除電圧範囲 VDET min. 検出電圧範囲 VRO VRO 解除遅延時間 図13 2. 3 検出電圧 図14 解除電圧 ヒステリシス幅 (VHYS) ヒステリシス幅とは、検出電圧と解除電圧との電圧差を表しています。検出電圧と解除電圧との間にヒステリシス 幅をもたせることにより、VOUT端子電圧 (VOUT) にノイズ等が乗るときに生じる誤動作を防止できます。 2. 4 解除遅延時間 (trd) VOUT が解除電圧値 (VDET) を越えてから実際にRO端子の出力が反転するまでの時間を解除遅延時間といい (図 15参照)、この値は遅延時間調整コンデンサ (CDLY) の容量値で変更可能です。trdはCDLYを充電するための内蔵定電 流値、DLY端子の充電検出のしきい値、CDLYの値に応じて決まり、以下の式からもとめられます。 VDU trd = CDLY I , D cha V VOUT VDET VRO VDU VDLY t trd 図15 14 解除遅延時間 車載用 Rev.1.0_02 2. 5 125°C動作 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ リセット反応時間 (trr) VOUTが検出電圧値 (VDET) を下回ってから実際にRO端子の出力が反転するまでの時間をリセット反応時間といい ます (図16参照)。trrは内部回路の反応時間とCDLYの放電時間に依存するため、CDLYの値が大きくなると長くなりま す。" 諸特性データ (Typicalデータ)"、"2. 9 リセット反応時間遅延時間調整コンデンサ容量" を参照してくだ さい。 V VOUT VDET VDLY VRO VDRL trr 図16 リセット反応時間 15 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 動作説明 1. レギュレータ部 1. 1 基本動作 図17にS-19311シリーズ、レギュレータのブロック図を示します。 誤差増幅器 (エラーアンプ) は、出力電圧を帰還抵抗 (RsとRf) によって抵抗分圧した帰還電圧 (Vfb) と基準電圧 (Vref) を比較します。この誤差増幅器により、入力電圧や温度変化の影響を受けない一定の出力電圧を保持するの に必要なゲート電圧を出力トランジスタに供給します。 VIN *1 定電流源 誤差増幅器 Vref VOUT Rf Vfb 基準電圧回路 Rs VSS *1. 寄生ダイオード 図17 1. 2 出力トランジスタ S-19311シリーズでは、出力トランジスタとして低オン抵抗のPch MOS FETトランジスタを用いています。 トランジスタの構造上、VIN端子VOUT端子間には寄生ダイオードが存在しますので、VINよりVOUTの電位が高く なると逆流電流によりICが破壊される可能性があります。したがって、VOUTはVIN0.3 Vを越えないように注意し てください。 16 車載用 Rev.1.0_02 1. 3 125°C動作 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ 過電流保護回路 S-19311シリーズでは、過大な出力電流やVOUT端子VSS端子間の短絡による出力トランジスタの過電流を制限 するために、" 諸特性データ (Typicalデータ)"、"1. レギュレータ部"、"1. 1 出力電圧出力電流 (負荷電流増 加時) (Ta = 25°C)" に示すような特性の過電流保護回路を内蔵しています。出力短絡時の電流 (Ishort) は、約60 mA typ.に内部設定されており、短絡時の負荷電流はこの値に基づいて制限されます。出力トランジスタが過電流状態 から解除されると、出力電圧はレギュレート動作を再開します。 注意 1. 4 過電流保護回路は、過熱保護を兼ねる回路ではありません。したがって、長時間短絡状態が続く場合には、 短絡条件も含め使用条件におけるICの損失が、許容損失を越えないように入力電圧、負荷電流の条件に十分 注意してください。 サーマルシャットダウン回路 S-19311シリーズでは、自己発熱を制限するためのサーマルシャットダウン回路を内蔵しています。ジャンクショ ン温度が170°C typ.に上昇すると、サーマルシャットダウン回路が動作し、レギュレート動作を停止します。その 後、ジャンクション温度が135°C typ.に低下すると、サーマルシャットダウン回路が解除され、レギュレート動作 を再開します。 自己発熱によりサーマルシャットダウン回路が動作した場合、レギュレート動作を停止し、出力電圧が低下します。 このことにより、自己発熱が制限され、ICの温度が低下します。温度が低下するとサーマルシャットダウン回路が 解除され、レギュレート動作を再開し、出力電圧が上昇することで再び自己発熱が生じます。この繰り返し動作を 行うことにより、VOUT端子出力の波形がパルス状になります。この現象は入力電圧か出力電流のどちらか一方、 または両方を低下させて内部消費電力を少なくするか、あるいは周囲温度を低下させない限り、停止することはあ りません。この現象が継続しますと、製品の劣化などの物理的な損傷を生じる可能性がありますので、注意してく ださい。 表10 サーマルシャットダウン回路 検出 : 170C typ.*1 解除 : 135C typ.*1 *1. ジャンクション温度 VOUT端子電圧 VSS電位 設定値 17 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 高耐圧 CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 リセット機能付き 2. ディテクタ部 2. 1 基本動作 (1) レギュレータの出力電圧 (VOUT) がディテクタの解除電圧 (VDET) 以上で、Nchトランジスタ (N1, N2) はオフ になり、RO端子に "H" が出力されます。このときPchトランジスタ (P1) はオン状態で、コンパレータ (C1) RB VOUT への入力電圧は になります。 RA RB (2) VOUT が低下しVDET 以下になっても、検出電圧 (VDET) 以上であればRO端子に "H" が出力されます。VOUT が VDET (図19のA点) 以下になるとC1によって制御されるN1はオンになり、CDLYが放電されます。DLY端子電圧 (VDLY) がリセット放電しきい値電圧 (VDRL) 以下になるとC2の出力段のN2はオンになり、RO端子に "L" が出力 RB VOUT されます。このときP1はオフになり、C1への入力電圧は になります。 RA RB RC (3) VOUTがさらに低下し、ICの最低動作電圧以下になると、RO端子出力は "H" になります。 (4) VOUTが最低動作電圧以上に上昇するとRO端子に "L" が出力されます。また、VOUTがVDETを越えてもVDET未満 の場合には出力は "L" になります。 (5) さらにVOUTを上昇させVDET (図19のB点) 以上になるとN1はオフになり、CDLYが充電されます。VDLYが充電しき い値電圧 (VDU) 以上になるとN2はオフになり、RO端子に "H" が出力されます。 VOUT RC P1 RA 基準電圧 回路 C1 N1 RO C2 N2 RB VSS DLY CDLY 図18 (1) ディテクタ部の動作説明図 (2) (3) (4) (5) VOUT B 解除電圧 (VDET) A ヒステリシス幅 検出電圧 (VDET) (VHYS) 最低動作電圧 VSS VOUT RO端子出力 VSS trd 図19 18 ディテクタ部のタイミングチャート 車載用 Rev.1.0_02 2. 2 125°C動作 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ 遅延回路 RO端子に "L" が出力された状態でレギュレータの出力電圧 (VOUT) が立ち上がったとき、VOUTがVDETになったと きよりも遅れてリセット解除信号がRO端子に出力されます。解除遅延時間 (trd) はCDLYの容量値で調整可能です。 詳細は、" 遅延時間調整コンデンサ (CDLY) の選定" を参照してください。 また、VOUTがVDET以下になったとき、RO端子への出力にリセット反応時間 (trr) と同じ長さの遅延時間が発生し ます。詳細は、" 用語の説明"、"2. ディテクタ部" を参照してください。 VOUTがVDET以下になってからVDET以上になるまでの時間がtrrの長さと比べてかなり短いとき、VDLYはVDRL以下と ならないことがあります。その場合、RO端子には "H" が出力されたままとなります。 注意 2. 3 trdはCDLYの充電時間に依存するため、CDLYに残留電荷が残った状態で充電動作が開始されると、trdは設定値 よりも短くなることがあります。 出力回路 RO端子の出力形態はNchオープンドレインです。内部でVOUT端子にプルアップするための抵抗が内蔵されている ため、外付けプルアップ抵抗なしで信号を出力することが可能です。 RO端子に外付けプルアップ抵抗を接続する場合、VOUT端子以外には接続しないでください。 注意 外部プルアップ抵抗の値は実際の使用条件において、温度特性を含めた十分な評価を行い決定してください。 19 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 注意事項 ・VIN端子、VOUT端子およびGNDの配線は、インピーダンスが低くなるように十分注意してパターン配線してくださ い。また、VOUT端子VSS端子間の出力コンデンサ (CL) とVIN端子VSS端子間の入力安定用コンデンサ (CIN) は、 それぞれの端子の近くに付加してください。 ・一般にシリーズレギュレータを低負荷電流 (0.1 mA以下) 状態で使用すると、出力電圧が上昇する場合がありますの で注意してください。 ・一般にシリーズレギュレータは、高温時に出力トランジスタのリーク電流により、出力電圧が上昇する場合がありま すので注意してください。 ・一般にシリーズレギュレータは、外付け部品の選択によっては発振するおそれがあります。S-19311シリーズでは以 下の条件を推奨しておりますが、実際の使用条件において、温度特性を含めた十分な評価を行い決定してください。 なお、出力コンデンサの等価直列抵抗 (RESR) については、" 参考データ"、"3. 等価直列抵抗出力電流特性例 (Ta =25C)" を参照してください。 入力コンデンサ (CIN) 出力コンデンサ (CL) : 2.2 F以上 : 2.2 F以上 ・一般にシリーズレギュレータでは、電源起動、電源変動や負荷変動などの変動要因や、出力コンデンサの大きさによっ て、出力電圧のオーバーシュート、アンダーシュートの程度も異なります。このため実際のアプリケーションで、出 力電圧のオーバーシュートや、アンダーシュートの温度特性を含めた十分な評価をして、出力コンデンサの条件を決 めてください。 ・電源のインピーダンスが高い場合には、ICの入力部の容量が小さいかあるいはまったく接続されていない場合に発振 することがありますので注意してください。 ・電源投入時、または電源変動時、電圧を急激に立ち上げると、出力に一瞬オーバーシュートが発生することがありま す。その際の出力電圧は、実機にて十分な評価を行ってください。 ・VOUT端子が急峻にGNDに短絡されると、アプリケーションにおける配線上のインダクタンスと出力容量の共振によ り、VOUT端子に絶対最大定格を越える負電圧が発生することがあります。VOUT端子VSS端子間に保護ダイオー ドを挿入するか、または、出力容量に直列抵抗を挿入することによって負電圧を制限することができます。 ・IC内での損失が許容損失を越えないように、入出力電圧、負荷電流の使用条件に注意してください。 ・本ICは静電気に対する保護回路が内蔵されていますが、保護回路の性能を越える過大静電気がICに印加されないよう にしてください。 ・必要とする出力電流の設定においては、" 電気的特性"、表7の出力電流値および欄外の注意書き*4に留意してくだ さい。 ・弊社ICを使用して製品を作る場合には、その製品での当ICの使い方や製品の仕様また、出荷先の国などによって当IC を含めた製品が特許に抵触した場合、その責任は負いかねます。 20 125°C動作 車載用 Rev.1.0_02 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ 諸特性データ (Typicalデータ) 1. レギュレータ部 1. 1 出力電圧出力電流 (負荷電流増加時) (Ta =25C) 1. 1. 1 VOUT = 3.3 V 4.0 1. 1. 2 VOUT = 5.0 V 6.0 5.0 VIN = 3.8 V 2.0 VOUT [V] VOUT [V] 3.0 VIN = 13.5 V VIN = 4.3 V 1.0 100 200 300 400 IOUT [mA] 500 0 300 400 IOUT [mA] 500 600 15 18 1. 2. 2 VOUT = 5.0 V 6.0 VOUT [V] VOUT [V] 200 5.0 IOUT = 1 mA IOUT = 10 mA IOUT = 30 mA 2.0 1.0 IOUT = 100 mA 0.0 4.0 2.0 IOUT = 1 mA IOUT = 10 mA IOUT = 30 mA 1.0 IOUT = 100 mA 3.0 0.0 0 3 6 9 12 VIN [V] 15 18 0 3 6 9 12 VIN [V] ドロップアウト電圧出力電流 1. 3. 1 VOUT = 3.3 V 200 1. 3. 2 VOUT = 5.0 V 200 Vdrop [mV] Tj = +150°C 150 Tj = +125°C Tj = +25°C 100 50 Tj = −40°C 0 0 50 100 IOUT [mA] 150 Tj = +150°C 150 Tj = +125°C Tj = +25°C 100 50 Tj = −40°C 0 200 0 50 100 IOUT [mA] 150 200 ドロップアウト電圧ジャンクション温度 1. 4. 1 VOUT = 3.3 V 100 IOUT = 100 mA 80 1. 4. 2 VOUT = 5.0 V 100 80 60 IOUT = 30 mA 40 20 0 −40 −25 Vdrop [mV] Vdrop [mV] 100 出力電圧入力電圧 (Ta =25C) 3.0 Vdrop [mV] 2.0 600 1. 2. 1 VOUT = 3.3 V 4.0 1. 4 VIN = 13.5 V VIN = 6.0 V 0.0 0 1. 3 VIN = 5.5 V 3.0 1.0 0.0 1. 2 4.0 IOUT = 100 mA 60 40 IOUT = 30 mA 20 0 25 50 75 100 125 150 Tj [°C] 0 −40 −25 0 25 50 75 100 125 150 Tj [°C] 21 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 1. 5 高耐圧 CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 リセット機能付き 出力電圧ジャンクション温度 1. 5. 1 VOUT = 3.3 V 1. 5. 2 VOUT = 5.0 V VIN = 13.5 V 3.6 5.3 3.5 5.2 3.4 5.1 VOUT [V] VOUT [V] VIN = 13.5 V 3.3 3.2 3.1 4.9 4.8 3.0 −40 −25 1. 6 5.0 0 25 4.7 −40 −25 50 75 100 125 150 Tj [°C] 0 25 リップル除去率 (Ta =25C) 1. 6. 1 VOUT = 3.3 V 1. 6. 2 VOUT = 5.0 V 100 IOUT = 1 mA IOUT = 30 mA IOUT = 100 mA 80 60 40 20 0 10 100 1k 10k VIN = 13.5 V, CL = 2.2 F Ripple Rejection [dB] VIN = 13.5 V, CL = 2.2 F Ripple Rejection [dB] 50 75 100 125 150 Tj [°C] 100k 100 IOUT = 1 mA IOUT = 30 mA IOUT = 100 mA 80 60 40 20 0 10 1M 100 Frequency [Hz] 1k 10k 100k 1M Frequency [Hz] 2. ディテクタ部 検出電圧、解除電圧ジャンクション温度 VDET, VDET [V] 2. 1. 1 3.2 VDET = 2.6 V 3.0 VDET 2.8 2.6 2.4 2.2 40 25 2. 2 2. 1. 2 5.3 VDET 0 25 VDET 5.1 4.9 4.7 4.5 VDET 0 25 50 75 100 125 150 Tj [°C] ヒステリシス幅ジャンクション温度 2. 2. 2 VDET = 4.7 V 300 250 250 200 200 VHYS [mV] VHYS [mV] VDET = 4.7 V 4.3 40 25 50 75 100 125 150 Tj [°C] 2. 2. 1 VDET = 2.6 V 300 150 100 50 0 −40 −25 22 VDET, VDET [V] 2. 1 150 100 50 0 25 50 75 100 125 150 Tj [°C] 0 −40 −25 0 25 50 75 100 125 150 Tj [°C] 125°C動作 車載用 Rev.1.0_02 Nchトランジスタ出力電流VDS 2. 3. 1 VDET = 2.6 V 100 IRO [mA] 80 60 2. 3. 2 VDET = 4.7 V 200 Ta = +25°C 160 Ta = −40°C 40 20 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 VDS [V] Ta = +25°C Ta = −40°C 120 80 Ta = +125°C 40 Ta = +125°C 0 2. 4 CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ リセット機能付き IRO [mA] 2. 3 高耐圧 0 2.5 3.0 0 1 2 3 VDS [V] VDET = 2.6 V 2. 4. 2 VDET = 4.7 V VDS = 0.4 V 20 Ta = −40°C 10 5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 VOUT [V] 2.5 20 Ta = −40°C 15 10 5 Ta = +125°C 0 Ta = +25°C 25 IRO [mA] IRO [mA] VDS = 0.4 V 30 Ta = +25°C 15 Ta = +125°C 0 3.0 0 1 2 3 VOUT [V] VDET = 2.6 V 2. 5. 2 5 VDET = 4.7 V VDS = 0.4 V VDS = 0.4 V 4 6 5 2 Tj = +150°C 1 0 0.0 0.5 1.0 VRO [V] 3 VRO [V] 4 Nchトランジスタ出力電圧出力電圧 2. 5. 1 備考 5 Nchトランジスタ出力電流出力電圧 2. 4. 1 2. 5 4 Tj = +125°C Tj = +25°C Tj = −40°C 1.5 2.0 VOUT [V] 4 3 Tj = +150°C Tj = +125°C Tj = +25°C Tj = −40°C 2 1 0 2.5 3.0 0 1 2 3 VOUT [V] 4 5 VDS : 出力トランジスタのドレインソース間電圧 23 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 2. 6 高耐圧 解除遅延時間ジャンクション温度 2. 6. 2 VDET = 4.7 V 25 2. 6. 1 VDET = 2.6 V 25 20 20 15 15 trd [ms] trd [ms] CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 リセット機能付き 10 5 5 0 −40 −25 25 0 −40 −25 50 75 100 125 150 Tj [°C] 0 25 VDET = 2.6 V 2. 7. 2 1000 Tj = +150°C 100 VDET = 4.7 V Tj = +150°C 100 Tj = +125°C 10 Tj = +25°C 1 Tj = +125°C 10 Tj = +25°C 1 Tj = −40°C 0.1 Tj = −40°C 0.1 1 10 100 1000 1 10 CDLY [nF] trr [s] VDET = 2.6 V 2. 8. 2 25 20 20 15 15 10 5 VDET = 4.7 V 10 5 0 40 25 0 25 0 40 25 50 75 100 125 150 Tj [C] VDET = 2.6 V 2. 9. 2 100 25 50 75 100 125 150 Tj [C] VDET = 4.7 V Tj = +150°C Tj = +125°C Tj = +150°C Tj = +125°C 10 trr [μs] trr [μs] 0 リセット反応時間遅延時間調整コンデンサ容量 2. 9. 1 100 10 Tj = +25°C Tj = +25°C Tj = −40°C 1 1 10 100 CDLY [nF] 24 1000 リセット反応時間ジャンクション温度 2. 8. 1 25 2. 9 100 CDLY [nF] trr [s] 2. 8 50 75 100 125 150 Tj [°C] 解除遅延時間遅延時間調整コンデンサ容量 2. 7. 1 1000 trd [ms] 0 trd [ms] 2. 7 10 Tj = −40°C 1 1000 1 10 100 CDLY [nF] 1000 125°C動作 車載用 Rev.1.0_02 高耐圧 CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ リセット機能付き 3. 全体部 3. 1 動作時消費電流入力電圧 3. 1. 1 VOUT = 3.3 V, VDET = 2.6 V 300 250 Tj = 40C Tj = 25C Tj = 125C Tj = 150C 200 150 100 ISS1 [A] ISS1 [A] 250 3. 1. 2 VOUT = 5.0 V, VDET = 4.7 V 300 3. 2 9 12 VIN [V] 6 15 18 9 6 12 15 18 VIN [V] 3. 2. 2 160 Ta = 40C 80 40 Ta = 25C VOUT = 5.0 V, VDET = 4.7 V Ta = 40C 120 ISS1 [A] ISS1 [A] 3 0 動作時消費電流出力電流 120 Ta = 125C 80 40 0 Ta = 25C Ta = 125C 0 0 40 80 120 IOUT [mA] 160 200 0 40 80 120 IOUT [mA] 160 200 動作時消費電流ジャンクション温度 80 40 IOUT = 5 mA 0 40 25 0 25 IOUT = 50 mA 50 75 100 125 150 Tj [C] 3. 3. 2 160 VOUT = 5.0 V, VDET = 4.7 V IOUT = 200 mA 120 ISS1 [A] 3. 3. 1 VOUT = 3.3 V, VDET = 2.6 V 160 IOUT = 200 mA 120 ISS1 [A] 100 0 3 0 3. 2. 1 VOUT = 3.3 V, VDET = 2.6 V 160 3. 3 Tj = +25C Tj = +125C Tj = +150C 150 50 50 0 Tj = 40C 200 80 40 IOUT = 5 mA 0 40 25 0 25 IOUT = 50 mA 50 75 100 125 150 Tj [C] 25 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 高耐圧 CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 リセット機能付き 参考データ 1. 入力過渡応答特性 (Ta = 25C) 3.6 VIN 13 5.8 12 5.6 3.5 11 3.4 10 3.3 VOUT 3.2 100 0 100 200 t [s] 300 400 VIN [V] VOUT [V] VOUT [V] 3.7 1. 2 VOUT = 5.0 V IOUT = 30 mA, CL = 2.2 F, VIN = 11.5 V 13.5 V, tr = tf = 5.0 s 14 6.0 13 11 5.4 5.2 10 VOUT 9 5.0 8 4.8 100 500 12 VIN VIN [V] 1. 1 VOUT = 3.3 V IOUT = 30 mA, CL = 2.2 F, VIN = 11.5 V 13.5 V, tr = tf = 5.0 s 14 3.8 9 8 0 100 200 t [s] 300 400 500 2. 負荷過渡応答特性 (Ta = 25C) 3.5 3.4 3.3 IOUT 5.6 50 5.4 0 VOUT 50 3.2 3.1 100 100 0 100 200 t [s] 300 400 IOUT [mA] VOUT [V] VOUT [V] 3.6 2. 2 VOUT = 5.0 V VIN = 13.5 V, CL = 2.2 F, IOUT = 50 mA 100 mA 150 5.8 5.2 5.0 50 0 VOUT 100 4.8 150 4.6 100 500 100 IOUT 50 100 150 0 100 200 t [s] 300 400 500 3. ロードダンプ特性 (Ta = 25C) 5.8 40 5.6 30 5.4 5.2 5.0 20 VIN 10 VOUT VIN [V] VOUT [V] 3. 1 VOUT = 5.0 V IOUT = 0.1 mA, VIN = 13.5 V 45.0 V, CIN = CL = 2.2 F 50 6.0 0 10 4.8 0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 t [s] 4. 等価直列抵抗出力電流特性例 (Ta = 25C) CIN = CL = 2.2 F, CDLY = 47 nF 10 RESR [] VIN CIN Stable 0 DLY VOUT S-19311 シリーズ VSS 0.1 200 CL*1 RO RESR CDLY IOUT [mA] *1. 図20 26 CL : 村田製作所 GCM31CR71H225K (2.2 F) 図21 IOUT [mA] 2. 1 VOUT = 3.3 V VIN = 13.5 V, CL = 2.2 F, IOUT = 50 mA 100 mA 150 3.7 125°C動作 車載用 Rev.1.0_02 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ パッケージ熱特性 1. TO-252-5S(A) Tj = 150C max. 5.0 基板5 4.46 W 許容損失 (PD) [W] 4.0 基板4 4.03 W 3.0 基板3 3.29 W 2.0 基板2 2.08 W 基板1 1.45 W 1.0 0 0 図22 1. 1 50 100 周囲温度 (Ta) [C] 150 パッケージ許容損失 (基板実装時) 基板1 76.2 mm 表11 114.3 mm 項目 仕様 熱抵抗値 (ja) 86C/W サイズ 114.3 mm 76.2 mm t1.6 mm 材料 FR-4 銅箔層数 2 ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm 1 2 銅箔層 3 4 74.2 mm 74.2 mm t0.070 mm サーマルビア 図23 基板2 76.2 mm 表12 項目 114.3 mm 1. 2 仕様 熱抵抗値 (ja) 60C/W サイズ 114.3 mm 76.2 mm t1.6 mm 材料 FR-4 銅箔層数 1 4 ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm 2 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 3 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 4 74.2 mm 74.2 mm t0.070 mm 銅箔層 サーマルビア 図24 27 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 1. 3 高耐圧 CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 リセット機能付き 基板3 76.2 mm 表13 114.3 mm 項目 仕様 熱抵抗値 (ja) 38C/W サイズ 114.3 mm 76.2 mm t1.6 mm 材料 FR-4 銅箔層数 銅箔層 1 4 ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm 2 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 3 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 4 74.2 mm 74.2 mm t0.070 mm 数 :4 直径 : 0.3 mm サーマルビア 図25 基板4 76.2 mm 46 mm 表14 114.3 mm 項目 46 mm 1. 4 仕様 熱抵抗値 (ja) 31C/W サイズ 114.3 mm 76.2 mm t1.6 mm 材料 FR-4 銅箔層数 1 4 放熱用パターン : 46 mm 46 mm t0.070 mm 2 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 3 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 4 74.2 mm 74.2 mm t0.070 mm 銅箔層 サーマルビア 放熱用パターン 図26 1. 5 基板5 76.2 mm 46 mm 表15 114.3 mm 46 mm 項目 熱抵抗値 (ja) 28C/W サイズ 114.3 mm 76.2 mm t1.6 mm 材料 FR-4 銅箔層数 1 4 放熱用パターン : 46 mm 46 mm t0.070 mm 2 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 3 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 4 74.2 mm 74.2 mm t0.070 mm 数 :4 直径 : 0.3 mm 銅箔層 サーマルビア 図27 28 仕様 車載用 Rev.1.0_02 125°C動作 高耐圧 リセット機能付き CMOSボルテージレギュレータ S-19311シリーズ 2. HSOP-8A Tj = 150C max. 5.0 基板5 4.03 W 許容損失 (PD) [W] 4.0 基板4 3.38 W 3.0 基板3 3.21 W 2.0 基板2 1.69 W 1.0 基板1 1.20 W 0 0 図28 2. 1 50 100 周囲温度 (Ta) [C] 150 パッケージ許容損失 (基板実装時) 基板1 76.2 mm 表16 114.3 mm 項目 仕様 熱抵抗値 (ja) 104C/W サイズ 114.3 mm 76.2 mm t1.6 mm 材料 FR-4 銅箔層数 1 2 ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm 2 銅箔層 3 4 74.2 mm 74.2 mm t0.070 mm サーマルビア 図29 基板2 76.2 mm 表17 項目 114.3 mm 2. 2 仕様 熱抵抗値 (ja) 74C/W サイズ 114.3 mm 76.2 mm t1.6 mm 材料 FR-4 銅箔層数 銅箔層 サーマルビア 1 4 ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm 2 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 3 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 4 74.2 mm 74.2 mm t0.070 mm 図30 29 車載用 125°C動作 S-19311シリーズ 2. 3 高耐圧 CMOSボルテージレギュレータ Rev.1.0_02 リセット機能付き 基板3 76.2 mm 表18 114.3 mm 項目 仕様 熱抵抗値 (ja) 39C/W サイズ 114.3 mm 76.2 mm t1.6 mm 材料 FR-4 銅箔層数 銅箔層 1 4 ランドパターンおよび測定用配線 : t0.070 mm 2 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 3 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 4 74.2 mm 74.2 mm t0.070 mm 数 :4 直径 : 0.3 mm サーマルビア 図31 基板4 76.2 mm 45 mm 表19 114.3 mm 項目 50 mm 2. 4 仕様 熱抵抗値 (ja) 37C/W サイズ 114.3 mm 76.2 mm t1.6 mm 材料 FR-4 銅箔層数 1 4 放熱用パターン : 45 mm 50 mm t0.070 mm 2 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 3 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 4 74.2 mm 74.2 mm t0.070 mm 銅箔層 サーマルビア 放熱用パターン 図32 2. 5 基板5 76.2 mm 45 mm 表20 114.3 mm 50 mm 項目 熱抵抗値 (ja) 31C/W サイズ 114.3 mm 76.2 mm t1.6 mm 材料 FR-4 銅箔層数 1 4 放熱用パターン : 45 mm 50 mm t0.070 mm 2 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 3 74.2 mm 74.2 mm t0.035 mm 4 74.2 mm 74.2 mm t0.070 mm 数 :4 直径 : 0.3 mm 銅箔層 サーマルビア 図33 30 仕様 6.5±0.2 5.8 1.2±0.1 0.80 0.22±0.05 0.6±0.1 1.27 (5.2) No. VA005-A-P-SD-1.0 TITLE TO-252-5S-A-PKG Dimensions VA005-A-P-SD-1.0 No. SCALE UNIT mm SII Semiconductor Corporation 4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2) 2.0±0.05 +0.1 ø1.5 -0.0 0.2±0.05 ø1.7±0.1 8.0±0.1 1.5±0.1 6.9±0.1 5 1 Feed direction No. VA005-A-C-SD-1.0 TITLE TO-252-5S-A-C a r r i e r T a p e No. VA005-A-C-SD-1.0 SCALE UNIT mm SII Semiconductor Corporation 60° 13.4±1.0 Enlarged drawing in the central part ø21±0.8 17.4±1.0 2±0.5 ø13±0.2 No. VA005-A-R-SD-1.0 TITLE TO-252-5S-A-Reel No. VA005-A-R-SD-1.0 SCALE QTY. UNIT 4,000 mm SII Semiconductor Corporation 6.0 0.8 2.54 1.27 No. VA005-A-L-SD-1.0 TITLE TO-252-5S-A -Land Recommendation No. VA005-A-L-SD-1.0 SCALE UNIT mm SII Semiconductor Corporation 5.02±0.2 8 5 1 4 1.27 1 0.20±0.05 0.4±0.05 3.0 4 No. FH008-A-P-SD-1.0 8 5 TITLE HSOP8A-A-PKG Dimensions No. FH008-A-P-SD-1.0 SCALE UNIT mm SII Semiconductor Corporation 4.0±0.1(10 pitches:40.0±0.2) 2.0±0.05 ø1.5 +0.1 -0.0 0.3±0.05 ø2.0±0.05 8.0±0.1 2.1±0.1 6.7±0.1 1 8 4 5 Feed direction No. FH008-A-C-SD-1.0 TITLE HSOP8A-A-Carrier Tape No. FH008-A-C-SD-1.0 SCALE UNIT mm SII Semiconductor Corporation 17.4±1.0 13.4±1.0 Enlarged drawing in the central part ø21±0.8 2±0.5 ø13±0.2 No. FH008A-R-SD-1.0 TITLE HSOP8A-A-Reel No. FH008-A-R-SD-1.0 SCALE UNIT QTY. 4,000 mm SII Semiconductor Corporation 0.76 3.2 1.27 1.27 1.27 No. FH008-A-L-SD-1.0 TITLE No. HSOP8A-A -Land Recommendation FH008-A-L-SD-1.0 SCALE UNIT mm SII Semiconductor Corporation 免責事項 (取り扱い上の注意) 1. 本資料に記載のすべての情報 (製品データ、仕様、図、表、プログラム、アルゴリズム、応用回路例等) は本資料発 行時点のものであり、予告なく変更することがあります。 2. 本資料に記載の回路例、使用方法は参考情報であり、量産設計を保証するものではありません。 本資料に記載の情報を使用したことによる、製品に起因しない損害や第三者の知的財産権等の権利に対する侵害に関 し、弊社はその責任を負いません。 3. 本資料に記載の内容に記述の誤りがあり、それに起因する損害が生じた場合において、弊社はその責任を負いません。 4. 本資料に記載の範囲内の条件、特に絶対最大定格、動作電圧範囲、電気的特性等に注意して製品を使用してください。 本資料に記載の範囲外の条件での使用による故障や事故等に関する損害等について、弊社はその責任を負いません。 5. 本資料に記載の製品の使用にあたっては、用途および使用する地域、国に対応する法規制、および用途への適合性、 安全性等を確認、試験してください。 6. 本資料に記載の製品を輸出する場合は、外国為替および外国貿易法、その他輸出関連法令を遵守し、関連する必要な 手続きを行ってください。 7. 本資料に記載の製品を大量破壊兵器の開発や軍事利用の目的で使用および、提供 (輸出) することは固くお断りしま す。核兵器、生物兵器、化学兵器およびミサイルの開発、製造、使用もしくは貯蔵、またはその他の軍事用途を目的 とする者へ提供 (輸出) した場合、弊社はその責任を負いません。 8. 本資料に記載の製品は、身体、生命および財産に損害を及ぼすおそれのある機器または装置の部品 (医療機器、防災 機器、防犯機器、燃焼制御機器、インフラ制御機器、車両機器、交通機器、車載機器、航空機器、宇宙機器、および 原子力機器等) として設計されたものではありません。ただし、弊社が車載用等の用途を指定する場合を除きます。 弊社の書面による許可なくして使用しないでください。 特に、生命維持装置、人体に埋め込んで使用する機器等、直接人命に影響を与える機器には使用できません。 これらの用途への利用を検討の際には、必ず事前に弊社営業部にご相談ください。 また、弊社指定の用途以外に使用されたことにより発生した損害等について、弊社はその責任を負いません。 9. 半導体製品はある確率で故障、誤動作する場合があります。 弊社製品の故障や誤動作が生じた場合でも人身事故、火災、社会的損害等発生しないように、お客様の責任において 冗長設計、延焼対策、誤動作防止等の安全設計をしてください。 また、システム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。 10. 本資料に記載の製品は、耐放射線設計しておりません。お客様の用途に応じて、お客様の製品設計において放射線対 策を行ってください。 11. 本資料に記載の製品は、通常使用における健康への影響はありませんが、化学物質、重金属を含有しているため、口 中には入れないようにしてください。また、ウエハ、チップの破断面は鋭利な場合がありますので、素手で接触の際 は怪我等に注意してください。 12. 本資料に記載の製品を廃棄する場合には、使用する地域、国に対応する法令を遵守し、適切に処理してください。 13. 本資料は、弊社の著作権、ノウハウに係わる内容も含まれております。 本資料中の記載内容について、弊社または第三者の知的財産権、その他の権利の実施、使用を許諾または保証するも のではありません。これら著作物の一部を弊社の許可なく転載、複製し、第三者に開示することは固くお断りします。 14. 本資料の内容の詳細については、弊社営業部までお問い合わせください。 1.0-2016.01 www.sii-ic.com